KR20030042580A - 반도체 탐침을 이용한 정보 저장 장치 - Google Patents

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Abstract

반도체 탐침을 이용한 정보 저장 장치가 개시된다. 개시된 정보 저장 장치는, 전극층, 상기 전극층 상에 적층된 강유전성막 및 상기 강유전성막의 표면에 적층된 반도체층을 구비한 기록매체, 및 상기 강유전성막에 유전분극을 형성하여 정보를 기록하며 상기 기록매체와의 p-n 접합구조를 이용하여 상기 강유전성막에 형성된 유전분극으로부터 정보를 재생하는 반도체 탐침을 구비한 헤드를 포함한다. 재기록이 가능하며 고집적 고속의 소형화된 정보 저장 장치의 제공이 가능하다.

Description

반도체 탐침을 이용한 정보 저장 장치{Information storage apparatus using semiconductor probe}
본 발명은 주사 탐침을 이용한 기록매체에 정보를 기록 및 재생하는 정보 저장장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 강유전성막을 포함하는 기록매체의 정보 저장 장치에 관한 것이다.
오늘날 휴대용 통신 단말기, 전자 수첩등 소형 제품에 대한 수요가 증가함에 따라 초소형 고집적 비휘발성 기록매체의 필요성이 증가하고 있다. 기존의 하드 디스크는 소형화가 용이하지 아니하며, 플래쉬 메모리(flash memory)는 고집적도를 달성하기 어려우므로 이에 대한 대안으로 주사탐침(Scanning probe)을 이용한 기록매체가 연구되고 있다. 여기서, 주사탐침이란 주사관통현미경(Scanning Transmission Microscope; STM) 또는 원자간력 현미경(Atomic Force Microscope; AFM)과 같은 주사탐침 현미경(Scanning Probe Microscope; SPM)에서 이용되는 탐침을 말한다.
주사탐침을 이용하여 정보를 기록하는 매체에는 강유전체 또는 강자성체, 열가소성 또는 열경화성 수지등으로 이루어진 기록매체가 있다. 이러한 기록매체에 정보를 기록하는 방법에는 주사탐침으로 기록매체의 강유전체 또는 강자성체의 도메인을 반전시키는 전자기력을 이용하는 방법, 기록매체에 열을 가해서 상전이를 유도하거나 마크를 물리적으로 형성시켜 기록하는 방법이 있다. 열을 가해서 기록매체에 상변이를 일으키거나 기록매체에 마크를 물리적으로 형성시켜 정보를 기록하는 방법은 속도가 느리고 정보를 반복적으로 기록할 수 없다는 단점이 있다.
또한 이러한 기록매체에 기록된 정보를 재생하는 방법에는 정전기력, 정자기력, 압전력 등이 탐침에 작용하는 힘을 감지하는 방법, 전기 전도도 혹은 열전도도의 차이 등 기록매체의 특성 변화를 감지하는 방법등이 있다.
예를 들어, 도 1은 국내특허공개 제2001-19871호에 개시된 강유전체 박막을 이용한 초고밀도 정보 저장 장치를 나타낸 것이다.
도 1a를 참조하면, 상기 국내특허의 초고밀도 정보 저장 장치는, 정보저장을 위한 기록매체(110)와 이 기록매체(110)에 기록된 정보를 읽기 위한 헤드부(120)및 유전분극의 극성을 전기적 신호로 분석하며 이와 관련된 헤드부(120)를 제어하는 제어부(130)로 구성된다. 헤드부(120)는 탐침부(25)와 스캐너(22)로 구성되며, 제어부(130)는 컨트롤러(32)와 컴퓨터(33)와 록인증폭기(31)로 구성된다.
도 1b를 참조하면, 기록매체(110)은 기판(41)과, 기판(41)에 적층된 전극층(42)과, 전극층(42)에 적층된 강유전체막(43)을 구비하며, 도 1c를 참조하면, 탐침부(25)는 탐침(40a)과 이를 지지하는 캔티레버(40b)와 탐침(40a)과 캔티레버(40b)사이의 피에조저항물질(45)을 구비한다.
상기 초고밀도 정보 저장 장치는 강유전체 박막(42)과 탐침(40a)이 접촉한 상태에서 일정한 주파수의 교류전압을 탐침(40a)에 인가한 다음 유전분극간의 전기적 힘에 의해 박막이 교류전압에 따라 진폭이 변하는 것을 록인 증폭기(lock-in amplifier)를 이용하여 그 변화를 증폭시켜 이를 분석하여 유전분극에 대한 정보를 알아낸다.
상기 초고밀도 정보 저장 장치는 탐침(40a)과 기록매체 사이의 원자간 척력에 의한 접촉식 AFM(Atomic Force Microscopy)로 동작하는 것이 특징이다.
주사탐침과 기록매체가 접촉된 상태에서 정보를 재생하는 방법은, 탐침과 기록매체가 마모되는 문제점이 있다.
힘을 감지하여 정보를 재생하는 방법은, 탐침을 지지하는 캔티레버(cantilever)의 공명주파수(통상 1MHz이하)가 정보를 재생하는 속도를 제한한다는 단점이 있다. 특히, 압전력을 이용하여 강유전체 도메인의 분극상태를 감지하는 방법은 기록매체로부터 감지되는 신호를 증폭시키는 락인 증폭기(Lock-inamplifier)를 사용해야 하기 때문에 소형화가 어렵다.
주사탐침과 기록매체가 비접촉된 상태에서 정보를 재생하는 방법은, 탐침과 매체 표면사이의 거리를 일정하게 유지하기 위해 각 탐침마다 피드백(feed back) 회로가 필요하여 정보 저장 장치를 소형화시키기가 어렵다.
따라서, 본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 재기록이 가능한 강유전성매체를 포함하는 기록매체에 고속으로 정보를 기록하거나 재생할 수 있는 소형의 정보 저장 장치를 제공하는 것이다.
도 1a는 종래의 정보 저장 장치의 구성을 나타낸 개략도,
도 1b는 종래의 정보 저장 장치의 기록매체를 나타낸 단면도,
도 1c는 종래의 정보 저장 장치의 헤드부를 나타낸 도면,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기록매체를 나타낸 단면도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 정보 저장 장치를 이용한 정보 기록 방법을 나타낸 도면,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 정보 저장 장치를 이용한 정보 재생 방법을 나타낸 도면,
도 5는 p-n 접합구조의 I-V 특성을 나타낸 그래프,
도 6은 p-Si/금속/n-Si 의 I-V 특성을 나타낸 그래프,
도 7은 1019도핑된 p형 Si 탐침의 콘각과 탐침 반경에 따른 저항값을 나타낸 그래프,
도 8은 1019도핑된 p형 Si 탐침의 I-V 특성을 나타낸 그래프,
도 9a 및 9b는 p-Si/PZT/Pt 와 n-Si/PZT/Pt 의 P-E 이력곡선을 나타낸 그래프,
도 10은 AFM 팁으로 강유전체를 국부적으로 분극반전에 따른 하부의 전도층의 저항값의 변화를 나타낸 그래프,
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
10 : 기록매체 11 : 반도체층
13 : 강유전성막 15 : 전극층
21 : 반도체 탐침 23 : 전원
41 : 기판 43 : 전극층
42 : 강유전체층 40a : 탐침
40b : 캔티레버 45 : 피에조 저항물질
110 : 기록매체 120 : 헤드부
130 : 제어부
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 전극층, 상기 전극층 상에 적층된 강유전성막 및 상기 강유전성막의 표면에 적층된 반도체층을 구비한 기록매체; 및 상기 강유전성막에 유전분극을 형성하여 정보를 기록하며, 상기 기록매체와의 p-n 접합구조를 이용하여 상기 강유전성막에 형성된 유전분극으로부터 정보를 재생하는 반도체 탐침을 구비한 헤드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 탐침을 이용한 정보 저장 장치를 제공한다.
여기서, 상기 기록매체의 반도체층이 p형 반도체인 경우 상기 반도체 탐침은 n형 반도체로 이루어지거나, 상기 기록매체의 반도체층이 n형 반도체인 경우 상기 반도체 탐침은 p형 반도체로 이루어진다.
상기 탐침은 상기 기록매체와 접촉 또는 비접촉 상태로 정보를 기록한다.
상기 탐침은 상기 기록매체와 접촉하여 정보를 재생한다.
상기 반도체층과 상기 반도체 탐침간의저항은 상기 강유전성막의 극성에 따라 변하는 것이 바람직하다.
상기 헤드는 상기 탐침을 지지하는 캔티레버를 더 구비하는 것이 바람직하다.
상기 강유전성막은 잔류분극이 10μC/cm2이상인 것이 바람직하다.
본 발명은 유전분극을 이용하여 정보를 기록하고 재생하는 장치에 관한 것으로서, 특히 반도체를 포함하는 기록매체와 반도체 탐침을 이용하여 p-n 접합구조를 형성시켜 정보를 고속으로 기록 및 재생할 수 있으며, 접촉식 재생방식을 택하여 피드백 회로를 필요로 하지 않아 소형화가 가능하다. 또한, p-n 접합구조의 저항을 간단히 측정하여 유전분극을 판단하므로, 록인 증폭기를 별도로 필요로 하지 않아 제어부를 간단히 구성할 수 있으며, 유전분극을 이용하여 고집적도 비휘발성 정보저장을 가능하게 한다.
이하 본 발명에 따른 반도체 탐침을 이용한 정보 저장 장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 여기서, 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 동일한 부호가 사용되고 있음에 유의해야 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 정보 저장 장치의 기록매체를 나타낸 도면이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기록매체는, 전극층(15)과, 전극층(15)에 적층된 강유전성막(13)과, 강유전성막(13)에 적층된 반도체층(11)을 구비한다.
강유전성막은 강유전체 박막, 후막 또는 벌크로 강유전성을 지니는 매체이다. 강유전성 물질로는 Pb(Zr,Ti)O3, 로셀염, 티탄산 바륨과 같은 물질이 있으며, 강유전성 물질은 그 물질내에 자발적인 분극이 존재한다. 본 발명의 실시예에 따른 정보 저장 장치에서 강유전성막에 잔류하는 유전분극은 정보를 기록 및 재생이 용이하기 위해 그 크기가 10μC/cm2이상인 것이 바람직하다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 정보 저장 장치를 간략히 나타낸 개략도로서, 특히 기록매체에 정보를 기록하는 경우의 전원과 정보 저장 장치의 배치를 보여주고 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 정보 저장 장치는, 기록매체(10)와, 기록매체(10)와 접촉 또는 비접촉하여 정보를 기록하는 반도체 탐침(21)과 탐침(21)과 전극층(15)에 전압을 인가하는 전원(23)을 구비한다.
반도체 탐침(21)은, 기록매체(10)의 반도체층(11)이 p형 반도체인 경우 n형 반도체로 형성하며, 기록매체(10)의 반도체층(11)이 n형 반도체인 경우 p형 반도체로 형성한다. 탐침(21)은 반경 50nm이하의 원뿔형, 피라미드형, 또는 원통형 중 택일하여 사용한다.
탐침(21)을 지지하기 위해 캔티레버(미도시)를 더 구비하는 것이 바람직하다. 탐침(21)과 캔티레버에는 전도성 향상과 산화막 방지를 위해 10nm 이하의 금속 전도막을 더 도포할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 정보 저장 장치는, 기록매체에 정보를 기록하기 위해 탐침(21)에 전압을 가하여 탐침(21)의 아래에 위치하는 강유전성막에 일정한 크기의 유전분극을 형성시킴으로써 정보를 기록한다. 이 경우 탐침(21)과 반도체층(11)은 접촉 혹은 비접촉상태를 유지한다. 유전분극은 탐침(21)과 전극층(15)사이의 전기장에 의해 박막에 대해 직교하는 방향으로 형성되며, 전압의 극성에 따라 업(↑)과 다운(↓)의 두 가지 방향의 분극이 형성된다. 각 분극의 방향에 0과 1의 정보를 줌으로써 정보를 기록할 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 정보 저장 장치를 간략히 나타낸 개략도로서, 특히 기록매체에 기록된 정보를 재생하는 경우의 전원과 정보 저장 장치의 배치를 보여주고 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 정보 저장 장치를 이용하여 정보를 재생하는 경우, 탐침(21)과 반도체층(11)이 서로 접촉하여 p-n 접합구조를 형성한 상태에서 탐침(21)과 반도체층(11)에 전압을 인가하여 탐침(21)과 반도체층(11)사이에 저항을 측정함으로써 탐침(21)이 위치하는 영역의 유전분극의 방향을 알아낼 수 있다.
탐침이 p형 반도체이고 반도체층이 n형 반도체인 경우 탐침에 양전압, 반도체층에 음전압이 인가되면 순방향 바이어스가 형성된다. 이 때 도시된 바와 같은 업방향의 유전분극이 형성되어 있을 때 전류가 잘 흐르지 못하며 이 때의 정보는 0을 나타내게 된다. 같은 구조에서 다운방향의 유전분극이 형성되어 있는 경우는 전류가 잘 흐르며 정보는 1을 나타낸다.
탐침이 n형 반도체이고 반도체층이 p형 반도체인 경우 탐침에 음전압, 반도체층에 양전압이 인가되면 순방향 바이어스가 형성된다. 이 경우에는 상기의 구조와 반대로 업방향인 경우 전류가 잘 흘러 1의 정보를 나타내게 되고, 다운방향인 경우 전류가 잘 흐르지 않아 0의 정보를 나타내게 된다.
도 5는 유전분극의 방향에 따른 p-n접합 사이의 I-V 특성을 나타낸 그래프이다. 도 5를 참조하면, g1은 분극방향이 다운인 경우 I-V 특성, g2는 참조 곡선을, g3는 분극방향이 업인 경우 I-V 특성을 나타낸다. p-n 접합부분의 전압이 V0일 때 분극방향이 다운인 경우 전류는 I1, 참조곡선에서 전류는 I2, 분극방향이 업인 경우 전류는 I3이다.
오옴의 법칙(V=I*R)에 의해 각 분극방향에 대한 저항(R)을 구할 수 있다. 이 저항값을 기준값으로 하여 기록매체상에 탐침(21)이 스캐닝하면서 검출된 전류값으로부터 이미 설정된 p-n 접합구조의 전압과의 상기 관계식에 의해 저항값을 구하여 각 영역의 분극방향을 판별할 수 있다. 즉, g1에서 전류가 I1인 경우 저항(R1)은 Vo/I1이 되고, g3에서 전류가 I3인 경우 저항(R3)는 Vo/I3가 된다. 저항(R1)은 저항(R3)보다 작아지고, 각 저항값에 0과 1의 정보를 줄 수 있다.
이 때 p-n 접합부분에 주어지는 전압이 V1인 경우 각 분극방향에 따른 전류의 차이가 거의 없어 분극방향의 판별이 어려워진다. Vo 보다 큰 전압, V2를 p-n 접합부분에 인가하는 경우는, 각 분극방향에 따른 전류의 차이가 커지는 반면 열로손실되는 에너지가 많아서 분극방향에 따른 저항의 차이 검출이 용이하지 않으므로 적절한 p-n 접합부분의 전압을 찾아내는 것이 중요하다.
도 6은, 본 발명의 실시예에 따른 정보 저장 장치에서 탐침(21)과 반도체층(11)사이의 p-n 접합구조와 유사한 구조를 가진 p형 반도체와 금속과 n형 반도체를 물리적으로 적층한 구조에서 각 전원의 전압에 따라 p-n 접합부분의 전압의 변화에 따른 p-n 접합구조의 전류를 도시한 그래프이다.
종래의 p-n 접합구조는 화학적으로 반도체 내부의 불순물의 종류와 비율을 조절하여 p형과 n형 양쪽의 결정영역을 가진 반도체를 제조하여 p-n 접합 특성이 뚜렷이 나타난다. 하지만, 본 발명의 실시예에 따른 정보 저장 장치의 탐침(21)과 반도체층(11)이 접촉하여 생기는 p-n 접합구조는, 물리적인 접촉에 의한 p-n 접합이므로, 후자의 p-n 접합 특성이 전자와 비슷하게 도출될 지를 검증하기 위한 실험이 필요하다.
도 6은 p형 반도체/금속/n형 반도체의 물리적인 구조에서 p-n 접합구조의 전압의 변화에 따른 p-n 접합구조의 전류의 변화를 각각 전압전원이 -5.48V, 0V, 5.48V에서 나타낸 그래프이다.
도 6을 참조하면, h1은 전원의 전압(Vg)이 -5.48V 인 경우, h2는 전원의 전압이 0V인 경우, h3는 전원의 전압이 5.48V인 경우의 p-n 접합구조의 전압의 변화에 따른 p-n 접합구조의 전류를 나타낸 것이다. 이 I-V 특성으로부터 전압(Vg)가 -5.48V 인 경우 p-n 접합부분의 전압에 따라 p-n 접합부분의 전류의 변화가 커서 저항을 쉽게 조정할 수 있다는 것을 알 수 있다. 이 그래프로부터 본 발명의 금속이 도포된 반도체 탐침과 반도체층과의 물리적인 p-n 접합구조의 특성이 화학적인 p-n 접합구조의 특성과 유사하게 측정될 수 있다는 것을 알 수 있다.
도 7은 1019도핑된 p형 반도체 탐침의 콘각과 탐침의 반지름사이의 관계에 따라 달라지는 탐침의 저항을 나타낸 그래프이다. 탐침 반경이 20nm 이고, 콘각이 20-25도 인 경우, 저항은 10kΩ정도임을 알 수 있다. 기존의 제어회로에서 감지할 수 있는 저항은 통상 100 M??이하이지만 p-n 접합에서의 저항 변화를 감지하기 위해서 접촉 부분 외의 탐침 부분의 저항이 1 k?? 이하인 것이 이상적이다. 따라서, 이 저항값을 가지는 탐침을 제조하기 위해서는 도 7에 도시된 그래프에 도시된 바와 같이, 팁의 반지름이 35nm 인 경우 콘각이 35도이상이 되도록 제조한다.
도 8은 1019도핑된 p형 반도체 탐침의 저항을 구하기 위한 I-V 특성을 나타낸 그래프이다. 도시된 바와 같이, I-V 특성으로부터 저항(R)이 866Ω이 되는 것을 알 수 있다. 일반적으로, 저항이 1kΩ정도의 탐침을 사용한다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 실시예에 따른 정보 저장 장치의 기록매체에서 전기장에 따른 분극의 변화를 나타내는 P-E 이력곡선을 도시하고 있다. 도 9의 (a)는 Pt/PZT/Pt의 PE특성 그래프(f1)와 Pt/n-Si/PZT/Pt의 PE 특성 그래프(l1)를 비교하고 있으며, 도 10의 (b)는 Pt/PZT/Pt의 PE특성 그래프(f1)와 Pt/p-Si/PZT/Pt의 PE 특성 그래프(l2)를 비교하고 있다. 여기서, PZT는 PbZrxTi1-xO3의 화학식을 가지는강유전성 물질이다.
분극방향의 변화에 따라 동일한 전기장에서 두 방향의 분극이 명확히 나타날 수 있어야 본 발명의 실시예에 따른 정보 저장 장치에 사용할 수 있다. 도 9a 및 도 9b에서 도시된 바와 같이, 반도체층을 강유전성막의 표면상에 적층한 구조의 전기장의 변화에 따른 분극 곡선은 히스테리시스곡선과 비슷한 형태를 나타내어 특정 전기장에서 두 방향의 분극이 뚜렷히 나타나는 것을 알 수 있다. 즉 유전분극의 변화에 따라 정보를 기록하고 재생하는 것이 가능함을 알 수 있다.
도 10은 AFM팁으로 강유전체를 국부적으로 분극반전시킴으로써 하부의 전도층의 저항값을 변화시키는 것을 나타낸다. A, B, 및 C 영역의 분극방향의 순서에 따라 강유전성막의 저항이 약 25.7kΩ에서 약 26.3kΩ까지 변하는 것을 볼 수 있다. 이러한 저항값의 변화로부터 기록매체의 어드레스 정보를 기입하거나, 고유정보를 기록할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 정보 저장 장치는, 반도체층을 포함하는 기록매체와 반도체 물질로 형성된 탐침을 구비하여 강유전성막에 유전분극을 형성시켜 정보를 고도로 집적하여 기록할 수 있고, 기록된 정보를 p-n 접합구조로부터 구해지는 저항값을 측정하여 재생함으로써 고속으로 정보를 재생할 수 있다. 또한 동일한 물질로 이루어진 기록매체의 표면층과 탐침이 접촉하여 접촉방식에 의한 재생에서 자주 일어나는 마모문제를 최소화하였다. 또한 적절한 각과 반지름을 가진 탐침을 이용하여 기존의 제어회로에서 록인 증폭기를 필요로 하지 않으며, 비접촉상태의 재생방식에서 요구되는 피드백 회로를 필요로 하지 않아, 정보 저장 장치를 소형화하는 것이 가능하다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다.
예를 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상에 의해 다양한 형태의 탐침과 다양한 구조를 가진 기록매체를 이용하여 정보를 기록 및 재생할 수 있는 장치를 제조할 수 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 정보 저장 장치의 장점은, 유전분극을 이용하여 정보를 기록하므로 정보의 고집적화 및 재기록이 가능하며, p-n 접합구조를 이용하여 정보를 재생하므로 고속으로 정보를 재생할 수 있으며, 전체적인 구조를 단순화 하여 소형으로 제작될 수 있다는 것이다.

Claims (11)

  1. 전극층, 상기 전극층 상에 적층된 강유전성막 및 상기 강유전성막의 표면에 적층된 반도체층을 구비한 기록매체; 및
    상기 강유전성막에 유전분극을 형성하여 정보를 기록하며, 상기 기록매체와의 p-n 접합을 이용하여 상기 강유전성막에 형성된 유전분극으로부터 정보를 재생하는 반도체 탐침을 구비한 헤드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 탐침을이용한 정보 저장 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기록매체의 반도체층이 p형 반도체인 경우 상기 반도체 탐침은 n형 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 탐침을 이용한 정보 저장 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기록매체의 반도체층이 n형 반도체인 경우 상기 반도체 탐침은 p형 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 탐침을 이용한 정보 저장 장치.
  4. 선행하는 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탐침은 상기 기록매체와 비접촉 상태로 정보를 기록하는 것을 특징으로 하는 반도체 탐침을 이용한 정보 저장 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탐침은 상기 기록매체와 접촉 상태로 정보를 기록하는 것을 특징으로 하는 반도체 탐침을 이용한 정보 저장 장치.
  6. 제 1 항, 제 2 항 및 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탐침은 상기 기록매체와 접촉하여 정보를 재생하는 것을 특징으로 하는반도체 탐침을 이용한 정보 저장 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 탐침은 반경 50nm이하인 것을 특징으로 하는 반도체 탐침을 이용한 정보 저장 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 탐침은 원뿔형, 피라미드형, 원통형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 탐침을 이용한 정보 저장 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체층과 탐침간의 접촉 저항은 상기 강유전성막의 극성에 따라 변하는 것을 특징으로 하는 반도체 탐침을 이용한 정보 저장 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 헤드는 상기 탐침을 지지하는 캔티레버를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 탐침을 이용한 정보 저장 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 강유전성막은 유전분극이 10μC/cm2이상인 것을 특징으로 하는 반도체탐침을 이용한 정보 저장 장치.
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