JPH05347035A - 情報記録・再生装置 - Google Patents
情報記録・再生装置Info
- Publication number
- JPH05347035A JPH05347035A JP15523392A JP15523392A JPH05347035A JP H05347035 A JPH05347035 A JP H05347035A JP 15523392 A JP15523392 A JP 15523392A JP 15523392 A JP15523392 A JP 15523392A JP H05347035 A JPH05347035 A JP H05347035A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速アクセスが可能で、高密度記録ができ、
周囲の磁気に強い情報記録・再生装置を得ること。 【構成】 強誘電体からなる情報記録層３と、この情報
記録層３に対し相対的に移動可能に設けられた導電性の
針からなる記録または再生ヘッド４とを備えたものであ
る。
周囲の磁気に強い情報記録・再生装置を得ること。 【構成】 強誘電体からなる情報記録層３と、この情報
記録層３に対し相対的に移動可能に設けられた導電性の
針からなる記録または再生ヘッド４とを備えたものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばコンピュータ
の外部記憶装置としての固定ディスク装置などに好まし
く用いることができる情報記録・再生装置に関するもの
である。
の外部記憶装置としての固定ディスク装置などに好まし
く用いることができる情報記録・再生装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】大量の情報を高速に読み書きする情報記
録・再生装置として、固定ディスク装置が広く普及して
いる。図４は例えば電子通信学会技術研究報告ＭＲ８５
ー５２に示された従来の固定ディスク装置を模式的に示
す斜視図である。図において、１はガラス、アルミニウ
ム等の材質からなるディスク、２はディスク１の回転
軸、７はディスク１上に形成された強磁性体層、８は強
磁性体層７に記録、および／または再生を行う磁気ヘッ
ド、５は磁気ヘッド８を支えるアーム、６はアーム５の
回転軸である。なお、ディスク２を回転させるモータ、
アーム５を移動させるアクチュエータ、それらを制御す
る制御回路などは、いずれも図示を省略している。
録・再生装置として、固定ディスク装置が広く普及して
いる。図４は例えば電子通信学会技術研究報告ＭＲ８５
ー５２に示された従来の固定ディスク装置を模式的に示
す斜視図である。図において、１はガラス、アルミニウ
ム等の材質からなるディスク、２はディスク１の回転
軸、７はディスク１上に形成された強磁性体層、８は強
磁性体層７に記録、および／または再生を行う磁気ヘッ
ド、５は磁気ヘッド８を支えるアーム、６はアーム５の
回転軸である。なお、ディスク２を回転させるモータ、
アーム５を移動させるアクチュエータ、それらを制御す
る制御回路などは、いずれも図示を省略している。
【０００３】次に動作について説明する。従来の固定デ
ィスク装置では、ディスク１上に形成された強磁性体層
７に、アーム５に取付けられたヘッド８によって磁気記
録を行う。ディスク１は回転軸２のまわりに回転する。
アーム５は回転軸６のまわりに回転し、ヘッド８をディ
スク１上の内周から外周までの間で移動させる。これに
よりヘッド８は強磁性体層７の全範囲をアクセスでき
る。ヘッド８は外部から信号を与えられ、情報に応じた
磁界を発生する。この磁界が強磁性体層７に局部的な自
発磁化を引き起こし、この自発磁化が情報として蓄えら
れる。
ィスク装置では、ディスク１上に形成された強磁性体層
７に、アーム５に取付けられたヘッド８によって磁気記
録を行う。ディスク１は回転軸２のまわりに回転する。
アーム５は回転軸６のまわりに回転し、ヘッド８をディ
スク１上の内周から外周までの間で移動させる。これに
よりヘッド８は強磁性体層７の全範囲をアクセスでき
る。ヘッド８は外部から信号を与えられ、情報に応じた
磁界を発生する。この磁界が強磁性体層７に局部的な自
発磁化を引き起こし、この自発磁化が情報として蓄えら
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の固定ディスク装
置のような情報記録・再生装置では、高速アクセスを実
現するために、ヘッド８とアーム５の、回転軸６のまわ
りの慣性モーメントはできるだけ小さいほうがよい。特
に、回転軸６から離れているヘッド８を小さく軽くする
ことが重要である。しかし、固定ディスクでヘッド８に
使用している磁気ヘッドは基本的にはコイルであり、そ
の大きさはある程度以上小さくできず、これがアクセス
速さを制限するという問題点があった。また、磁気ヘッ
ドの小型化に限度があるため、記録密度の高密度化にも
限界があった。さらに、磁気記録された情報は、周囲の
電気製品や永久磁石などの発する磁界の影響を受けやす
く、磁気に弱いという課題があった。
置のような情報記録・再生装置では、高速アクセスを実
現するために、ヘッド８とアーム５の、回転軸６のまわ
りの慣性モーメントはできるだけ小さいほうがよい。特
に、回転軸６から離れているヘッド８を小さく軽くする
ことが重要である。しかし、固定ディスクでヘッド８に
使用している磁気ヘッドは基本的にはコイルであり、そ
の大きさはある程度以上小さくできず、これがアクセス
速さを制限するという問題点があった。また、磁気ヘッ
ドの小型化に限度があるため、記録密度の高密度化にも
限界があった。さらに、磁気記録された情報は、周囲の
電気製品や永久磁石などの発する磁界の影響を受けやす
く、磁気に弱いという課題があった。
【０００５】この発明は、かかる課題を解消するために
なされたものであり、高速に情報の読み書きができ、周
囲の磁気にも強い情報記録・再生装置を提供することを
目的としている。
なされたものであり、高速に情報の読み書きができ、周
囲の磁気にも強い情報記録・再生装置を提供することを
目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る情報記録
・再生装置は、強誘電体からなる情報記録層と、この情
報記録層に対し相対的に移動可能に設けられた導電性の
針からなる記録または再生ヘッドとを備えるように構成
したものである。
・再生装置は、強誘電体からなる情報記録層と、この情
報記録層に対し相対的に移動可能に設けられた導電性の
針からなる記録または再生ヘッドとを備えるように構成
したものである。
【０００７】
【作用】本発明の強誘電体からなる情報記録層は、導電
性の針に与えた電界に応じて局部的な自発分極が引き起
こされ、この自発分極が情報として蓄えられる。
性の針に与えた電界に応じて局部的な自発分極が引き起
こされ、この自発分極が情報として蓄えられる。
【０００８】
【実施例】実施例１．図１はこの発明の一実施例による
情報記録・再生装置の要部を模式的に示す斜視図、図２
は記録回路を概略的に示す構成図、図３は再生回路を概
略的に示す構成図である。図において、１はディスク、
２はディスク１の回転軸、３はディスク１上に形成され
た強誘電体からなる情報記録層、４は情報記録層３に記
録・再生を行う微少な針状の電界ヘッド、５はヘッド４
を支えるアーム、６はアーム４の回転軸である。９は記
録情報を処理する信号回路、１０は信号回路９の出力信
号に応じて、情報記録層３とヘッド４との間に電位差を
与えるための可変電圧源、１１は情報記録３とヘッド４
との間に誘起される電荷を検出する電圧計、１２はこの
電圧計１１の出力信号を処理する受信回路である。
情報記録・再生装置の要部を模式的に示す斜視図、図２
は記録回路を概略的に示す構成図、図３は再生回路を概
略的に示す構成図である。図において、１はディスク、
２はディスク１の回転軸、３はディスク１上に形成され
た強誘電体からなる情報記録層、４は情報記録層３に記
録・再生を行う微少な針状の電界ヘッド、５はヘッド４
を支えるアーム、６はアーム４の回転軸である。９は記
録情報を処理する信号回路、１０は信号回路９の出力信
号に応じて、情報記録層３とヘッド４との間に電位差を
与えるための可変電圧源、１１は情報記録３とヘッド４
との間に誘起される電荷を検出する電圧計、１２はこの
電圧計１１の出力信号を処理する受信回路である。
【０００９】なお、この実施例に用いた情報記録層３は
真空蒸着法により形成したチタン酸バリウム(ＢaＴiＯ3
)からなる厚さ０．５μmの蒸着膜である。また、上記
ヘッド４は、導電性物質からなる高さ約１μm、根元の
直径約１μmの円錐状の針であり、図示を省略している
導電性物質の基板上に回転斜め蒸着法によって形成した
ものである。前記導電物質の基板は、この実施例ではア
ーム５の先端部に直接装着されているが、アーム５の先
端部に設けたスライダ(図示省略)に取り付けるようにし
ても差し支えない。
真空蒸着法により形成したチタン酸バリウム(ＢaＴiＯ3
)からなる厚さ０．５μmの蒸着膜である。また、上記
ヘッド４は、導電性物質からなる高さ約１μm、根元の
直径約１μmの円錐状の針であり、図示を省略している
導電性物質の基板上に回転斜め蒸着法によって形成した
ものである。前記導電物質の基板は、この実施例ではア
ーム５の先端部に直接装着されているが、アーム５の先
端部に設けたスライダ(図示省略)に取り付けるようにし
ても差し支えない。
【００１０】次に動作について説明する。前記のように
構成された情報記録・再生装置では、ディスク１上に形
成された強誘電体層３に、アーム５に取付けられたヘッ
ド４によって記録を行う。ヘッド４は例えば図２に示す
ように外部から信号を与えられ、可変電圧源１０によっ
て情報に応じた電界を発生する。この電界が強誘電体層
３に局部的な自発分極を引き起こし、この自発分極が情
報として蓄えられる。この実施例では、１〜１０×１０
５Ｖ／cmの電界をヘッド４の直下の直径約０．２μmの
領域に生じさせた。
構成された情報記録・再生装置では、ディスク１上に形
成された強誘電体層３に、アーム５に取付けられたヘッ
ド４によって記録を行う。ヘッド４は例えば図２に示す
ように外部から信号を与えられ、可変電圧源１０によっ
て情報に応じた電界を発生する。この電界が強誘電体層
３に局部的な自発分極を引き起こし、この自発分極が情
報として蓄えられる。この実施例では、１〜１０×１０
５Ｖ／cmの電界をヘッド４の直下の直径約０．２μmの
領域に生じさせた。
【００１１】また、情報記録層３に記録された情報を読
み取る場合には、図３のように回路を形成し、ディスク
１を回転させると、ヘッド４の先端部が強誘電体３の自
発分極の向きが異なる領域の上を通過するとき、ヘッド
４の先端部に異なる極性の電荷が誘起されるので、アー
ス電位との間に電位差が変化し、アースとヘッド４をつ
なぐ回路に電流が流れる。これを電位計１１により検出
して記録情報を読み取る。
み取る場合には、図３のように回路を形成し、ディスク
１を回転させると、ヘッド４の先端部が強誘電体３の自
発分極の向きが異なる領域の上を通過するとき、ヘッド
４の先端部に異なる極性の電荷が誘起されるので、アー
ス電位との間に電位差が変化し、アースとヘッド４をつ
なぐ回路に電流が流れる。これを電位計１１により検出
して記録情報を読み取る。
【００１２】上記実施例によると、ヘッド４は局所的な
電界を発生させるのが目的であるから、微少な針とする
ことができる。これによりヘッド４のアーム回転軸６の
まわりの慣性モーメントを抑制し、高速なアクセスが可
能になる。このような構成の固定ディスク装置では、ヘ
ッドが微少な針であるため、ヘッド４の慣性モーメント
が著しく減少する。
電界を発生させるのが目的であるから、微少な針とする
ことができる。これによりヘッド４のアーム回転軸６の
まわりの慣性モーメントを抑制し、高速なアクセスが可
能になる。このような構成の固定ディスク装置では、ヘ
ッドが微少な針であるため、ヘッド４の慣性モーメント
が著しく減少する。
【００１３】また、強誘電体からなる情報記録層３とヘ
ッド４との距離を近づけるだけで、針と強誘電体層との
間に生じる電界の及ぶ範囲を小さくできるため、非常な
高密度記録が可能になる。一例として、上記実施例では
約５０００ビット／mmの記録密度とすることができた。
これは従来の磁気記録方式と比べた場合、約５倍の記録
密度であった。また、情報は強誘電体層の自発分極とし
て蓄えられるため、周囲の磁界の影響を受けず、情報が
磁気によって損傷を受けたりすることはない。
ッド４との距離を近づけるだけで、針と強誘電体層との
間に生じる電界の及ぶ範囲を小さくできるため、非常な
高密度記録が可能になる。一例として、上記実施例では
約５０００ビット／mmの記録密度とすることができた。
これは従来の磁気記録方式と比べた場合、約５倍の記録
密度であった。また、情報は強誘電体層の自発分極とし
て蓄えられるため、周囲の磁界の影響を受けず、情報が
磁気によって損傷を受けたりすることはない。
【００１４】なお、上記実施例では、情報記録層３とし
て、チタン酸バリウムを用いたが、これに限定されるも
のではなく、例えばチタン酸鉛(ＰbＴiＯ3 )、チタン酸
ビスス(Ｂi4Ｔi3Ｏ12)などのチタン酸塩、ジルコニウム
酸鉛(ＰbＺrＯ3)などのジルコニウム酸塩、その他強誘
電体層を形成し得るものであれば、好ましく用いること
ができる。また、情報記録層３の形成方法として真空蒸
着法を用いたが、他の方法でも勿論差し支えない。好ま
しく用いることができるものとして、例えば塗布法、分
子線エピタキシー法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ゾ
ルーゲル法などを上げることができる。
て、チタン酸バリウムを用いたが、これに限定されるも
のではなく、例えばチタン酸鉛(ＰbＴiＯ3 )、チタン酸
ビスス(Ｂi4Ｔi3Ｏ12)などのチタン酸塩、ジルコニウム
酸鉛(ＰbＺrＯ3)などのジルコニウム酸塩、その他強誘
電体層を形成し得るものであれば、好ましく用いること
ができる。また、情報記録層３の形成方法として真空蒸
着法を用いたが、他の方法でも勿論差し支えない。好ま
しく用いることができるものとして、例えば塗布法、分
子線エピタキシー法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ゾ
ルーゲル法などを上げることができる。
【００１５】また、情報記録層３の厚さ、あるいは導電
性のヘッド４のサイズなども実施例のものに限定されな
るものでないことは言うまでもない。さらに、本発明は
情報の記録のみを行うようにした装置、情報の再生のみ
を行うようにした装置に適用しても同様の効果があるこ
とは言うまでもない。
性のヘッド４のサイズなども実施例のものに限定されな
るものでないことは言うまでもない。さらに、本発明は
情報の記録のみを行うようにした装置、情報の再生のみ
を行うようにした装置に適用しても同様の効果があるこ
とは言うまでもない。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、強誘
電体からなる情報記録層と、この情報記録層に対し相対
的に移動可能に設けられた導電性の針からなる記録また
は再生ヘッドとを備えるように構成したことにより、情
報の読み書きが高速であり、高密度な記録が可能で、周
囲の磁気に強い情報記録・再生装置が得られる効果があ
る。
電体からなる情報記録層と、この情報記録層に対し相対
的に移動可能に設けられた導電性の針からなる記録また
は再生ヘッドとを備えるように構成したことにより、情
報の読み書きが高速であり、高密度な記録が可能で、周
囲の磁気に強い情報記録・再生装置が得られる効果があ
る。
【図１】この発明の一実施例による情報記録・再生装置
を模式的に示す斜視図である。
を模式的に示す斜視図である。
【図２】図１に示す実施例の記録回路を示す構成図であ
る。
る。
【図３】図１に示す実施例の再生回路を示す構成図であ
る。
る。
【図４】従来の情報記録・再生装置を示す模式図であ
る。
る。
３ 情報記録層 ４ ヘッド
Claims (1)
- 【請求項１】 強誘電体からなる情報記録層と、この情
報記録層に対し相対的に移動可能に設けられた導電性の
針からなる記録または再生ヘッドとを備えたことを特徴
とする情報記録・再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15523392A JPH05347035A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 情報記録・再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15523392A JPH05347035A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 情報記録・再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347035A true JPH05347035A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=15601449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15523392A Pending JPH05347035A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 情報記録・再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347035A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1315157A2 (en) * | 2001-11-23 | 2003-05-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Information storage apparatus using semiconductor probe |
| KR100388549B1 (ko) * | 1999-10-06 | 2003-06-25 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 데이터 저장용 강유전성 드라이브 |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP15523392A patent/JPH05347035A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100388549B1 (ko) * | 1999-10-06 | 2003-06-25 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 데이터 저장용 강유전성 드라이브 |
| EP1315157A2 (en) * | 2001-11-23 | 2003-05-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Information storage apparatus using semiconductor probe |
| EP1315157A3 (en) * | 2001-11-23 | 2004-05-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Information storage apparatus using semiconductor probe |
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