CN101859074B - 干版显影槽清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种干版显影槽清洗方法，干版显影槽清洗液成分包括硝酸铈铵、高氯酸和去离子水，且硝酸铈铵：高氯酸：去离子水=1-13g：1-20ml：25-2000ml，干版显影槽清洗方法包括如下步骤：（1）将显影槽中的废显影液排出后，用去离子水清洗显影槽，清洗完毕后将废液排出；（2）将上述的干版显影槽清洗液注入显影槽中清洗，清洗完毕后将废清洗液回收；（3）在显影槽内加入无磷清洗剂，用去离子水冲洗显影槽，直到无泡沫为止。采用本发明提供的干版显影槽清洗方法，可以快速有效地去除黑色银离子和强氧化性残留物，从而防止在显影过程中干版表面产生黑点类或霉点类缺陷。

Description

干版显影槽清洗方法
技术领域
本发明涉及干版显影槽清洗技术，更具体地说，涉及一种干版显影槽清洗方法。
背景技术
显影槽是指干版或其它银盐产品显影装载显影液的专用容器。干版是掩膜版行业中常用的用于记载图形、文字信息的超微粒银盐玻璃板。使用装载显影液的显影槽显影的过程是一个化学反应过程，显影后易在显影槽的槽底和槽壁残留一些黑色银离子和强氧化性残留物，如果清洗不干净，再次使用显影槽时，残留在槽内的黑色银离子和强氧化性残留物就会混合在显影液中，在显影过程中聚合在干版的表面从而产生黑点类或霉点类缺陷，从而影响干版的品质。传统采用高锰酸钾、浓硫酸及去离子水配制而成的混合型强氧化性溶液清洗显影槽，该种清洗液利用高锰酸钾在酸性条件下，所体现得强氧化性能来去除所需物质，但是这种清洗液存在配置风险高、稳定性能差、去除Ag不强、清洗液配制时间较长等缺点。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，提供一种干版显影槽清洗方法，以快速有效地去除显影槽内的黑色银离子和强氧化性残留物。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
构造一种干版显影槽清洗方法，包括如下步骤：
（1）将显影槽中的废显影液排出后，用去离子水清洗显影槽，清洗完毕后将废液排出；
（2）将干版显影槽清洗液注入显影槽中清洗，清洗完毕后将废清洗液回收，所述干版显影槽清洗液其成分包括硝酸铈铵、高氯酸和去离子水，且硝酸铈铵：高氯酸：去离子水=1-13g：1-20ml：25-2000ml；
（3）在显影槽内加入无磷清洗剂，用去离子水冲洗显影槽，直到无泡沫为止。
进一步地，硝酸铈铵：高氯酸：去离子水=1-10g：1-15ml：25-500ml。
进一步地，硝酸铈铵：高氯酸：去离子水=1-8g：10-15ml：25-75ml。
进一步地，所述步骤（1）中，清洗时间为1分钟。
进一步地，所述步骤（2）中，清洗时间为不超过2分钟。
进一步地，所述步骤（3）中，采用长柄毛刷进行清洗。
实施本发明的干版显影槽清洗方法，具有以下有益效果：本发明所提供的清洗方法采用硝酸铈铵（Ce(NH4)2(NO3)6）、高氯酸（HClO4）和去离子水按一定比例配置而成的清洗液，Ce(IV)在酸性条件下的氧化性很强，能氧化很多金属性物质及具有还原性的有机物质。采用本发明的清洗方法可以有效的、快速的去除残留在显影槽中的黑色银离子和强氧化性残留物，防止在显影过程中干版表面产生黑点类或霉点类缺陷，从而提高干版的品质。
具体实施方式
为了使本发明的技术方案更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。
实施例1：
穿戴好防酸衣、防护面具以及乳胶手套后，将显影槽中的废显影液倒入固定的容器中，用适量的去离子水清洗显影槽1分钟；取硝酸铈铵1g、高氯酸10ml、去离子水25ml配置成干版显影槽清洗液；提取上述清洗液注入显影槽中使用长柄毛刷进行清洗，清洗时间2分钟之内，将废清洗液回收到20升的大桶容器中；加入10g无磷清洗剂，用适量的去离子水冲洗显影槽，直到无泡沫为止。
实施例2：
穿戴好防酸衣、防护面具以及乳胶手套后，将显影槽中的废显影液倒入固定的容器中，用适量的去离子水清洗显影槽1分钟；取硝酸铈铵5g、高氯酸12ml、去离子水40ml配置成干版显影槽清洗液；提取上述清洗液注入显影槽中使用长柄毛刷进行清洗，清洗时间2分钟之内，将废清洗液回收到20升的大桶容器中；加入10g无磷清洗剂，用适量的去离子水冲洗显影槽，直到无泡沫为止。
实施例3：
穿戴好防酸衣、防护面具以及乳胶手套后，将显影槽中的废显影液倒入固定的容器中，用适量的去离子水清洗显影槽1分钟；取硝酸铈铵8g、高氯酸15ml、去离子水75ml配置成干版显影槽清洗液；提取上述清洗液注入显影槽中使用长柄毛刷进行清洗，清洗时间2分钟之内，将废清洗液回收到20升的大桶容器中；加入10g无磷清洗剂，用适量的去离子水冲洗显影槽，直到无泡沫为止。
采用上述实施例中的清洗液清洗干版显影槽上的黑色银离子和强氧化性残留物，均可以多次的进行，也可以安装本领域常用的循环系统，让清洗液自动循环进行清洗，直到残留物清洗干净。在本发明中硝酸铈铵：高氯酸：去离子水=1-13g：1-20ml：25-2000ml，如采用此范围之外配置的清洗液进行清洗，则会因浓度过大而腐蚀显影槽或因浓度过小而不能彻底清除显影槽壁上的黑色银离子和强氧化性残留物。上述显影槽清洗液硝酸铈铵、高氯酸、与去离子水的最佳配比范围是酸铈铵：高氯酸：去离子水=1-8g：10-15ml：25-75ml。
以上所述仅为本发明的实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (6)

1.一种干版显影槽清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）将显影槽中的废显影液排出后，用去离子水清洗显影槽，清洗完毕后将废液排出；
（2）将干版显影槽清洗液注入显影槽中清洗，清洗完毕后将废清洗液回收，所述干版显影槽清洗液其成分包括硝酸铈铵、高氯酸和去离子水，且硝酸铈铵：高氯酸：去离子水=1-13g：1-20ml：25-2000ml；
（3）在显影槽内加入无磷清洗剂，用去离子水冲洗显影槽，直到无泡沫为止。
2.根据权利要求1所述的干版显影槽清洗方法，其特征在于，硝酸铈铵：高氯酸：去离子水=1-10g：1-15ml：25-500ml。
3.根据权利要求2所述的干版显影槽清洗方法，其特征在于，硝酸铈铵：高氯酸：去离子水=1-8g：10-15ml：25-75ml。
4.根据权利要求1所述的干版显影槽清洗方法，其特征在于，所述步骤（1）中，清洗时间为1分钟。
5.根据权利要求1所述的干版显影槽清洗方法，其特征在于，所述步骤（2）中，清洗时间为不超过2分钟。
6.根据权利要求1所述的干版显影槽清洗方法，其特征在于，所述步骤（3）中，采用长柄毛刷进行清洗。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106694497B (zh) * 2015-07-13 2019-02-05 东莞市斯坦得电子材料有限公司 一种用于干膜/阻焊油墨的显影槽的清洗工艺
CN109433663A (zh) * 2018-10-30 2019-03-08 深圳市路维光电股份有限公司 掩膜版制程槽清洗方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003209092A (ja) * 2002-01-16 2003-07-25 Hirama Rika Kenkyusho:Kk 処理液調製供給方法及び装置
CN1502722A (zh) * 2002-11-26 2004-06-09 关东化学株式会社 以银为主成分的金属薄膜的蚀刻液组合物
CN1699234A (zh) * 2005-05-26 2005-11-23 上海交通大学 在硼硅玻璃表面加工微槽阵列的方法
CN101000290A (zh) * 2007-01-12 2007-07-18 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种基于微纳米结构的样品富集芯片、制作方法及富集方法
CN101037185A (zh) * 2007-01-12 2007-09-19 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种石英玻璃上制作纳米级沟道的方法
CN101417890A (zh) * 2008-10-23 2009-04-29 中国科学院微电子研究所 氮化硅湿法腐蚀方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003209092A (ja) * 2002-01-16 2003-07-25 Hirama Rika Kenkyusho:Kk 処理液調製供給方法及び装置
CN1502722A (zh) * 2002-11-26 2004-06-09 关东化学株式会社 以银为主成分的金属薄膜的蚀刻液组合物
CN1699234A (zh) * 2005-05-26 2005-11-23 上海交通大学 在硼硅玻璃表面加工微槽阵列的方法
CN101000290A (zh) * 2007-01-12 2007-07-18 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种基于微纳米结构的样品富集芯片、制作方法及富集方法
CN101037185A (zh) * 2007-01-12 2007-09-19 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种石英玻璃上制作纳米级沟道的方法
CN101417890A (zh) * 2008-10-23 2009-04-29 中国科学院微电子研究所 氮化硅湿法腐蚀方法

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