KR20030040108A

KR20030040108A - 액정 표시 장치

Info

Publication number: KR20030040108A
Application number: KR1020020069970A
Authority: KR
Inventors: 나까요시요시아끼; 구라하시나가또시; 가와무라데쯔야; 야나가와가즈히로
Original assignee: 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
Priority date: 2001-11-13
Filing date: 2002-11-12
Publication date: 2003-05-22
Also published as: US20050046773A1; US7161641B2; CN1419157A; TW583494B; JP2003149674A; US20030090612A1

Abstract

액정을 개재하여 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측 면에, 병설된 복수의 게이트 신호선과 이들 각 게이트 신호선과 교차하여 병설된 복수의 드레인 신호선을 갖고, 이들 각 신호선에 의해 둘러싸인 영역을 화소 영역으로 하고, 이들 화소 영역에 게이트 신호선으로부터의 주사 신호에 의해서 동작되는 박막 트랜지스터와, 이 박막 트랜지스터를 통해 드레인 신호선으로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극과, 이 화소 전극과의 사이에 전계를 발생시키는 대향 전극이 형성되고, 상기 대향 전극은 절연막을 개재하여 상기 드레인 신호선의 주행 방향으로 연장되어 중첩되어 있는 것을 갖고, 상기 드레인 신호선은 그 주행 방향의 각 변 중 적어도 한쪽 측벽면에 그 드레인 신호선의 기초층 측으로 점차 넓어지는 테이퍼가 형성되어 있다.

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 소위 횡전계 방식이라 불리우는 액정 표시 장치에 관한 것이다.

소위 횡전계 방식의 액정 표시 장치는, 액정을 개재하여 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측 면의 화소 영역에 상호 인접하는 화소 전극과 대향 전극이 형성되고, 이들 각 전극 사이에 발생하는 전계 중 상기 기판과 평행한 성분에 의해서 액정을 기동시키고 있다.

이러한 액정 표시 장치를 액티브 매트릭스형에 적용시킨 것으로, 상기 한쪽 기판의 액정측 면에 병설된 복수의 게이트 신호선과 이들 각 게이트 신호선과 교차하여 병설된 복수의 드레인 신호선에 의해 둘러싸인 영역을 화소 영역으로 하고, 이들 화소 영역에 게이트 신호선으로부터의 주사 신호에 의해서 동작되는 박막 트랜지스터와, 이 박막 트랜지스터를 통해 드레인 신호선으로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극과, 상기 영상 신호에 대하여 기준이 되는 전압 신호가 공급되는대향 전극이 형성되어 구성되어 있다.

그리고, 상기 화소 전극과 대향 전극은 각각 한 방향으로 연장된 띠 형상으로 형성되어 있음과 함께, 이들이 교대로 배치되는 복수의 전극군으로 형성되어 있다.

또한, 이 중 상기 대향 전극은 상기 드레인 신호선과 절연막을 개재하여 그 주행 방향에 따라 중첩하여 형성된 것을 포함하는 것이 알려져 있다.

드레인 신호선으로부터의 전계에 의한 전기력선이 상기 드레인 신호선과 중첩하여 형성되는 상기 대향 전극을 종단하도록 하고, 이 대향 전극과 인접하여 배치되는 화소 전극을 종단하지 않도록 하고 있다. 드레인 신호선으로부터의 전기력선이 화소 전극을 종단하게 되면 그것이 노이즈가 되기 때문이다.

그러나, 이러한 구성으로 이루어지는 액정 표시 장치에서는, 상기 대향 전극이 상술한 기능을 가지기 위해서, 상기 대향 전극의 중심축이 드레인 신호선의 그것과 일치하여 배치됨과 아울러, 그 폭이 드레인 신호선의 그것보다도 크게 형성될 필요가 있다.

이 때문에, 드레인 신호선의 대향 전극에 대한 용량(기생 용량)이 커져, 상기 드레인 신호선에 공급되는 영상 신호에 파형 지연이 생기는 것이 지적되기에 이르렀다.

이 경우, 드레인 신호선의 파형 지연은 드레인 신호선의 저항 R과 기생 용량 C의 곱에 비례하며, 이것을 작게 하기 위해서는 그 저항 R, 기생 용량 C 중 적어도한쪽을 작게 하는 것을 생각할 수 있다.

그러나, 드레인 신호선의 상측에 대향 전극이 존재하는 경우, 가령 드레인 신호선의 폭을 크게 하여 그 드레인 신호선의 저항 R을 작게 해도, 상기 대향 전극과의 기생 용량 C가 그것에 따라 증가하고, 결과적으로 파형 지연을 저감할 수 없는 상태에 놓이게 된다.

본 발명은, 이러한 사정에 기초하여 이루어진 것으로, 본원의 하나의 목적은 드레인 신호선의 대향 전극에 대한 용량을 저감시키는 데에 있다.

도 1은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 화소의 일 실시예를 도시하는 단면도.

도 2는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 일 실시예를 도시하는 등가 회로도.

도 3은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 화소의 일 실시예를 도시하는 평면도.

도 4는 도 3의 IV-IV선을 따른 단면도.

도 5는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 화소의 주요부의 일 실시예를 도시하는 단면도.

도 6은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 드레인 신호선의 다른 실시예를 도시하는 단면도.

도 7은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 화소의 주요부의 일 실시예를 도시하는 단면도.

도 8은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법의 일 실시예를 도시하는 공정도.

도 9는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 화소의 주요부의 일 실시예를 도시하는 단면도.

도 10은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 화소의 다른 실시예를 도시하는 단면도.

도 11은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 드레인 신호선의 다른 실시예를 도시하는 단면도.

도 12는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 화소의 다른 실시예를 도시하는 단면도.

도 13은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 화소의 다른 실시예를 도시하는 단면도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

CT : 대향 전극

TFT : 박막 트랜지스터

DL : 드레인 신호선

SD1 : 드레인 전극

SD2 : 소스 전극

PX : 화소 전극

SUB1, SUB2 : 투명 기판

PSV : 보호막

CL : 대향 전압 신호선

Cstg : 용량 소자

GI : 절연막

GL : 게이트 신호선

He : 영상 신호 구동 회로

V : 수직 주사 구동 회로

SL : 시일재

본원에서 개시되는 발명 중, 대표적인 것의 개요를 간단히 설명하면, 이하와 같다.

(1) 본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 예를 들면 액정을 개재하여 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측 면에, 병설된 복수의 게이트 신호선과 이들 각 게이트 신호선과 교차하여 병설된 복수의 드레인 신호선을 갖고,

이들 각 신호선에 의해 둘러싸인 영역을 화소 영역으로 하고, 이들 화소 영역에 상기 게이트 신호선으로부터의 주사 신호에 의해서 동작되는 박막 트랜지스터와, 이 박막 트랜지스터를 통해 상기 드레인 신호선으로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극과, 이 화소 전극과의 사이에 전계를 발생시키는 대향 전극이 형성되고,

상기 대향 전극은 절연막을 개재하여 상기 드레인 신호선의 주행 방향으로 연장되어 중첩되어 있는 것을 갖고, 상기 드레인 신호선은 상기 대향 전극 CT와 대향하는 면에서 상기 대향 전극 CT와의 거리가 적어도 2개 이상이 다른 영역을 갖도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

(2) 본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 예를 들면 액정을 개재하여 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측 면에, 병설된 복수의 게이트 신호선과 이들 각 게이트 신호선과 교차하여 병설된 복수의 드레인 신호선을 갖고,

상기 대향 전극은 절연막을 개재하여 상기 드레인 신호선의 주행 방향으로 연장되어 중첩되어 있는 것을 갖고, 상기 드레인 신호선은 그 주행 방향의 각 변 중 적어도 한쪽 측벽면에 상기 드레인 신호선의 기초층측으로 점차 넓어지는 테이퍼가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

(3) 본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 예를 들면 액정을 개재하여 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측 면에, 병설된 복수의 게이트 신호선과 이들 각 게이트 신호선과 교차하여 병설된 복수의 2층 도전층 구조로 이루어지는 드레인 신호선을 갖고,

상기 대향 전극은 절연막을 개재하여 상기 드레인 신호선의 주행 방향으로 연장되어 중첩되어 있는 것을 갖고, 상기 드레인 신호선은 그 하층측 도전층에서 그 주행 방향의 각 변 중 적어도 한쪽 측벽면에 그 드레인 신호선의 기초층측으로 점차 넓어지는 테이퍼가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

(4) 본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 예를 들면 액정을 개재하여 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측 면에, 병설된 복수의 게이트 신호선과 이들 각 게이트 신호선과 교차하여 병설된 복수의 드레인 신호선을 갖고,

상기 드레인 신호선은 하층 도전층이 Al 혹은 그 합금으로 이루어지는 2층 구조로 되어 있고,

상기 각 신호선에 의해 둘러싸인 영역을 화소 영역으로 하고, 이들 화소 영역에 상기 게이트 신호선으로부터의 주사 신호에 의해서 동작되는 박막 트랜지스터와, 이 박막 트랜지스터를 통해 상기 드레인 신호선으로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극과, 이 화소 전극과의 사이에 전계를 발생시키는 대향 전극이 형성되고,

상기 대향 전극은 절연막을 개재하여 상기 드레인 신호선의 주행 방향으로 연장되어 중첩되어 있는 것을 갖고, 상기 드레인 신호선은 그 하층 도전층에서 그 주행 방향의 각 변 중 적어도 한쪽 측벽면에 그 드레인 신호선의 기초층측으로 점차 넓어지는 테이퍼가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

(5) 본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 예를 들면 액정을 개재하여 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측 면에, 병설된 복수의 게이트 신호선과 이들 각 게이트 신호선과 교차하여 병설된 복수의 2층 도전층 구조로 이루어지는 드레인 신호선을 갖고,

상기 대향 전극은 절연막을 개재하여 상기 드레인 신호선의 주행 방향으로 연장되어 중첩되어 있는 것을 갖고, 상기 드레인 신호선은 그 상층의 도전막을 마스크로 하여 하층 도전층을 에칭함으로써 그 하층의 도전막의 측벽면에 그 드레인 신호선의 기초층측으로 점차 넓어지는 테이퍼가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

(6) 본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 예를 들면 액정을 개재하여 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측 면에, 병설된 복수의 게이트 신호선과 이들 각 게이트 신호선과 교차하여 병설된 복수의 드레인 신호선을 갖고,

상기 드레인 신호선은 중간층이 Al 혹은 그 합금의 도전층으로 이루어져 최상층 및 최하층이 Al 혹은 그 합금 이외의 도전층으로 이루어지는 3층 구조로 되어있고,

상기 대향 전극은 절연막을 개재하여 상기 드레인 신호선의 주행 방향으로 연장되어 중첩되어 있는 것을 갖고, 상기 드레인 신호선은 최하층 도전층의 폭이 최상층 도전층의 폭보다도 넓고, 중간층 도전층의 폭은 그 최하층 도전층의 폭으로부터 최상층 도전층의 폭에 걸쳐 변화하고 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

(7) 본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 예를 들면 액정을 개재하여 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측 면에, 병설된 복수의 게이트 신호선과 이들 각 게이트 신호선과 교차하여 병설된 복수의 드레인 신호선을 갖고,

상기 드레인 신호선은 중간층이 Al 혹은 그 합금의 도전층으로 이루어져 최상층 및 최하층이 Al 혹은 그 합금 이외의 도전층으로 이루어지는 3층 구조로 되어 있고,

상기 대향 전극은 절연막을 개재하여 상기 드레인 신호선의 주행 방향으로 연장되어 중첩되어 있는 것을 갖고, 상기 드레인 신호선은 최하층 도전층의 폭이 최상층 도전층의 폭보다도 넓고, 중간층 도전층의 측벽면의 폭은 그 최하층 도전층의 폭으로부터 최상층 도전층의 폭에 걸쳐 변화하고 있음과 함께, 상기 측면에 산화 피막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

(8) 본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 예를 들면 액정을 개재하여 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측 면에, 병설된 복수의 게이트 신호선과 이들 각 게이트 신호선과 교차하여 병설된 복수의 드레인 신호선을 갖고,

상기 각 신호선에 의해 둘러싸인 영역을 화소 영역으로 하고, 이들 화소 영역에 게이트 신호선으로부터의 주사 신호에 의해서 동작되는 박막 트랜지스터와, 이 박막 트랜지스터를 통해 상기 드레인 신호선으로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극과, 대향 전압 신호선을 통해 상기 영상 신호에 대하여 기준이 되는 신호가 공급되는 대향 전극이 형성되고,

상기 대향 전압 신호선은, 절연막을 개재하여 상기 게이트 신호선의 주행 방향으로 연장되어 중첩되어 있는 것을 갖고, 상기 게이트 신호선은 그 주행 방향의 각 변 중 적어도 한쪽 변의 측벽면에 그 게이트 신호선의 기초층측으로 점차 넓어지는 테이퍼가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

이하, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 실시예를 도면을 이용하여 설명을 한다.

<실시예 1>

(등가 회로)

도 2는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 일 실시예를 나타내는 등가 회로도이다. 도 2는 회로도이지만, 실제의 기하학적 배치에 대응시켜 도시하고 있다.

도 2에서, 액정을 개재하여 상호 대향 배치되는 한쌍의 투명 기판 SUB1, SUB2가 있고, 그 액정은 한쪽 투명 기판 SUB1에 대하여 다른 쪽 투명 기판 SUB2의 고정을 겸하는 시일재 SL에 의해서 봉입되고 있다.

시일재 SL에 의해 둘러싸인 상기 한쪽 투명 기판 SUB1의 액정측 면에는, x 방향으로 연장되고 y 방향으로 병설된 게이트 신호선 GL과 y 방향으로 연장되고 x 방향으로 병설된 드레인 신호선 DL이 형성되어 있다.

각 게이트 신호선 GL과 각 드레인 신호선 DL로 둘러싸인 영역은 화소 영역을 구성함과 함께, 이들 각 화소 영역의 매트릭스형 집합체는 액정 표시부 AR를 구성하게 된다.

또한, x 방향으로 병설되는 각 화소 영역의 각각에는 이들 각 화소 영역 내를 주행하는 공통의 대향 전압 신호선 CL이 형성되어 있다. 이 대향 전압 신호선 CL은 각 화소 영역의 후술하는 대향 전극 CT에 영상 신호에 대하여 기준이 되는 전압을 공급하기 위한 신호선이 된다.

각 화소 영역에는 그 한쪽 게이트 신호선 GL로부터의 주사 신호에 의해서 동작되는 박막 트랜지스터 TFT와, 이 박막 트랜지스터 TFT를 통해 한쪽 드레인 신호선 DL로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극 PX가 형성되어 있다.

이 화소 전극 PX는 상기 대향 전압 신호선 CL과 접속된 대향 전극 CT 사이에 전계를 발생시켜, 이 전계에 의해서 액정의 광 투과율을 제어하도록 되어 있다.

상기 게이트 신호선 GL의 각각의 일단은 상기 시일재 SL을 지나 연장되고, 그 연장단은 수직 주사 구동 회로 V의 출력 단자가 접속되는 단자를 구성하도록 되어 있다. 또한, 상기 수직 주사 구동 회로 V의 입력 단자는 액정 표시 패널의 외부에 배치된 프린트 기판으로부터의 신호가 입력되도록 되어 있다.

수직 주사 구동 회로 V는 복수개의 반도체 장치로 이루어지고, 상호 인접하는 복수의 게이트 신호선끼리 그룹화되고, 이들 각 그룹마다 한 개의 반도체 장치가 할당되도록 되어 있다.

마찬가지로, 상기 드레인 신호선 DL의 각각의 일단은 상기 시일재 SL을 지나 연장되고, 그 연장단은 영상 신호 구동 회로 He의 출력 단자가 접속되는 단자를 구성하도록 되어 있다. 또한, 상기 영상 신호 구동 회로 He의 입력 단자는 액정 표시 패널의 외부에 배치된 프린트 기판으로부터의 신호가 입력되도록 되어 있다.

이 영상 신호 구동 회로 He도 복수개의 반도체 장치로 이루어져, 상호 인접하는 복수의 드레인 신호선끼리 그룹화되고, 이들 각 그룹마다 한 개의 반도체 장치가 할당되도록 되어 있다.

또한, 상기 대향 전압 신호선 CL은, 예를 들면 도면 중 우측 단부에서 공통으로 접속되고, 그 접속선은 시일재 SL을 지나 연장되고, 그 연장단에서 단자 CLT를 구성하고 있다. 이 단자 CLT로부터는 영상 신호에 대하여 기준이 되는 전압이 공급되도록 되어 있다.

상기 각 게이트 신호선 GL은, 수직 주사 회로 V로부터의 주사 신호에 의해서 하나가 순차 선택되도록 되어 있다.

또한, 상기 각 드레인 신호선 DL의 각각에는, 영상 신호 구동 회로 He에 의해서, 상기 게이트 신호선 GL의 선택 타이밍에 맞추어 영상 신호가 공급되도록 되어 있다.

또, 상술한 실시예에서는, 수직 주사 구동 회로 V 및 영상 신호 구동 회로 He는 투명 기판 SUB1에 탑재된 반도체 장치를 나타낸 것이지만, 예를 들면 투명 기판 SUB1과 프린트 기판 사이에 걸쳐 접속되는 소위 테이프 캐리어 방식의 반도체 장치어도 되며, 또한 상기 박막 트랜지스터 TFT의 반도체층이 다결정 실리콘(p-Si)으로 구성되는 경우, 투명 기판 SUB1면에 상기 다결정 실리콘으로 이루어지는 반도체 소자를 배선층과 함께 형성된 것이어도 된다.

(화소의 구성)

도 3은 상기 화소 영역의 구성의 일 실시예를 도시하는 평면도이다. 또한, 도 1은 도 3의 I-I선 단면도를, 도 4는 도 3의 IV-IV선 단면도를 나타내고 있다.

각 도면에서, 투명 기판 SUB1의 액정측 면에, 우선, x 방향으로 연장되고 y 방향으로 병설되는 한쌍의 게이트 신호선 GL이 형성되어 있다.

이들 게이트 신호선 GL은 후술하는 한쌍의 드레인 신호선 DL과 동시에 구형의 영역을 둘러싸게 되어 있고, 이 영역을 화소 영역으로서 구성하도록 되어 있다.

또한, 게이트 신호선 GL의 형성과 동시에, 각 화소 영역의, 예를 들면 중앙에서 그 게이트 신호선 GL과 평행하게 주행하는 대향 전압 신호선 CL이 형성되어있다.

이와 같이 게이트 신호선 GL 및 대향 전압 신호선 CL이 형성된 투명 기판 SUB1의 표면에는, 예를 들면 SiN으로 이루어지는 절연막 GI(도 1, 도 4 참조)가 그 게이트 신호선 GL 및 대향 전압 신호선 CL을 덮어 형성되어 있다.

이 절연막 GI는 후술하는 드레인 신호선 DL 형성 영역에서는 상기 게이트 신호선 GL에 대한 층간 절연막으로서의 기능을, 후술하는 박막 트랜지스터 TFT 형성 영역에서는 그 게이트 절연막으로서의 기능을, 후술하는 용량 소자 Cstg 형성 영역에서는 그 유전체막의 하나로서의 기능을 갖게 된다.

그리고, 이 절연막 GI의 표면이고 상기 게이트 신호선 GL의 일부에 중첩하도록, 예를 들면 비정질 Si로 이루어지는 반도체층 AS가 형성되어 있다.

이 반도체층 AS는 박막 트랜지스터 TFT의 그것이고, 그 상면에 드레인 전극 SD1 및 소스 전극 SD2를 형성함으로써, 게이트 신호선의 일부를 게이트 전극으로 하는 역스태거 구조의 MIS형 트랜지스터를 구성할 수 있다.

여기서, 상기 드레인 전극 SD1 및 소스 전극 SD2는 드레인 신호선 DL의 형성과 동시에 형성되도록 되어 있다.

즉, y 방향으로 연장되고 x 방향으로 병설되는 드레인 신호선 DL이 형성되고, 그 일부는 상기 반도체층 AS의 상면에까지 연장되어 드레인 전극 SD1이 형성되고, 또한 이 드레인 전극 SD1과 박막 트랜지스터 TFT의 채널 길이만큼 이격되어 소스 전극 SD2가 형성되어 있다.

또, 이 드레인 신호선 DL은 그 주행 방향의 각 변의 측벽면에 그 드레인 신호선 DL의 절연막 GI 측으로 점차 넓어지는 테이퍼가 형성되게 되며, 이와 같이 구성하는 이유에 대해서는 후술한다.

또한, 이 소스 전극 SD2는 화소 영역 내에 형성되는 화소 전극 PX와 일체로 형성되어 있다.

즉, 화소 전극 PX는 화소 영역 내를 그 y 방향으로 연장되고 X 방향으로 병설된 복수(도면에서는 2개)의 전극군으로 구성되어 있다. 이 중 하나의 화소 전극 PX의 한쪽 단부는 상기 소스 전극 SD2를 겸하고, 다른 쪽 단부에서는 다른 화소 전극 PX가 대응하는 위치에서 상호 전기적 접속이 이루어질 수 있게 되어 있다.

또 도시하지 않지만, 반도체층 AS와 드레인 전극 SD1 및 소스 전극 SD2와의 계면에는 고농도의 불순물이 도핑된 얇은 층이 형성되고, 이 층은 컨택트층으로서 기능하도록 되어 있다.

이 컨택트층은, 예를 들면 반도체층 SD의 형성 시에 그 표면에 이미 고농도의 불순물층이 형성되어 있고, 그 상면에 형성한 드레인 전극 SD1 및 소스 전극 SD2의 패턴을 마스크로 하고 그것으로부터 노출된 상기 불순물층을 에칭함으로써 형성할 수 있다.

이와 같이 박막 트랜지스터 TFT, 드레인 신호선 DL, 드레인 전극 SD1, 소스 전극 SD2, 및 화소 전극 PX가 형성된 투명 기판 SUB1의 표면에는 보호막 PSV(도 1, 도 4 참조)가 형성되어 있다. 이 보호막 PSV는 상기 박막 트랜지스터 TFT의 액정과의 직접 접촉을 회피하는 막으로, 상기 박막 트랜지스터 TFT의 특성 열화를 방지하도록 되어 있다.

그리고, 이 보호막 PSV는 SiN과 같은 무기 재료층으로 이루어지는 보호막 PSV1과 수지 등의 유기 재료층으로 이루어지는 보호막 PSV2의 순차 적층체로 구성되어 있다. 이와 같이 보호막 PSV로서 유기 재료층으로 이루어지는 보호막 PSV2를 이용하고 있는 것은 보호막 자체의 유전율을 저감시키기 위해서이다.

이것으로부터, 보호막 PSV의 구성으로서, 그 일부에 무기 재료층을 이용하지 않고, 전부 유기 재료층으로 하도록 해도 되는 것은 물론이다.

보호막 PSV의 상면에는 대향 전극 CT가 형성되어 있다. 이 대향 전극 CT은 전술한 화소 전극 PX와 같이 y 방향으로 연장되고 x 방향으로 병설된 복수(도면에서는 3개)의 전극군으로 구성되고, 또한 이들 각 전극은, 평면적으로 본 경우, 상기 화소 전극 PX 사이에 포지셔닝되도록 되어 있다.

즉, 대향 전극 CT와 화소 전극 PX는 한쪽 드레인 신호선에서 다른 쪽 드레인 신호선에 걸쳐서, 대향 전극, 화소 전극, 대향 전극, 화소 전극, …, 대향 전극의 순으로 각각 등간격으로 배치되어 있다.

여기서, 화소 영역의 양측에 포지셔닝되는 대향 전극 CT는 그 일부가 드레인 신호선 DL에 중첩되어 형성되어 있음과 함께, 인접하는 화소 영역의 대응하는 대향 전극 CT와 공통으로 형성되어 있다.

즉, 드레인 신호선 DL 상에는 대향 전극 CT가 그 중심축이 거의 일치되어 중첩되고, 그 대향 전극 CT의 폭은 드레인 신호선 DL의 폭보다도 크게 형성되어 있다. 드레인 신호선 DL에 대하여 좌측 대향 전극 CT은 좌측 화소 영역의 각 대향 전극 CT의 하나를 구성하고, 우측 대향 전극 CT은 우측 화소 영역의 각 대향 전극CT의 하나를 구성하도록 되어 있다.

이와 같이 드레인 신호선 DL의 상측에 드레인 신호선 DL보다도 폭이 넓은 대향 전극 CT을 형성함으로써, 드레인 신호선 DL로부터의 전기력선이 대향 전극 CT를 종단하고 화소 전극 PX를 종단하는 것을 피할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다. 드레인 신호선 DL로부터의 전기력선이 화소 전극 PX를 종단할 경우, 그것은 노이즈가 되기 때문이다.

전극군으로 이루어지는 각 대향 전극 CT은, 게이트 신호선 GL을 충분히 덮어 형성되는 동일 재료로 이루어지는 대향 전압 신호선 CL과 일체적으로 형성되어, 이 대향 전압 신호선 CL을 통해 기준 전압이 공급되도록 되어 있다.

또, 대향 전극 CT와 대향 전압 신호선 CL은 금속층과 같은 비투광성 재료로 구성되어도 되며, 또한 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투광성 재료로 구성되어도 된다.

게이트 신호선 GL을 충분히 덮어 형성되는 대향 전압 신호선 CL은 그 게이트 신호선 GL로부터 비어져 나온 부분에서, 그 하층에 상기 각 화소 전극 PX의 접속부가 포지셔닝되고, 이에 따라, 화소 전극 PX와 대향 전압 신호선 CL 사이에 절연막 GI와 보호막 PSV를 유전체막으로 하는 용량 소자 Cstg가 형성되어 있다.

이 용량 소자 CStg는, 예를 들면 화소 전극 PX에 공급된 영상 신호를 비교적 길게 축적하는 등의 기능을 갖추고 있다.

그리고, 이와 같이 대향 전극 CT가 형성된 투명 기판 SUB1의 상면에는 상기 대향 전극 CT을 덮어 배향막 ORI1이 형성되어 있다. 이 배향막 ORI1은 액정과 직접 접촉하는 막으로, 그 표면에 형성된 러빙에 의해 상기 액정의 분자의 초기 배향 방향을 결정짓도록 되어 있다.

또, 도 3에 도시한 바와 같이, 각 화소 전극 PX 및 대향 전극 CT는 각각 그 길이 방향으로 복수의 굴곡부를 가지고 지그재그형의 패턴으로 구성되어 있다. 소위 다중 도메인 방식을 채용한 구성으로 되어 있다.

즉, 액정은 그 분자 배열이 동일한 상태에서도, 액정 표시 패널에 입사되는 빛의 입사 방향에 따라 투과광의 편광 상태가 변화하기 때문에, 입사 방향에 대응하여 빛의 투과율이 달라진다.

이러한 액정 표시 패널의 시각 의존성은 시각 방향에 대하여 시점을 비스듬히 기울이면 , 휘도의 역전 현상을 야기하게 되어, 컬러 표시의 경우에 화상의 색이 변하는 표시 특성을 갖는다.

이 때문에, 각 전극의 굴곡점을 연결한 가상의 선을 경계로 하여 한쪽 영역과 다른 쪽 영역에서 각 전극 사이에 작용하는 전계의 방향을 다르게 하고, 이에 따라, 시야각에 의존하는 화상의 변색을 보상하도록 하고 있다.

이와 같이 구성한 액정 표시 장치는 드레인 신호선 DL이 그 길이 방향으로 평행한 각 측벽면이 기초층측으로 점차 넓어지는 형태로 되는 테이퍼가 형성된 단면이 사다리꼴 형상이 되는 구성으로 되어 있다.

또한, 이 드레인 신호선 DL은 그 상측에서 보호막 PSV를 개재하여 형성된 대향 전극 CT에 충분히 덮이는 구성으로 되어 있다.

이것으로부터, 도 5에 도시한 바와 같이, 드레인 신호선 DL의 정상부로부터상기 대향 전극 CT까지의 거리를 d1로 한 경우, 상기 드레인 신호선 DL의 측벽면으로부터 상기 대향 전극 CT까지의 거리는 d2가 되며, 이 값은 d1보다도 커진다.

이것은, 보호막 PSV의 막 두께를 소정의 두께로 형성해야만 하는 제약, 및 드레인 신호선 DL 전체의 전기 저항치를 설정할 필요에서부터 그 단면적을 소정의 값으로 설정해야만 하는 제약, 또한 화소 영역의 개구율 향상을 위해 상기 드레인 신호선 DL의 폭을 소정의 값으로 설정해야만 하는 제약 하에서, 드레인 신호선 DL과 대향 전극 CT 사이의 용량을 저감시킬 수 있는 것을 의미한다.

즉, 드레인 신호선 DL과 대향 전극 CT 사이의 용량을 저감시키기 위해서는, 우선, 보호막 PSV의 두께를 크게 하는 것을 생각할 수 있지만, 그 만큼 화소 전극 PX와 대향 전극 CT 사이의 전계 강도가 약해져, 구동 전압을 크게 해야만 하기 때문에, 그 두께는 제한되게 된다. 또한, 드레인 신호선 DL의 층두께를 작게 하는 만큼 폭을 크게 함으로써, 상기 드레인 신호선 DL의 전기 저항치를 확보함과 함께, 대향 전극 CT와의 사이의 용량을 저감하려고 할 경우, 그것과 함께 상기 대향 전극 CT의 폭도 크게하지 않을 수 없어(상기 대향 전극 CT은 소위 실드 기능을 갖기 때문에), 화소 영역의 개구율이 저하하게 된다.

이것으로부터, 드레인 신호선 DL의 구성으로서, 그 단면적이 설정되어 있는 경우, 그 저면의 폭 W2에 대하여 정상면의 폭 W1을 작게 하는 것이 효과적이 된다. 드레인 신호선 DL의 정상면에서 대향 전극 CT까지의 거리가 d1인 영역보다도, 측벽면에서 상기 대향 전극 CT까지의 거리가 d2(>d1)인 영역의 면적이 크게 되기 때문이다.

또, 이 경우에 있어서도, 드레인 신호선 DL의 저면의 폭 W2는 화소 영역에서 얻고자 하는 소정의 개구율에 의해서 제약되는 것은 물론이다.

<실시예 2>

이 실시예는 실시예1에 나타낸 발명의 취지로부터, 드레인 신호선 DL의 단면의 형상은 반드시 사다리꼴일 필요는 없고, 예를 들면 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 드레인 신호선 DL의 정상면에 상기 드레인 신호선 DL의 길이 방향에 따른 오목부 DEN이 형성되어 있어도 된다. 또한, 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 오목부 DEN은 하나에 한하지 않고 복수라도 된다. 또한, 도 6의 (c)에 도시한 바와 같이, 오목부 DEN의 단면 형상은 특정되는 것은 아니고 삼각형이라도 된다.

즉, 드레인 신호선 DL의 대향 전극 CT와 대향하는 면에서, 상기 대향 전극 CT와의 거리가 적어도 2개 이상의 다른 영역을 갖도록 구성되어 있으면, 마찬가지의 효과를 발휘하게 된다.

<실시예 3>

도 7은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 다른 실시예를 나타내는 구성도로, 도 5에 대응한 도면으로 되어 있다.

도 5의 경우와 비교하여 다른 구성은 드레인 신호선 DL은 2층 구조로 되어 있고, 상층 금속층 UML을 이용하여 하층 금속층 DML의 측벽면에 테이퍼를 형성하도록 되어 있다.

여기서, 상층 금속층으로서는, 예를 들면 Mo, Cr, MoW, MoCr, Ti, CrMo 등이 선택되고, 하층 금속층으로서는, 예를 들면 Al, AlNd, AlSi, AlTa, AlTiTa, Cr 등이 선택된다.

도 8은 상술한 드레인 신호선의 제조 방법의 일 실시예를 도시하는 공정도이다. 우선, 도 8의 (a)에 도시한 바와 같이, 드레인 신호선 DL을 형성할 기초층의 상면에 하층 금속층 DML 및 상층 금속층 UML을 순차 형성한다. 이 경우, 상층 금속층 UML은 하층 금속층 DML보다도 에칭레이트가 빠른 재료로 되어 있다.

그리고, 상층 금속층 UML의 표면 전체에 포토레지스트막 PRE를 형성하고, 주지의 포토리소그래피 기술을 이용하여 드레인 신호선 DL을 형성할 영역에 그 포토레지스트막 PRE를 잔존시킨다.

다음에, 도 8의 (b)에 도시한 바와 같이, 잔존된 포토레지스트막 PRE를 마스크로 하여 상기 상층 및 하층 금속층 UML, DML을 일괄 에칭한다.

우선, 상층 금속층 UML이 선택 에칭되어, 하층 금속층 DML의 표면이 노출된다.

그리고, 도 8의 (c)에 도시한 바와 같이, 하층 금속층 DML이 에칭되는데, 그 에칭은 도 8의 (d)에 도시한 바와 같이, 상기 기초층의 표면이 노출될 때까지 행해진다.

이 경우, 상기 포토레지스트막 PRE의 하측에서 잔존되는 하층 금속층 DML의 측벽면에는 기초층측에 점차 넓어지는 형태로 테이퍼가 형성되도록 된다.

그 후, 도 8의 (e)에 도시한 바와 같이, 상기 포토레지스트막 PRE를 제거함으로써, 드레인 신호선 DL의 형성이 완료된다.

<실시예 4>

도 9는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 다른 실시예를 나타내는 구성도로, 도 5에 대응한 도면으로 되어 있다.

도 5의 경우와 비교하여 다른 구성으로, 드레인 신호선은 3층 구조의 금속층으로 구성되고, 그 최하층 금속층 DML의 폭이 W2, 최상층 금속층 UML의 폭이 W1(W2>W1)이 되고, 중간층 금속층 MML의 폭은 최하층 금속층 DML측으로부터 최상층 금속층 UML측에 걸쳐 W2로부터 W1로 변화하는 테이퍼가 형성되어 있다.

또한, 중간층 금속층 MML은 Al 또는 Al의 합금로 구성되고, 다른 금속층 UML, DML은 그것 이외의 금속 또는 그 합금으로 구성되어 있다.

이 경우, 다른 금속층 UML, DML은 Al 또는 Al의 합금의 산화를 억제할 수 있는 금속 또는 그 합금인 것이 바람직하다. 이는, Al 또는 Al의 합금은 산화되기쉽고, 드레인 신호선의 입력 단자부에서의 접속 저항이 증대될 경우, 영상 신호의 파형 왜곡을 초래하는 원인이 될 수 있기 때문이다.

<실시예 5>

도 10은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 다른 실시예를 나타내는 구성도이고, 도 3의 X-X선 단면도에 상당한다.

본 실시예는 드레인 신호선 DL을 실시예 2에서 도시한 바와 같이 3층 구조로 함과 함께, 그 드레인 신호선 DL의 형성과 동시에, 대향 전압 신호선 CL과 대향 전극 CT와의 접속을 도모하는 개재층 INV를 형성하는 것이다.

여기서, 이 개재층 INV는 드레인 신호선 DL과 마찬가지의 금속으로 이루어지는 적층 구조로 이루어지지만, 이 경우의 최상층 및 최하층 각 금속 UML, DML은 각각 대향 전극 CT 및 대향 전압 신호선 CL과의 컨택트의 향상을 목적으로 선정되어도 된다.

예를 들면, 최하층 및 최상층 각 금속 DML, UML은 MoZr로 하고, 이 경우, Mo보다 Zr 쪽이 적은 것이 바람직하다. 구체적으로는 Mo-8wt% Zr이 바람직하다. 또한, 중간층 금속은 AlNd로 하고, 이 경우, Al보다 Nd 쪽이 적은 것이 바람직하다. 구체적으로는 Al-9.8wt% Nd가 바람직하다.

또한, Zr, Nd를 대신하여, 소위 희토류 원소이더라도 마찬가지의 효과를 발휘한다.

그리고, 최상층 및 최상층 각 금속 UML, DML의 막 두께는 중간층 금속층 MML의 막 두께보다도 얇은 것이 바람직하다. 이는, 저저항화와 형상에 따른 용량의 저감 효과를 향상시키기 위해서이다. 이것으로부터, 중간층 금속층 MML의 막 두께가 최상층 금속층 UML의 막 두께보다도 4배 이상인 것이 바람직하다.

<실시예 6>

이 실시예는, 실시예 5에서 도시한 바와 같이, 3층 구조로 이루어지는 드레인 신호선 DL에서, 도 11에 도시한 바와 같이, 그 테이퍼 면에 산화피막 OXL을 형성하고 있는 것이다. Al 혹은 그 합금으로 이루어지는 중간층 금속층 MML이 노출되어, 여기에서 힐록이 발생되는 것을 방지하기 위해서이다.

이에 따라, 중간층의 배선 저항이 경시 변화로 산화되어, 드레인 신호선 DL의 배선 저항이 시간에 따라 변동하는 것을 방지할 수 있어 신뢰성이 향상된다.

여기서, 상기 산화피막 OXL은, 예를 들면 다음과 같은 방법으로 형성할 수있다. 우선, 측벽면에 테이퍼가 형성된 3층 구조로 이루어지는 드레인 신호선 DL을 산소 플라즈마 처리에 의해서 상기 테이퍼의 측벽면에 산화피막 OXL을 형성한다. 이 경우, 최상층 금속층 UML의 재료로서는 비Al계 금속인 것이 바람직하다. 이는, 접속 저항의 증대를 방지하기 위해서이다.

또한, 다른 방법으로서, 소위 양극화성 처리를 행한다. 즉, 기판 상에 중간층으로서 Al계 금속을 이용하여 측벽면에 테이퍼가 형성된 3층 구조로 이루어지는 드레인 신호선 DL을 형성한 후, 그 기판을 전해 용액에 침지하여, 그 드레인 신호선 DL을 양극으로 하고 음극이 되는 다른 금속판을 그 전해 용액에 동시에 침지한다. 그리고, 양극 및 음극을 통전시킴으로써, 상기 테이퍼의 측벽면에 양극 산화막 OXL을 형성한다. 이 경우에도, 최상층 금속층 UML의 재료는 비Al계 금속인 것이 바람직하다.

또한, 다른 방법으로서, 측벽면에 테이퍼가 형성된 3층 구조로 이루어지는 드레인 신호선 DL을 산소가 존재하는 분위기 내에서 가열함으로써, 그 측벽면에 열 산화막을 형성한다. 이 경우의 가열은 100℃ 이하인 것이 바람직하다.

이러한 가열에 의해서, 다층 구조의 드레인 신호선 DL 내에 생기는 응력을 완화할 수 있고, 이것은 장기간에 걸쳐 사용한 후의 응력 단선을 저감할 수 있는 것으로 된다.

또, 이 방법은 상술한 두가지 다른 방법과 함께 이용해도 된다. 가열 공정을 가함으로써, 드레인 신호선 DL 내에 생기는 응력을 완화시킬 수 있기 때문이다.

<실시예 7>

이 실시예에서는, 도 12에 도시한 바와 같이, 드레인 신호선 DL은 종래와 같이 단면을 구형 그대로 하고, 상측의 대향 전극 CT의 기초층이 되는 보호막 PSV의 표면에 대향 전극 CT(적어도 드레인 신호선과 중첩하는 대향 전극)이 형성된 영역을 제외한 영역에 오목부가 형성된 구조로 해도 된다.

이러한 보호막 PSV는 소위 하프 노광 방식을 이용한 포토리소그래피 기술에 의해서 공정 수를 증대시키지 않고 형성할 수 있다.

이러한 구성으로 함으로써, 드레인 신호선 DL과 대향 전극 CT 사이의 거리를 증대시킬 수 있기 때문에, 이들 사이의 용량을 저감시킬 수 있다.

<실시예 8>

이 실시예는 도 13에 도시한 바와 같이, 실시예 7에 도시한 구성을 전제로 하여, 드레인 신호선 DL을, 그 측벽면에 테이퍼를 형성하도록 한 것이다. 이와 같이 함으로써, 드레인 신호선 DL과 대향 전극 CT 사이의 용량을 더 저감시킬 수 있다.

또한, 이와 같이 한 경우에도 드레인 신호선 DL을 다층 구조로 하여 상술한 실시예에서 나타낸 효과를 발휘하도록 해도 된다.

<실시예 9>

상술한 각 실시예에서는, 드레인 신호선 DL을 대상으로 해서 본 발명을 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 게이트 신호선 GL에서도 적용할 수 있는 것은 물론이다.

게이트 신호선 GL의 상측에 대향 전극 CT와 접속되는 대향 전압 신호선 CL이존재하면, 이들 사이의 용량이 부적합하게 되어 상황은 동일하기 때문이다.

<실시예 10>

또, 상술한 실시예에 있어서, 드레인 신호선 DL 혹은 게이트 신호선 GL에서, 측벽면에 형성되는 테이퍼는 그 신호선의 주행 방향의 각 변의 측벽면에 형성되었지만, 이것에 한정되지는 않고, 이들 중 한쪽만이어도 되는 것은 물론이다.

이상의 설명으로 명백해진 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치에 따르면, 예를 들면 드레인 신호선의 대향 전극에 대한 용량을 저감시킬 수 있다.

Claims

액정을 개재하여 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측 면에, 병설된 복수의 게이트 신호선과 이들 각 게이트 신호선과 교차하여 병설된 복수의 드레인 신호선을 갖고,

이들 각 신호선에 의해 둘러싸인 영역을 화소 영역으로 하고, 이들 화소 영역에 상기 게이트 신호선으로부터의 주사 신호에 의해서 동작되는 박막 트랜지스터와, 이 박막 트랜지스터를 통해 상기 드레인 신호선으로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극과, 이 화소 전극과의 사이에 전계를 발생시키는 대향 전극이 형성되고,

상기 대향 전극은 절연막을 개재하여 상기 드레인 신호선의 주행 방향으로 연장되어 중첩되어 있는 것을 갖고, 상기 드레인 신호선은 상기 대향 전극과 대향하는 면에서 상기 대향 전극과의 거리가 적어도 2개 이상이 다른 영역을 갖도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
액정을 개재하여 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측 면에, 병설된 복수의 게이트 신호선과 이들 각 게이트 신호선과 교차하여 병설된 복수의 드레인 신호선을 갖고,

이들 각 신호선에 의해 둘러싸인 영역을 화소 영역으로 하고, 이들 화소 영역에 상기 게이트 신호선으로부터의 주사 신호에 의해서 동작되는 박막 트랜지스터와, 이 박막 트랜지스터를 통해 상기 드레인 신호선으로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극과, 이 화소 전극과의 사이에 전계를 발생시키는 대향 전극이 형성되고,

상기 대향 전극은 절연막을 개재하여 상기 드레인 신호선의 주행 방향으로 연장되어 중첩되어 있는 것을 갖고, 상기 드레인 신호선은 상기 주행 방향의 각 변 중 적어도 한쪽 측벽면에 상기 드레인 신호선의 기초층측으로 점차 넓어지는 테이퍼가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
제2항에 있어서,

상기 드레인 신호선은 그 하층측 도전층에서 상기 주행 방향의 각 변 중 적어도 한쪽 측벽면에 상기 드레인 신호선의 기초층측으로 점차 넓어지는 테이퍼가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
제2항에 있어서,

상기 드레인 신호선은 그 하층 도전층에서 상기 주행 방향의 각 변 중 적어도 한쪽 측벽면에 상기 드레인 신호선의 기초층측으로 점차 넓어지는 테이퍼가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
제2항에 있어서,

상기 드레인 신호선은 그 하층측 폭이 상층측 폭보다 넓은 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
제2항에 있어서,

상기 드레인 신호선은 다층 구조이고, 하층이 상층보다 폭이 넓은 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
액정을 개재하여 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측 면에, 병설된 복수의 게이트 신호선과 이들 각 게이트 신호선과 교차하여 병설된 복수의 드레인 신호선을 갖고,

상기 드레인 신호선은 중간층이 Al 혹은 그 합금의 도전층으로 이루어지고 최상층 및 최하층이 Al 혹은 그 합금 이외의 도전층으로 이루어지는 3층 구조로 되어 있고,

상기 각 신호선에 의해 둘러싸인 영역을 화소 영역으로 하고, 이들 화소 영역에 상기 게이트 신호선으로부터의 주사 신호에 의해서 동작되는 박막 트랜지스터와, 이 박막 트랜지스터를 통해 상기 드레인 신호선으로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극과, 이 화소 전극과의 사이에 전계를 발생시키는 대향 전극이 형성되고,

상기 대향 전극은 절연막을 개재하여 상기 드레인 신호선의 주행 방향으로 연장되어 중첩되어 있는 것을 갖고, 상기 드레인 신호선은 최하층 도전층의 폭이 최상층 도전층의 폭보다도 넓고, 중간층 도전층의 폭은 그 최하층 도전층의 폭으로부터 최상층 도전층의 폭에 걸쳐 변화하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
제7항에 있어서,

상기 중간층의 측벽면에 산화 피막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
액정을 개재하여 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측 면에, 병설된 복수의 게이트 신호선과 이들 각 게이트 신호선과 교차하여 병설된 복수의 드레인 신호선을 갖고,

상기 각 신호선에 의해 둘러싸인 영역을 화소 영역으로 하고, 이들 화소 영역에 게이트 신호선으로부터의 주사 신호에 의해서 동작되는 박막 트랜지스터와, 이 박막 트랜지스터를 통해 상기 드레인 신호선으로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극과, 이 화소 전극과의 사이에 전계를 발생시키는 대향 전극이 형성되고,

상기 대향 전극은 절연막을 개재하여 상기 게이트 신호선의 주행 방향으로 연장되어 중첩되어 있는 것을 갖고, 상기 게이트 신호선은 상기 주행 방향의 각 변 중 적어도 한쪽 측벽면에 상기 게이트 신호선의 기초층측으로 점차 넓어지는 테이퍼가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
제9항에 있어서,

상기 게이트 신호선은 그 하층측 도전층에서 상기 주행 방향의 각 변 중 적어도 한쪽 측벽면에 상기 게이트 신호선의 기초층측으로 점차 넓어지는 테이퍼가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
제9항에 있어서,

상기 게이트 신호선은 그 하층 도전층에서 상기 주행 방향의 각 변 중 적어도 한쪽 측벽면에 상기 게이트 신호선의 기초층측으로 점차 넓어지는 테이퍼가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
제9항에 있어서,

상기 게이트 신호선은 그 하층측 폭이 상층측 폭보다 넓은 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
제9항에 있어서,

상기 게이트 신호선은 다층 구조이고, 하층이 상층보다 폭이 넓은 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
액정을 개재하여 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측 면에, 병설된 복수의 게이트 신호선과 이들 각 게이트 신호선과 교차하여 병설된 복수의 드레인 신호선을 갖고,

상기 드레인 신호선은 중간층이 Al 혹은 그 합금의 도전층으로 이루어지고 최상층 및 최하층이 Al 혹은 그 합금 이외의 도전층으로 이루어지는 3층 구조로 되어 있고,

상기 각 신호선에 의해 둘러싸인 영역을 화소 영역으로 하고, 이들 화소 영역에 상기 게이트 신호선으로부터의 주사 신호에 의해서 동작되는 박막 트랜지스터와, 이 박막 트랜지스터를 통해 상기 드레인 신호선으로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극과, 이 화소 전극과의 사이에 전계를 발생시키는 대향 전극이 형성되고,

상기 대향 전극은 절연막을 개재하여 상기 게이트 신호선의 주행 방향으로 연장되어 중첩되어 있는 것을 갖고, 상기 게이트 신호선은 최하층 도전층의 폭이 최상층 도전층의 폭보다도 넓고, 중간층 도전층의 폭은 그 최하층 도전층의 폭으로부터 최상층 도전층의 폭에 걸쳐 변화하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
제14항에 있어서,

상기 중간층의 측벽면에 산화 피막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.