KR20030025873A - 반도체 디바이스 - Google Patents
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- G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
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- G09G2320/0252—Improving the response speed
Abstract
Description
Claims (60)
- 반도체 디바이스에 있어서,입력 신호 전류를 전압으로 변환하고, 상기 변환된 전압에 대응하는 전류를 전원에서 부하로 공급하는 제 1 수단,상기 변환된 전압을 저장하는 제 2 수단,상기 제 2 수단에서 상기 전압을 저장 또는 해방하도록 선택하는 제 3 수단, 및상기 신호 전류를 입력하는 기간동안 상기 전원에서 상기 부하로 상기 전류 공급을 차단하고, 상기 부하를 구동하는 기간동안 상기 변환된 전압에 대응하는 전류를 상기 전원에서 상기 부하로 공급하는 제 4 수단을 포함하는 반도체 디바이스.
- 반도체 디바이스에 있어서,입력 신호 전류를 전압으로 변환하고, 상기 변환된 전압에 대응하는 전류를 전원에서 부하로 공급하는 제 1 수단,상기 변환된 전압을 저장하는 제 2 수단,상기 제 2 수단에서 상기 전압을 저장 또는 해방하도록 선택하는 제 3 수단,신호 전류를 입력하는 기간동안 상기 전원에서 상기 부하로 상기 전류 공급을 차단하고, 상기 부하를 구동하는 기간동안 상기 변환된 전압에 대응하는 전류를 상기 전원에서 상기 부하로 공급하는 제 4 수단, 및상기 제 1 수단에 상기 신호 전류의 입력을 제어하는 제 5 수단을 포함하는 반도체 디바이스.
- 반도체 디바이스에 있어서,입력 신호 전류를 전압으로 변환하고, 상기 변환된 전압에 대응하는 전류를 전원에서 부하로 공급하는 제 1 수단,상기 변환된 전압을 저장하는 제 2 수단,상기 제 2 수단에서 상기 전압을 저장 또는 해방하도록 선택하는 제 3 수단,상기 신호 전류를 입력하는 기간동안 상기 전원에서 상기 부하로 상기 전류 공급을 차단하고, 상기 부하를 구동하는 기간동안 상기 변환된 전압에 대응하는 전류를 상기 전원에서 상기 부하로 공급하는 병렬 접속된 복수의 제 4 수단,상기 제 1 수단에 상기 신호 전류의 입력을 제어하는 제 5 수단, 및상기 전원에서 상기 부하로 상기 전류 공급 경로들를 형성하도록 상기 복수의 제 4 수단 중 적어도 하나를 선택하는 복수의 제 6 수단을 포함하는 반도체 디바이스.
- 반도체 디바이스에 있어서,입력 신호 전류를 전압으로 변환하고, 상기 변환된 전압에 대응하는 전류를 전원에서 부하로 공급하는 병렬 접속된 복수의 제 1 수단,상기 변환된 전압을 저장하는 제 2 수단,상기 제 2 수단에서 상기 전압을 저장 또는 해방하도록 선택하는 제 3 수단,상기 신호 전류를 입력하는 기간동안 상기 전원에서 상기 부하로 상기 전류 공급을 차단하고, 상기 부하를 구동하는 기간동안 상기 변환된 전압에 대응하는 전류를 상기 전원에서 상기 부하로 공급하는 제 4 수단,상기 복수의 제 1 수단에 상기 신호 전류의 입력을 제어하는 제 5 수단, 및상기 전원에서 상기 부하로 전류 공급 경로들을 형성하도록 상기 복수의 제 1 수단 중 적어도 하나를 선택하는 복수의 제 6 수단을 포함하는 반도체 디바이스.
- 반도체 디바이스에 있어서,입력 신호 전류를 전압으로 변환하고, 상기 변환된 전압에 대응하는 전류를 전원에서 부하로 공급하는 변환 및 구동 트랜지스터,상기 변환된 전압을 저장하는 저장 용량성 수단,상기 전압을 저장 또는 해방할 것인지를 선택하는 상기 저장 용량성 수단에서의 저장 트랜지스터, 및상기 신호 전류를 입력하는 기간동안 상기 전원에서 상기 부하로 상기 전류 공급을 차단하고, 상기 부하를 구동하는 기간동안 상기 변환된 전압에 대응하는 전류를 상기 전원에서 상기 부하로 공급하는 구동 트랜지스터를 포함하는 반도체 디바이스.
- 반도체 디바이스에 있어서,입력 신호 전류를 전압으로 변환하고, 상기 변환된 전압에 대응하는 전류를 전원에서 부하로 공급하는 변환 및 구동 트랜지스터,상기 변환된 전압을 저장하는 저장 용량성 수단,상기 전압을 저장 또는 해방할 것인지를 선택하는 상기 저장 용량성 수단에서의 저장 트랜지스터,상기 신호 전류를 입력하는 기간동안 상기 전원에서 상기 부하로 상기 전류 공급을 차단하고, 상기 부하를 구동하는 기간동안 상기 변환된 전압에 대응하는 전류를 상기 전원에서 상기 부하로 공급하는 구동 트랜지스터, 및상기 변환 및 구동 트랜지스터에 상기 신호 전류의 입력을 제어하는 스위칭 트랜지스터를 포함하는 반도체 디바이스.
- 반도체 디바이스에 있어서,입력 신호 전류를 전압으로 변환하고, 상기 변환된 전압에 대응하는 전류를 전원에서 부하로 공급하는 변환 및 구동 트랜지스터,상기 변환된 전압을 저장하는 저장 용량성 수단,상기 전압을 저장 또는 해방할 것인지를 선택하는 상기 저장 용량성 수단에서의 저장 트랜지스터,상기 신호 전류를 입력하는 기간동안 상기 전원에서 상기 부하로 상기 전류 공급을 차단하고, 상기 부하를 구동하는 기간동안 상기 변환된 전압에 대응하는 전류를 상기 전원에서 상기 부하로 공급하는 병렬 접속된 복수의 구동 트랜지스터들,상기 변환 및 구동 트랜지스터에 상기 신호 전류의 입력을 제어하는 스위칭 트랜지스터, 및상기 복수의 구동 트랜지스터들 중 적어도 하나를 선택하고, 상기 전원에서 상기 부하로 상기 전류 공급 경로들을 만드는 복수의 전류 선택 트랜지스터들을 포함하는 반도체 디바이스.
- 반도체 디바이스에 있어서,입력 신호 전류를 전압으로 변환하고, 상기 변환된 전압에 대응하는 전류를 전원에서 부하로 공급하는 병렬 접속된 복수의 변환 및 구동 트랜지스터,상기 변환된 전압을 저장하는 저장 용량성 수단,상기 전압을 저장 또는 해방할 것인지를 선택하는 상기 저장 용량성 수단에서의 저장 트랜지스터,상기 신호 전류를 입력하는 기간동안 상기 전원에서 상기 부하로 상기 전류 공급을 차단하고, 상기 부하를 구동하는 기간동안 상기 변환된 전압에 대응하는 전류를 상기 전원에서 상기 부하로 공급하는 구동 트랜지스터들,상기 복수의 변환 및 구동 트랜지스터들에 상기 신호 전류의 입력을 제어하는 스위칭 트랜지스터, 및상기 복수의 변환 및 구동 트랜지스터들 중 적어도 하나를 선택하고, 상기 전원에서 상기 부하로 상기 전류 공급 경로들을 만드는 복수의 전류 선택 트랜지스터들을 포함하는 반도체 디바이스.
- 제 3 항에 있어서,상기 전원에서 상기 부하로의 상기 복수의 전류 공급 경로들은 병렬로 배열되고,전류는 상기 복수의 전류 공급 경로들 중 적어도 하나를 이용하여 상기 부하에 공급되는, 반도체 디바이스.
- 제 4 항에 있어서,상기 전원에서 상기 부하로의 상기 복수의 전류 공급 경로들은 병렬로 배열되고,전류는 상기 복수의 전류 공급 경로들 중 적어도 하나를 이용하여 상기 부하에 공급되는, 반도체 디바이스.
- 제 7 항에 있어서,상기 전원에서 상기 부하로의 상기 복수의 전류 공급 경로들은 병렬로 배열되고,전류는 상기 복수의 전류 공급 경로들 중 적어도 하나를 이용하여 상기 부하에 공급되는, 반도체 디바이스.
- 제 8 항에 있어서,상기 전원에서 상기 부하로의 상기 복수의 전류 공급 경로들은 병렬로 배열되고,전류는 상기 복수의 전류 공급 경로들 중 적어도 하나를 이용하여 상기 부하에 공급되는, 반도체 디바이스.
- 제 3 항에 있어서,발광 소자들에 대한 전류 공급은 상기 복수의 전류 공급 경로들 사이에서 시간적으로 스위칭함으로써 시간에 따라 다른 경로들을 따라 발생하는, 반도체 디바이스.
- 제 4 항에 있어서,발광 소자들에 대한 전류 공급은 상기 복수의 전류 공급 경로들 사이에서 시간적으로 스위칭함으로써 시간에 따라 다른 경로들을 따라 발생하는, 반도체 디바이스.
- 제 7 항에 있어서,발광 소자들에 대한 전류 공급은 상기 복수의 전류 공급 경로들 사이에서 시간적으로 스위칭함으로써 시간에 따라 다른 경로들을 따라 발생하는, 반도체 디바이스.
- 제 8 항에 있어서,발광 소자들에 대한 전류 공급은 상기 복수의 전류 공급 경로들 사이에서 시간적으로 스위칭함으로써 시간에 따라 다른 경로들을 따라 발생하는, 반도체 디바이스.
- 제 5 항에 있어서,상기 저장 용량성 수단은 상기 변환 및 구동 트랜지스터의 게이트와 소스사이의 전압을 저장하고,상기 저장 트랜지스터는 턴온 및 턴오프에 의해 상기 변환 및 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에서 도전 또는 비도전을 제공하는, 반도체 디바이스.
- 제 6 항에 있어서,상기 저장 용량성 수단은 상기 변환 및 구동 트랜지스터의 게이트와 소스사이의 전압을 저장하고,상기 저장 트랜지스터는 턴온 및 턴오프에 의해 상기 변환 및 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에서 도전 또는 비도전을 제공하는, 반도체 디바이스.
- 제 7 항에 있어서,상기 저장 용량성 수단은 상기 변환 및 구동 트랜지스터의 게이트와 소스사이의 전압을 저장하고,상기 저장 트랜지스터는 턴온 및 턴오프에 의해 상기 변환 및 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에서 도전 또는 비도전을 제공하는, 반도체 디바이스.
- 제 8 항에 있어서,상기 저장 용량성 수단은 상기 변환 및 구동 트랜지스터의 게이트와 소스사이의 전압을 저장하고,상기 저장 트랜지스터는 턴온 및 턴오프에 의해 상기 변환 및 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에서 도전 또는 비도전을 제공하는, 반도체 디바이스.
- 제 5 항에 있어서,상기 변환 및 구동 트랜지스터는 상기 구동 트랜지스터와 동일한 극성을 가지는, 반도체 디바이스.
- 제 6 항에 있어서,상기 변환 및 구동 트랜지스터는 상기 구동 트랜지스터와 동일한 극성을 가지는, 반도체 디바이스.
- 제 7 항에 있어서,상기 변환 및 구동 트랜지스터는 상기 구동 트랜지스터와 동일한 극성을 가지는, 반도체 디바이스.
- 제 8 항에 있어서,상기 변환 및 구동 트랜지스터는 상기 구동 트랜지스터와 동일한 극성을 가지는, 반도체 디바이스.
- 제 5 항에 있어서,상기 변환 및 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터들은 상기 전원에서 상기 부하로의 상기 전류 공급 경로들에서 직렬로 배치되고, 그들의 게이트 전극들은 전기적으로 접속되는, 반도체 디바이스.
- 제 6 항에 있어서,상기 변환 및 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터들은 상기 전원에서 상기 부하로의 상기 전류 공급 경로들에서 직렬로 배치되고, 그들의 게이트 전극들은 전기적으로 접속되는, 반도체 디바이스.
- 제 7 항에 있어서,상기 변환 및 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터들은 상기 전원에서 상기 부하로의 상기 전류 공급 경로들에서 직렬로 배치되고, 그들의 게이트 전극들은 전기적으로 접속되는, 반도체 디바이스.
- 제 8항에 있어서,상기 변환 및 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터들은 상기 전원에서 상기 부하로의 상기 전류 공급 경로들에서 직렬로 배치되고, 그들의 게이트 전극들은 전기적으로 접속되는, 반도체 디바이스.
- 제 1 항에 있어서,상기 신호 전류 경로들은 적어도 상기 제 1 수단을 통하고,상기 부하가 동작할 때 상기 전원에서 상기 부하로 공급하는 상기 전류 경로들은 적어도 상기 제 1 수단 및 제 4 수단을 통하는, 반도체 디바이스.
- 제 2 항에 있어서,상기 신호 전류 경로들은 적어도 상기 제 1 수단을 통하고,상기 부하가 동작할 때 상기 전원에서 상기 부하로 공급하는 상기 전류 경로들은 적어도 상기 제 1 수단 및 제 4 수단을 통하는, 반도체 디바이스.
- 제 3 항에 있어서,상기 신호 전류 경로들은 적어도 상기 제 1 수단을 통하고,상기 부하가 동작할 때 상기 전원에서 상기 부하로 공급하는 상기 전류 경로들은 적어도 상기 제 1 수단 및 제 4 수단을 통하는, 반도체 디바이스.
- 제 4 항에 있어서,상기 신호 전류 경로들은 적어도 상기 제 1 수단을 통하고,상기 부하가 동작할 때 상기 전원에서 상기 부하로 공급하는 상기 전류 경로들은 적어도 상기 제 1 수단 및 제 4 수단을 통하는, 반도체 디바이스.
- 제 5 항에 있어서,상기 신호 전류 경로들은 적어도 상기 변환 및 구동 트랜지스터의 소스 및 드레인을 통하고,상기 부하를 구동할 때 상기 전원에서 상기 부하로 공급하는 상기 전류 경로들은 적어도 상기 변환 및 구동 트랜지스터의 소스 및 드레인과, 상기 구동 트랜지스터의 소스 및 드레인을 통하는, 반도체 디바이스.
- 제 6 항에 있어서,상기 신호 전류 경로들은 적어도 상기 변환 및 구동 트랜지스터의 소스 및 드레인을 통하고,상기 부하를 구동할 때 상기 전원에서 상기 부하로 공급하는 상기 전류 경로들은 적어도 상기 변환 및 구동 트랜지스터의 소스 및 드레인과, 상기 구동 트랜지스터의 소스 및 드레인을 통하는, 반도체 디바이스.
- 제 7 항에 있어서,상기 신호 전류 경로들은 적어도 상기 변환 및 구동 트랜지스터의 소스 및 드레인을 통하고,상기 부하를 구동할 때 상기 전원에서 상기 부하로 공급하는 상기 전류 경로들은 적어도 상기 변환 및 구동 트랜지스터의 소스 및 드레인과, 상기 구동 트랜지스터의 소스 및 드레인을 통하는, 반도체 디바이스.
- 제 8 항에 있어서,상기 신호 전류 경로들은 적어도 상기 변환 및 구동 트랜지스터의 소스 및 드레인을 통하고,상기 부하를 구동할 때 상기 전원에서 상기 부하로 공급하는 상기 전류 경로들은 적어도 상기 변환 및 구동 트랜지스터의 소스 및 드레인과, 상기 구동 트랜지스터의 소스 및 드레인을 통하는, 반도체 디바이스.
- 제 1 항에 있어서,상기 신호 전류 Idata와 상기 전원에서 상기 부하로 공급되는 상기 전류 IEL사이의 관계는 Idata≥IEL인, 반도체 디바이스.
- 제 2 항에 있어서,상기 신호 전류 Idata와 상기 전원에서 상기 부하로 공급되는 상기 전류 IEL사이의 관계는 Idata≥IEL인, 반도체 디바이스.
- 제 3 항에 있어서,상기 신호 전류 Idata와 상기 전원에서 상기 부하로 공급되는 상기 전류 IEL사이의 관계는 Idata≥IEL인, 반도체 디바이스.
- 제 4 항에 있어서,상기 신호 전류 Idata와 상기 전원에서 상기 부하로 공급되는 상기 전류 IEL사이의 관계는 Idata≥IEL인, 반도체 디바이스.
- 제 5 항에 있어서,상기 신호 전류 Idata와 상기 전원에서 상기 부하로 공급되는 상기 전류 IEL사이의 관계는 Idata≥IEL인, 반도체 디바이스.
- 제 6 항에 있어서,상기 신호 전류 Idata와 상기 전원에서 상기 부하로 공급되는 상기 전류 IEL사이의 관계는 Idata≥IEL인, 반도체 디바이스.
- 제 7 항에 있어서,상기 신호 전류 Idata와 상기 전원에서 상기 부하로 공급되는 상기 전류 IEL사이의 관계는 Idata≥IEL인, 반도체 디바이스.
- 제 8 항에 있어서,상기 신호 전류 Idata와 상기 전원에서 상기 부하로 공급되는 상기 전류 IEL사이의 관계는 Idata≥IEL인, 반도체 디바이스.
- 제 1 항에 있어서,상기 부하는 전자 발광 소자를 포함하는 발광 소자인, 반도체 디바이스.
- 제 2 항에 있어서,상기 부하는 전자 발광 소자를 포함하는 발광 소자인, 반도체 디바이스.
- 제 3 항에 있어서,상기 부하는 전자 발광 소자를 포함하는 발광 소자인, 반도체 디바이스.
- 제 4 항에 있어서,상기 부하는 전자 발광 소자를 포함하는 발광 소자인, 반도체 디바이스.
- 제 5 항에 있어서,상기 부하는 전자 발광 소자를 포함하는 발광 소자인, 반도체 디바이스.
- 제 6 항에 있어서,상기 부하는 전자 발광 소자를 포함하는 발광 소자인, 반도체 디바이스.
- 제 7 항에 있어서,상기 부하는 전자 발광 소자를 포함하는 발광 소자인, 반도체 디바이스.
- 제 8 항에 있어서,상기 부하는 전자 발광 소자를 포함하는 발광 소자인, 반도체 디바이스.
- 제 1 항에 있어서,상기 반도체 디바이스는 유기 발광 디스플레이 디바이스, 디지털 스틸 카메라, 랩탑 컴퓨터, 이동 컴퓨터, 기록 매체를 포함하는 이미지 재생 장치, 고글 타입 디스플레이, 비디오 카메라, 및 이동 전화로 구성된 그룹으로부터 선택되는 전자 장비에 적용되는, 반도체 디바이스.
- 제 2 항에 있어서,상기 반도체 디바이스는 유기 발광 디스플레이 디바이스, 디지털 스틸 카메라, 랩탑 컴퓨터, 이동 컴퓨터, 기록 매체를 포함하는 이미지 재생 장치, 고글 타입 디스플레이, 비디오 카메라, 및 이동 전화로 구성된 그룹으로부터 선택되는 전자 장비에 적용되는, 반도체 디바이스.
- 제 3 항에 있어서,상기 반도체 디바이스는 유기 발광 디스플레이 디바이스, 디지털 스틸 카메라, 랩탑 컴퓨터, 이동 컴퓨터, 기록 매체를 포함하는 이미지 재생 장치, 고글 타입 디스플레이, 비디오 카메라, 및 이동 전화로 구성된 그룹으로부터 선택되는 전자 장비에 적용되는, 반도체 디바이스.
- 제 4 항에 있어서,상기 반도체 디바이스는 유기 발광 디스플레이 디바이스, 디지털 스틸 카메라, 랩탑 컴퓨터, 이동 컴퓨터, 기록 매체를 포함하는 이미지 재생 장치, 고글 타입 디스플레이, 비디오 카메라, 및 이동 전화로 구성된 그룹으로부터 선택되는 전자 장비에 적용되는, 반도체 디바이스.
- 제 5 항에 있어서,상기 반도체 디바이스는 유기 발광 디스플레이 디바이스, 디지털 스틸 카메라, 랩탑 컴퓨터, 이동 컴퓨터, 기록 매체를 포함하는 이미지 재생 장치, 고글 타입 디스플레이, 비디오 카메라, 및 이동 전화로 구성된 그룹으로부터 선택되는 전자 장비에 적용되는, 반도체 디바이스.
- 제 6 항에 있어서,상기 반도체 디바이스는 유기 발광 디스플레이 디바이스, 디지털 스틸 카메라, 랩탑 컴퓨터, 이동 컴퓨터, 기록 매체를 포함하는 이미지 재생 장치, 고글 타입 디스플레이, 비디오 카메라, 및 이동 전화로 구성된 그룹으로부터 선택되는 전자 장비에 적용되는, 반도체 디바이스.
- 제 7 항에 있어서,상기 반도체 디바이스는 유기 발광 디스플레이 디바이스, 디지털 스틸 카메라, 랩탑 컴퓨터, 이동 컴퓨터, 기록 매체를 포함하는 이미지 재생 장치, 고글 타입 디스플레이, 비디오 카메라, 및 이동 전화로 구성된 그룹으로부터 선택되는 전자 장비에 적용되는, 반도체 디바이스.
- 제 8 항에 있어서,상기 반도체 디바이스는 유기 발광 디스플레이 디바이스, 디지털 스틸 카메라, 랩탑 컴퓨터, 이동 컴퓨터, 기록 매체를 포함하는 이미지 재생 장치, 고글 타입 디스플레이, 비디오 카메라, 및 이동 전화로 구성된 그룹으로부터 선택되는 전자 장비에 적용되는, 반도체 디바이스.
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