KR20030056364A - 반도체소자의 소자분리막 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 소자분리막 형성방법에 관한 것으로, 특히 패드 질화막이 적층된 실리콘 기판 상에 플라즈마 식각에 의해 트렌치를 식각하고, 그 트렌치 내에 실리콘 에피택셜층을 형성한 후, 갭필 산화막을 증착하여 소자분리막을 형성함으로써, 상기 트렌치 식각 시, 측벽에 발생하는 플라즈마 데미지를 제거하며, 그 결과, 실리콘계면에 스트레스가 유발되어 누설전류가 증가되는 것이 방지되어 반도체 소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

Description

반도체소자의 소자분리막 형성방법{Method for forming the Isolation Layer of Semiconductor Device}
본 발명은 반도체소자의 소자분리막 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패드 질화막이 적층된 실리콘 기판 상에 플라즈마 식각에 의해 트렌치를 식각한 후, 식각 시, 트렌치 측벽에 발생되는 플라즈마 데미지(Plasma Damage)를 트렌치 내에 실리콘 에피택셜층을 형성하여 제거하여 실리콘계면에 스트레스를 방지하도록 하는 반도체소자의 소자분리막 형성방법에 관한 것이다.
일반적으로, 실리콘기판 상에 트렌지스터와 커패시터등을 형성하기 위하여 실리콘기판에는 전기적으로 통전이 가능한 활성영역과 전기적으로 통전되는 것을 방지하고 소자를 서로 분리하도록 하는 소자분리영역을 형성하게 된다.
이와 같이, 실리콘기판에 일정한 깊이를 갖는 트렌치를 형성하고서 이 트렌치에 산화막을 증착시킨 후 화학기계적연마공정으로 이 산화막의 불필요한 부분을 식각하므로 소자분리영역을 반도체 기판에 형성시키는 STI(Shallow Trench Isolation)공정이 최근에 많이 이용되고 있다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 반도체소자의 소자분리막 형성방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 단면도이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(100) 상에 소정의 두께를 갖고서 절연을 하도록 패드산화막(105)을 적층하고, 그 위에 상,하층간에 보호 역할을 하는 패드질화막(110)을 적층한 후, 플라즈마 식각에 의해 트렌치를 실리콘 기판 내에 트렌치(120)를 형성하였다.
이때, 상기 플라즈마 식각 시, 트렌치(120) 측벽에 플라즈마 데미지(130)가 발생된다.
그래서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 트렌치(120) 측벽에 발생된 플라즈마 데미지(130)를 제거하기 위해 상기 결과물을 고온 산화 공정을 진행하여 트렌치(120) 내부에 실리콘 산화막(140)을 형성하였다.
계속하여, 상기 도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 실리콘 산화막(미도시함)을 제거한 후, 상기 트렌치를 갭필 산화막(150)을 이용하여 매립함으로써 소자분리막을 형성하였다.
그런데, 상기와 같은 종래 방법을 이용하게 되면, 상기 트렌치 측벽에 발생된 플라즈마 데미지를 제거하기 위해 고온 산화 공정을 진행하여 실리콘산화막을 형성한 후, 실리콘산화막 제거 시, 트렌치 내부의 CD가 넓어지는 동시에 게이트의 크기가 작아지는 문제점이 있었다.
또한, 상기 트렌치 측벽에 발생된 플라즈마 데미지를 제거하기 위해 고온 산화 공정을 여러 번 진행함으로써, 공정 비용이 증가되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 패드 질화막이 적층된 실리콘 기판 상에 플라즈마 식각에 의해 트렌치를 식각하고, 그 트렌치 내에 실리콘 에피택셜층을 형성한 후, 갭필 산화막을 증착하여 소자분리막을 형성함으로써, 상기 트렌치 식각 시, 측벽에 발생하는 플라즈마 데미지를 제거하며, 그 결과, 실리콘계면에 스트레스가 유발되어 누설전류가 증가되는 것이 방지되어 반도체 소자의 전기적 특성을 향상시키는 것이 목적이다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 반도체소자의 소자분리막 형성방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 소자분리막 형성방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 단면도이다.
-- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 --
200 : 실리콘기판 205 : 패드산화막
210 : 패드질화막 220 : 트렌치
225 : 감광막 패턴 230 : 플라즈마 데미지
240 : 실리콘 에피택셜층 250 : 갭필 산화막
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 실리콘 기판상에 패드산화막과 패드질화막 및 감광막을 순차적으로 적층한 후 트렌치가 형성되게 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막을 식각마스크로 플라즈마 식각공정을 진행하여 실리콘기판 내에 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 트렌치 내에 실리콘계열의 가스를 사용하여 실리콘 에피택셜층을 형성하는 단계와, 상기 결과물 상에 갭필 산화막을 적층하여 트렌치를 매립하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 형성방법을 제공한다.
바람직하게, 본 발명은 상기 실리콘 에피택셜층은 실리콘계열의 가스 중 Si2H2Cl2가스 또는 SiH4가스를 사용하여 1000 ~ 1200℃의 온도에서 10 ~ 30초 동안 빠른 열공정(Rapid Thermal Process)을 진행하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 반도체소자의 소자분리막 형성방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 단면도이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 실리콘기판(200) 상에 패드산화막(205)과 패드질화막(210)을 순차적으로 적층하고, 그 상부에 감광막(미도시함)을 도포한 후, 트렌치 형성 영역이 형성되도록 노광 및 현상공정을 진행하여 감광막 패턴(225)을 만든다.
그리고, 상기 감광막 패턴(225)을 식각마스크로 플라즈마 식각공정을 실시하여 실리콘기판(200) 내에 트렌치(220)를 형성한다.
이때, 상기 플라즈마 식각에 의해 트렌치(220) 측벽에 플라즈마 데미지(230)가 발생되며, 이 플라즈마 데미지(230)는 반도체소자가 구동될 때, 누설전류의 원인이 되어 반도체소자 구동에 장애가 된다.
그래서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 감광막 패턴과 패드질화막을 제거한 후, 트렌치(220) 측벽의 플라즈마 데미지(230)를 제거하기 위해 트렌치(220) 내부에 실리콘계열의 가스 중 Si2H2Cl2가스 또는 SiH4가스를 사용하여 빠른 열공정(Rapid Thermal Process)을 진행함으로써, 트렌치 내부에 실리콘 에피택셜층 (240)을 형성하여 트렌치 측벽의 플라즈마 데미지를 제거한다.
이때, 상기 실리콘 에피택셜층(240)은 1000 ~ 1200℃의 온도에서 10 ~ 30초 동안 빠른 열공정을 실시하여 약 90 ~ 110Å 두께로 형성한다.
또한, 상기 실리콘계열의 가스를 사용하여 빠른 열공정 시, 발생되는 부산물인 H2가스로 인해 고온에서 실리콘 원자의 이동이 가능하게 되어 트렌치의 양 에지부분을 "A"와 같이 라운딩되게 형성하여 트랩 차지(Trap Charge)가 트렌치 한곳에 집중되는 것을 방지한다.
그리고, 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 결과물 상에 갭필(Gap Fill) 산화막(250)을 적층하여 트렌치(미도시함)를 매립하여 소자분리막을 형성한다.
따라서, 상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체소자의 소자분리막 형성방법을 이용하게 되면, 패드 질화막이 적층된 실리콘 기판 상에 플라즈마 식각에 의해 트렌치를 식각하고, 그 트렌치 내에 실리콘 에피택셜층을 형성한 후, 갭필 산화막을 증착하여 소자분리막을 형성함으로써, 상기 트렌치 식각 시, 측벽에 발생하는 플라즈마 데미지를 제거하며, 그 결과, 실리콘계면에 스트레스가 유발되어 누설전류가 증가되는 것을 방지하는 효과가 있다.
또한, 상기 실리콘계열의 가스를 사용하여 실리콘 에피택셜층을 형성함으로써, 실리콘기판의 실리콘이 손실되는 것이 방지되어 소자분리막의 크기가 커지는 것을 방지하는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 실리콘 기판상에 패드산화막과 패드질화막 및 감광막을 순차적으로 적층한 후 트렌치가 형성되게 감광막 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 감광막을 식각마스크로 플라즈마 식각공정을 진행하여 실리콘기판 내에 트렌치를 형성하는 단계와;
    상기 트렌치 내에 실리콘계열의 가스를 사용하여 실리콘 에피택셜층을 형성하는 단계와;
    상기 결과물 상에 갭필 산화막을 적층하여 트렌치를 매립하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 형성방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 실리콘계열의 가스는 Si2H2Cl2가스 또는 SiH4가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 형성방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 실리콘 에피택셜층은 1000 ~ 1200℃의 온도에서 10 ~ 30초 동안 빠른 열공정을 진행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 형성방법.
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