KR20040036380A - 데이터 기록 및 판독 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 데이터 기록 및 판독 시스템에 관한 것으로, 탐침과 상기 탐침을 감싸는 도전성막을 하부전극으로 하는 기준(Reference) 캐패시터를 구비하며, 지지부에서 부상된 캔틸레버와; 상기 탐침의 접촉으로 상기 기준 캐패시터와 병렬로 연결되는 매체와; 상기 도전성막에 전류를 인가하고, 상기 매체에 기록된 데이터에 따라 가변된 매체의 캐패시턴스를 검출하여 전압을 출력하는 신호처리부로 구성된다.
따라서, 본 발명은 강유전체를 포함한 매체와 C-V 특성을 이용하여 동작이 용이하고, 구성을 간단히 할 수 있어 고밀도로 데이터를 기록 및 판독할 수 있고, 시스템을 소형화시킬 수 있는 효과가 발생한다.

Description

데이터 기록 및 판독 시스템{Data writing and reading system}
본 발명은 데이터 기록 및 판독 시스템에 관한 것으로, 상세하게는 강유전체를 포함한 매체와 C-V 특성을 이용하여 동작이 용이하고, 구성을 간단히 할 수 있어 고밀도로 데이터를 기록 및 판독할 수 있고, 시스템을 소형화시킬 수 있는 데이터 기록 및 판독 시스템에 관한 것이다.
일반적으로 정보 저장 장치는 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive, HDD)의 발전과 함께 DRAM(Dynamic Random Access Memory), 플래시 메모리(Fresh memory)등과 같은 반도체 메모리 위주로 많은 개발과 발전이 이루어져 왔다.
최근에 이들 정보 저장 소자의 한계가 드러남에 따라 SPM(Scanning Probe Microscope)방식의 정보 저장 시스템이 개발되기 시작하였다.
이는 기록 및 재생 방식 따라 여러 다른 방식으로 분류되며, 대표적으로 EFM(Electrostatic Force Microscope), STM(Scanning Tunneling Microscope), FMM(Force Modulation Microscope)와 열기계적(Thermomechnical)방식 있으며, 각각의 방식은 저마다 장단점을 가지고 있으며, 차세대 저장 장치로 발전되기 위한 개발이 진행중이다.
현재 가장 많은 진전을 보이고 있는 방식은 열기계적(Thermomechanical) 방식의 저장 장치이다.
이는 고분자 재료를 매체로 사용하고 히터(Heater)가 장착된 탐침을 사용하여 열을 가하여 매체 표면의 국소 부위를 녹여서 굴곡을 내는 기록 방식을 사용한다.
또한, 재생은 열을 가한 탐침이 매체 표면의 굴곡을 지날 때와 평평한 부분을 지날 때의 열전도도(Thermal conductance)의 차이를 검출해 내는 방식을 사용한다. 이러한 방식은 전력 소모가 많다는 단점이 있다.
한편, EFM 이나 압저항(Piezoresistive)방식 등은 매체와 탐침간의 정전기력 또는 표면 굴곡에 의한 탐침의 변형을 검출한다.
도 1은 종래 기술에 따른 EFM 방식의 정보 저장 시스템의 개략적인 구성도로써, 먼저, 실리콘 기판(11)의 상부에 절연체(12), 하부전극(13)과 PZT층(14)이 순차적으로 적층된 매체(10)의 PZT층(14)에 캔틸레버(22)의 도전성 탐침(21)을 접촉시킨다.
그러면, 탐침(21)-매체(10)의 PZT층(14)-하부전극(13)은 교류전원(30)에 연결된 하나의 캐패시터 구조를 이루게 되며, 탐침(21)에 교류 전압을 가하게 되면 그 전기장의 방향에 따라 PZT층(14)의 분극은 방향이 변하게 된다.
이 때, 상기 PZT층(14)의 분극을 일정 방향으로 정렬시키면, 이것이 1 비트(bit)의 정보를 기록하게 되는 것이다.
만일, 상기 탐침(21)에 일정한 전압을 인가하여 분극의 방향을 위로 정렬시킨 후 이것을 '1'로 정의한다면, 상기 탐침(21)에 반대 전압을 인가하여 분극을 아래 방향으로 정렬시키면 이는 '0'이 되는 것이다.
그리고, 기록된 정보의 재생 원리는 탐침(21)을 PZT층(14) 표면에 접근시키면, 탐침(21) 끝의 원자와 PZT층(14) 표면의 원자 사이에 서로 정전기력(Electrostatic force)이 작용하게 되는데, 이 정전기력의 세기는 PZT층(14) 표면의 분극 방향, 즉, 매체(10)에 정보가 저장된 상태에 따라 달라지게 된다.
이 때, 매체(10)에 정보가 저장된 상태에 따라 탐침(21)에 작용하는 정전기력의 변화는 캔틸레버(22)의 휘어짐으로 표현된다.
상기 캔틸레버(22)의 휘어짐이 발생할 경우에, 레이저 다이오드(Laser diode)(35)에서 캔틸레버(22)의 상단에 레이저광을 조사하여, 상기 캔틸레버(22)의 상단에서 반사된 레이저광을 광 검출기(Photo detector)(36)에서 검출하고, 휘어짐의 변위에 해당하는 신호를 상기 광 검출기(36)에서 출력한다.
이런 광 검출기(36)의 출력신호는 EFM신호, AFM신호와 LFM(Lateral Force Microscope)신호 등을 포함하고 있으므로, 이를 EFM신호만을 추출할 수 있는 락인 증폭기(Lock-in Amplifier)(42)에 통과시켜 EFM 이미지를 추출함으로써, 정보를 재생할 수 있게 된다.
그리고, 상기 광 검출기(36)의 출력신호는 증폭기 및 AD 컨버터(41)로도 입력되어, 상기 증폭기 및 AD 컨버터(41)에서 증폭되고, 디지털로 변화되어 디스플레이 화면에 매체(10)의 표면을 표시하기 위한 토포그래픽(Topographic) 이미지로 출력된다.
더불어, 상기 광 검출기(36)의 출력신호는 피드백 회로(43)에도 입력된다.
이 때에는, 캔틸레버 어레이들의 높이가 일정하지 않은 경우, 피드백 제어부(43)는 상기 광 검출기(36)의 출력신호를 입력받아, 높이 보정이 필요한 캔틸레버의 튜브 스캐너(23)(일종의 엑츄에이터)로 전압을 인가하여, 해당 캔틸레버의 매체와의 높이를 보정할 수 있게 된다.
이러한 EFM 정보 저장 시스템은 기록 및 재생이 용이하고, 저 전력 소모 등의 장점이 있으나, 장치의 대형화, 구동 회로부의 복잡성, PZT를 이용한 매체(Media)의 기억 손실(Retention loss)등의 단점이 있다.
그 중 가장 큰 단점은 시스템의 대형화인데, 이것은 차세대 정보 저장 매체의 요구 조건중의 하나인 소형 대용량, 이동성(휴대성)에 정면으로 배치되는 치명적인 것이다.
이렇게, 장치의 대형화의 주요 원인은 EFM 방식의 특성상 락인 증폭기를 사용해야 한다는데 원인이 있다.
이는 매체에 일정한 주파수를 갖는 교류 전압을 인가하여야 하고, 광 검출기에서 출력되는 탐침의 변형 신호 중에서도 인가전압의 주파수와 동일한 주파수를 갖는 신호만을 검출해야 하기 때문이다.
따라서, 종래의 나노 정보 저장 시스템은 각 구성부품을 모노리틱(Monolithic)하게 집적화하기 곤란하며, 구동 회로부가 대형화되는 문제점이 있다.
이에 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 강유전체를 포함한 매체와 C-V 특성을 이용하여 동작이 용이하고, 구성을 간단히 할 수 있어 고밀도로 데이터를 기록 및 판독할 수 있고, 시스템을 소형화시킬 수 있는 데이터 기록 및 판독 시스템을 제공하는 목적이 있다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 바람직한 양태(樣態)는, 탐침과 상기 탐침을 감싸는 도전성막을 하부전극으로 하는 기준(Reference) 캐패시터를 구비하며, 지지부에서 부상된 캔틸레버와;
상기 탐침의 접촉으로 상기 기준 캐패시터와 병렬로 연결되는 매체와;
상기 도전성막에 전류를 인가하고, 상기 매체에 기록된 데이터에 따라 가변된 매체의 캐패시턴스를 검출하여 전압을 출력하는 신호처리부로 구성된 데이터 기록 및 판독 시스템이 제공된다.
도 1은 종래 기술에 따른 EFM 방식의 정보 저장 시스템의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 데이터 기록 및 판독 시스템의 구성도이다.
도 3a와 3b는 본 발명에 따른 강유전체 매체의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 캔틸레버의 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 신호처리부의 개략적인 구성도이다.
도 6은 본 발명에 따른 매체의 캐패시턴스-전압 곡선도이다.
도 7a와 7b는 본 발명에 따른 데이터 기록 및 판독 시스템이 동작되는 상태를 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명에 따른 매체의 캐패시턴스-전압 곡선으로 데이터 기록 및 판독 동작을 설명하는 도면이다.
도 9는 본 발명에 따라 매체의 캐패시턴스를 측정하기 위한 브릿지 회로 구성도이다.
도 10은 본 발명에 따라 매체의 캐패시턴스를 측정하기 위한 공진회로 구성도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10,200 : 매체 11,210 : 실리콘 기판
12 : 절연체 13,121 : 하부전극
14,122 : PZT층 21,110 : 탐침
22,100 : 캔틸레버 23 : 튜브 스캐너
30 : 교류전원 35 : 레이저 다이오드
36 : 광 검출기 41 : 증폭기 및 AD 컨버터
42 : 락인증폭기(Lock-in Amplifier) 43 : 피드백 회로
111 : 도전성막 123 : 상부전극
131 : 압저항체 150 : 기준 캐패시터
220 : 절연층 225 : 금속층
230 : 강유전체층 250 : 매체 캐패시터
300 : 신호처리부
330 : 전류인가 및 매체 캐패시턴스 검출부
340 : 증폭부 350 : 적분기
510 : 전원 520 : 검출부
610 : HF 오실레이터 620 : 정류부
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 데이터 기록 및 판독 시스템의 구성도로써, 탐침(110)과 상기 탐침(110)을 감싸는 도전성막을 하부전극으로 하는 기준(Reference) 캐패시터를 구비하며, 지지부에서 부상된 캔틸레버(100)와; 상기 탐침의 접촉으로 상기 기준 캐패시터와 병렬로 연결되는 매체(200)와; 상기 도전성막에 전류를 인가하고, 상기 매체(200)에 기록된 데이터에 따라 가변된 매체의 캐패시턴스를 검출하여 전압을 출력하는 신호처리부(300)로 구성된다.
여기서, 상기 캔틸레버(100)에는 탐침(110)이 매체(200) 표면을 접촉하며 지나갈 때, 매체(200) 표면의 굴곡에 따라 변화되는 캔틸레버의 변형 신호를 검출하는 압저항체(Piezoresistor)와 상기 검출된 캔틸레버의 변형 신호에 의해 상기 매체(200)와 탐침(110)간의 거리를 일정하게 유지하도록 동작하는 PZT 엑츄에이터가 더 형성되는 것이 바람직하다.
이 때, 상기 압저항체는 피드백 제어부(400)로 검출된 캔틸레버의 변형 신호를 출력하고, 상기 피드백 제어부(400)는 상기 PZT 엑츄에이터로 상기 매체(200)와 탐침(110)간의 거리를 일정하게 유지하는 제어신호를 출력한다.
여기서, PZT 엑츄에이터는 하부전극/PZT층/상부전극으로 구성된다.
도 3a와 3b는 본 발명에 따른 강유전체 매체의 단면도로써, 먼저, 도 3의 매체는 실리콘 기판(210)의 상부에 절연층(220)과 강유전체층(230)이 순차적으로 형성되어 있다.
상기 절연층(220)은 각종 세라믹 산화물을 박막으로 형성하는 것이 바람직하며, 실리콘 산화막(SiO2) 또는 실리콘 질화막(Si3N4)으로 형성하는 것이 가장 바람직하다.
그러므로, 도 3의 매체는 강유전체(Ferroelectric)/절연체(Insulator)/반도체(Semiconductor)구조(FIS 구조)가 형성된다.
그리고, 도 3b의 매체는 실리콘 기판(210)의 상부에 절연층(220), 금속층(225)과 강유전체층(230)이 순차적으로 형성되어 있다.
그러므로, 도 3b의 매체는 강유전체(Ferroelectric)/금속(Metal) /절연체(Insulator)/반도체(Semiconductor)구조(FMIS 구조)가 형성된다.
본 발명의 저장 장치에서는 전술된 도 3a와 3b의 매체를 모두 사용할 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 캔틸레버의 단면도로써, 지지대(141)에서 연장된 캔틸레버(100)의 선단에 탐침(110)이 형성되어 있고, 상기 캔틸레버(100)의 내측에는압저항체(131)가 형성되어 있다.
상기 탐침(110)을 감싸는 도전성막(111)이 상기 캔틸레버(100) 표면을 따라 형성되어 있고, 상기 도전성막(111)의 상부에 유전막(112)과 상부전극(113)이 적층되어 이루어진 기준(Reference) 캐패시터(150)가 형성되어 있다.
또한, 상기 캔틸레버(100)의 표면에는 상기 도전성막(111)과 절연되도록 하부전극(121)-PZT층(122)-상부전극(123)으로 이루어진 PZT 엑츄에이터(120)가 형성되어 있다.
여기서, 상기 기준 캐패시터(150)는 일반적인 MOS 캐패시터 또는 금속/강유전체/금속 구조의 MFM 캐패시터로 형성할 수 있다.
이와 같이 형성된 탐침이 매체의 표면에 접촉되면, 등가 회로 상으로 캐패시터 두개가 병렬로 연결된 것과 같은 구조를 이루게 된다.
따라서, 본 발명의 탐침이 압저항체(Piezoresistor)는 매체 표면을 접촉하며 지나갈 때 매체 표면의 굴곡에 따른 캔틸레버의 변형 신호를 측정하고, PZT 엑츄에이터(Actuator)는 변형 신호에 따라 피드백 제어부에서 출력되는 신호를 통하여 매체와 탐침간의 거리를 일정하게 유지하도록 캔틸레버를 구동시킨다.
도 5는 본 발명에 따른 신호처리부의 개략적인 구성도로써, 전술된 바와 같이, 탐침이 매체에 접촉될 때, 도전성막을 상부전극으로 하는 매체 캐패시터(250)와 도전성막을 하부전극으로 하는 기준 캐패시터(150)는 병렬로 연결된다.
그러므로, 상기 매체 캐패시터(250)와 기준 캐패시터(150)의 도전성막으로 신호 처리부(300)의 전류인가 및 매체 캐패시턴스 검출부(330)에서 전류가 인가되면, 상기 전류인가 및 매체 캐패시턴스 검출부(330)에서는 매체의 캐패시턴스값을 검출하게 된다.
상기 매체의 캐패시턴스값은 매체에 기록된 '0'과 '1'의 데이터에 따라, 가변되어 검출된다.
상기 전류인가 및 매체 캐패시턴스 검출부(330)에서 검출된 매체의 캐패시턴스값은 증폭부(340)에 증폭되고, 적분기(350)에서 적분된다.
결국, 신호 처리부(300)는 매체에 기록된 '0'과 '1'의 데이터에 따른 캐패시턴스값에 해당하는 전압을 출력하게 된다.
도 6은 본 발명에 따른 매체의 캐패시턴스-전압 곡선도로써, FIS(강유전체(Ferroelectric)/절연체(Insulator)/반도체(Semiconductor))매체와 FMIS(강유전체(Ferroelectric)/금속(Metal)/절연체(Insulator)/반도체(Semiconductor))매체의 캐패시턴스는 일반적인 금속(Metal)/절연체(Oxide)/ 반도체(Semiconductor)(MOS)구조의 캐패시터(Capacitor)와는 동작이 다르다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 매체는 인가전압에 따른 캐패시턴스 곡선, 즉 C-V곡선에 히스테리시스(Hysteresis)가 나타난다.
이것은 강유전체 내에 분극이 존재하고, 이 분극은 전계의 방향에 따라 분극방향이 바뀌며 일정 방향으로 정렬된 분극은 전계를 제거하여도 여전히 방향 및 크기가 유지되는 성질이 있기 때문이다.
도 7a와 7b는 본 발명에 따른 데이터 기록 및 판독 시스템이 동작되는 상태를 도시한 도면으로써, 먼저, 기록 동작을 할 경우에 매체(200)의 기판(210) 재료로서 p-타입 실리콘을 사용할 경우, 기판(210)을 접지시키고 도전성 탐침(110)에 + 전압을 인가한다.
이때, 전압은 강유전체층(230)과 절연층(220)에 분배되어 걸리게 된다.
그러므로, 인가 전압의 크기는 강유전체층(230)에 분배된 전압이 항전계 |Ec| 보다 크게 되도록 하여야 한다.
그러면, 인가된 전압에 의해 강유전체층(230)은 분극 반전을 일으키게 된다.
그리고, 기판(210)은 축적(Accumulation)상태로부터 도 7a와 같이 공핍(Depletion)상태로 된다.
이어서, 도 8에 도시된 'A'와 같이, 기판(210)내에 발생한 공핍 캐패시턴스(Depletion Capacitance)성분에 의해 전체 캐패시턴스는 감소하기 시작한다.
그 후, 전압을 좀더 증가시키면 기판(210)은 반전(Inversion)상태로 되고 전체 캐패시턴스는 더 이상 감소하지 않는다(도 8의 'B'상태).
연이어, 인가된 전압을 제거하면, 분극은 초기 방향을 그대로 유지하고 이로 인해 기판(210)의 반전 상태도 그대로 유지되어 캐패시턴스값은 여전히 변화가 없다(도 8의 'C'상태).
이 상태를 논리 '1' (또는 '0')로 정의하는 것이다.
다음, 탐침(110)의 전압을 -로 인가하면 기판(210)은 공핍층(Depletion layer)이 없어지면서 전체 캐패시턴스는 증가한다.
계속해서, 전압을 -방향으로 증가시키면, 강유전체층은 분극의 방향이 반대방향으로 전환되고 기판(210)은 도 7b에 도시된 바와 같이, 축적상태로 된다(도 8의 'D'상태).
그 다음, 다시 - 인가 전압을 제거하면, 강유전체층은 반전된 분극 방향을 그대로 유지하고 있으므로, 이 분극에 의해 축적도 역시 그대로 유지되고 전체 캐패시턴스값은 변하지 않는다(도 8의 'E'상태).
이 상태를 전술된 상태와 대응되는 상태인 '0' (또는 1)으로 정의한다.
이제 판독 동작에 대해 설명한다.
본 발명의 기록 및 판독 시스템에서의 판독 동작은 기판과 매체와 도전성 탐침으로 이루어진 캐패시터의 캐패시턴스값을 측정하는 것이다.
전술된 바와 같이, 매체에 '1' 또는 '0'이 기록되었으면, 각각의 캐패시턴스값은 차이가 있으므로, 이때의 캐패시턴스값을 측정하여 기록된 정보를 인식하는 것이다.
다만 탐침과 매체간의 접촉 면적이 매우 작아서 결과적으로 캐패시턴스의 절대값이 매우 작으므로 이의 측정에 유의하여야 한다.
그러므로, 작은 캐패시턴스값을 측정하는 방법을 도 9와 도 10을 이용하여 설명한다.
도 9는 본 발명에 따라 매체의 캐패시턴스를 측정하기 위한 브릿지 회로 구성도로써, 전원(510)과 연결된 휘스톤 브리지(Wheatstone bridge) 회로를 이용한다.
제 1 저항(Ra)과 제 2 저항(Rs)값이 일정하게 되도록 설계하고, 기준 캐패시터(Cr)와 측정하고자 매체의 캐패시터(Cf)는 병렬로 연결되는 휘스톤 브리지 회로를 구성하면, 공지된 휘스톤 브리지 회로의 이론에 의거하여, 하기 식(1)으로 기록된 데이터에 따라 변화되는 매체의 캐패시터(Cf)를 측정할 수 있다.
------------------- (1)
즉, Cf의 변화에 따라 양단(a와 b)에 발생되는 전압의 변화를 검출부(520)에서 측정하여 'Cf'를 측정한다.
도 10은 본 발명에 따라 매체의 캐패시턴스를 측정하기 위한 공진회로 구성도로써, 기준 캐패시터(Cr)와 측정하고자 매체의 캐패시터(Cf)는 병렬로 연결되는 공진회로를 구성하고, HF 오실레이터(610)에서 일정한 주파수를 제공하면, 매체에 기록된 데이터에 따라 가변되는 매체 캐패시터(Cf)의 캐패시턴스값에 의하여 공진주파수는 가변된다.
이 가변된 공진주파수를 정류시켜 전압을 출력함으로써, 매체에 기록된 데이터를 판독할 수 있게 된다.
여기서, HF 오실레이터(610)에서는 일정한 주파수가 출력되고, 이 주파수를 제 1 인덕터(L1)를 통하여 제 2 인덕터(L2)에 유기되면, 공진회로를 통하여 공진주파수가 제 3 인덕터(L3)에 유기된다.
상기 제 3 인덕터(L3)에 유기된 공진주파수는 정류부(620)를 통하여 전압이 출력된다.
결과적으로, 매체에 기록된 데이터에 따라 가변되는 매체 캐패시터(Cf)의 캐패시턴스값에 의하여 출력되는 전압은 상이함으로, 상이한 전압으로 매체에 기록된 데이터값을 알 수 있는 것이다.
본 발명은 전술된 도 9와 10의 회로뿐만 아니라 그 외 등가의 회로 및 구성요소로도 데이터의 기록 및 판독을 수행하는 것을 포함한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 강유전체를 포함한 매체와 C-V 특성을 이용하여 기록 및 판독 방법이 용이하고, 구성을 간단히 할 수 있는 고밀도 SPM 데이터 기록 및 판독 장치의 구현이 가능한 효과가 발생한다.
더불어, 본 발명은 종래기술의 락인증폭기를 사용하지 않아도 됨으로써, 시스템을 소형화시킬 수 있는 효과도 발생한다.
본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (5)

  1. 탐침과 상기 탐침을 감싸는 도전성막을 하부전극으로 하는 기준(Reference) 캐패시터를 구비하며, 지지부에서 부상된 캔틸레버와;
    상기 탐침의 접촉으로 상기 기준 캐패시터와 병렬로 연결되는 매체와;
    상기 도전성막에 전류를 인가하고, 상기 매체에 기록된 데이터에 따라 가변된 매체의 캐패시턴스를 검출하여 전압을 출력하는 신호처리부로 구성된 데이터 기록 및 판독 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 캔틸레버에는,
    상기 탐침이 매체 표면을 접촉하며 지나갈 때, 매체 표면의 굴곡에 따라 변화되는 캔틸레버의 변형 신호를 검출하는 압저항체(Piezoresistor)와,
    상기 검출된 캔틸레버의 변형 신호에 의해 상기 매체와 탐침간의 거리를 일정하게 유지하도록 동작하는 PZT 엑츄에이터가 더 형성된 것을 특징으로 하는 데이터 기록 및 판독 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 압저항체의 캔틸레버 변형 신호를 검출하고, 상기 검출된 캔틸레버 변형 신호에 따라 상기 PZT 엑츄에이터로 제어신호를 전송하는 피드백 제어부가 상기압저항체와 PZT 엑츄에이터에 각각 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 데이터 기록 및 판독 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 매체는 FIS{강유전체(Ferroelectric)/절연체(Insulator)/ 반도체(Semiconductor)}매체 또는 FMIS{강유전체(Ferroelectric)/금속(Metal)/절연체(Insulator)/반도체(Semiconductor)}매체인 것을 특징으로 하는 데이터 기록 및 판독 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기준 캐패시터는,
    상기 도전성막 상부에 유전막과 상부전극이 적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는 데이터 기록 및 판독 시스템.
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