KR20030013364A - 투과층 부착 화학물질 및 방법 - Google Patents

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존 알. 하벤스
테오도어 엠. 윙거
자인 크로츠
댄 스몰코
토마스 제이. 오노프리
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나노겐 인코포레이티드
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Abstract

공유 결합된 투과층을 갖는 전자적 주소지정 마이크로칩 및 상기 마이크로칩에 공유 결합된 투과층의 제조 방법이 제공된다. 공유 결합은 전극과 실린 유도체의 병용으로부터 유도된다. 상기 화학은 투과층이 전극 표면으로부터 층균열되는 것을 막으면서 마이크로칩의 전극에 전자 바이어스를 인가할 수 있는 능력을 제공한다.

Description

투과층 부착 화학물질 및 방법 {Permeation Layer Attachment Chemistry and Method}
하기 설명은 본 발명에 관한 정보의 요약을 제공한다. 본 명세서에서 제공된 임의의 정보가 지금 특허청구된 본 발명에 대한 선행 기술이라거나, 또한 구체적으로 또는 암시적으로 인용된 임의의 출판물이 본 발명에 대한 선행 기술일 여지를 남기지 않는다.
생물질, 예를 들면 핵산 및 단백질을 용액 중의 한 지점으로부터 다른 곳으로 향하도록 하는 데 사용되는 전자적 주소지정 마이크로칩 분야에서 마이크로칩은, 전극 표면으로부터 발생되는 임의의 전기화학이 전극 그 자체를 손상시키지도 않고 용액 중의 임의의 생물질을 손상시키지도 않도록, 마이크로칩 전극으로부터의 전위차가 마이크로칩 위에놓여지는 용액으로 중계되도록 디자인되어야 한다. 일반적으로, 이러한 손상으로부터의 보호는 마이크로칩 위에 부착된 다공성 막 층의 사용에 의해 제공된다. 일반적으로 상기 층은 각각 아가로스 또는 폴리아크릴아미드와 같은 천연 또는 합성 중합체로부터 유도된 물질을 포함한다. 이들 타입의 물질은 전극 표면에 생성된 전기화학적 생성물이 그들의 다공성 매트릭스 또는 '투과층'을 통해 전극 바로 위의 용액 내로 이동할 수 있게 만든다.
비록 상기한 바와 같은 물질들이 원하는 품질을 갖는 다공성 막의 역활에 유용한 것으로 밝혀졌지만, 상기 막을 마이크로칩 지지체 상에 층형성시키는 데 일반적으로 사용되는 방법 때문에 이 막은 전극 표면으로부터 분리되거나 또는 "층균열"되기 쉽다. 이 층균열은 전극에 전자 전위차의 인가로부터 발생되는 투과층과 전극 사이의 계면에서의 화학 조성의 변화에 의해 및 전극으로부터 나오는 가스 및 하전된 이온으로부터의 물리적 파열에 의해 야기되는 것으로 생각된다. 이러한 층균열은 '미시적 층균열(microdelamination)' 및 '거시적 층균열(macrodelamination)'의 관점에서 관찰될 수 있다.
미시적 층균열은 투과층과 전극 그 자체 사이의 화학적 계면의 전기화학적 열화를 포함한다. 이것은 투과층에 솟아오른 불룩한 부분의 형성에 의해, 또는 공촛점 현미경으로 적절하게 살폈을 때 층균열된 층으로부터의 빛의 회절 때문에 가시적인, 투과층 성능에 있어서 일관성의 손실을 야기시키는(가능하게는 전기장 균일성에 대한 조절의 상실에 기인함) 작은고리들에 의해 관찰된다. 이와는 반대로 거시적 층균열은 투과층과 칩 지지체 사이의 표면 에너지의 부정합에 의해 야기되며, 전체 마이크로칩 표면에 걸쳐 확장될 수 있는 투과층 박리(리프트-오프)를 야기시킨다. 투과층이 액체 오버레이 중에 존재하는 분석물질의 화학적 정착을 위한 수단을 제공하기 때문에, 거시적 층균열에 의한 그의 물리적인 손실은 생물학적 분석 동안에 돌발 칩 고장을 야기시킨다.
본 명세서에서 고려되는 마이크로칩과 같은 전자적 주소지정 시스템은 2개의 전극(즉, 양의 전위로 놓여지는 양극 및 음의 전위로 놓여지는 나머지 음극) 사이의 전압 강하(V)와 이들 전극 사이에서 흐르는 전류(I) 사이의 관계를 다음과 같이 확립시키는 오옴의 법칙을 따른다:
상기 식 중, R은 양극과 음극 사이의 매질의 전기 저항이다. 상기 전극 위에 투과층이 존재하는 시스템에서, R의 값은 크게는 상기 투과층의 물리적 및 화학적 특성에 의해 결정된다. 따라서, 수학식(I)에 따라, 전극들에 인가된 전자 전위 사이의 차는 그들을 관통하는 전류의 세기 또는 밀도에 정비례한다. 본 특허에서 설명되는 본 발명은 전류 밀도가 0.04 nA/㎛2이상이고 및(또는) 전압 강하가 1 내지 3 V인 전류와 전압 사이의 관계를 사용한다. 전류 밀도는 전류를 이를 지지하는 데 사용된 전극의 면적으로 나눈 것으로 정의된다.
추가로, 본 명세서에서 설명되는 바와 같은 전자 구동 시스템 내에서 뉴클레오티드 올리고머와 같은 하전된 생분자의 전좌의 효능은 각각 양극 및 음극에 의해 양으로 및 음으로 하전된 전기화학종의 적절한 구배의 생성에 의존한다. 예를 들면, 효과적인 핵산(즉, DNA 또는 RNA) 수송은 '포화 칼로멜 전극'(SCE)에 대하여 양극에서의 전위가 +1.29V보다 클 때 양자 및 히드록실 음이온의 생성에 의해 달성될 수 있다. 이러한 대단한 노력을 필요로 하는 작업 조건에 놓여질 때, 상기 시스템이 미시적 층균열 및 때때로는 거시적 층균열을 경험하기 쉽기 때문에 비공유적으로 부착된 투과층은 만족스럽지 못한 것으로 증명되었다. 게다가, 하전된 분자의 수송 효율은 전류 밀도가 증가함에 따라 증가되어, 보다 높은 전압 강하 및 전류 밀도에서의 작업에 대한 욕구를 불러일으키고, 따라서 더욱더 강한 투과층을 필요로 한다.
그러므로, 투과층이 전자 마이크로칩 지지체로부터 특히 전극 패드 그자체로부터 층균열되지 않도록 하기 위한 방법을 여전히 필요로 한다. 본 발명자들은 투과층 성능의 상당한 증가를 제공하는 투과층 부착 화학의 개선점을 발견하였다. 구체적으로는, 본 발명자들은 전자적 주소지정 마이크로칩 분야에 적용하였을 때 마이크로칩과 투과층 매트릭스 사이에 혼입될 수 있는 공유 화학 결합 시스템의 발견에 의해 미시적 층균열 및 거시적 층균열 문제를 해결하였다. 이 화학은 중합체, 히드로겔, 글리옥실아가로스, 폴리아크릴아미드, 메타크릴아미드의 중합체, 다른 단량체로부터 제조된 물질 및 졸-겔 방법을 통해 생성된 다공성 무기 산화물을 포함하여, 다양한 투과층 조성물에 적용할 수 있고, 1 내지 3V의 전압 강하 및 0.04 nA/㎛2이상의 전류 밀도를 견딜 수 있다.
발명의 요약
본 발명은 전자적 주소지정 마이크로칩의 표면에 다공성 '투과층'을 공유 부착시키는 독특한 시스템을 제공한다. 바람직한 실시태양에서, 공유 부착은 금속/규화물, 금속/금속 또는 유기 전극들과 투과층의 화학 잔기 사이에서 일어난다. 바람직한 금속/규화물 전극으로는 규화백금(PtSi), 규화텅스텐(WTi), 규화티탄(TiSi) 및 규화금(AuSi)을 들 수 있다. 바람직한 금속/금속 전극으로는 백금/티탄(PtTi) 및 금/티탄(AuTi)을 들 수 있다. 바람직한 유기 전극으로는 폴리(페닐렌 비닐렌), 폴리티오펜 및 폴리아닐린을 들 수 있다.
본 실시태양의 예로서, 공유 부착은 링커(linker)를 금속/Si 표면의 실라놀 잔기에 결합시키는 부착 메카니즘을 제공하는 결합 잔기 및 링커를 투과층에 결합시키기 위한 별도의 잔기를 포함한다. 금속/금속 및 유기 전극이 사용되는 경우, 링커를 전극에 부착시키는 메카니즘은 전극에 부착되는 링커의 잔기가 특정 금속 및 유기 분자 상의 반응성 중심과 반응하여 공유 결합을 형성하게 된다는 점에서 동일하다.
특히 바람직한 실시태양에서, 결합 잔기는 하기 화학식으로 정의된다:
<화학식>
상기 식 중,
X = 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 알릴, 비닐, 아세틸, 아민(치환되거나 또는 치환되지 않음), 에폭시 및 티올;
스페이서(SPACER) = 알킬, 아릴, 모노- 또는 폴리알콕시(예를 들면, 에틸렌글리콜 또는 폴리에틸렌글리콜), 모노- 또는 폴리알킬아민, 모노- 또는 폴리아미드, 티오에테르 유도체, 또는 모노- 또는 폴리디술파이드;
A 및 B = 산소-R(여기서, R은 H, 알킬, 예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 또는 다른 분지쇄 또는 직쇄 탄화수소임), Cl, Br 또는 X-스페이서와 유사한 잔기 관능기의 임의의 조합; 및
C = 산소-R(여기서, R은 H, 알킬, 예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 또는 다른 분지쇄 또는 직쇄 탄화수소임), Cl, Br 또는 임의의 다른 가수분해가능한 잔기.
금속/Si 전극의 예에서, 규화물기를 함유하는 이들 결합기들은 전극 표면의 산소 잔기에 결합된 히드록실기와 반응할 수 있다. 링커의 다른 단부 상에서, X 잔기는 투과층 중합체의 반응 중심과 공유 반응할 수 있는 화학기를 포함한다.
다른 실시태양에서, 투과층은 전하를 전극으로부터 전극 위에 놓여지는 용액으로 전달시키는 데 적합한 물질이다. 투과층에 사용되는 중합체를 구성하는 데 사용되는 물질로는, 아가로스, 글리옥실아가로스, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 폴리아크릴아미드, 다른 단량체로부터 제조된 물질 및 졸-겔 방법을 통해 생성된 다공성 무기 산화물을 들 수 있지만, 이들로 제한되지는 않는다[브링커(Brinker) 등,Sol-Gel Science, Academic Press, San Diego, 1990].
중합체 투과층을 만드는 데 사용되는 합성 단량체로는 에폭시드, 산소에 이중 결합되고 다른 산소, 질소, 황, 할로겐 또는 탄소에 단일 결합된 탄소에 이중 결합이 직접 부착되어 있는 치환되거나 또는 비치환된 α, β 불포화 카르보닐을포함하지만 이들로 제한되지는 않는 알케닐 잔기; 이중 결합이 산소, 질소, 할로겐, 인 또는 황에 유일하게 결합된 비닐; 산소, 질소, 할로겐, 인 또는 황에 결합된 탄소에 이중 결합이 유일하게 결합된 알릴; 산소, 질소, 할로겐, 인 또는 황에 유일하게 결합된 다른 탄소에 유일하게 결합된 탄소에 이중 결합이 유일하게 결합된 호모알릴; 및 2개의 탄소 원자들 사이에 3중 결합이 존재하는 알키닐 잔기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것들을 들 수 있다.
다른 실시태양에서, 공유 부착된 투과층은 양극을 +1.29V/SCE 이상의 전자 전위로 하전되고 및(또는) 음극을 -0.89V/SCE 이하의 전위로 하전되어 있는 동안에 층균열이 일어나지 않는다. 특히 바람직한 실시태양에서, 전극들 사이의 전류 흐름은 마이크로칩의 전극 위의 용액 중에서 분자의 수송을 유도시키기에 충분한 밀도를 갖는다. 상기 밀도는 바람직하게는 0.04 내지 1 nA/㎛2이다.
본 발명은 지지체 표면에 대한 고분자 재료 층의 부착에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 본 발명은 전기 전도성 지지체, 예를 들면 마이크로칩 회로의 금속 전극에 다공성 고분자 재료를 공유 부착시키는 화학물질 및 방법에 관한 것이다.
본 특허 출원은 컬러로 제작된 1개 이상의 도면을 함유한다. 컬러 도면(들)과 함께 본 특허의 사본은 요청시에 필요한 요금을 납부하면 특허청으로부터 제공받을 수 있다. 본 발명을 수반된 도면을 참고로 하여 추가로 설명하고자 한다.
도 1은 전극 표면에 대한 링커 잔기의 부착을 보여주는 화학 구조 개략도이다.
도 2는 전극에 투과층을 공유 부착시키는 방법을 보여주는 개략도이다. 도면의 예에서는, 전극을 250 mTorr(250W)에서 5분 동안 아르곤 플라즈마로 처리한다. 이것은 전극을 클리닝시키고, 그의 표면에 히드록실 관능성을 갖는다. 이어서 예를 들면 실온에서 5분 동안의 증착에 이어 90 ℃에서 2 시간 동안 경화시켜 링커를 전극에 부착시킨다. 이 방법은 투과층과 결합할 수 있는 반응성 잔기를 남기게 된다. 도면의 예에서는, 아민 잔기가 투과층 매트릭스의 반응성 잔기와의 결합에 이용될 수 있는 반응성 아민기를 갖는 링커가 사용된다. 링커와 투과층 반응 중심 사이의 결합은 쉬프(Schiff) 염기 반응을 사용하여 수행될 수 있다.
도 3A 및 B는 (A) 층균열 전 및 (B) 층균열 후 링커 잔기의 사용없이 전극 표면에 부착된 투과성 막을 보여주는 개별 전극의 부분상의 공촛점 현미경 사진이다.
도 4A-D는 증착된 AEAPS를 사용하여 전극 표면에 부착된 투과성 막이 다양한 층균열 정도로 나타나 있는 개별 전극의 부분상의 공촛점 현미경 사진이다.
도 5A 및 B는 AEAPS를 사용하여 전극 표면에 투과성 막을 부착시킨 80 ㎛ 직경의 Pt(A) 및 PtSi(B) 전극의 부분상의 공촛점 현미경 사진이다. 도 5A에서, Pt 전극은 2분 동안의 500 nA(0.1 nA/㎛2)의 제2 직류 임펄스에서 층균열되기 시작하였다. 대조적으로 (도 5B) PtSi 전극은 500 nA(0.1 nA/㎛2)의 제2 직류 임펄스 후에 층균열을 나타내지 않았다.
도 6A 및 B와 7A 및 B는 투과성 막이 화학적 부착없이 Pt 전극 상에 퇴적되거나(6A 및 7A) 또는 AEAPS를 사용하여 PtSi 전극 표면에 부착된(6B 및 7B) 전극 어레이의 부분상의 공촛점 현미경 사진이다. 상은 투과층의 공유 결합 없는 Pt 및공유 결합을 갖는 PtSi 마이크로칩에 대하여 층균열을 야기시키는 반복된 바이어싱(biasing) 레벨을 보여준다.
도 8, 9 및 10은 아가로스로 오버레잉된 Pt 전극의 부분상의 공촛점 현미경 사진이다. 도 8에서는, 상의 촛점면이 전자 바이어싱 전에 전극 3 ㎛ 위로 설정된다. 이것은 촛점 내에 있는 비드에 의해 표시되는 바와 같이 투과층 표면이 전극 3 ㎛ 위에 있음을 나타낸다. 도 9에서는, 전자 바이어싱 동안에 변하지 않는 촛점면을 나타낸다. 도 10에서는, 층균열이 일어나서 층의 상부 상에 있는 비드들이 전극으로부터 보다 큰 거리에 집중하게 되도록 투과층을 상승시키는 것을 나타내는, 전극 4 ㎛ 위의 촛점면을 나타낸다.
도 11은 도 10의 투과층이 동심원성 고리들의 존재에 의해 나타내어지는 바와 같이 층균열되었음을 확실하게 보여주는 공촛점 현미경 사진이다.
도 12 및 13은 아크릴아미드 투과층이 공유 부착되어 있는 PtSi 전극을 나타내는 전극의 부분상의 공촛점 현미경 사진이다. 도 12는 촛점면이 +2 ㎂(0.4 nA/㎛2)에서의 2분 바이어싱 후에 변하지 않은 채로 남아있음을 보여준다. 도 13은 이 전극의 경우에 층균열이 일어나지 않았음을 확인한다.
하전된 분자를 용액 중의 한 지점으로부터 다른 곳으로 수송하는 데 사용된 전자적 주소지정 마이크로칩 분야에서, 수송된 분자들은 용액에 전기장을 부여하기 위하여 전극을 바이어싱할 때 전극에 발생된 이온 및 마이크로칩의 전극과의 직접적인 접촉으로부터 보호되어야 한다. 보호는 수송된 분자들을 손상시키지 않고서 전극으로부터 용액으로 전하가 흐르게 하는 절연층, 즉 투과층에 의해 제공된다. 대표적으로는, 절연막은 아가로스 또는 가교결합된 폴리아크릴아미드와 같은 고분자 물질이다. 이들 물질은 이들이 다공성이고 전극에서 발생된 전기화학적 생성물들이 위에 놓여지는 용액으로 빠져나갈 수 있게 한다는 점에서 이상적이다.
보다 구체적으로는, 상기 절연 물질은 아가로스, 글리옥실아가로스, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 폴리아크릴아미드, 다른 합성 단량체들로부터 제조된 물질, 및 졸-겔 방법을 통해 생성된 다공성 무기 산화물을 포함할 수 있지만, 이들로 제한되지는 않는다. 고분자 투과층을 제조하는 데 사용된 합성 단량체들로는 또한 에폭시드, 산소에 이중 결합되고 다른 산소, 질소, 황, 할로겐 또는 탄소에 단일 결합된 탄소에 이중 결합이 직접 부착되어 있는 치환되거나 또는 비치환된 α, β 불포화 카르보닐을 포함하지만 이들로 제한되지는 않는 알케닐 잔기; 이중 결합이 산소, 질소, 할로겐, 인 또는 황에 유일하게 결합된 비닐; 산소, 질소, 할로겐, 인 또는 황에 결합된 탄소에 이중 결합이 유일하게 결합된 알릴; 산소, 질소, 할로겐, 인 또는 황에 유일하게 결합된 다른 탄소에 유일하게 결합된 탄소에 이중 결합이 유일하게 결합된 호모알릴; 및 2개의 탄소 원자들 사이에 3중 결합에 존재하는 알키닐 잔기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것들을 들 수 있다.
상기한 바와 같이, 전자적 주소지정 마이크로칩의 최적의 기능성을 위해서는, 한 패드로부터 다른 패드로의 전자 전위의 균일성 및 일관성을 향상시키기 위하여 다공성 절연층 또는 투과층이 전극과 접촉된 채로 있는 것이 중요하다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 투과층은 2개 이상의 반응 중심을 갖는 결합 잔기에 의해 전극에 연결될 수 있다. 도 1에 나타낸 바와 같은 적합한 특성을 갖는 링커들이 표 I에 제공된다.
화학물질 타입 화학식
아크릴레이트류 CH2=CHCOOCH2CH2CH2Si(OCH3)3CH2=CHCOOCH2CH2CH2SiCl3CH2=CHCOOCH2CH2CH2Si(CH3)(OCH3)2CH2=CHCOOCH2CH2CH2Si(CH3)2(OCH3)CH2=CHCOOCH2CH2CH2Si(CH3)Cl2CH2=CHCOOCH2CH(OH)CH2NHCH2CH2CH2Si(OC2H5)3
메타크릴레이트류 CH2=C(CH3)COOCH2CH2CH2Si(OCH3)3(MOTS)CH2=C(CH3)COOCH2CH2CH2SiCl3CH2=C(CH3)COOCH2CH2CH2Si(CH3)(OCH3)2CH2=C(CH3)COOCH2CH2CH2Si(CH3)2(OCH3)CH2=C(CH3)COOCH2CH2CH2Si(CH3)Cl2CH2=C(CH3)COOCH2CH(OH)CH2NHCH2CH2CH2Si(OC2H5)3
아크릴아미드류 CH2=CHCONHCH2CH2CH2Si(OC2H5)3(AMPTS)CH2=CHCONHCH2CH2CH2SiCl3CH2=CHCONHCH2CH2CH2Si(CH3)(OCH3)2CH2=CHCONHCH2CH2CH2Si(CH3)2(OCH3)CH2=CHCONHCH2CH2CH2Si(CH3)Cl2CH2=CHCONHCH2CH(OH)CH2NHCH2CH2CH2Si(OC2H5)3CH2=CHCONHCH2CH2CONHCH2CH2CONHCH2CH2CH2Si(OC2H3
메타크릴아미드류 CH2=C(CH3)CONHCH2CH2CH2Si(OCH3)3CH2=C(CH3)CONHCH2CH2CH2SiCl3CH2=C(CH3)CONHCH2CH2CH2Si(CH3)(OCH3)2CH2=C(CH3)CONHCH2CH2CH2Si(CH3)2(OCH3)CH2=C(CH3)CONHCH2CH2CH2Si(CH3)Cl2CH2=C(CH3)CONHCH2CH(OH)CH2NHCH2CH2CH2Si(OC2H5)3
알릴 유도체 CH2=CHCH2NHCH2CH2CH2Si(OCH3)3CH2=CHCH2SiH(OCH3)2CH2=CHCH2Si(CH3)2ClCH2=CHCH2SiHCl2CH2=CHCH2Si(OCH3)3
아미노 유도체 H2NCH2CH2NHCH2CH2CH2Si(OCH3)3(AEAPS)H2NCH2CH2CH2CH2CH2CH2NHCH2CH2CH2Si(OCH3)3(AHAPS)H2NCH2CH2CH2Si(OCH3)3(APS)H2NCH2CH2CH2Si(OC2H5)3
에폭시 유도체
특히 바람직한 실시태양에서, 본 발명의 공유 부착 화학을 갖는 마이크로칩은 APS, AEAPS, AHAPS, MOTS 및 AMPTS로 표시되는 링커를 사용한다.
도 2는 AEAPS를 사용하여 전극을 투과층에 결합시킨 한 실시태양의 개략도를 나타낸다. 이 예에서는, PtSi 전극을 먼저 250 mTorr 및 250 와트에서 5분 동안 아르곤 플라즈마로 처리한다. 이어서 칩을 실온에서 5분에 걸친 증착에 이어 90 ℃에서 2시간 동안 가열에 의해 칩 상으로 경화된 AEAPS로 처리한다. 이것은 링커가 PtSi 전극 중의 규화물 잔기의 히드록실 기에 공유 결합하도록 한다. 일단 링커가 마이크로칩에 부착되면, 투과 중합체(예를 들면, 글리옥실아가로스)를 전극 표면 상에 오버레잉시키고 쉬프 염기 반응 및 환원이 일어날 수 있도록 NaBH3CN 존재하에 처리하여 AEAPS 링커의 아민기가 투과 중합체(예를 들면, 글리옥실아가로스) 상의 이용가능한 알데히드 관능기와 결합하도록 한다. 폴리아크릴아미드를 투과층 중합체로 사용하는 경우, UV-개시된 유리 라디칼 중합 반응이 MOTS- 또는 AMPTS 링커 유도된 전극의 표면에 존재하는 비닐 잔기 및 투과층을 구성하게 되는 단량체들 사이에서 수행될 수 있어서 투과층을 합성시키고 이것을 단단계로 전극에 공유 정착시킨다.
다양한 링커 및 부착 반응 조건들을 사용한 투과층 부착 후의 다양한 층균열 역가들을 보여주는 실시예들이 아래에 제공된다.
실시예 1
아가로스 투과층 매트릭스를 2가지 방법들 중의 하나에 의한 APS 또는 AEAPS의 부착 후 PtSi 전극 마이크로칩에 부착시켰다.
실온에서 1시간 동안 0.1 중량% 실란/무수 MeOH 용액에 칩을 노출시켜 APS 및 AEAPS를 부착시켰다. 칩을 EtOH 중에서 헹구고 90℃에서 1시간 동안 경화시켰다. 비교 실험으로, APS 및 AEAPS 링커를 실온에서 5분 동안 습한 대기 중에서 순수한 실란의 증기로 마이크로칩에 증착시켰다.
아가로스 투과층을 부착시킨 후에, 마이크로칩에 전극을 모델 236 소스-메져 장치(Source-Measure unit)[미국 오하이오주 클리브랜드 소재 카이슬리 인스트루먼츠 인크.(Keithley Instruments Inc.)]를 사용하여 200, 500, 700, 및 1000 nAmps/80 ㎛ 패드(즉, 0.04, 0.10, 0.14 및 0.20 nA/㎛2)에서 각각 2분 동안 3회의 직류(DC) 임펄스로 바이어싱시키는 전자 분석을 행하였다. 3회의 DC 임펄스 세트 후에, 전극을 각각 -0.2 nA/㎛2에서 0.1초 온(ON) 상태에 이어지는 0 nA/㎛2에서 0.2초 오프(OFF) 상태로 이루어진 일련의 150 음의 펄스로 바이어싱시킨다. 표 II에 나타낸 바와 같이, 링커의 증착을 사용하는 부착 체계는 80 ㎛ 전극(0.14 nA/㎛2)의 경우에 최대 700 nA의 DC 임펄스까지 층균열로부터의 보호를 제공하였다.
샘플 200 nA 200 nA 200 nA -1 uA 500 nA 500 nA 500 nA -1 uA 700 nA 700 nA
DC1 DC2 DC3 AC DC1 DC2 DC3 AC DC1 DC2
A PtSi(투과층 없음) + + + + + + + + + +
B PtSi/투과층(링커 없음) + +/- +/- - - - - -
C PtSi/APS/투과층(무수 MeOH 침착됨)* + + +/- - - -
D PtSi/AEAPS/투과층(무수 MeOH 침착됨)* + + + + + +/- - - - -
E PtSi/APS/투과층(증착됨)* + + + + + +/-
F PtSi/AEAPS/투과층(증착됨)* + + + + + +/-
+ = 층균열 없음+/- = 층균열의 초기 표시- = 패드로부터 층의 디커플링(decoupling)을 야기시키는 층균열* = 투과층이 아닌 실란에 적용되는 부착 방법
도 3 및 4에 나타낸 바와 같이, 투과층을 전극에 어닐링시키는 데 공유 링커 부착을 사용하지 않은 경우(도 3A 및 B) 낮은 수준의 DC(제2 DC 펄스 후의 200 nA(0.04 nA/㎛2))에서 층균열이 일어나게 된다. 반대로, 증착을 사용하여 전극에 도포된 AEAPS가 사용된 경우, 전극을 700 nA(0.14 nA/㎛2)에서의 제2 DC 펄스에 노출시킬 때까지 층균열이 나타나지 않고(층균열은 중단(shut-off) 후 3분에 패드 면적의 25%까지 확장되었다), 제3 DC 중단 후 2분까지 완전히 층균열되었다(도 4A-D).
실시예 2
본 실시예에서는, 층들을 회전 코팅(spin coating) 기술을 사용하여 도포한 다음 반응시켜 결합 잔기들이 층들을 함께 및 전극과 공유 결합하도록 한 다층 투과층을 사용하여 전극으로부터 투과층의 층균열을 시험하였다.
구체적으로는, PtSi 전극을 갖는 마이크로칩을 10분 동안의 산소 플라즈마에 이은 10분 동안의 아르곤 플라즈마로 클리닝시켰다. 이어서 AEAPS를 5분 동안 증착시킨 후 진공 하에 90 ℃에서 경화시켰다. 이어서, 실온에서 10분 동안 교반시킨 다음 7분 동안 비등시킨 후 65 ℃에서 ASC 장치 내로 1.2 ㎛에서 여과시킨 2.5% 글리옥실아가로스 용액(NuFix)을 포함하는 제1층 용액을 자동 회전 코팅 장치(ASC)로 마이크로칩 상에 회전 부착시켰다. 제1층의 부착 후, 0.2 ㎛에서 여과시켜 실온에서 유지시킨 10 mM 인산나트륨, 250 mM NaCl(pH 7.2) 중 5 mg/ml의 스트렙트아비딘(Scripps)을 포함하는 제2층을 유사하게 부착시켰다. 하부층을 1500 또는 2500 rpm으로 회전 코팅시키는 한편, 상부층을 5,000 rpm으로 회전 코팅시켰다. 코팅된 마이크로칩을 0.2 M NaBH3CN 0.1 M 인산나트륨(pH 7.4)으로 실온에서 1시간 동안 처리시켜 스트렙트아비딘과 글리옥실아가로스 사이 및 AEAPS 표면과 글리옥실아가로스 사이에 발생되는 쉬프 염기의 환원 반응을 수행하였다. 실온에서 30분 동안 칩에 0.1 M Gly/0.1 M NaBH3CN, 0.1 M 인산나트륨(pH 7.4)을 도포하여 미반응 부위의 캡핑을 수행하였다. 마지막으로, 처리된 마이크로칩을 철저하게 헹구고 탈이온수 중에서 30분 동안 침지시킨 다음 실온에서 밤동안 공기건조시켰다.
아래의 표 III에 나타낸 바와 같이, 지지체가 하부층 부착에 2개의 상이한 회전 속도를 사용한 무증착(plain) 백금 전극 또는 PtSi 전극을 함유하는 이중 투과층의 두께를 관찰하였다. 결과는 회전 코팅이 가변적인 두께를 갖는 투과층의 부착을 야기시켰음을 나타낸다.
마이크로칩 타입 하부층이 1.5K rpm으로 회전된, 2층 두께(나노미터) 하부층이 2.5K rpm으로 회전된, 2층 두께(나노미터)
Pt/AEAPS/아가로스 587±4 465±4
668±4 465±4
668±3 ---
PtSi/AEAPS/아가로스 744±17 511±4
685±1 620±5
494±90
본 실시예에서는 제작된 칩의 내층균열성(resistance to delamination) 대하여 시험하였다. 백금 전극 마이크로칩의 경우, 9개의 전극 패드들을 50 mM 새로운 히스티딘 완충제 중에서 2개의 별도의 칩들로부터 개별적으로 어드레싱시켰다. 이들 패드들은 500 nA/80 ㎛ 패드(0.1 nA/㎛2)의 제2의 2분 직류 펄스 후에 일정한 층균열을 나타냈다(도 5A). 대조적으로, 6개의 패드들을 동일한 조건 하에서 2개의 PtSi 마이크로칩으로부터 개별적으로 어드레싱시켰다. 이들 PtSi 패드들은 최대로 수 ㎂/패드까지 층균열을 갖지 않았다(도 5B). 따라서, AEAPS 부착 링커를 사용한 PtSi 전극은 층균열로부터의 보호를 제공하였다.
실시예 3
본 실시예에서는, PtSi 전극, 아가로스 및 아미노프로필실란을 사용하는 본 발명의 공유 부착 방법이 또한 교류 조건 하에서 투과층의 층균열에 대한 보호를 제공함을 보여주는 데이타가 제공된다. 여기서, AEAPS로 투과층에 결합된 Pt 및 PtSi 마이크로칩을 2개의 펄스된 바이어싱 프로토콜(protocol)을 사용하여 시험하였다.
2개의 프로토콜 모두 50 mM L-히스티딘 완충제를 사용하여 수행하였다. 구체적으로, 프로토콜 A에서는, 마이크로칩을 +800 nA/패드(0.16 nA/㎛2)에서 38밀리초(ms) 동안, -800 nA/패드(0.16 nA/㎛2)에서 25 ms 동안 바이어싱시키고, 각 펄스 당 2개의 패드를 사용하여 총 25초 동안 사이클링시켰다. 프로토콜 B에서는, 마이크로칩을 +1.6 ㎂/패드(0.32 nA/㎛2)에서 19 ms 동안, -1.6 ㎂/패드에서 12 ms 동안 바이어싱시키고, 각각 동시에 어드레싱된 3개의 패드 상에서 총 14초 동안 사이클링시켰다. INM 100 공촛점 현미경(Leica)을 사용하여 상을 찍었다.
도 6A는 프로토콜 A를 사용하여 바이어싱시킨 후 프로토콜 B를 0, 4, 8, 12 또는 16회 반복한 Pt 칩을 보여준다. 상은 프로토콜 B의 8회 반복 후에 층균열이 시작됨을 보여준다. 대조적으로, PtSi 칩(도 6B)은 8번째 바이어싱에서 훨씬 적은 정도의 층균열을 나타냈다. 층균열 역가를 보다 정확하게 정의하기 위하여, 2, 4, 6 및 8회 바이어싱 반복을 사용하여 보다 적은 엄격도 증가로 칩을 평가분석하였다. Pt 전극 상에서는, 바이어스 반복 횟수 6에서 층균열이 일어나기 시작하였다(도 7A). 대조적으로 PtSi 칩은 동일한 수준의 전기역학적 응력에서 적은 층균열 효과를 나타냈다(도 7B).
전반적인 결과는 상기 프로토콜 B의 6번째 적용 동안에 손상이 일어나기 시작하였고, 사이클 반복횟수가 증가함에 따라 층균열이 증가되었음을 나타낸다. 이 층균열 효과는 PtSi 칩에서 보다 적게 두드러졌다.
실시예 4
본 실시예에서는, 아크릴아미드 기재 히드로겔과 같은 합성 투과층들을 Pt및 PtSi 칩에 부착시키기 위한 링커로서 메틸아크릴로일실란을 사용한다. 추가적으로, 유리 비드를 공촛점 현미경이 집중될 수 있는 기준으로서 투과층의 표면에 첨가되는 기술을 사용하여 투과층의 일체성을 관찰하였다. 이것은 투과층 두께 층균열을 가능하게 하고 층균열과 같은 것에 기인한 투과층 뒤틀림의 모니터링을 용이하게 한다.
도 8은 전자 바이어싱 전의 층의 두께가 3.0±0.5 ㎛인 것으로 측정된 아가로스 투과층을 갖는 Pt 마이크로칩을 보여준다. 도면은 전극 위의 비드 위치에서의 촛점을 보여준다. 따라서, 아래에 놓여지는 전극은 촛점으로부터 약간 벗어나 있다. 도 9에서는 직류를 이용한 +200 nA(0.04 nA/㎛2)에서의 바이어싱 동안 동일한 전극에 관찰가능한 정도의 투과층 뒤틀림이 없었다. 양의 바이어스 때문에 비드는 전극으로 이동한다. 이 2분 바이어스 후, 임펄스를 종료시키고 전극을 그의 외관의 변화에 대하여 관찰하였다. 도 10에 나타낸 바와 같이, 전극의 중심 위에 머무르는 비드가 비드를 다시 촛점면 내로 가져오는 데 필요한 수직 이동에 기초하여 전극 위 4.0±0.5 ㎛ 위치로 이동하였다. 따라서, 투과층은 1 ㎛ 팽창을 행하였다. 도 11에 나타낸 바와 같이, 이 팽창은 전극 패드의 연부에서 가시적인 동심원성 고리들의 존재에 의해 나타내어지는 바와 같이 전극으로부터의 투과층의 층균열(미시적 층균열)과 관련된 것으로 보인다. 추가적으로, 보여지지 않은 다른 실험에서, 본 발명자들은 층균열과 함께 일어나는 2 내지 6 ㎛의 투과층 두께 뒤틀림을 관찰하였다.
다른 실험에서는, MOTS 링커를 통해 PtSi 전극에 정착된 아크릴아미드 기재 히드로겔 투과층을 +200 nA(0.04 nA/㎛2) 바이어스에 2분 동안 노출시켰다. 도 12는 전극 표면 위 6 ㎛의 상부에 머무르는 비드를 나타낸다. 비드는 바이어스 중단 후에 전극 위의 동일한 위치에 남아있고, 이것은 투과층의 뒤틀림이 일어나지 않았음을 나타낸다. 도 13은 그 전극에 위치한 촛점을 갖는 동일한 패드를 나타낸다. 층균열 작은고리들이 관찰되지 않았다. 전기역학적 응력을 2분 동안 +5 uA(1 nA/㎛2)로 증가시켰을 때, 투과층은 층이 팽윤한 듯하게 뒤틀린 것으로 관찰되었다. 그러나, 전극으로부터의 층균열은 관찰되지 않았다. 상기 실험의 결과들을 표 IV에 나타낸다.
칩 타입 바이어스 상태(전류 밀도) 건조 두께 초기 습윤 두께 어드레싱후 뒤틀림 전극/투과층 결합의 일체성
Pt/아가로스 200 nA, 2분(0.04 nA/㎛2) 0.80±0.01 3.0±0.5 4.0±0.5 층균열 & 뒤틀림
200 nA, 2분(0.04 nA/㎛2) 0.80±0.01 3.0±0.5 6.0±0.5 층균열 & 뒤틀림
Pt/폴리아크릴아미드 200 nA, 2분(0.04 nA/㎛2) 2.0±0.1 5.0±0.5 9.0±0.5 층균열 & 뒤틀림
200 nA, 2분(0.04 nA/㎛2) 1.9±0.1 5.0±0.5 9.0±0.5 층균열 & 뒤틀림
PtSi/폴리아크릴아미드 200 nA, 2분(0.04 nA/㎛2) 2.0±0.1 5.0±0.5 5.0±0.5 무상
500 nA, 1분(0.1 nA/㎛2) 2.0±0.1 6.0±0.5 6.0±0.5 무상
1 uA, 2분(0.2 nA/㎛2) 2.0±0.1 6.0±0.5 6.0±0.5 무상
2 uA, 2분(0.4 nA/㎛2) 2.0±0.1 6.0±0.5 6.0±0.5 무상
5 uA, 2분(1 nA/㎛2) 2.0±0.1 6.0±0.5 12.0±0.5 층균열없이 뒤틀림
이들 결과가 내층균열성을 나타내는 결합 화학을 갖는 마이크로칩의 작업에 1 nA/㎛2범위의 전류 밀도가 유용함을 보여준 상황에서, 본 발명자들은 추가로 본 발명의 결합 화학을 사용하여 전극에 결합된 투과층을 갖는 마이크로칩의 경우에 10 nA/㎛2이상의 전류 밀도가 층균열없이 사용될 수 있을 것으로 생각된다.
상기한 내용, 설명 및 관련된 도면의 이점을 갖는 본 발명의 변형 및 다른 실시태양들은 본 발명에 관한 분야의 통상의 숙련인들에게 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명은 설명된 특정 실시태양들에 제한되지 않고, 오히려 첨부된 특허청구의 범위의 영역 내에 속하는 변형 및 다른 실시태양들을 포함하는 것이다. 모든 참고문헌들은 본 명세서에서 참고문헌으로 인용된다.

Claims (14)

  1. a. 1개 이상의 전극;
    b. 투과층; 및
    c. 0.04 nA/㎛2이상의 전류 밀도에 견딜 수 있는 공유 결합에 의해 전극 및 투과층에 연결되는, 상기 1개 이상의 전극을 상기 투과층에 연결시키는 링커 부분
    을 포함하는 전자적 주소지정 마이크로칩.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투과층이 중합체, 히드로겔, 졸-겔 방법을 통해 생성된 다공성 무기 산화물, 아가로스, 글리옥실아가로스, 임의의 아크릴아미드, 메타크릴아미드 또는 합성 단량체로부터 합성된 중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 전자적 주소지정 마이크로칩.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전극이 규화백금(PtSi), 규화텅스텐(WTi), 규화티탄(TiSi), 규화금(AuSi), 백금/티탄(PtTi), 금/티탄(AuTi), 폴리(페닐렌 비닐렌), 폴리티오펜 및 폴리아닐린으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 전자적 주소지정 마이크로칩.
  4. 제1항에 있어서, 상기 링커가 하기 화학식을 갖는 것인 전자적 주소지정 마이크로칩.
    <화학식>
    상기 식 중, X는 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 알릴, 비닐, 아세틸, 아민, 치환된 아민, 에폭시 및 티올로 이루어진 군으로부터 선택되고; 스페이서는 알킬, 아릴, 모노- 또는 폴리알콕시, 에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 모노- 또는 폴리알킬아민, 모노- 또는 폴리아미드, 티오에테르 유도체, 및 모노- 또는 폴리디술파이드로 이루어진 군으로부터 선택되고; A 및 B는 산소-R(여기서, R은 H, 분지쇄 알킬, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 및 4 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지쇄 또는 직쇄 알킬임), Cl, Br 및 X-스페이서 잔기, 또는 이들의 임의의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고, C는 산소-R(여기서, R은 H, 분지쇄 알킬, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 및 4 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지쇄 또는 직쇄 알킬임), Cl 및 Br로 이루어진 군으로부터 선택되는 가수분해가능한 잔기이다.
  5. 제4항에 있어서, 상기 링커가 APS, AEAPS, AHAPS, MOTS 및 AMPTS로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 전자적 주소지정 마이크로칩.
  6. a. 전극을 링커 분자와 접촉시켜 링커로 층형성된 전극 생성물을 형성시키는 단계,
    b. 상기 (a) 단계의 생성물을 투과층 매트릭스와 접촉시키는 단계, 및
    c. 상기 (a) 단계의 생성물 및 매트릭스를 화학반응시키는 단계
    를 포함하고, 이 때 상기 (a), (b) 및 (c) 단계의 결과, 상기 링커의 제1 반응성 잔기와 상기 전극 사이 및 상기 링커의 제2 반응성 잔기와 상기 투과층 매트릭스 사이에 0.04 nA/㎛2이상의 전류 밀도에 견딜 수 있는 공유 결합이 생성되는, 반응성 잔기를 갖는 투과층을 전자적 주소지정 마이크로칩의 금속/규화물, 금속/금속 또는 유기 전극에 공유 부착시키는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 금속/규화물 전극이 규화백금(PtSi), 규화텅스텐 (WTi), 규화티탄(TiSi) 및 규화금(AuSi)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 금속/금속 전극이 백금/티탄(PtTi) 및 금/티탄(AuTi)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 유기 전극이 폴리(페닐렌 비닐렌), 폴리티오펜 및 폴리아닐린으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 링커가 하기 화학식을 갖는 것인 방법.
    <화학식>
    상기 식 중, X는 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 알릴, 비닐, 아세틸, 아민, 치환된 아민, 에폭시 및 티올로 이루어진 군으로부터 선택되고; 스페이서는 알킬, 아릴, 모노- 또는 폴리알콕시, 에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 모노- 또는 폴리알킬아민, 모노- 또는 폴리아미드, 티오에테르 유도체, 및 모노- 또는 폴리디술파이드로 이루어진 군으로부터 선택되고; A 및 B는 산소-R(여기서, R은 H, 분지쇄 알킬, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 및 4 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지쇄 또는 직쇄 알킬임), Cl, Br 및 X-스페이서 잔기, 또는 이들의 임의의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고, C는 산소-R(여기서, R은 H, 분지쇄 알킬, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 및 4 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지쇄 또는 직쇄 알킬임), Cl 및 Br로 이루어진 군으로부터 선택되는 가수분해가능한 잔기이다.
  11. 제10항에 있어서, 상기 링커가 APS, AEAPS, AHAPS, MOTS 및 AMPTS로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  12. 제6항에 있어서, 상기 투과층이 중합체, 히드로겔, 졸-겔 방법을 통해 생성된 다공성 무기 산화물, 아가로스, 글리옥실아가로스, 및 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 폴리아크릴아미드 또는 합성 단량체로부터 합성된 중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  13. 제6항에 있어서, 링커와 투과층 사이의 결합이 쉬프 염기 반응으로부터 생성되는 것인 방법.
  14. 제6항에 있어서, 링커의 제2 반응성 잔기가 아민기를 포함하는 것인 방법.
KR1020027007649A 1999-12-15 2000-10-31 투과층 부착 화학물질 및 방법 KR20030013364A (ko)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/464,670 US6303082B1 (en) 1999-12-15 1999-12-15 Permeation layer attachment chemistry and method
US09/464,670 1999-12-15

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CA (1) CA2394934A1 (ko)
DE (1) DE60035366T2 (ko)
WO (1) WO2001044805A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100581391B1 (ko) * 2005-03-22 2006-05-22 이화여자대학교 산학협력단 작용기를 지닌 실리콘 산화물 나노튜브의 제조방법 및디바이스에의 응용

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6306348B1 (en) * 1993-11-01 2001-10-23 Nanogen, Inc. Inorganic permeation layer for micro-electric device
FR2779443B1 (fr) * 1998-06-08 2000-08-04 Claude Hanni Dispositif de culture de cellules organiques et d'etude de leur activite electrophysiologique et membrane utilisee dans un tel dispositif
KR20020048425A (ko) * 1999-09-30 2002-06-22 해리 제이. 레온 하르트 마이크로전자 어레이 상의 생체분자 부착 부위
US6303082B1 (en) * 1999-12-15 2001-10-16 Nanogen, Inc. Permeation layer attachment chemistry and method
US6824669B1 (en) 2000-02-17 2004-11-30 Motorola, Inc. Protein and peptide sensors using electrical detection methods
US6602400B1 (en) 2000-06-15 2003-08-05 Motorola, Inc. Method for enhanced bio-conjugation events
DE10122659A1 (de) * 2001-05-10 2002-12-05 Infineon Technologies Ag Biochip-Anordnung
US10539561B1 (en) * 2001-08-30 2020-01-21 Customarray, Inc. Enzyme-amplified redox microarray detection process
US6960298B2 (en) * 2001-12-10 2005-11-01 Nanogen, Inc. Mesoporous permeation layers for use on active electronic matrix devices
DE10259820B4 (de) 2002-12-19 2006-05-24 Siemens Ag DNA-Chip
US20060166285A1 (en) * 2005-01-26 2006-07-27 Jainamma Krotz Charged permeation layers for use on active electronic matrix devices
US8940143B2 (en) * 2007-06-29 2015-01-27 Intel Corporation Gel-based bio chip for electrochemical synthesis and electrical detection of polymers
CN101341399A (zh) * 2005-12-21 2009-01-07 皇家飞利浦电子股份有限公司 磁化学传感器
DE602007012248D1 (de) * 2006-06-12 2011-03-10 Harvard College Nanosensoren und entsprechende technologien
US7687103B2 (en) * 2006-08-31 2010-03-30 Gamida For Life B.V. Compositions and methods for preserving permeation layers for use on active electronic matrix devices
BRPI0813718A2 (pt) * 2007-07-13 2014-12-30 Univ Leland Stanford Junior Método e aparelho que utilizam um campo elétrico para ensaios biológicos aperfeiçoados
CN104393176B (zh) * 2008-10-27 2018-03-16 密歇根大学董事会 倒置有机光敏器件
JP5412207B2 (ja) 2009-08-04 2014-02-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 生体分子固定基板及びその製造方法
NZ599524A (en) 2009-11-09 2014-04-30 Spotlight Technology Partners Llc Polysaccharide based hydrogels
US8795727B2 (en) 2009-11-09 2014-08-05 Spotlight Technology Partners Llc Fragmented hydrogels
US10537889B2 (en) 2013-12-31 2020-01-21 Illumina, Inc. Addressable flow cell using patterned electrodes
JP2020515817A (ja) 2016-12-29 2020-05-28 アドール ダイアグノスティクス エス．アール．エル． 電気泳動用途のための電気泳動チップ

Family Cites Families (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3981671A (en) 1975-09-22 1976-09-21 Cincinnati Milacron, Inc. Liquid reaction molding press
USRE30130E (en) 1975-09-22 1979-10-30 Cincinnati Milacron Inc. Liquid reaction molding press
US4205028A (en) 1979-01-11 1980-05-27 Ferro Corporation Forming protective skin on intricately molded product
JPS55152027A (en) 1979-05-15 1980-11-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Reproducing device for information recorded carrier
JPS56167419A (en) 1980-05-30 1981-12-23 Toppan Printing Co Ltd Manufacturing device for high-density information recording carrier
US4284399A (en) 1980-06-23 1981-08-18 American Optical Corporation Contact lens mold
FR2486864A1 (fr) 1980-07-21 1982-01-22 Pont A Mousson Procede de moulage par injection de pieces revetues en matiere plastique et dispositif destine a sa mise en oeuvre
US4472124A (en) * 1980-09-05 1984-09-18 Matsushita Electric Industrial Co., Limited Device for producing an information recording disk
US5217492A (en) 1982-09-29 1993-06-08 Bio-Metric Systems, Inc. Biomolecule attachment to hydrophobic surfaces
US4552633A (en) 1982-09-29 1985-11-12 Japan Atomic Energy Research Institute Fine particulate for use in clinical testing and a process for producing thereof
JPS59215838A (ja) 1983-05-24 1984-12-05 Mitsubishi Electric Corp 成形装置
JPS59227131A (ja) 1983-06-08 1984-12-20 Matsushita Electronics Corp 樹脂封止形半導体装置の製造方法およびこれに用いる封止装置
WO1987002681A1 (en) 1985-10-30 1987-05-07 Showa Denko Kabushiki Kaisha Curable composition and method for molding it
GB8530715D0 (en) * 1985-12-13 1986-01-22 Unilever Plc Microchemical testing
US5034428A (en) 1986-06-19 1991-07-23 Board Of Regents Of The University Of Washington Immobilized biomolecules and method of making same
JPS6334108A (ja) 1986-07-30 1988-02-13 Hitachi Ltd 光デイスク用基板の製造方法および装置
US4787963A (en) 1987-05-04 1988-11-29 Syntro Corporation Method and means for annealing complementary nucleic acid molecules at an accelerated rate
US5244799A (en) 1987-05-20 1993-09-14 Anderson David M Preparation of a polymeric hydrogel containing micropores and macropores for use as a cell culture substrate
US5238613A (en) 1987-05-20 1993-08-24 Anderson David M Microporous materials
FR2617172B1 (fr) 1987-06-25 1993-07-02 Charbonnages Ste Chimique Preparation de microlatex inverses utilisables comme adjuvants de flottation et de drainage ainsi que pour l'absorption et la retention de fluides aqueux
JPH01163040A (ja) 1987-09-22 1989-06-27 Toyoda Gosei Co Ltd ポリ塩化ビニル積層品の製造方法
US6054270A (en) 1988-05-03 2000-04-25 Oxford Gene Technology Limited Analying polynucleotide sequences
US6306594B1 (en) * 1988-11-14 2001-10-23 I-Stat Corporation Methods for microdispensing patterened layers
US5200051A (en) * 1988-11-14 1993-04-06 I-Stat Corporation Wholly microfabricated biosensors and process for the manufacture and use thereof
US5212050A (en) * 1988-11-14 1993-05-18 Mier Randall M Method of forming a permselective layer
US5237016A (en) 1989-01-05 1993-08-17 Siska Diagnostics, Inc. End-attachment of oligonucleotides to polyacrylamide solid supports for capture and detection of nucleic acids
DE3909456A1 (de) 1989-03-22 1990-09-27 Roehm Gmbh Verbessertes verfahren zur herstellung immobilisierter antikoerper
JPH02292013A (ja) 1989-04-29 1990-12-03 Sogo Shika Iryo Kenkyusho:Kk 光重合型レジンの射出成形方法及び射出成形装置
US5026785A (en) 1989-05-12 1991-06-25 The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services Avidin and streptavidin modified water-soluble polymers such as polyacrylamide, and the use thereof in the construction of soluble multivalent macromolecular conjugates
US5143854A (en) 1989-06-07 1992-09-01 Affymax Technologies N.V. Large scale photolithographic solid phase synthesis of polypeptides and receptor binding screening thereof
US5491097A (en) * 1989-06-15 1996-02-13 Biocircuits Corporation Analyte detection with multilayered bioelectronic conductivity sensors
CA2028804C (en) 1989-11-21 2000-06-20 Howard J. Buttery Biomosaic polymers and method for preparing same
GB9006726D0 (en) 1990-03-26 1990-05-23 Ici Plc Micro-emulsions
US5147297A (en) 1990-05-07 1992-09-15 Alza Corporation Iontophoretic delivery device
US5164162A (en) 1990-05-21 1992-11-17 The Dow Chemical Company Mixing head with sleeved quieting chamber
JP2772443B2 (ja) * 1990-06-18 1998-07-02 シャープ株式会社 半導体パッケージの封止方法及び封止装置
DE69126064T2 (de) 1990-06-22 1997-08-28 Hoffmann La Roche Nachweis von schwachen Metabolisierungsreagentien von Drogen
US5527670A (en) 1990-09-12 1996-06-18 Scientific Generics Limited Electrochemical denaturation of double-stranded nucleic acid
AU1586692A (en) 1991-03-11 1992-10-06 Alza Corporation Iontophoretic delivery device and method of making same
JP2686682B2 (ja) 1991-10-16 1997-12-08 いすゞ自動車株式会社 成形品の製造方法
JP3168006B2 (ja) 1991-10-21 2001-05-21 コーネル・リサーチ・フアウンデーシヨン・インコーポレーテツド マクロ細孔ポリマー媒体が備わっているカラム
US6017696A (en) 1993-11-01 2000-01-25 Nanogen, Inc. Methods for electronic stringency control for molecular biological analysis and diagnostics
US5632957A (en) 1993-11-01 1997-05-27 Nanogen Molecular biological diagnostic systems including electrodes
US5605662A (en) * 1993-11-01 1997-02-25 Nanogen, Inc. Active programmable electronic devices for molecular biological analysis and diagnostics
US6051380A (en) * 1993-11-01 2000-04-18 Nanogen, Inc. Methods and procedures for molecular biological analysis and diagnostics
US5849486A (en) 1993-11-01 1998-12-15 Nanogen, Inc. Methods for hybridization analysis utilizing electrically controlled hybridization
US6048690A (en) 1991-11-07 2000-04-11 Nanogen, Inc. Methods for electronic fluorescent perturbation for analysis and electronic perturbation catalysis for synthesis
US5846708A (en) 1991-11-19 1998-12-08 Massachusetts Institiute Of Technology Optical and electrical methods and apparatus for molecule detection
US5667667A (en) 1992-04-24 1997-09-16 Isis Innovation Limited Electrochemical treatment of surfaces
AU672638B2 (en) 1992-10-01 1996-10-10 Ambri Limited Improved sensor membranes
JPH06174680A (ja) * 1992-12-03 1994-06-24 Seiko Epson Corp グルコース測定装置
FR2702067B1 (fr) 1993-02-23 1995-04-14 Schlumberger Ind Sa Procédé et dispositif de fabrication de cartes à mémoire.
US5460872A (en) 1993-03-26 1995-10-24 W. L. Gore & Associates, Inc. Process for coating microporous substrates and products therefrom
US6306348B1 (en) 1993-11-01 2001-10-23 Nanogen, Inc. Inorganic permeation layer for micro-electric device
US5824473A (en) 1993-12-10 1998-10-20 California Institute Of Technology Nucleic acid mediated electron transfer
US5744627A (en) 1994-01-28 1998-04-28 Prolinx, Inc. Boronic compound complexing reagents and complexes
US5777148A (en) 1994-01-28 1998-07-07 Prolinx, Inc. Boronic compound complexing reagents and highly stable complexes
US5670557A (en) 1994-01-28 1997-09-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Polymerized microemulsion pressure sensitive adhesive compositions and methods of preparing and using same
JP3640996B2 (ja) 1994-01-28 2005-04-20 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー 高分子複合材料
DE4421901A1 (de) 1994-06-23 1996-01-04 Bayer Ag Ein DNA-Schnelltest zum Nachweis von chinolonresistenten Staphylococcus aureus Erregern in klinischem Probenmaterial
JP3093943B2 (ja) 1994-12-08 2000-10-03 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
DE69630829T2 (de) 1995-02-02 2004-09-23 Teijin Ltd. Transparentes leitfähiges Flächenmaterial
US6673533B1 (en) * 1995-03-10 2004-01-06 Meso Scale Technologies, Llc. Multi-array multi-specific electrochemiluminescence testing
BR9607193B1 (pt) * 1995-03-10 2009-01-13 teste de eletroquimioluscÊncia multi-especÍfico de méltiplos conjuntos.
US5624711A (en) 1995-04-27 1997-04-29 Affymax Technologies, N.V. Derivatization of solid supports and methods for oligomer synthesis
US5534132A (en) 1995-05-04 1996-07-09 Vreeke; Mark Electrode and method for the detection of an affinity reaction
US6099783A (en) 1995-06-06 2000-08-08 Board Of Trustees Operating Michigan State University Photopolymerizable compositions for encapsulating microelectronic devices
US5763503A (en) * 1995-06-07 1998-06-09 Esschem, Inc. Radiation-curable, moldable material, methods for curing it and molded articles obtained therefrom
US5889104A (en) 1996-01-11 1999-03-30 W. L. Gore & Associates, Inc. Low dielectric constant material for use as an insulation element in an electronic device
US6121489A (en) 1996-03-05 2000-09-19 Trega Biosciences, Inc. Selectively N-alkylated peptidomimetic combinatorial libraries and compounds therein
US5929523A (en) * 1996-03-07 1999-07-27 3C Semiconductor Corporation Os rectifying Schottky and ohmic junction and W/WC/TiC ohmic contacts on SiC
DE19621795A1 (de) * 1996-05-30 1997-12-04 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen
ZA975891B (en) 1996-07-05 1998-07-23 Combimatrix Corp Electrochemical solid phase synthesis of polymers
US6039897A (en) 1996-08-28 2000-03-21 University Of Washington Multiple patterned structures on a single substrate fabricated by elastomeric micro-molding techniques
WO1998026277A2 (en) * 1996-12-12 1998-06-18 Prolume, Ltd. Apparatus and method for detecting and identifying infectious agents
US6458584B1 (en) 1996-12-23 2002-10-01 University Of Chicago Customized oligonucleotide microchips that convert multiple genetic information to simple patterns, are portable and reusable
JPH10214521A (ja) 1997-01-31 1998-08-11 Tokai Kogyo Kk 多層導電材配設構造、多層導電材装置及びその製造方法
US6143412A (en) 1997-02-10 2000-11-07 President And Fellows Of Harvard College Fabrication of carbon microstructures
JP3161362B2 (ja) 1997-05-01 2001-04-25 富士ゼロックス株式会社 微小構造体、その製造方法、その製造装置、基板および成形型
US6099805A (en) 1997-07-09 2000-08-08 Trw Inc. Singlet-delta oxygen generator
US5981734A (en) 1997-07-17 1999-11-09 University Of Chicago Methods for immobilizing nucleic acids on a gel substrate
US6121027A (en) 1997-08-15 2000-09-19 Surmodics, Inc. Polybifunctional reagent having a polymeric backbone and photoreactive moieties and bioactive groups
US6093302A (en) * 1998-01-05 2000-07-25 Combimatrix Corporation Electrochemical solid phase synthesis
US6112908A (en) * 1998-02-11 2000-09-05 Rentiers Machinery Pty, Ltd. Membrane laminates and methods for their preparation
US6290839B1 (en) 1998-06-23 2001-09-18 Clinical Micro Sensors, Inc. Systems for electrophoretic transport and detection of analytes
US6197145B1 (en) 1998-08-17 2001-03-06 Ford Motor Company Method of laminating a flexible circuit to a substrate
TWI230186B (en) 1998-10-19 2005-04-01 Toto Ltd Antifouling material and process for producing the same, and coating composition for said material
US6197881B1 (en) 1999-08-18 2001-03-06 Biopixel Ltd. Electrically conductive copolymers and their preparation
US6451191B1 (en) * 1999-11-18 2002-09-17 3M Innovative Properties Company Film based addressable programmable electronic matrix articles and methods of manufacturing and using the same
US6303082B1 (en) * 1999-12-15 2001-10-16 Nanogen, Inc. Permeation layer attachment chemistry and method
US6524517B1 (en) 1999-12-15 2003-02-25 Nanogen, Inc. Methods for molding and grafting highly uniform polymer layers onto electronic microchips
US6491061B1 (en) 2000-02-25 2002-12-10 University Of New Mexico Stimuli responsive hybrid materials containing molecular actuators and their applications
US6631085B2 (en) * 2000-04-28 2003-10-07 Matrix Semiconductor, Inc. Three-dimensional memory array incorporating serial chain diode stack
JP2004506409A (ja) * 2000-05-04 2004-03-04 シンジェンタ・パティシペーションズ・アクチェンゲゼルシャフト 核酸分析のための新規アッセイ
JP3709919B2 (ja) * 2000-08-01 2005-10-26 日本電気株式会社 液体試料中の成分の測定装置
US6824974B2 (en) * 2001-06-11 2004-11-30 Genorx, Inc. Electronic detection of biological molecules using thin layers
US6444318B1 (en) * 2001-07-17 2002-09-03 Surmodics, Inc. Self assembling monolayer compositions
US6960298B2 (en) * 2001-12-10 2005-11-01 Nanogen, Inc. Mesoporous permeation layers for use on active electronic matrix devices
US6841379B2 (en) * 2002-05-15 2005-01-11 Beckman Coulter, Inc. Conductive microplate
US20040105881A1 (en) * 2002-10-11 2004-06-03 Gregor Cevc Aggregates with increased deformability, comprising at least three amphipats, for improved transport through semi-permeable barriers and for the non-invasive drug application in vivo, especially through the skin

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100581391B1 (ko) * 2005-03-22 2006-05-22 이화여자대학교 산학협력단 작용기를 지닌 실리콘 산화물 나노튜브의 제조방법 및디바이스에의 응용

Also Published As

Publication number Publication date
EP1240512B1 (en) 2007-06-27
US6838053B2 (en) 2005-01-04
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EP1240512A2 (en) 2002-09-18
US6303082B1 (en) 2001-10-16
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CA2394934A1 (en) 2001-06-21

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