KR20030056938A - 반도체 소자의 게이트 절연막 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (4)
- 반도체 기판상에 질화막을 형성하는 단계;상기 질화막을,질소를 함유하는 제 1,2,3 가스의 어느 하나를 사용한 어닐링 공정으로 질화막내의 어느 한 영역에서 질소 이온의 농도가 다른 영역보다 높도록 하는 단계;상기 질화막상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 절연막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 제 1,2,3 가스는 각각 NH3가스, N2O 가스, NH3+ N2O 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 절연막 형성 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 질화막을 상부 표면에서 하부 바닥면까지를 각각 균일한 두께로 세부분으로 나누어 상부부터 차례로 제 1,2,3 영역이라 한다면,NH3가스를 사용하는 경우에는 제 1 영역에 가장 높은 농도의 N이 존재하고,N2O 분위기에서 열처리한 경우에는 제 3 영역에 N이 집중되고,NH3+ N2O 분위기에서 열처리하는 경우에는 제 2 영역에서 N의 농도가 가장 높은 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 절연막 형성 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, NH3가스를 사용하는 어닐링 공정의 경우에는 680 ~ 720℃의 온도에서 1 ~ 20min 동안 진행하고,N2O 가스를 사용한 어닐링 공정의 경우에는 800 ~ 1000℃의 온도에서 1 ~ 5min 동안 진행하고,NH3+ N2O 가스를 사용하는 경우에는 상기한 각각의 조건으로 순차적으로 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 절연막 형성 방법.
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KR100282413B1 (ko) * | 1996-10-24 | 2001-03-02 | 김영환 | 아산화질소 가스를 이용한 박막 형성 방법 |
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