TW583494B - Liquid crystal display device - Google Patents

Description

583494 (Ο 玖、發明說明 K月綱應敘明.發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明 發明之背景 w 1. [發明之所屬技術領域] 廿本《明係有關於液晶顯示裝置，且有關於被稱為所謂的 秩電％方式之液晶顯示裝置之相關技術。 2. [習知技術] 所謂的橫電場方式之液晶顯示裝置，係在中介液晶而相 向配置的各基板之中之一方的基板之液晶側的面之像素 區域’形成有互相鄰接之傻音 和對向電極’且在此類

各電極之間所產生的帝π 士 _ L # %日A ^ ，糟由和該基板平行的成份而 使液晶作動。 作為使如此之液晶_ ;： ，係呈右h …、衣置以適用於主動陣列型之形態 以廿、- 引边方的基板之液晶側之面， -後數條閘極訊號線和與此 叉而並排設置之複數條汲[过線又 ^ 1JU 泥綠所包圍之區域作Λ #去 區域，且於此類像素區域形成有·· 為认素 薄膜電晶體，其係依妒 動；及 、編間極訊號線之掃描訊號而作 像素電極，其係中介該薄膜触 號線之影像訊號；以及 ㈣而供應著來自汲極訊 對向電極’其係相對於前述 電壓訊號。 ° 5虎而供應成為基準之 而且’前述像素電極和對向電 向之帶狀狀態而形成的同時，'刀别作為延伸於一方 此頸亦形成—交互地配置之 ⑺ 複數的電極群。

此外’習知技術中，复中 A ，、中之刖述對向電極係具備有中介 、是緣膜而沿著該走動方a纟么 向人W述汲極訊號線重疊而形成。 使來以極訊號線之電場效應的磁力線和該沒極訊號 於相重豐，並終止於所形成之前述對向電極，且不使終止 於和該對向電極鄰接而& w _ '置之i素電極。此係因當來自汲 極訊號線之磁力線為終止於 让 、仏素電極日守，則會造成雜訊之 故0 發明之詳細說明 一>[發明應解決之問題]+ [解決問題之手段] 、仁由如此之構成所構成之液晶顯示裝置，為了能於前 述對向電極達成上述之功能，係將該對向電極之中心抽和 沒極訊號線之中心軸作成一致而 人叩加罝的同時，其寬幅亦必 須較汲極訊號之中心軸更大而形成。 因此，相對於汲極訊號線之該對向 J 甩極之電容量（寄生電 容量）係變大，且被指責於供應至唁 ,_ 〜主及極訊號線之影像訊號 為產生有波形延遲之情形。 該情形時，汲極訊號線之波形延遁 係比例於該汲極訊號

線的電阻R和寄生電容量C之積，而A 阳马了將該波形延遲變小 係可考量將該電阻R、寄生電容量C夕石， 里I之至少一方予以減少。 然而，在汲極訊號線的上方存在右 仗百對向電極之情形時， 即使將沒極訊號線之寬幅增大且將兮

竹。亥汲極訊號線之電阻R 減小，而和該對向電極之寄生電容| 里L亦隨之而增加，其結 果，則呈現無法減低波形延遲之情形的狀能 ’ (3) (3)

t發明係依據像如此之情形而創作，故本發明之優點 之-’係在於能減低相對於汲極訊號線的對向電極之電 容量。 本申請案所揭示之發明當中，若簡單地說明其代表性之 概要，則如下述。 (1) 依據本發明之液晶顯示裝置，其特徵在於： 、在中介液晶而相對向配置之各基板之中之_方的基板之 液晶側之面’具有並排設置之複數條問極訊號線、和與此 類各閘極訊號線交叉而並排設置之複數條沒極訊號線， 以此類各訊號線所包圍之區域作為像素區域，並於此類 像素區域形成有： 薄膜電晶體，其係依據來自閘極訊號線之掃描訊號而作 0 '、电極其係中介3亥薄膜電晶體而供應著來自汲極訊 5虎線之影像訊號；以及 對向電極，其係在和該像素電極之間產生電場； 珂2對向電極係中介絕緣膜而具有延伸於前述汲極訊號 2的前進方向且重疊者，前述汲極訊號線係在和前述對向 兒極CT相對向之面，和該對向電極CT之距離係至少具有2 個以上之相異的區域而構成。 (2) 依據本發明之液晶顯示裝置，其特徵在於·· 在中介液晶而相對向配置之各基板之中之一方的基板之 -9- (4) (4)583494

液曰曰側之面’具有並排設置之複數條閘極訊號線、和與此 類各閘極訊號線交又而並排設置之複數條㈣訊號線，、 以此類各訊號所包圍之區域作為像素區域，並於此類像 素區域形成有： 4 電晶體’其係依據來自閘極訊號線之掃描訊號而作 動；及 >素笔極其係中介该薄膜電晶體而供應著來自汲極訊 號線之影像訊號；以及 對向電極，其係在和該像素電極之間產生電場； 珂述對向電極係中介絕緣膜而具有延伸於前述汲極訊號 線的走動方向且重疊者，前述汲極訊號線係在其走勳方向 的各邊之中之至少一方之側壁面，形成有逐漸擴展至該汲 極訊號線的基材層侧之錐形。 (3) 依據本發明之液晶顯示裝置，其特徵在於： 在中介液晶而相對向配置之各基板之中之一方的基板之 /夜㈤侧之面’具有並排設置之複數條閘極訊號線、和與此 類各閘極訊號線交叉而並排設置之複數條由2層之導電層 才冓造所構成炙汲極訊號線， 以此類各訊號線所包圍之區域作為像素區域，並於此類 像素區域形成有： 濤膜電晶體，其係依據來自閘極訊號線之掃描訊號而作 動；及 像素電極，其係中介該薄膜電晶體而供應著來自汲極訊 •10- 583494 (5) 漏顏 號線之影像訊號；以及 對向电極’其係在和該像素電極之間產生電場； 1向電極係中介絕緣膜而具有延伸於前述沒極訊號 、:：走動方向且重疊者，前述沒極訊號線係在該下層側之 =層中’其走動方向的各邊之中之至少一方之側壁面， "有逐漸擴展至該汲極訊號線的基材層側之錐形。(4) 依據本發明之液晶顯示裝f，其特徵在於： ，中介液晶而相對向配置之各基板之中之_方的基板 :則之面’具有並排設置之複數條閘極訊號線、和盥 類間極訊號線交又而並排設置之複數條汲極訊號線， …及極訊號線係下層的導電層為形成由概 成之2層構造， 4各訊號線所包11之區域作為像素區域，並於此 仏素區域形成有·· 動/及iaa體’其係依據來自閘極訊號線之掃描訊號而 卢::：屯極’其係中介該薄膜電晶體而供應著來自汲極 唬線之影像訊號；以及 =向電極’其係在和該像素電極之間產生電場； 線向電極係中介絕緣膜而具有延伸於前述没極訊 導 力方向且重®者’雨述没極訊號線係在該下層侧 ，、走動方向的各邊之中之至少-方之側壁面 a漸擴展至該汲極訊號線的基材層側之錐形。 之 此 類 作 訊 號 之 -11-

(5) 依據本發明之液晶顯示裝置，其特徵在於： ： 、在中介液晶而相對向配置之各基板之中之一方的基板之 : 〉夜晶側之^ 有並排δ又置之複數條閘極訊號線、和與此 類各間托〜上 、。訊號線交叉而並排設置之複數條由2層之導電層 構造所構成之汲極訊號線， 、此類各訊號線所包圍之區域作為像素區域，並於此類 鲁 像素區域形成有： 溥膜電晶體，其係依據來自閘極訊號線之掃描訊號而作 動；及 。像素電極，其係中介該薄膜電晶體而供應著來自汲極訊 ’虎、線之影像訊號；以及 對向電極，其係在和該像素電極之間產生電場； Α述對向電極係中介絕緣膜而具有延伸於前述汲極訊號 =的走動方向且重疊者，前述汲極訊號線係將該上層之導 电膜作為遮罩並將下層之導電層進行蝕刻，藉此而於該下 · 曰之‘電膜之侧壁面，形成有逐漸擴展至該汲極訊號線的 基材層侧之錐形。 (6) 依據本發明之液晶顯示裝置，其特徵在於： ‘ 在中介液晶而相對向配置之各基板之中之一方的基板之 - 液aa側之面，具有並排設置之複數條閘極訊號線、和與此 · 類各閘極訊號線交叉而並排設置之複數條汲極訊號線， 该汲極訊號線係中間層為由A1或其合金之導電層所構成 一 -12- 583494

’且最上層和最下層為由A1或其合金以外的導電層所構成 之3層構造， 以前述各訊號線所包圍之區域作為像素區域，並於此類 像象區域形成有： 薄fe電晶體，其係依據來自閘極訊號線之掃描訊號而作 動；及 像素電極，其係中介該薄膜電晶體而供應著來自汲極訊 號線之影像訊號；以及 對向電極，其係在和該像素電極之間產生電場； 岫述對向電極係中介絕緣膜而具有延伸於前述汲極訊號 線的走動方向且重疊者，前述汲極訊號線係其最下層的導 I層之寬幅為較最上層的導電層之寬幅更寬，且中間層的 導電層之寬幅係由該最下層的導電層之寬幅跨越至最上層 的導電層夂寬幅而產生變化。 曰 ⑺ 依據本發明之液晶顯示裝置，其特徵在於： 、在中介液晶而相對向配置之各基板之中之一方的基板之 =晶側之面，具有並排設置之複數條閘極訊號線、和與此 颂各閘極訊號線交又而並排設置之複數條汲極訊號線， 忒/及極Λ唬線係中間層為由八丨或其合金之導電層所構成 最上層和最下層為由八丨或其合金以外的導電層所 之3層構造， ^ 以則述各矾號線所包圍之區域作為像素區域，並於此類 像素區域形成有： 、 -13- (8) (8) 據來自閘極訊號線之掃描訊號而作 溥馭電晶體，其係依 動；及 像素電極，其係φ人> # σ, 、Τ ;| δ亥溥膜電晶體而供應著來自汲極訊 唬線之影像訊號；以及 :向包極’其係在和該像素電極之間產生電場； 綠述對向私極係中介絕緣膜而具有延伸於前述汲極訊號 雷、走動方向且重$者，前述汲極訊號線係其最下層的導 層之見幅為較最上層的導電層之寬幅更寬，1中間層的 導：層之側壁面之寬幅係由該最下層的導電層之寬幅跨越 :層的^r笔層之見幅而產生變化的同時，亦於該側壁 面形成有氧化被膜。 (8) 依據本發明之液晶顯示裝置，其特徵在於： 在中介液晶而相對向配置之各基板之中之—方的基板之 液晶側之面，具有並排設置之複數條閘極訊號線、和與此 類各間極訊號線交叉而並排設置之複數條汲極訊號線， · 乂此顯各號線所包圍之區域作為像素區域，並於此類 像素區域形成有： 薄膜電晶體，其係依據來自閘極訊號線之掃描訊號而作 動；及 像素電極，其係中介該薄膜電晶體而供應著來自汲極訊 號線之影像訊號；以及 對向電極，其係中介對向電壓訊號線而供應著相對於前 述影像訊號而成為基準之訊號； -14. (9)583494

娜I 刚遂對向電壓訊號線係中介絕緣膜而具有延伸於前述鬧 極Α唬線的走動方向且重疊者，前述閘極訊號線係在該走 向的各邊之中之至少—方之邊之侧壁面，形成有逐漸 擴展至該閘極訊號線的基材層侧之錐形。 [圖式之簡單說明] [圖1] 表示依據本發明之液晶顯示裝置的像素之一實施例 面圖。 尺 [圖2] 之β實施例之等值電路 表示依據本發明之液晶顯示農置 圖。 [圖3] 叙置的像素之一實施形之平 表示依據本發明之液晶顯示 面圖。 [圖4] 圖3之IV-IV線之截面圖。 [圖5] 表示依據本發明之液晶顯示裝置的像素之要部之一實施 例之截面圖。 [圖6A〜6C] 表不依據本發明之液晶顯干驶台隻 ’不表置之汲極訊號線之其他的 實施例之截面圖。 [圖7] 表示依據本發明之液晶顯示裝£的像素之要部之一實施 -15- 583494

例之截面圖。 [圖8A〜8E] 表示依據本發明之液晶 之步驟圖。 ㈣不裝置的製造方法之一實施例 [圖9] 表示依據本發明之液晶 例之截面圖。 顯示裝置的像素之要部之一實施 [圖 10] 表示依據本發明之液晶 之截面圖。

顯示裝置的像素之其他的實施例 [圖 11] 表示依據本發明之液晶 實施例之戴面圖。[圖 12] 表示依據本發明之液晶 之截面圖。 …、員示裝置的沒極訊號線之其他的 顯示裝置的像素之其他的實施例 [圖 13] 表示依據本發明之液晶顯示裝置的像素之其他的實施例 之截面圖。 [發明之實施形態] 以下使用圖式而說明依據本發明之液晶顯示裝置之實 施例。

實施例1. 〈〈等值電路〉〉 -16- 583494

圖2係表示依據本發明之液晶顯示裝置之_實施例之等 值電路圖。同圖係電路圖，但，其係對應於實際之幾何學 的配置而予以描繪。 在同圖當中，係中介液晶而具有互相為對向配置之一對 的透明基板SUB 1、SUB2，該液晶係藉由兼具相對於_方的 透明基板SUB1之他方的透明基板SUB2之固定功能的密封 材SL而予以裝入。

在被始、封材SL所包圍之前述一方的透明基板SUB 1之液 晶側之面，係形成有： 閘極訊號線GL，其係延伸於該χ方向且並排設置於y方向 ;以及 汲極訊號線DL，其係延伸於y方向且並排設置於X方向 各閘極訊號線GL和各汲極訊號線DL所包圍之區域，係4 構成像素區域的同時，此類各像素區域之陣列狀的集合骨 亦形成能構成液晶顯示部狀態。 此外’並排設置於X方向之夂务

々门之各像素區域，係分別形成有_ 動於此類各像素區域内之丘格i 1 +广

<共通的對向電壓訊號線CL。該I 向笔壓訊號線C L係用以供靡雷两 、 1/、電壓於各像素區域之後述的售 向電極CT，該電壓係相斟於旦，a ^ 相對於影像訊號而形成一基準電壓。 在各像素區域係形成有： 薄膜電晶體TFT，其係M山+

、糸错由來自其單側的閘極訊號線G 之掃描訊號而作動；以及 像素電極PX，其係中介 ,, "5亥溽膜電晶體TFT而供應來自g 側的汲極訊號線DL之影像訊號。 -17,

…忒倫素電極PX係在和與前述對向電壓訊號線cL連接之 ，向電極CT之間產生電場，並藉由該電場而形成能控制》夜 ： 晶的光透過率之狀態。 月II述閘極訊號線GL之每一端係超越前述密封材SL而延 · 伸，且其延伸端係形成能構成連接有垂直掃描驅動電路V 的輪出端子之端子之狀態。此外，前述垂直掃描驅動電路V 之輸入端子，係形成能輸入來自配置於液晶顯示面板的外 · 部之印刷基板之訊號之狀態。 垂直掃描驅動電路v係由複數個之半導體裝置所構成，且 互相鄰接之複數條閘極訊號線係作成群組化，且在此類之 各群組係分配有—個半導體裝置。 同樣地，前述汲極訊號線DL之每一端係超越前述密封材 SL而延伸，且其延伸端係形成能構成連接有影像訊號驅動 私路He的輸出端子之端子之狀態。此外，前述影像訊號驅 動電路He之輸入端子，係形成能輸入來自配置於液晶顯示 面板的外部之印刷基板之訊號之狀態。 φ 該影像訊號驅動電路He亦由複數個之半導體裝置所構成 ’且互相鄰接之複數條汲極訊號線係作成群組化，且在此 類之各群組係分配有_個半導體裝置。 此外’前述對向電壓訊號線CL係例如在圖中右側的端部 · 作共通連接，且其連接線係超越密封材SL而延伸，並在其 · 延伸端當中構成端子CLT。來自該端子CLT係能供應有相對 - 於影像訊號而成為基準的電壓。 前述各閘極訊號線GL係藉由來自垂直掃描電路V之掃描 _ -18, 583494

(13) 訊號’而形成能依次予以選擇其中之_個之狀態。 此外’前述各汲極訊號線DL係分別藉由影像訊號驅動電 路He ’而形成能配合前述閘極訊號線gl的選擇時序並供應 影像訊號之狀態。

又’上述之實施例中，垂直掃描驅動電路V和影像訊號驅 動電路He係表示搭載於透明基板sub 1之半導體裝置者，但 ，亦可為跨越透明基板SUB丨和印刷基板之間而連接之所謂 的磁f載體方式之半導體裝置，進而於前述薄膜電晶體TFT 之半導體層係由多結晶矽（p-Si)所構成之情形時，亦可為於 透明基版SUB1面，同時形成由前述多結晶矽所構成之半導 體元件和配線層。 〈〈像素之構成〉〉 圖3係表示前述像素區域的構成之一實施例之平面圖。此 外，圖1係表示圖3的W線之截面圖，圖4係表示圖3的以_” 線之截面圖。

…各圖當中，首先於透明基板SUB1的液晶侧之面，形义 沉延伸於\方向且並排設置於y方向之一對的閉極訊^ 、矾號線GL係和後述之一對的汲極訊號‘ 構：b圍繞矩形狀之區域，並以該區域作為像素區 亦於各像素區域 GL互相平行走動 此外，於形成該閘極訊號線同時， :女巾央部位’形成有和該閘極訊號線 之斜向電壓訊號線CL。 -19- 583494 (14) 發明說明續頁 在形成有如此之閘極訊號線GL和對向電壓訊號線CL透 明基板SUB 1的表面，係亦覆蓋著該閘極訊號線GL和對向電 壓訊號線CL而形成有例如由siN所構成之絕緣膜gi(參閱圖 1、圖 4)。 该絕緣膜GI係在後述的汲極訊號線dl的形成區域當中 ’具有作為相對於前述閘極訊號線gl之層間絕緣膜的功能 ’且在後述的薄膜電晶體TFT的形成區域當中，則具有作為 其間極絕緣膜的功能，而在後述的電容元件Cstg之形成區 域當中，則具有作為其電介質膜之一個的功能。 而且，在該絕緣膜GI的表面，係作成重疊於前述閘極訊 號線GL之一部份，而形成有例如由非結晶矽所構成之半導 體層AS。 σ亥半體層AS係在薄膜電晶體TFT之上面，藉由形成汲 極電極SD1和源極電極Sd2，而能構成將閘極訊號線之一部 份作成閘極電極之反交錯構造的Mis型電晶體。 此處’前述沒極電極SD丨和源極電極SD2係於形成汲極訊 號線DL之際同時地形成。 亦即，形成有延伸於y方向且並排設置於X方向之汲極訊 號線DL，且其一部份係延伸至前述半導體層AS的上面，並 形成有汲極電極SD 1，此外，間離該汲極電極SD丨和薄膜電 曰曰體TFT的通道長度份而形成有源極電極sd2。 又，該汲極訊號線DL係在移游動方向的各邊之侧壁面， 形成有逐漸擴展至該汲極訊號線DL的絕緣膜⑴侧之錐形 ’但’有關於如此之構成的理由係容於後述。 -20- 583494

此外，該源極電極SD2係和形成於像素區域内之像素電 極P X —體地形成。 亦即，像素電極ρχ係由將像素區域内延伸於其y方向且 亚排設置於X方向之複數（圖中係2條）的電極群所構成^其中 之一的像素電極PX的—方之端部係兼具前述源極電極SD2 之功用，他方之端部則在對應於其他的像素電極？}(之處所 ，達成互相作電氣性的連接之功能。 又雖未圖不，但在半導體層八§和汲極電極SD1與源極電 極SD2的界面，係形成有摻雜有高濃度的雜質之薄層，該層 係具有作為接點層之功能φ 、該接點層係例如於半導體層SD之形成時，已於其表面形 成有高濃度之雜質層，且將形成於其上面之汲極電極_ 和源極電極⑽之㈣作為遮^藉由㈣㈣ 形成其所露出之前述雜質層。 如此之在形成有薄膜電晶體TFT、没極訊號線沉、沒極 电極SD卜源極電極SD2、以及像素電極ρχ之透明基板$刪 的表面’係形成有保護膜PSV(參閱圖！、圖4)。該保護膜psv 係迴避和前述薄膜電晶體TFT的液晶直接接觸之膜，且能防 止该薄膜電晶體丁FT的特性劣化。 沲之’ 5玄保護膜Psv係由依次為由如_之無機材料層所 冓成之保4艇PSV1和由樹脂等之有機材料層戶斤構成之保 護膜PSV2的積層艚所M ^ 、 、 斤構成。如此之使用由有機材料層所構 成之保護層PSV2而作為保護膜psv，即能減低保護膜本身 之電介常數。

〇6) 因此之故，作為保護膜PSv ^ v之構成，不用說當然可於其 口P伤不使用無機材料層，或 情形。 ^ 寸層4亦可全部作成有機材料層之

保護膜PSV的上面係形成有對向電極口。該對向電極CT 於由和可述的像素電極PX相同的延伸於y方向I並排設置 、X方向之複數（圖中係3條）的電極群所構 電極係由平面的觀測時，形成能位於前述像素電極二 之狀態。 1亦即，S向電極c T和像素電極P x，係自—方之側的沒極 祝號線跨越至他方之側的汲極訊號線，並分別依對向電極 、像素電極、㈣電極、像素電極、..·、對向電極之順序 而等間隔地予以配置。 此處’位於像素區域的兩側之對向電極CT，係其一部份 為重疊於汲極訊號線DL而形成的同時，亦和鄰接之像素區 域之相對應的對向電極CT共通地形成。 換言之，在汲極訊號線DL上係對向電極CT為將其中心轴 作成大致一致而重疊，且該對向電極0了之寬幅係較汲極訊 號線DL更大而形成。相對於汲極訊號線DL，而左侧的對向 笔極C T係能構成左側的像素區域的各對向電極〔了之—個 ’且右側的對向電極CT係能構成右侧的像素區域之各對向 電極CT之_個。 依據如此之在汲極訊號線DL的上方形成較該汲極訊號 線DL更寬幅之對向電極CT之措施，而能達成可迴避來自該 汲極訊號線DL的磁力線係終止於該對向電極CT且終止於 583494

仏素兒極ρχ之f月形的功效。此係因來自沒極訊號線dl的磁 力線為終止於像素電極，會造成㈣之故。 由電極群所構成之各對向電極CT ,係和由充分覆蓋閑極 Λ唬線GL而形成之相同的材料所構成之對向電壓訊號線 CL·體地形成，並中介該對向電壓訊號線cl而供應基準電 壓。 又，對向電極CT和對向電壓訊號線CL，亦可由如金屬層 之非透光性材料所構成，此外，亦可由例如IT〇(Indium Tin

Oxide)、IIZO(Indium Tin Zine Oxide)、IZO(Indi腿 Zinc

Oxide)等之透光性材料所構成。 充分覆蓋閘極訊號線GL而形成之對向電壓訊號線cl,係 在自其閘極訊號線GL所露出之部份當中，前述各像素電極 PX的連接部係被定位於其下層，據此而於像素電極ρχ和對 向電壓汛號線CL之間，形成有將絕緣膜⑺和保護膜pSV作 成電介質膜之電容元件Cstg。 。亥電谷元件CStg係能達成例如使供應至像素電極ρχ的影 像訊號進行較長之蓄積等功能。 繼之’在如此之形成有對向電極CT的透明基板sub 1的上 面，係將該對向電極CT予以覆蓋而形成有配向膜〇RI1。該 配向膜ORI1係直接和液晶擋接之膜，並藉由該表面之研磨 處理而決定該液晶的分子之初期配向方向。 又’如圖3所示，各像素電極ρχ和對向電極ct係分別於 其長邊方向具有複數個彎曲部，且形成鋸齒狀的圖案之構 成。亦即採用所謂的多重區域方式之構成。 "23- (18)583494

亦即，由於液晶係在其分子排列為相同之狀態下，依據 射入至液晶顯示面板的光之入射方向而改變透過光之偏光 狀態，故光之透過率係對應於入射方向雨有所羞異。 當如此之液晶顯示面板的視角依存性係相對於 t使視點傾斜時，則引發亮度之反轉現象，而於彩色顯示 時’具有影像配色之顯示特性。 因此，以連結各電極的彎曲點之假想的線條作為境界， 且在一方的區域和他方的區域使作用於各電極間之電場方 向產生差異，據此即能補償依存於視角之影像的配角。 如此所構成之液晶顯示裝置中，汲極訊號線D]l係平行於 其長邊方向之各側壁面為設置有逐漸擴展至基材層侧之錐 形之截面，該截面係形成梯形而構成。 而且’該汲極訊號線DL係在其上方，中介保護膜psv而 充分被覆蓋於所形成之對向電極CT之一構成。 因此之故，如圖5所示，由汲極訊號線dl的頂部至該對 向電極CT為止之距離若作成dl時，則由該汲極訊號線dl的 側壁面至該對向電極CT為止之距離為d2，且該值係較dl更 大。 此係表示在必須將保護膜PSV的膜厚形成於既定厚度之 限制下’以及由於有設定汲極訊號線DL的全體之電阻值之 必要，故必須將其截面積設定成既定值之限制下，進而在 為了提升像素區域的開口率而必須將該汲極訊號線DL的 寬幅設定成既定值之限制下，而能減低汲極訊號線DL和對 向電極CT之間的電容量。· -24- 583494

(19) 亦即’為了減低汲極訊號線DL和對向電極CT之間的電容 量’首先係考量將保護膜PSV之厚度予以增大，但，如此 僅減弱像素電極PX和對向電極CT之間的電場強度，且由於 必須將驅動電壓加大，故其厚度係受到限制。此外，在將 僅使沒極訊號線DL的層厚變小之份量的寬幅予以增大，據 此而於確保該汲極訊號線DL的電阻值的同時，亦減低和對 向電極CT之間的電容量之情形下，亦不得不將該對向電極 c 丁之寬巾田予以增大（該對向電極c τ係達成所謂的密封功能 之故）’而像素區域之開口率即成為降低之狀態。 因此之故，作為汲極訊號線DL之構成，在設定其截面積 時，相對於其底面之寬幅W2而縮小頂面的寬幅Wi則較具功 效。此係由侧壁面至該對向電極（：1[為止之距離為旬（>di) 之區域，其面積方面係較由汲極訊號線DL的頂面至對向電 極C T為止的距離為d !之區域更大之故。 又，在該情形下，汲極訊號線DL的底面之寬幅w2，當然 亦被限定於能以既定開口率而能存在於像素區域中。 實施例2 該實施例係基於實施例丨所示之發明的宗旨，其汲極訊號 線DL之截面的形狀係並非必定為梯形’例如’亦可如圖y幻 所示，於汲極訊號線DL的頂面形成有沿著該汲極訊號線dl 的長邊方向之凹陷部DEN。此外，如圖6(b)所示，該凹陷部 DEN係不限定-個而亦可為複數。進而如圖6(c)所示，該凹 陷部DEN之截面形狀並非為特定，而亦可為三角形。 重點係在汲極訊號線DL的對向電極€丁和對向之面當中 -25, 583494 (20) 發明說明續頁 ，若和該對向電極CT之距離係具有至少2個以上之相異的區 域之構成時，則能達成相同之功效。 實施例3 圖7係表示依據本發明之液晶顯示裝置之其他的實施例 之構成圖，且對應於圖5之圖。

和圖5之情形作比較而相異構成之處，係汲極訊號線DL 為2層構造，其中，利用上層的金屬層UML並於下層的金屬 層DML的侧壁面形成錐形。 此處係選擇例如Mo、Cr、Mo W、MoCr、Ti、CrMo等而 作為上層之金屬層，且選擇例如A：l、AINd、AlSi、AlTa、 AlTiTa、Cr等而作為下層之金屬層。 圖8係表示上述之汲極訊號線的製造方法之一實施例的 步轉圖。

首先如圖8(a)所示，在應形成汲極訊號線DL之基材層的 上面，依次形成下層之金屬層DML和上層之金屬層UML。 該情形時，上層之金屬層UML係採用較下層之金屬層DML 其蝕刻率更快之材料。 繼之，於上層之金屬層UML的表面之全域形成光阻膜 PRE，且使用眾所周知之微影技術，並於應形成汲極訊號 線DL之區域殘留有光阻膜PRE。 繼之，如圖8(b)所示，將殘留之光阻膜PRE作為遮罩，並 將前述上層和下層的金屬層UML、DML整批地進行蝕刻。 首先，選擇上層之金屬層UML並予以蝕刻，且下層之金 屬層DML的表面係形成露出之狀態。 -26-

583494 繼之’如圖8(c)所示，下層之金屬層dml係進行蚀刻， 且該蝕刻方式係如前圖8(d)所示’進行至使前述基材層的表 面露&為止。 該情形時，在前述光阻膜PRE的下方所殘留的下層之金 屬層DML之侧壁面，係形成有逐漸擴展至基材層侧狀之錐 形ρ 此後，如圖8(e)所示，藉由去除前述光阻膜pR]E而完成汲 極訊號線DL之形成處理。 實施例4 圖9係表示依據本發明之液晶顯示裝置之其他的實施例 之構成圖，且對應於圖5之圖。 和圖5之情形作比較而相異構成之處理，係汲極訊號線為 由3層構造之金屬層所構成，該最下層之金屬層DMl之寬幅 係成為且最上層之金屬層UML之寬幅係作成w丨（W2 > W】），中間層之金屬層MML之寬幅係由最下層的金屬層 DML侧跨越至最上層的金屬層UML侧，並形成有由w2變化 至\^之錐形。 此外’中間層之金屬層MML係由A1或A1之合金所構成， 其他之金屬層UML、DML係由其以外之金屬或其合金所構 成。 該情形時，其他之金屬層UML .、DML係以能抑制A1或A1 的合金的氧化之金屬或其合金為較理想。總之，因A1或A1 的合金係易於氧化，汲極訊號線之輸入端子部當中之連接 電阻亦增大，而導致影像訊號的波形變形之故。 -27- (22) (22) 發明說明續頁 實施例5 圖10係表示依據本發明之液晶顯示裝置的其他之實施例 之構成圖，且相當於圖3之χ-χ線所示之截面圖。 本實施例係將前述汲極訊號線〇1^作成如實施例2所示之 3層構造的同時，亦在形成該汲極訊號線dl之同時，形成 能達成對向電壓訊號線CL和對向電極CT的連接功能之中 介層INV。 此處.，該中介層INV係由和汲極訊號線]〇]1相同的金屬所 構成之積層構造所構成，但，該情形時之最上層和最下層 的各金屬UML、DML，亦可分別以提升對向電極CT和對向 電壓訊號線CL之接點為目的而予以選定。 例如，最下層和最上層之各金屬1)^/[]1、uml係作成 ，該情形時，Zr方面係較―更少為較理想。具體而言，係 以Mo-8 wt % Zr為佳。此外，中間層之金屬係作成八刪， 該情形時，则係較A1更少為較理想。具體而言，係以Α1-9·8 wt %Nd為佳。 此外，以所謂的稀土類元素取代Zr、Nd，亦可達成相同 之功效。 而且，最上層和最上層的各金屬UML、DML之膜厚係較 中間層的金屬層MML更薄較為理想。此係能提升因低電阻 化矛形狀所$致之電容量的降低功效之故。因此，中間層 之至屬層MML的膜厚係以較最上層的金屬層UML更高4倍 以上為佳。 實施例ό -28- 583494

該實施例係如實施例5所示，在由三層構造所構成之汲極 訊號線DL當中，如圖Π所示，在其錐形之面形成氧化皮膜 〇XL。A1或其合金所構成之中間層的金屬層MML係顯露之 狀態，此係為了防止於此處有突起（hill〇ck)產生之故。 據此而能防止中間層的配線電阻係因時間之經過而被氧 化.，且能防止因時間而汲極訊號線DL的配線電阻產生變動 之情形，而能提升其信賴性。 此處，刖述氧化皮膜係可使用例如下列之方法而形 成。I先，將由於侧壁面形成有錐形之三層構造所構成之 汲極訊號線DL，藉由氧氣電漿處理而於該錐形之侧壁面形 成氧化皮膜OXL。該情形時，作為最上層之金屬層而匕的 材料係以非A1系之金屬較為理想。此係能防止連接電阻的 增大之故。 此外’作為其他方法可進行所謂的陽極化成處理。功 ，於基板上使用八丨系金屬作為中間層’且在其側壁面开

有錐形之三層構造所構成之没極訊號線沉之形成後，網 基板浸入至電解溶液，反脾枯，a k 4 t 且將邊汲極訊號線DL作為陽極， 將構成陰極之另外的金屬板同睥 ^ 双u a寸次入至該電解溶液中。 之’藉由於陽極和陰極進杆福φ ^ ^ 丄 位運仃通電，而於前述錐形的侧壁 形成陽極氡化膜OXL。在該悴犯㈣ 1 隹°亥障形時，最上層的金屬層U] 之材料亦以非A1系的金屬較為理想。 此外作為其他之方法，俏力 ⑽ 义在存在有氧氣的環境氣阜中 將侧壁面形成有錐形之三居生 ^ 予 θ構以所構成之汲極訊號線: 于乂加熱，據此而於該側壁 土面形成熱虱化膜。該情形時 >29： (24) (24)583494

加熱狀態以100。(3以下較為理想。

藉由如此之加熱狀態，而能緩和多層構造的汲極訊號線 DL内所產生之應力，此係能降低經過長期間的使用後之應 力斷線之情形的發生P 又，該方法係亦可和上述之2個其他的方法同時使用。此 係依據增加加熱步驟之措施，而能緩和汲極訊號線Dl内所 產生之應力之故。 實施例7 該實施例係如圖12所示，汲極訊號線dl係和習知技術相 同’將其截面維持矩形狀’且亦可在形成有構成其上方的 對向電極CT的基材層之保護膜PSV的表面之該對向電極 CT(至少和該沒極訊號線重疊之對向電極）之區域的該區域 之外，形成有凹陷部之構成。 如此之保護膜PSV係藉由使用所謂的半曝光方式之微影 技術’而得以在無增大步驟數之情形下而形成。 由於依據如此之構成，亦能使汲極訊號線Dl和對向電極 CT之間的距離增大，故可減低此類之間的電容量。 實施例8 該實施例係如圖1 3所示，以實施例7所示之構成作為前提 ’而將訊號線DL作成於側壁面形成錐形之形態。藉由如此 之實施而更能減低汲極訊號線DL和對向電極CT之間的電 容量。 此外’在如此處理之情形時，亦可將汲極訊號線Dl作成 多層構造’而能達成上述實施例所示之功效。 ”30, 583494 v J 發明說明續頁 貫施例9 义上述之各實施例，係以汲極訊號線〇]1作為對象而說明本 ： 發明，但並不自限於此，當然亦可適用於閘極訊號線GL。 、 此係若於閘極訊號線的上方，存在有和對向電極cT · 連接之對向電壓訊號線CL時，則此類之間的電容量其不匹 配之情形係相同之故。 實施例1 〇 =，在上述之實施例當中，汲極訊號線1)1^或閘極訊號線 GL田中，，亥侧壁面所形成之錐形係形成於該訊號線的走動 方向之各邊的側壁面，❻，並非限定於此，當然亦可僅為 此類當中之一方。 由以上之況明可確知，若依據本發明之液晶顯示裝置， 則月b減低例如相對於汲極訊號線的對向電極之電容量。 圖式代表符號說明 CT SUB1、SUB2 SL GL DL CL TFT PX V He 對向電極 透明基板 · 密封材 閘極訊號線 没極訊號線 對向電壓訊號線 - 薄膜電晶體 - 像素電極 · 垂直掃描驅動電路 影像訊號驅動電路 _ -31- 583494 CLT 端子 GI 絕緣膜 Cstg 電容元件 AS、SD 半導體層 SD1 没極電極 SD2 源極電極 PSV、PSV1、PSV2 保護膜 0RI1 配向膜 DEN 四陷部 UML、DML、MML 金屬層 PRE 光阻膜 W】、W2 寬幅 INV 申介層 OXL 氧化皮臈 PSV 保護膜

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Claims (1)

1. 583494 公告本 •、申請專利範圍 . 1. 一種液晶顯示裝置，其特徵在於： ， 在中介液晶而相對向配置的各基板之中之_方的基 板之液晶側之面，具有並排設置之複數條閘極訊號線、 ‘ 和與此類各閘極訊號線交叉而並排設釁之複數條汲極 訊號線， 、 以此類各訊號線所包圍之區域作為像素區域，並於此 類像素區域形成有： 鲁 薄胰電晶體，其係依據來自閘極訊號線之掃描訊號而 作動；及 i素電極其奋申介遠溥膜電晶體而供應箸來自淡極 訊號線之影像訊號；以及 對向電極，其係在和該像素電極之間產生電場； 前述對向電極係中介絕緣膜而具有延伸於前述汲極 訊號線㈤走動方向且重疊者，且前述淡極訊號線係在和 前述對向電極相對向之面，和該對向電極的距離係至少 具有2個以上的相異的區域而搆成。 2· 一種液晶顯示裝置，其特徵在於： 在中介液晶而相對向配置的各基板之中之一方的基 板之液晶側之面，具有並排設置之複數條閘極訊號線、 和與此類各閘極訊號線交叉而並排設置之複數條汲極 ' 訊號線， 以此類各訊號線所包圍之區域作為像素區域，並於此 ’ 類像素區域形成有：

   涛膜電晶體，其係依據來自閘極訊號線之掃描訊號而 作動；I 像素電極，其係中介該薄膜電晶體而供應箸來自汲極 訊魏線之影像訊號；以及 對向電極，其係在和該像素電極之間產生電場； 前逃對向電極係中介絕緣膜而具有延伸於前述沒極 訊號線的走動方向且重疊者，前述汲極訊號線係在其走 動方向的各邊之中之至少一方之侧壁面，形成有逐漸擴 展I該沒極訊號線的基材層側之錐形。 3，如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置，其中 W述汲極訊號線係在其下層側的導電層中，於其走動 方向的各邊之中之至少—方之侧壁面，形成有逐漸擴展 至该欲極訊號線的基材層侧之錐形。 4，如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置，其中 前述汲極訊號線係在其下層的導電層中，於其走動方 向的各邊之中之至少一方之侧壁面，形成有逐漸擴展至 該沒極訊號線的基材層侧之錐形ρ 5·如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置，其申 前述汲極訊號線儀在其下層侧之寬_上層侧之办 幅更寬。 見 如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置，其中 寬幅 刚述;及極訊號線係多層構造，且下層係較上層之 更寬。 一種液晶顯示裝置，其特徵在於： 6. 在中介液晶而相對向配置的各基板之中之一方的基 板之液晶側之面，具有並排設置之複數條閘極訊號線、 和與此類各閘極訊號線交又而並排設置之複數條汲極 訊號線， 該汲極訊號線係中間層為由A1或其合金之導電層所 構成’且最上層和最下層為由榻其合金以外的導電層 所構成之3層構造， 以則述各訊號線所包圍之區域作為像素區域，益於此 類像素區域形成有：· 專膜電a曰體，其係依據來自閘極訊號線之掃描訊號而 作動；及 ▲像素電極，其係中介該薄膜電晶體而供應著來自汲極 訊號線之影像訊號；以及 對向電極’其係在和該像素電極之間產生電場； 刖述對向電極係中介絕緣膜而具有延伸於前述汲極 Λ號線的走動方向且重疊者，前述汲極訊號線係其最下 層的；電層之寬幅較最上層的導電層之寬幅更寬，且中 間層的‘電層之寬幅係由該最下層的導電層之寬幅跨 越至取上層的導電層之寬幅而產生變化ρ 如申請專利範圍第7項线錢示㈣，其中 於則述中間f的侧壁面形成有氧化被膜。 —種液晶顯示褒置，其特徵在於： 在中；丨液晶而相對向配置的各基板之中之一方的基 板之;夜晶側之面，具有並排設置之複數條閘極訊號線、 583494

   和與此類各閘極訊號線交又而並排設置之複數條沒極 訊號線， 以此類各訊號線所包圍之區域作為像素區域，並於此 類像素區域形成有： 薄膜電晶體，其係依據來自閘極訊號線之掃描訊號而 作動；及 像素電極’其係中介該薄膜電晶體而供應著來自汲極

   訊號線之影像訊號；以及 對向電極，其係在和該像素電極之間產生電場； 前述對向電極係中介絕緣膜而具有延伸於前述閘極 訊號線的走動方向且重疊者’且前述問極訊I線係在1 走動方向的各邊之中之至少„方之側壁面，形成有逐漸 擴展至該閘極訊號線的基材層侧之錐形。 1〇·如申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置，其令 丽述閘極訊號線係在其下層側的導電層令，於其走動 方向的各邊之中之[少_古 ▲ 之至〃彳之侧壁面，形成有逐漸擴展

   至该閘極訊號線之基材層側之錐形。 11. 如申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置，其中 前述閘極訊號線係在其下層的導電層中、，於Α走動方 :的各邊，中之至少一方之側壁面，形成有逐漸擴展至 閘極§fl號線之基材層侧之錐形。 12. 如申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置，其中 .刚述閘極訊號線係在其下層侧之寬幅較上 幅更寬。 曰^ <見 -4- 583494

   13 如申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置，其中 丽述閘極訊號線係多層構造，且下層係較上層之寬幅 更寬。 14. 一種液晶顯示裝置，其特徵在於： 在中介液晶而相對向配置的各基板之中之一方的基 板之液晶侧之面，具有並排設置之複數條閘極訊號線、 和與此類各閘極訊號線交叉而並排設置之複數條汲極 訊號線， _ 該汲極訊號線係中間層為由A1或其合金之導電層所 冓成且最上層和最下層為由A1或其合金以外的導電層 所構成之3層構造， 以刚述各訊號線所包圍之區域作為像素區域，並於此 類像素區域形成有： 薄獏電晶體，其係依據來自閘極訊號線之掃描訊號而 作動；及 ‘素電極’其係中介該薄膜電晶體而供應著來自汲極 訊號線之影像訊號；収 ^ 對向電極，其係在和該像素電極之間產生電場； “珂述對向電極係中介絕緣膜而具有延伸於前述閘極 孔唬、、表的走動方向且重疊者，前述閘極訊號線係其最下 “勺導甩層之寬幅較最上層的導電層之寬幅更寬，且中 門：的導電層之寬幅係由該最下層導電層之寬幅跨越 至最上層的導電層之寬幅而產生變化。 583494

   15,如申請專利範圍第14項之液晶顯示裝置，其中 於前述申間層的側璧面形成有氧化被膜q