KR20030011718A - 전자 장치, 전기 광학 장치 및 전자 기기 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전류 구동에 의한 전기 광학 소자의 구동 제어를 보다 고정밀도로 행하고 또한 구성 소자 수의 저감을 도모하기 위한 것이다. 구동 전원(Vx)과 드라이버(4a) 사이에 화소 회로(10)가 접속된 데이터선의, 구동 전원(Vx)과 화소 회로(10) 사이에 다이오드 접속된 트랜지스터로 이루어지는 변환 트랜지스터(12)를 삽입한다. 이 변환 트랜지스터(12)를 각 화소 회로(10)에서 공통의 트랜지스터로서 이용하고, 각 화소 회로를 상기 변환 트랜지스터(12)와 커런트 미러 회로를 구성하는 구동용 트랜지스터와, 주사 드라이버(4)에 의해 구동되어 상기 변환 트랜지스터(12)와 구동용 트랜지스터와의 접속을 온오프하는 제어용 트랜지스터와, 제어용 트랜지스터에 의해 구동용 트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압을 유지하는 용량 소자로 구성하고, 구동용 트랜지스터에 의해 용량 소자의 유지 전압에 따른 전류를 유기 일렉트로루미네선스 소자에 공급한다.

Description

전자 장치, 전기 광학 장치 및 전자 기기{ELECTRONIC APPARATUS, ELECTRIC OPTICAL APPARATUS AND ELECTRONIC EQUIPMENT}
본 발명은 전류에 의해 구동되는 전류 구동 소자를 구비한 전자 장치, 전자 광학 장치 및 전자 기기에 관한 것이다.
최근, 액정을 사용한 표시 장치(이하, 디스플레이라 함)는 박형 표시 장치로서 보급되고 있다. 이러한 타입의 디스플레이는 CRT의 디스플레이에 비해서 저 소비전력이며 공간이 절약된다. 따라서, 이와 같은 디스플레이의 이점을 살려서 보다 저 소비전력이며 보다 공간 절약형의 디스플레이를 제조하는 것이 중요시된다.
또한, 이와 같은 디스플레이의 표시 장치에 액정이 아닌 전류 구동형 발광 소자를 사용하여 표시를 행하는 것이 있다. 이 전류 구동형 발광 소자는 액정과는 달리 전류가 공급되는 것에 의해 발광하는 자발광소자이기 때문에, 백라이트가 불필요해서 저 소비전력이라는 시장의 요구에 대응할 수 있다. 더 높은 시야각, 높은 콘트라스트비 등의 면에서 우수한 표시 성능을 갖고 있다. 이와 같은 전류 구동형 발광 소자 중에서도 일렉트로루미네선스 소자(Electroluminescent devices)는 대면적화, 고정밀화, 풀 컬러화 등을 도모할 수 있기 때문에, 디스플레이에는 특히 적합하다.
이 일렉트로루미네선스 소자 중에서도, 유기 일렉트로루미네선스 소자(Organic Electroluminescent devices)는 높은 양자 효율 때문에 주목되고 있다.
이와 같은 유기 일렉트로루미네선스 소자를 사용하여 표시를 행하는 표시 장치로서는, 예를 들면 도 21에 나타낸 바와 같은 표시 장치가 제안되어 있다. 즉, 이 표시 장치는 데이터선 X와 주사선 Y와의 교점에 대응하여 화소 회로가 배치되고, 데이터 드라이버(51)에 의해 데이터선을 구동하고, 주사 드라이버(52)에 의해 주사선 Y를 구동하도록 되어 있다.
상기 화소 회로(55)는 도 22에 나타낸 바와 같이, 예를 들면, 2개의 트랜지스터(61, 62)와, 데이터 유지용의 용량 소자(63)와, 유기 일렉트로루미네선스 소자(64)로 구성되어 있다. 그리고, 주사건 Y에 의해 트랜지스터(61)의 스위칭 동작을 행하여 데이터선 X로부터 공급된 데이터 신호를 전하로서 용량 소자(63)에 유지하고, 이 용량 소자(63)에서 유지된 전하에 의해 트랜지스터(62)가 통전 상태로 되고, 데이터 신호에 대응하는 전류량이 유기 일렉트로루미네선스 소자(64)에 공급되어, 유기 일렉트로루미네선스 소자(64)가 발광한다.
그런데, 예를 들면, 유기 일렉트로루미네선스 소자 등과 같이 전류 구동형 소자는 전압보다도 전류로 제어하는 것이 보다 용이하다. 이것은 유기 일렉트로루미네선스 소자는 전류량에 대하여 휘도가 결정되므로, 데이터 신호로서 전류를 이용하는 편이 제어가 정확하기 때문이다.
그래서, 본 발명의 중요한 목적중 하나는, 데이터 신호에 대한 전류량을 데이터선 또는 통전선(通電線)에 출력함으로써, 전류 구동 소자를 흐르는 전류량이 결정되는 전자 장치, 전기 광학 장치 및 전자 기기를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명을 적용한 표시 장치의 개략 구성을 나타내는 블록도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에서의 표시 장치의 요부의 개략 구성을 나타내는 블록도.
도 3은 제 1 실시형태에서의 화소 회로의 일례를 나타내는 회로도.
도 4는 제 2 실시형태에서의 표시 장치의 요부의 개략 구성을 나타내는 블록도.
도 5는 제 3 실시형태에서의 표시 장치의 요부의 개략 구성을 나타내는 블록도.
도 6은 제 3 실시형태에서의 화소 회로의 일례를 나타내는 회로도.
도 7은 제 4 실시형태에서의 표시 장치의 요부의 개략 구성을 나타내는 블록도.
도 8은 제 5 실시형태에서의 표시 장치의 요부의 개략 구성을 나타내는 블록도.
도 9는 제 5 실시형태의 동작 설명을 위한 회로도.
도 10은 제 5 실시형태의 동작 설명을 위한 설명도.
도 11은 제 6 실시형태에서의 표시 장치의 요부의 개략 구성을 나타내는 블록도.
도 12는 제 7 실시형태에서의 표시 장치의 요부의 개략 구성을 나타내는 블록도.
도 13은 제 7 실시형태의 동작 설명을 위한 회로도.
도 14는 제 7 실시형태의 동작 설명을 위한 설명도.
도 15는 제 8 실시형태에서의 표시 장치의 요부의 개략 구성을 나타내는 블록도.
도 16은 제 9 실시형태에서의 표시 장치의 요부의 개략 구성을 나타내는 블록도.
도 17은 본 발명에 따른 전기 광학 장치를 적용한 자기 저항 RAM의 개략 구성을 나타내는 구성도.
도 18은 본 발명에 따른 전기 광학 장치를 적용한 전자 기기의 일례로서의 퍼스널 컴퓨터의 구성을 나타내는 사시도.
도 19는 본 발명에 따른 전기 광학 장치를 적용한 전자 기기의 일례로서의 휴대 전화의 구성을 나타내는 사시도.
도 20은 본 발명에 따른 전기 광학 장치를 적용한 전자 기기의 일례로서의 디지털 스틸 카메라의 배면측의 구성을 나타내는 사시도.
도 21은 종래의 표시 장치의 일례를 나타내는 블록도.
도 22는 종래의 화소 회로의 일례를 나타내는 회로도.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ※
1: 컨트롤러
2, 2A, 2B, 2C, 2D: 화소 영역
3: 주사 드라이버
4: 데이터 드라이버
4a: 드라이버
5, 5A, 5B, 5C: 전류 전압 변환 회로
10, 10A: 화소 회로
12: 변환 트랜지스터
13: 저항
14: 유기 일렉트로루미네선스 소자
상기 목표를 달성하기 위해, 본 발명의 제 1 전자 장치는, 통전선과, 상기 통전선에 접속된 복수의 단위 회로와, 상기 통전선에 접속되고, 또한 상기 통전선에 흐르는 전류의 전류량에 기초하여 게이트 전압이 설정되는 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 한다. 이러한 전자 장치의 예로서, 예를 들면, MRAM(Magnetoresistive RAM) 셀, 유기 일렉트로루미네선스 소자, 또는 레이저 다이오드를 구비한 전자 장치를 들 수 있다.
또한, 제 2 전자 장치는, 청구항 1에 기재된 전자 장치에 있어서, 상기 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 트랜지스터의 소스단(端) 또는 드레인단과 접속되어있는 것을 특징으로 한다. 본 명세서를 통하여 「상기 트랜지스터의 게이트 전극과 소스단 또는 드레인단이 접속되어 있는」이라 함은, 소스단 또는 드레인단과 게이트 전극과의 사이에 트랜지스터, 다이오드 등의 저항 소자 등이 접속되어 있는 경우를 포함한다.
본 발명의 제 1 및 제 2 전자 장치에서는, 통전선에 접속된 트랜지스터의 게이트 전압은 이 통전선에 흐르는 전류량에 기초하여 설정되는 것으로 된다.
또한, 본 발명의 제 3 전자 장치는, 통전선과, 상기 통전선에 접속된 복수의 단위 회로와, 상기 통전선에 접속되고, 또한 상기 통전선에 흐르는 전류의 전류량에 기초하여 게이트 전압이 설정되는 제 1 트랜지스터를 구비한 전자 장치로서, 상기 단위 회로는 상기 제 1 트랜지스터와 커런트 미러를 구성하는 제 2 트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 4 전자 장치는, 청구항 3에 기재된 전자 장치에 있어서, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제 1 트랜지스터의 소스단 또는 드레인단과 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 3 및 제 4 전자 장치에서는, 통전선에 접속된 제 1 트랜지스터의 게이트 전극은 이 통전선에 흐르는 통전량에 기초하여 설정되고, 제 1 트랜지스터의 게이트 전극 전압에 기초하여 제 2 트랜지스터에 흐르는 전류량이 설정된다.
본 발명의 제 5 전자 장치는, 통전선과, 상기 통전선에 접속된 복수의 단위 회로와, 상기 통전선에 접속되고, 또한 상기 통전선에 흐르는 전류의 전류량에 기초하여 게이트 전압이 설정되는 제 1 트랜지스터를 구비한 전자 장치로서, 상기 단위 회로는 그 도전형이 p형이고, 상기 제 1 트랜지스터와 커런트 미러를 구성하는 제 2 트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 제 2 트랜지스터에 전자 소자를 접속한 전자 디바이스를 형성할 때, 그 전자 디바이스의 특성에 기초하여 이러한 전자 장치를 용이하게 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 6 전자 장치는, 청구항 5에 기재된 전자 장치에 있어서, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제 1 트랜지스터의 소스단 또는 드레인단과 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 7 전자 장치는, 통전선과, 상기 통전선에 접속된 복수의 단위 회로와, 상기 통전선에 접속되고, 또한 상기 통전선에 흐르는 전류의 전류량에 기초하여 게이트 전압이 설정되는 제 1 트랜지스터를 구비한 전자 장치로서, 상기 단위 회로는 상기 제 1 트랜지스터와 커런트 미러를 구성하는 제 2 트랜지스터를 갖고, 상기 제 2 트랜지스터는 그 이득계수를 상기 통전선에 흐르는 전류의 전류량보다 큰 전류량을 생성하도록 설정한 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 제 2 트랜지스터에서 생성되는 전류의 전류량을 통전선에 흐르는 전류의 전류량보다 크게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 8 전자 장치는, 통전선과, 상기 통전선에 접속된 복수의 단위 회로와, 상기 통전선에 접속되고, 또한 상기 통전선에 흐르는 전류의 전류량에 기초하여 게이트 전압이 설정되는 제 1 트랜지스터를 구비한 전자 장치로서, 상기 단위 회로는 상기 제 1 트랜지스터와 커런트 미러를 구성하는 제 2 트랜지스터를 갖고, 상기 제 2 트랜지스터는 그 이득계수를 상기 통전선에 흐르는 전류의 전류량보다 작은 전류량을 생성하도록 설정한 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 제 2 트랜지스터에서 생성되는 전류의 전류량을 보다 작게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 9 전자 장치는, 청구항 7 또는 8에 기재된 전자 장치에 있어서, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제 1 트랜지스터의 소스단 또는 드레인단과 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 1 전기 광학 장치는, 데이터선과, 전기 광학 소자를 갖고, 또한 상기 데이터선에 접속되는 복수의 단위 회로와, 상기 데이터선에 접속되고, 또한 상기 데이터선에 흐르는 전류의 전류량에 의해 게이트 전압이 설정되는 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 2 전기 광학 장치는, 청구항 10에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 주사전을 더 구비하고, 상기 복수의 단위 회로의 각각은 상기 전기 광학 소자에 전기적으로 접속된 구동 트랜지스터와, 게이트 전극이 상기 주사선에 접속된 스위칭 트랜지스터를 갖고, 상기 데이터선을 개재하여 데이터 신호가 상기 복수의 단위 회로에 공급되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 3 전기 광학 장치는, 청구항 11에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터의 소스단 또는 드레인단은 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 4 전기 광학 장치는, 청구항 11 또는 12에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 데이터 신호는 디지털 아날로그 변환 회로에서 생성된 아날로그량을 갖는 전류인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 5 전기 광학 장치는, 청구항 11 또는 12에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 트랜지스터와 상기 구동 트랜지스터는 커런트 미러를 구성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 6 전기 광학 장치는, 청구항 13에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 데이터선에 접속되는 제 1 전원의 전압치와, 상기 전기 광학 소자와 상기 구동 트랜지스터를 개재하여 접속되는 제 2 전원의 전압치는 소정의 비율로 되도록 설정되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 7 전기 광학 장치는, 청구항 13에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 트랜지스터는 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 데이터선과의 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 8 전기 광학 장치는, 청구항 13에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 트랜지스터와의 사이에 상기 데이터선이 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 9 전기 광학 장치는, 청구항 16에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 트랜지스터와 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 데이터선은 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 10 전기 광학 장치는, 청구항 16에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 데이터선과 상기 디지털 아날로그 변환 회로는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 11 전기 광학 장치는, 청구항 16에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 데이터선과 상기 트랜지스터는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 12 전기 광학 장치는, 청구항 16에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 트랜지스터는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명의 제 18 내지 제 21 전기 광학 장치에 있어서, 「기판」의 예로는, 유리 기판, 석영 기판 또는 실리콘 기판 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 제 13 전기 광학 장치는, 청구항 11 또는 12에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 트랜지스터와 상기 단위 회로에 포함되는 트랜지스터는 박막 트랜지스터로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명의 제 13 전기 광학 장치에서는, 상기 단위 회로에 포함되는 트랜지스터가 박막 트랜지스터인 경우에는, 유리 기판 상에, 상기 트랜지스터와 상기 단위 회로에 포함되는 트랜지스터인 박막 트랜지스터를 일체로 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 14 전기 광학 장치는, 청구항 10 내지 12 중 어느 하나에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 트랜지스터는 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다. 박막 트랜지스터에 비해서, 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터는 그 트랜지스터 특성의 제어가 용이하고, 트랜지스터 특성의 변화를 저감할 수 있다. 상기 트랜지스터가 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터이고, 상기 단위 회로가 박막 트랜지스터로 구성되어 있는 경우에는, 외부 부착의 데이터선 IC 드라이버 내에 배치하는 것이 가능하지만, 상기 트랜지스터를 웨이퍼상에서 제조하여, 상기 트랜지스터를 상기 단위 회로를 배치하는 기판 상에 재배치하는 것도 가능하다.
또한, 구동 트랜지스터는 전기 광학 소자에 전기적으로 접속되면 좋고, 예를 들면, 이들 사이에 다른 트랜지스터가 접속되어도 좋다.
또한, 본 발명의 제 15 전기 광학 장치는, 청구항 10 내지 12 중 어느 하나에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 전기 광학 소자에 공급되는 전류량을 설정하기 위한 상기 데이터선을 흐르는 전류량은 상기 전기 광학 소자에 공급되는 전류량 이상인 것을 특징으로 한다.
전기 광학 소자에 공급하기 위한 전류량이 낮은 경우, 이에 대응하는 전류를 데이터선에 출력하여 상기 트랜지스터의 게이트 전극에 설정하기 위해 시간을 필요로 하지만, 전기 광학 소자에 공급하는 전류량 이상의 전류량을 데이터선에 흘림으로써, 상기 트랜지스터의 게이트 전압을 설정하는 시간을 빠르게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 16 전기 광학 장치는, 청구항 10 내지 12 중 어느 하나에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 전기 광학 소자에 공급되는 전류량을 설정하기 위한 상기 데이터선을 흐르는 전류량은 상기 전기 광학 소자에 공급되는 전류량 이하인 것을 특징으로 한다.
상기 전기 광학 소자에 공급되는 전류량을 설정하기 위해, 상기 데이터선에 출력하는 전류량을 상기 전기 광학 소자에 공급되는 전류량 이하로 설정함으로써, 소비 전력을 저감할 수 있다.
본 발명의 제 17 전기 광학 장치는, 데이터선과, 상기 데이터선과 접속되고,상기 데이터선에 흐르는 데이터 신호의 전류량에 의해 게이트 전압이 설정되는 변환 트랜지스터와, 전기 광학 소자와, 상기 전기 광학 소자와 전기적으로 접속되고, 또한 그 도전형이 p형인 구동 트랜지스터를 갖는 단위 회로를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 17 전기 광학 장치에서는, 새로운 전원 추가를 하지 않고 변환 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 충분히 온시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 제 18 전기 광학 장치는, 주사선을 더 구비하고, 상기 각 단위 회로 각각은 게이트 전극이 상기 주사선에 접속된 스위칭 트랜지스터를 갖고, 상기 데이터선을 개재하여 데이터 신호가 상기 복수의 단위 회로에 공급되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 19 전기 광학 장치는, 청구항 26에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터의 소스단 또는 드레인단은 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 20 전기 광학 장치는, 청구항 27에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 데이터 신호는 디지털 아날로그 변환 회로에서 생성된 아날로그량을 갖는 전류인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 21 전기 광학 장치는, 청구항 26 내지 28 중 어느 하나에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 변환 트랜지스터와 상기 구동 트랜지스터는 커런트 미러를 구성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 22 전기 광학 장치는, 청구항 29에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 변환 트랜지스터는 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 데이터선과의 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 23 전기 광학 장치는, 청구항 29에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 변환 트랜지스터와의 사이에 상기 데이터선이 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 24에 기재된 전기 광학 장치는, 청구항 29에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 변환 트랜지스터와 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 데이터선은 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 25 전기 광학 장치는, 청구항 32에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 상기 데이터선과 상기 디지털 아날로그 변환 회로는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 26 전기 광학 장치는, 청구항 31에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 데이터선과 상기 변환 트랜지스터는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 27 전기 광학 장치는, 청구항 31에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 변환 트랜지스터는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명의 제 24 내지 제 27 전기 광학 장치에 있어서, 「기판」의 예로서는, 유리 기판, 석영 기판 또는 실리콘 기판 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 제 28 전기 광학 장치는, 청구항 27 또는 28에 기재된 전기광학 장치에 있어서, 상기 변환 트랜지스터와 상기 단위 회로에 포함되는 상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터는 박막 트랜지스터로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 29 전기 광학 장치는, 청구항 26 내지 36 중 어느 하나에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 변환 트랜지스터는 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다. 박막 트랜지스터에 비해서 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터는 그 트랜지스터 특성의 제어가 용이하고, 트랜지스터 특성의 변화를 저감할 수 있다. 상기 변환 트랜지스터가 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터이고, 상기 단위 회로가 박막 트랜지스터로 구성된 경우, 외부의 데이터선 IC 드라이버 내에 배치할 수 있지만, 상기 변환 트랜지스터를 웨이퍼 상에서 제조하여, 상기 변환 트랜지스터를 상기 단위 회로를 배치하는 기판 상에 재배치하는 것도 가능하다.
또한, 구동 트랜지스터는 전기 광학 소자에 전기적으로 접속되어 있으면 좋고, 예를 들면, 이들 사이에 다른 트랜지스터가 접속되어도 좋다.
본 발명의 제 30 전기 광학 장치는, 데이터선과, 상기 데이터선과 접속되고, 상기 데이터선에 흐르는 데이터 신호의 전류량에 의해 게이트 전압이 설정되는 변환 트랜지스터와, 상기 변환 트랜지스터와 커런트 미러 회로를 구성하고, 상기 데이터선에 흐르는 데이터 신호의 전류량에 의해 큰 전류량을 생성하도록 그 이득계수가 설정된 구동 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터와 전기적으로 접속된 전기 광학 소자를 갖는 단위 회로를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 30 전기 광학 장치에서는, 전기 광학 소자에 공급하기 위한 전류량이 낮은 경우, 이것에 대응하는 전류를 데이터선에 출력하여 상기 변환 트랜지스터의 게이트 전압을 설정하기 위해 시간을 필요로 하지만, 전기 광학 소자에 공급하는 전류량 이상의 전류량을 데이터선에 흘림으로써, 상기 변환 트랜지스터의 게이트 전압을 설정하는 시간을 빠르게 할 수 있다.
본 발명의 제 31 전기 광학 장치는, 데이터선과, 상기 데이터선과 접속되고, 상기 데이터선에 흐르는 데이터 신호의 전류량에 의해서 게이트 전압이 설정되는 변환 트랜지스터와, 상기 변환 트랜지스터와 커런트 미러 회로를 구성하고, 상기 데이터선에 흐르는 데이터 신호의 전류량에 의해 작은 전류량을 생성하도록 그 이득계수가 설정된 구동 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터와 전기적으로 접속된 전기 광학 소자를 갖는 단위 회로를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 31 전기 광학 장치에서는, 상기 전기 광학 소자에 공급되는 전류량을 설정하기 위해, 상기 데이터선에 출력하는 전류량을 상기 전기 광학 소자에 공급되는 전류량 이하로 함으로써 소비 전력을 저감할 수 있다.
본 발명의 제 32 전기 광학 장치는, 청구항 39 또는 40에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 주사선을 더 구비하고, 상기 복수의 단위 회로의 각각은 게이트 전극이 상기 주사선에 접속된 스위칭 트랜지스터를 갖고, 상기 데이터선을 개재하여 데이터 신호가 상기 복수의 단위 회로에 공급되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 33 전기 광학 장치는, 청구항 41에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터의 소스단 또는 드레인단은 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 34 전기 광학 장치는, 청구항 39 또는 40에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 데이터 신호는 디지털 아날로그 변환 회로에서 생성된 아날로그량을 갖는 전류인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 35 전기 광학 장치는, 청구항 39 또는 40에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 변환 트랜지스터와 상기 구동 트랜지스터는 커런트 미러를 구성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 36 전기 광학 장치는, 청구항 43에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 변환 트랜지스터는 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 데이터선 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 37 전기 광학 장치는, 청구항 43에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 변환 트랜지스터와의 사이에 상기 데이터선이 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 38 전기 광학 장치는, 청구항 43에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 변환 트랜지스터와 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 데이터선은 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 39 전기 광학 장치는, 청구항 46에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 데이터선과 상기 디지털 아날로그 변환 회로는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 40 전기 광학 장치는, 청구항 45에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 데이터선과 상기 변환 트랜지스터는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 41 전기 광학 장치는, 청구항 45에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 변환 트랜지스터는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 42 전기 광학 장치는, 청구항 41에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 변환 트랜지스터와 상기 단위 회로에 포함되는 상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터는 박막 트랜지스터로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 43 전기 광학 장치는, 청구항 39에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 변환 트랜지스터는 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 44 전기 광학 장치는, 데이터 신호를 공급하는 복수의 데이터선과, 상기 데이터 신호의 전류량에 대하여 그 구동 범위가 다른 전기 광학 소자를 각각 구비한 복수의 단위 회로를 구비한 전기 광학 장치에 있어서, 상기 데이터선에 접속되고, 상기 전기 광학 소자의 구동 범위에 따른 이득계수를 갖는 변환 트랜지스터와, 상기 단위 회로의 각각에 설치되어, 상기 변환 트랜지스터와 커런트 미러를 구성하는 구동 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 한다. 전기 광학 장치의 회로 구성을 구동 범위가 다른 전기 광학 소자의 특성에 맞춰서 형성할 필요가 없고, 모두 같은 특성의 회로로 구성할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 45 전기 광학 장치는, 청구항 53에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 전기 광학 장치는 각각 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 유기 재료로 형성된 발광층을 갖는 유기 일렉트로루미네선스 소자인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 46 전기 광학 장치는, 청구항 53 또는 54에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 주사선을 더 구비하고, 상기 복수의 단위 회로 각각은 게이트 전극이 상기 주사선에 접속되어 있던 스위칭 트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 47 전기 광학 장치는, 청구항 53 또는 54에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 데이터 신호는 디지털 아날로그 변환 회로에서 생성된 아날로그량을 갖는 전류인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 48 전기 광학 장치는, 청구항 53 또는 54에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 변환 트랜지스터는 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 데이터선과의 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 49 전기 광학 장치는, 청구항 53 또는 54에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 변환 트랜지스터와의 사이에 상기 데이터선이 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 50 전기 광학 장치는, 청구항 53 내지 54에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 변환 트랜지스터와 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 데이터선은 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 51 전기 광학 장치는, 청구항 56에 기재된 전기 광학 장치에있어서, 상기 데이터선과 상기 디지털 아날로그 변환 회로는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 52 전기 광학 장치는, 청구항 56에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 데이터선과 상기 변환 트랜지스터는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 53 전기 광학 장치는, 청구항 56에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 변환 트랜지스터는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 54 전기 광학 장치는, 청구항 55에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 변환 트랜지스터와 상기 단위 회로에 포함되는 상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터는 박막 트랜지스터로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 55 전기 광학 장치는, 청구항 53 또는 54에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 변환 트랜지스터는 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 56 전기 광학 장치는, 청구항 10, 11, 12, 26, 27, 28. 39, 40, 53 중 어느 하나에 기재된 전기 광학 장치에 있어서, 상기 전기 광학 소자는 유기 일렉트로루미네선스 소자인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 전자 기기는 청구항 10, 11, 12, 26, 27, 28. 39, 40, 53, 54 중 어느 하나에 기재된 전기 광학 장치를 표시부로서 이용한 것을 특징으로 한다.
(발명의 실시형태)
이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 기초하여 설명한다.
우선, 제 1 실시형태를 설명한다.
도 1은 제 1 실시형태에서의 전기 광학 장치를 적용한 표시 장치의 개략 구성을 나타낸 블록도이다. 이 표시 장치는 디스플레이에 표시하는 데이터나, 표시에 관한 데이터를 생성하는 컨트롤러(1)를 갖고, 이 컨트롤러(1)는 표시 패널(2)에 포함되는 트랜지스터의 게이트 전극에 접속된 주사선을 구동하는 주사 드라이버(3)와, 표시 패널(2)에 포함되는 트랜지스터의 소스 또는 드레인에 접속된 데이터선을 구동하는 데이터 드라이버(4)를 제어한다.
컨트롤러(1)는 또한 주사선과 데이터선의 구동 타이밍의 타이밍 제어를 행한다.
표시 패널(2)은 도 2에 나타낸 바와 같이, 주사 드라이버(3)에 의해 구동되는 복수의 주사선(Yn)과, 데이터 드라이버(4)에 의해 구동되는 복수의 데이터선(Xm)이 직교하여 배선되고, 이들 교점에 대응하여 화소 회로(10)가 설치되어 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 각 데이터선(Xm)을 구동하는 드라이버(4a)와는 반대측의 단부에 전원(Vx)이 배치되고, 전원(Vx)과 데이터선(Xm) 사이에 변환 트랜지스터(12)가 접속되어 있다. 변환 트랜지스터(12)는 다이오드 접속된 P형 트랜지스터이다. 변환 트랜지스터(12)의 게이트 전압은 드라이버(4a)를 통하여 데이터 신호에 따라서 데이터선(Xm)으로 출력된 전류량에 기초하여 설정된다.
그리고, 상기 화소 회로(10)는 도 3에 나타낸 바와 같이, 전기 광학 소자로서의 유기 일렉트로루미네선스 소자(14)와, 유기 일렉트로루미네선스 소자(14)를 구동하기 위한 구동용 트랜지스터(Tr1)와, 상기 구동용 트랜지스터(Tr1)를 구동하기 위한 제어용 트랜지스터(Tr2)와, 데이터선(Xm)의 데이터를 유지하기 위한 용량 소자(C)로 구성되어 있다.
본 실시형태에서는, 상기 각 트랜지스터(Tr1 및 Tr2), 및 변환 트랜지스터(12)는 TFT(박막 트랜지스터: Thin Film Transistor)이고, 이들 각 화소 회로(10), 데이터선(Xm), 주사선(Yn) 및 변환 트랜지스터(12)는 절연 기판 상에 일체로 형성되어 있다.
또한, 구동용 트랜지스터(Tr1)는 예를 들면 p채널형 트랜지스터이고, 구동용 트랜지스터(Tr1)의 일단에는 전원(Vdd)이 접속되고, 타단에는 유기 일렉트로루미네선스 소자(14)가 접속되며, 유기 일렉트로루미네선스 소자(14)의 타단은 접지 전위(Vss)에 접속되어 있다. 또한, 이 구동용 트랜지스터(Tr1)는 변환 트랜지스터(12)와 함께 커런트 미러를 구성하고 있다.
한편, 제어용 트랜지스터(Tr2)는 예를 들면 n채널형 트랜지스터로 구성되고, 그 일단은 데이터선(Xm)에 접속되고, 타단은 구동용 트랜지스터(Tr1)의 게이트 전극 및 용량 소자 C에 접속되어 있다. 또한, 제어용 트랜지스터(Tr2)의 게이트 전극은 주사선(Yn)과 접속되어 있다.
용량 소자(C)의 일단은 전원(Vc)에 접속되어 있다. 이 전원(Vc)은 예를 들면 구동 전원(Vdd)의 전위, 또는 접지 전위(Vss) 또는 임의의 전위로 설정된다.
이러한 구성으로 함으로써, 주사선 구동 신호에 의해 제어용 트랜지스터(Tr2)가 도통 상태로 되었을 때, 데이터선(Xm)의 전위에 따른 전하가 용량 소자(C)에 축적되고, 이 전하에 의해 구동용 트랜지스터(Tr1)가 도통 상태로 되고, 용량 소자(C)에 축적된 전하량에 따른 전류량이 유기 일렉트로루미네선스 소자(14)에 공급된다.
본 실시형태의 데이터선(Xm), 화소 회로(10), 변환 트랜지스터(12), 구동용 트랜지스터(Tr1), 제어용 트랜지스터(Tr2), 전원 Vx 및 전원 Vdd는 각각 특허청구범위에서의 통전선 및 데이터선, 단위 회로, 트랜지스터 또는 제 1 트랜지스터, 제 2 트랜지스터, 또는 구동 트랜지스터, 스위칭 트랜지스터, 제 1 전원, 및 제 2 전원에 대응하고 있다. 또한, 특허청구범위에서의 디지털-아날로그 변환 회로는 데이터 드라이버(4)에 포함되어 있다.
변환 트랜지스터(12)와 구동용 트랜지스터(Tr1)의 특성비 또는 전원(Vdd)의 전위 등을 임의로 설정함으로써, 데이터선(Xm)으로 출력되는 전류량을 제어할 수 있다. 즉, Vdd=Vx로 한 경우, 변환 트랜지스터(12)의 이득 계수를 구동용 트랜지스터 Tr1의 이득 계수보다 높게 설정하면, 데이터선(Xm)으로 출력하는 전류량을 높게 할 수 있기 때문에, 용량 소자 C에 고속으로 전하를 축적할 수 있다. 한편, 변환 트랜지스터(12)의 이득 계수를 구동용 트랜지스터(Tr1)의 이득 계수보다 낮게 설정하면, 데이터선(Xm)으로 출력하는 전류량을 낮게 할 수 있기 때문에, 소비 전력을 저감할 수 있다.
예를 들면, 구동용 트랜지스터(Tr1)의 변환 트랜지스터(12)에 대한 특성비가 화소 영역(2)에서 균일하면, 데이터선(Xm)으로 출력되는 전류량에 대하여 소정의 전류량이 유기 일렉트로루미네선스 소자(14)에 공급되게 된다. 그 결과, 면내 휘도를 균일하게 제어할 수 있고, 표시 품위를 향상시킬 수 있다.
또한, 변환 트랜지스터(12)는 동일 데이터선에 접속되는 각 화소 회로(10)에 대하여 공통이고, 각 화소 회로(10)의 구동용 트랜지스터 Tr1과 공통의 변환 트랜지스터(12)가 커런트 미러 회로를 이루고 있으므로, 각 화소 회로(10)마다 변환 트랜지스터(12)를 설치할 필요가 없고, 화소 회로(10)를 구성하는 소자수를 삭감할 수 있다.
또한, 상기 제 1 실시형태에서는 화소 회로(10)에서 제어용 트랜지스터 Tr2를, 그 도전형이 n형인 n채널형 트랜지스터로 구성한 경우에 대해서 설명했지만, 이것에 한정하지 않고, 그 도전형이 p형인 p채널형 트랜지스터로 구성해도 되는 것은 물론이다.
또한, 상기 제 1 실시형태에서, 변환 트랜지스터(12) 및 구동용 트랜지스터(Tr1)를 각각 p채널형 트랜지스터로 구성했다. 여기서, 변환 트랜지스터(12) 및 구동용 트랜지스터(Tr1)의 소스는 각각 전원(Vx), 전원(Vdd)에 접속되어 있다. 변환 트랜지스터(12) 및 구동용 트랜지스터(Tr1)의 임계치 전압이 동일하게 Vth일 때, 전원 Vx, 전원 Vdd의 전압치가 Vth 이상이면 변환 트랜지스터(12) 및 구동용 트랜지스터(Tr1)를 충분히 온시키기 위해서는 양 트랜지스터의 드레인이 취할 수 있는 전압치 이하로 게이트 전압을 설정하면 좋게 된다. 양 트랜지스터의 드레인이 취할 수 있는 전압치란 즉 접지 전위(Vss)이기 때문에, 양 트랜지스터의 게이트 전압에 Vss에 상당하는 전압치를 인가하면, 충분한 온 상태가 얻어지게 된다. 변환 트랜지스터(12) 및 구동용 트랜지스터(Tr1)를 n채널형 트랜지스터로 구성한 경우에는, 양 트랜지스터를 충분히 온하기 위해서는 게이트 전압으로서 Vx+Vth 및 Vdd+Vth를 인가할 필요가 있다. 이것은 새로운 전원의 추가를 의미하고, 표시 장치의 비용 증가를 초래한다.
또한, 상기 제 1 실시형태에서, 주사 드라이버(3) 및 데이터 드라이버(4)는 박막 트랜지스터 또는 실리콘 베이스 MOS 트랜지스터의 어느 것으로 구성되어 있어도 좋다. 주사 드라이버(3) 및 데이터 드라이버(4)가 박막 트랜지스터인 경우, 이들 드라이버를 유리 기판 등의 절연 기판 상에 일체로 형성할 수 있다. 주사 드라이버(3) 및 데이터 드라이버(4)가 실리콘 베이스 MOS 트랜지스터로 구성되어 있는 경우에는, 통상 이들 트랜지스터는 외장형 IC 드라이버로 되지만, 절연 기판 상에 이들 드라이버를 재배치할 수도 있다.
다음에, 본 발명의 제 2 실시형태를 설명한다.
이 제 2 실시형태는 상기 제 1 실시형태에서 화소 영역(2)의 구성이 다른 것 이외에는 상기 제 1 실시형태와 동일하므로, 동일 부분에는 동일 부호를 표기하여 그 상세한 설명은 생략한다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 변환 트랜지스터(12)가 각 데이터선 Xm의 데이터 드라이버(4) 측에 배치되어 있다.
그리고, 변환 트랜지스터(12)는 상기 제 1 실시형태와 마찬가지로 다이오드접속되고, 그 게이트 전극과 드레인 전극이 데이터선(Xm)에 접속되며, 소스 전극은 전원(VD)에 접속되어 있다.
데이터 드라이버(4)에 의해 각 데이터선(Xm)으로 출력된 전류량에 기초하여 변환 트랜지스터(12)의 게이트 전압이 설정된다. 이 게이트 전압에 기초하여 유기 일렉트로루미네선스 소자(14)에 공급되는 전류량이 결정된다. 제 2 실시형태의 경우도 상기 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
또한, 데이터 드라이버(4)는 박막 트랜지스터로 구성해도 좋지만, 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터로 구성해도 좋다. 변환 트랜지스터(12)는 박막 트랜지스터이어도 좋고, 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터이어도 좋다. 변환 트랜지스터(12)가 박막 트랜지스터인 경우에는, 변환 트랜지스터(12)와 데이터 드라이버(4)를 IC 드라이버로서 일체화하는 것도 가능하다. 변환 트랜지스터(12)가 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터인 경우에는, 변환 트랜지스터(12)마다의 트랜지스터 특성을 균일화할 수도 있으므로, 유기 일렉트로루미네선스 소자(14)에 공급하는 전류량을 보다 정밀하게 제어할 수 있다.
다음에 제 3 실시형태를 설명한다.
이 제 3 실시형태는 상기 제 1 실시형태에서 화소 영역(2)의 구성이 다른 것 이외에는 상기 제 1 실시형태와 동일하므로, 동일 부분에는 동일 부호를 표기하여 그 상세한 설명은 생략한다.
이 제 3 실시형태에서의 화소 영역(2B)은 도 5에 나타낸 바와 같이 전원(Vx) 측에 데이터 드라이버(4)가 설치되고, 데이터선(Xm)의 데이터 드라이버(4)와 반대측의 단부에 변환 트랜지스터(12)가 배치되어 있다. 이 변환 트랜지스터(12)는 n채널형 트랜지스터이다.
그리고, 제 3 실시형태에서의 화소 회로(10A)는 도 6에 나타낸 바와 같이 구성되어 있다. 즉, 제 3 실시형태에서의 구동용 트랜지스터(Tr1A)는 n채널형 트랜지스터로 구성되고, 전원(Vdd)과 구동용 트랜지스터(Tr1A) 사이에 유기 일렉트로루미네선스 소자(14)가 배치되어 있다. 그리고, 구동용 트랜지스터(Tr1A)의 게이트 전극과, 제어용 트랜지스터(Tr2)의 일단이 접속되어 있다.
또한, 이 경우도 전원 Vc는 전원 Vdd의 전위, 또는 접지 전위(Vss) 또는 임의의 전위로 설정되어 있다.
그리고, 데이터 드라이버(4)를 통하여 각 데이터선(Xm)으로 출력된, 데이터 신호에 따른 전류량에 기초하여, 변환 트랜지스터(12)의 게이트 전압이 설정된다. 그리고, 이 게이트 전압에 대응한 전하량이 용량 소자(C)에 축적된다. 이 전하량에 기초하여 구동용 트랜지스터(Tr1A)가 도통 상태로 되고, 유기 일렉트로루미네선스 소자(14)에 전류가 공급된다.
따라서, 이 경우도 상기 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
또한, 이 경우도 상기 제 1 실시형태와 마찬가지로, 주사 드라이버(3) 및 데이터 드라이버(4)는 박막 트랜지스터로 구성되어 있어도 좋고, 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터로 구성되어 있어도 좋다.
또한, 화소 회로(10A)를 구성하는 제어용 트랜지스터 Tr2는 n채널형 및 p채널형의 어느 트랜지스터를 사용해도 좋다.
다음에, 제 4 실시형태를 설명한다.
이 제 4 실시형태는 상기 제 3 실시형태에서 화소 영역(2)의 구성이 다른 것 이외에는 상기 제 3 실시형태와 동일하므로, 동일 부분에는 동일 부호를 표기하여 그 상세한 설명은 생략한다.
즉, 이 제 4 실시형태에서의 화소 영역(2C)은 도 7에 나타낸 바와 같이, 데이터선(Xm) 및 주사선(Yn)의 교점에 대응하여 화소 회로(10A)가 설치되고, 변환 트랜지스터(12)는 각 데이터선(Xm)의 데이터 드라이버(4) 측에 설치되고, 데이터 드라이버와 인접하여 배치되어 있다.
그리고, 변환 트랜지스터(12)는 상기 제 3 실시형태와 마찬가지로 다이오드 접속되어 있다.
주사 드라이버(3)에서 주사선(Y1)을 구동하고, 데이터 드라이버(4)에 의해 데이터선(Xm)으로 출력된, 데이터 신호에 대응한 전류량에 기초하여 변환 트랜지스터(12)의 게이트 전압이 설정되고, 이 게이트 전압에 대응한 전하량이 용량 소자에 축적된다. 이 축적된 전하량에 기초하여, 구동용 트랜지스터(Tr1A)가 도통 상태로 되고, 유기 일렉트로루미네선스 소자(14)에 전류가 공급된다.
또한, 이 경우도 데이터 드라이버(4)는 박막 트랜지스터로 구성되어도 좋고, 또한 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터로 구성되어도 좋지만, 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터 쪽이 보다 높은 정밀도로 전류량을 제어하기에는 적합한 경우가 있다.
다음에 제 5 실시형태를 설명한다.
이 제 5 실시형태는 상기 제 2 실시형태에서 데이터선(Xm)으로 출력되는 전류량과, 화소 회로(10)의 유기 일렉트로루미네선스 소자(14)에 공급되는 전류량의 비를 변화시키도록 한 것이다.
화소 영역(2A)과 데이터 드라이버(4) 사이에 전류 전압 변환 회로(5)가 삽입되어 있다. 이 전류 전압 변환 회로(5)는 도 8에 나타낸 바와 같이, 데이터선(Xm)에 드레인단, 소스단에 구동 전원 VD가 접속된 변환 트랜지스터(12)와, 데이터선(Xm)과 드레인단의 접속점과, 드라이버(4a)와의 사이에 삽입된 저항(13)으로 구성되고, 저항(13)과 드라이버(4a) 간의 전위가 변환 트랜지스터(12)의 게이트 전극에 접속되어 있다.
여기서, 예를 들면 구동 전원 VD = 구동 전원 Vdd인 것으로 하면, 각 화소 회로(10) 및 전류 전압 변환 회로(5)는 도 9와 같이 나타낼 수 있다.
상기 변환 트랜지스터(12)의 임계치 전압과 구동용 트랜지스터(Tr1)의 임계치 전압이 같고, 각 트랜지스터가 각각 포화 영역에서 동작하고 있을 때, 이들 간에는 다음 식 (1)∼(3)이 성립한다.
또한, 식 중의 Idata는 드라이버(4a)의 출력 전류량, β는 트랜지스터의 전류 공급 능력을 나타낸 계수(이득 계수), VG1은 저항(13)과 드라이버(4a) 간의 전위, VTH는 변환 트랜지스터(12) 및 구동용 트랜지스터 Tr1의 임계치 전압, IOEL은 유기 일렉트로루미네선스 소자(14)에 공급되는 전류치, k는 Idata와 IOEL의 전류비를 나타낸 상수, VG2는 변환 트랜지스터(12)와 저항(13) 간의 전위, R은 저항(13)의 저항치이다.
Idata = (1/2)·β·(Vdd-VG1-VTH)2(1)
IOEL = (1/2)·kβ·(Vdd-VG2-VTH)2(2)
VG2-VG1 = R·Idata(3)
이들 (1)∼(3)식으로부터 식 (4)를 구할 수 있다.
(4)
따라서, (4)식으로부터, Idata와 IOEL의 관계를 도 10의 특성도와 같이 설정할 수 있으므로, 도 10에서 예를 들면 1/(2R2·β) ≤ Idata ≤ 2/(R2·β)의 범위를 이용하도록 하면, Idata의 변화와 IOEL의 변화를 역방향으로 설정할 수 있다.
또한, 이 경우도 주사 드라이버(3), 데이터 드라이버(4) 및 전류 전압 변환 회로(5)를 박막 트랜지스터 또는 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터의 어느 것으로 구성해도 좋고, 또한 데이터 드라이버(4)와 전류 전압 변환 회로(5)를 일체로 형성하도록 해도 좋다.
다음에, 본 발명의 제 6 실시형태를 설명한다.
이 제 6 실시형태는 도 11에 나타낸 바와 같이 전원(Vx)과 화소 영역(2C)과의 사이에 데이터 드라이버(4) 및 전류 전압 변환 회로(5A)가 삽입되어 있다.
상기 화소 영역(2C)은 데이터선(Xm) 및 주사선(Yn)의 교점에 대응하여 화소 회로(10A)가 배치되어 구성되어 있다.
상기 전류 전압 변환 회로(5A)는 도 11에 나타낸 바와 같이 n채널형 변환 트랜지스터(12)와 저항(13)으로 구성되고, 변환 트랜지스터(12)의 소스단은 전원(Vs)에 접속되며, 드레인단은 데이터선(Xm)에 접속되어 있다. 그리고, 데이터선(Xm)과 드레인단과의 접속점과 드라이버(4a)와의 사이에 변환 트랜지스터(12)의 게이트 전극이 접속되어 있다. 또, 데이터선(Xm)의 게이트 전극의 접속점과 드레인 전극의 접속점과의 사이에 저항(13)이 삽입되어 있다.
따라서, 이 경우에도, 상기 제 5 실시형태와 마찬가지의 동작으로 되고, 제 5 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
다음에, 본 발명의 제 7 실시형태를 설명한다.
이 제 7 실시형태는, 도 12에 나타낸 바와 같이, 화소 영역(2A)과 데이터 드라이버(4) 사이에 전류 전압 변환 회로(5B)가 삽입되어 있다.
상기 화소 영역(2A)은 데이터선(Xm) 및 주사선(Yn)의 교점에 대응하여 배치된 화소 회로(10)로 구성되어 있다.
전류 전압 변환 회로(5B)는, 도 12에 나타낸 바와 같이, p채널형 변환 트랜지스터(12)와 저항(13)으로 구성되고, 변환 트랜지스터(12)의 소스단과 데이터선(Xm)이 접속되며, 그 드레인 전극과 구동 전원(VD) 사이에 저항(13)이 삽입되어 있다. 그리고, 데이터선(Xm)의 소스단의 접속점과 드라이버(4a)와의 사이에 변환 트랜지스터(12)의 게이트 전극이 접속되어 있다.
여기서, 예컨대 전원 VD = 전원 Vdd라고 하면, 각 화소 회로(10) 및 전류 전압 변환 회로(5)는 도 13과 같이 표시될 수 있다.
그리고, 상기 변환 트랜지스터(12)의 임계치 전압과 구동용 트랜지스터(Tr1)의 임계치 전압이 같고, 각 트랜지스터가 각각 포화 영역에서 동작하고 있을 때에,이들 사이에는 다음 식 (5) ~(7)이 성립한다.
또한, 식 중에서, Idata는 드라이버(4a)의 출력 전류량, β는 트랜지스터의 전류 공급 능력을 나타내는 계수(이득 계수), VS1은 저항(13)과 드라이버(4a) 간의 전위, VTH는 변환 트랜지스터(12) 및 구동용 트랜지스터(Tr1)의 임계치 전압, IOEL은 유기 일렉트로루미네선스 소자(14)에 공급되는 전류값, k는 Idata와 IOEL과의 전류비를 표시하는 상수, R은 저항(13)의 저항치이다.
Idata = (1/2)·β·(VS1-VG-VTH) 2 (5)
IOEL = (1/2) ·kβ·(Vdd-VG-VTH) 2 (6)
Vdd-VS1 = R·Idata (7)
이들 식 (5)~(7)로부터 다음 식 (8)을 얻을 수 있다.
(8)
따라서, 식 (8)로부터, Idata와 IOEL의 관계는, 도 14의 특성도와 같이 표시될 수 있다. 따라서, △Idata와 △IOEL 사이에 비선형 관계를 갖게 할 수 있고, 출력 전류량 Idata의 변화에 대하여 △IOEL을 보다 크게 변화시킬 수 있다.
다음에, 본 발명의 제 8 실시형태를 설명한다.
이 제 8 실시형태는, 도 15에 나타낸 바와 같이, 데이터 드라이버(4)와 화소 영역(2C) 사이에 전류 전압 변환 회로(5C)가 삽입되어 있다.
상기 화소 영역(2C)는 데이터선(Xm)과 주사선(Yn)의 교점에 대응하여 배치된 화소 회로(10A)로 구성되어 있다.
전류 전압 변환 회로(5C)는, 도 15에 나타낸 바와 같이, n채널형 변환 트랜지스터(12)와 저항(13)으로 구성되고, 변환 트랜지스터(12)의 드레인단은 데이터선(Xm)에 접속되며, 그 소스와 전원(Vs) 사이에 저항(13)이 삽입되어 있다. 또, 데이터선(Xm)의 변환 트랜지스터(12)의 드레인단과의 접속점과 드라이버(4a)와의 사이에 변환 트랜지스터(12)의 게이트 전극이 접속되어 있다.
따라서, 이 경우에도, 상기 제 7 실시형태와 마찬가지로, 드라이버(4a)의 출력 전류량에 대하여 화소 회로(10A)의 구동용 트랜지스터(Tr1A)를 흐르는 전류량은 커지므로, 제 7 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
또, 상기 제 5 내지 제 8 실시형태에서, 전류 전압 변환 회로(5)는 박막 트랜지스터로 구성되어도 좋고, 또 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터로 구성되어도 좋다. 또, 데이터 드라이버(4)와 전류 전압 변환 회로(5)를 일체로 형성하여도 좋다.
다음에, 본 발명의 제 9 실시형태를 설명한다.
이 제 9 실시형태는, 본 발명에 따른 전기 광학 장치를 풀컬러의 디스플레이에 적용한 경우이다. 또, 이 제 9 실시형태는 상기 제 1 실시형태에서 화소 영역(2)의 구성이 다른 것 이외에는 상기 제 1 실시형태와 마찬가지이므로, 동일 부분 또는 동일 부호를 붙이고 그 상세한 설명은 생략한다.
도 16은 제 9 실시형태에서의 표시 장치의 주요부의 개략 구성을 나타내는 블록도이다. 도 16에 나타낸 바와 같이, 화소 영역(2D)은 주사선(Yn)을 따라 적색, 녹색 및 청색의 광을 발광하는 유기 재료로 구성된 발광층을 갖는 각 색용 유기 일렉트로루미네선스 소자(14R, 14G, 14B)를 갖는 적색, 녹색 및 청색용 화소 회로(10R, 10G, 10B)가 순차로 반복되어 설치되어 있다. 또, 상기 화소 영역(2D)은 각 데이터선(Xm)을 따라 동일 색의 화소 회로(10R, 10G, 10B)가 각각 설치되어 있다. 즉, 적색용 화소 회로(10R)는 데이터선 X1, X4, X7, ...과 접속되어 있다. 녹색용 화소 회로(10G)는 데이터선 X2, X5, X8, ...과 접속되어 있다. 청색용 화소 회로(10B)는 청색용 데이터선 X3, X6, X9, ...과 접속되어 있다.
그리고, 적색용 화소 회로(10R)와 접속된 상기 데이터 선(X1, X4, X7, ...)은 적색용 변환 트랜지스터(12R)와 접속되어 있다. 적색용 변환 트랜지스터(12R)는 상기 적색용 유기 일렉트로루미네선스 소자(14R)가 발광하는 구동 범위로서의 전류 범위를 생성하도록 그 이득 계수가 설정되어 있다. 적색용 변환 트랜지스터(12R)는 동 적색용 변환 트랜지스터(12R)를 구동시키기 위한 전압을 공급하는 적색용 전원(VxR)에 접속되어 있다. 또, 각 적색용 화소 회로(10R)와 접속된 상기 데이터선(X1, X4, X7, ..)은, 상기 적색용 전원(VxR)과는 반대측의 단부에 배치된, 동 데이터선(X1, X4, X7, ...)을 구동하는 적색용 드라이버(4aR)에 각각 접속되어 있다. 즉, 적색용 드라이버(4aR)와 적색용 변환 트랜지스터(12R) 사이에 상기 데이터선(X1, X4, X7, ...)이 배치되어 있다.
녹색용 화소 회로(10G)와 접속된 상기 데이터선(X2, X5, X8, ...)은 녹색용 변환 트랜지스터(12G)와 접속되어 있다. 녹색용 변환 트랜지스터(12G)는 상기 녹색용 유기 일렉트로루미네선스 소자(14G)가 발광하는 구동 범위로서의 전류 범위를 생성하도록 그 이득 계수가 설정되어 있다. 녹색용 변환 트랜지스터(12G)는 동 녹색용 변환 트랜지스터(12G)를 구동시키기 위한 전압을 공급하는 녹색용 전원(VxG)에 접속되어 있다. 또, 각 녹색용 화소 회로(10G)와 접속된 상기 데이터선(X2, X5, X8, ..)은, 상기 녹색용 전원(VxG)과는 반대측의 단부에 배치된, 동 데이터선(X2, X5, X8, ...)을 구동하는 녹색용 드라이버(4aG)에 각각 접속되어 있다. 즉, 녹색용 드라이버(4aG)와 녹색용 변환 트랜지스터(12G) 사이에 상기 데이터선(X2, X5, X8, ...)이 배치되어 있다.
청색용 화소 회로(10B)와 접속된 상기 데이터선(X3, X6, X9, ...)은 청색용 변환 트랜지스터(12B)와 접속되어 있다. 청색용 변환 트랜지스터(12B)는 상기 청색용 유기 일렉트로루미네선스 소자(14B)가 발광하는 구동 범위로서의 전류 범위를 생성하도록 그 이득 계수가 설정되어 있다. 청색용 변환 트랜지스터(12B)는 동 청색용 변환 트랜지스터(12B)를 구동시키기 위한 전압을 공급하는 청색용 전원(VxB)에 접속되어 있다. 또, 각 청색용 화소 회로(10B)와 접속된 상기 데이터선(X3, X6, X9, ..)은, 상기 청색용 전원(VxB)과는 반대측의 단부에 배치된, 동 데이터선(X3, X6, X9, ...)을 구동하는 청색용 드라이버(4aB)에 각각 접속되어 있다. 즉, 청색용 드라이버(4aB)와 청색용 변환 트랜지스터(12B) 사이에 상기 데이터선(X3, X6, X9, ...)이 배치되어 있다.
또, 상기 적, 녹 및 청색용 변환 트랜지스터(12R, 12G, 12B)는 각각 p채널형 트랜지스터이다.
그리고, 이와 같이 구성된 화소 영역(2D)을 갖는 전기 광학 장치에서는 상기한 바와 같이 각 색용 변환 트랜지스터(12R, 12G, 12B)의 각각의 이득 관계를 조정함으로써, 각 색용 유기 일렉트로루미네선스 소자(14R, 14G, 14B)를 발광시키는 전류 범위를 조정할 수 있다.
따라서, 각 색용 드라이버(4aR, 4aG, 4aB)는 각 색용의 유기 일렉트로루미네선스 소자(14R, 14G, 14B)의 특성에 맞춰서 각각의 특성이 다른 회로 형성을 할 필요는 없고, 모두 동일 특성의 회로로 구성할 수 있다. 여기서, 도 15에서의 변환 트랜지스터(12R, 12G, 12B)의 배치 장소에 대하여는 본 실시형태에 나타낸 장소에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 제 2 ~ 제 8 실시형태에 나타낸 배치를 적용하는 것도 가능하다.
또, 상기 각 실시형태에서는 주사 드라이버(3) 및 데이터 드라이버(4)를 박막 트랜지스터로 구성하여도 좋고, 또 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터로 구성하여도 좋다.
또, 상기 각 실시형태에서, 화소 회로(10 또는 10A)를 매트릭스 형상으로 배치한 표시 장치에 적용한 경우에 대하여 설명하였지만, 어느 형상으로 배치된 경우에도 적용할 수 있다.
또, 상기 각 실시형태에서는, 유기 일렉트로루미네선스 소자를 사용한 경우에 대하여 설명하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD), FE(Field Emission) 소자 등의 전류 구동에 의해 발광하는 소자를 구비한 전자 장치에 대하여도 본 발명에 따른 회로 구성을 적용할 수 있다. 이들 이외에 자기 저항 RAM(Magnetoresistive RAM) 등의 비발광형 전류 구동 소자를 구비한 전자 장치에 대하여도 본 발명에 따른 회로 구성을 적용할 수 있다.
자기 저항 RAM은 예컨대 도 17에 나타낸 바와 같이 강자성 금속층으로 이루어진 2개의 전극(21, 22) 사이에, 절연체로 이루어진 장벽층(23)이 삽입되어 구성되어 있다. 그리고, 상기 전극(21 및 22)에 상기 장벽층(23)을 통하여 터널 전류를 흐르게 한 때에, 이 터널 전류의 크기가 상하의 강자성 금속의 자화 방향에 의해 변화하는 것을 이용하여, 기억을 행하도록 한 것이다. 즉, 한쪽의 전극(22)을 기준층으로서 그 자화의 방향을 고정하고, 다른 쪽의 전극(21)을 데이터 기록층으로 한다. 그리고, 기입 전극(24)에 전류를 흘리고 이것에 의하여 발생하는 자계에 의해 데이터 기록층으로서의 전극(21)의 자화 방향을 변하게 함으로써 정보의 기록을 행한다. 그리고, 기록 정보의 판독을 행하는 경우에는, 기입 전극(24)에 역방향의 전류를 흘리고, 이 때의 터널 저항의 변화를 전기적으로 판독함으로써 행하고 있다.
또, 상기 유기 일렉트로루미네선스 장치로서는, 예컨대 모바일형 퍼스널 컴퓨터, 휴대 전화, 디지털 스틸 카메라 등에 적용할 수 있다.
도 18은 모바일형 퍼스널 컴퓨터의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 18에서, 퍼스널 컴퓨터(100)는 키보드(102)를 구비한 본체부(104)와, 전술한 전기 광학 장치가 적용된 유기 일렉트로루미네선스 장치로 이루어진 표시 유닛(106)으로 구성되어 있다.
도 19는 휴대 전화의 사시도이다. 도 19에서, 휴대 전화(200)는 복수의 조작 버튼(202) 외에, 송화구(204), 수화구(206)와 함께 전술한 전기 광학 장치가 적용된 유기 일렉트로루미네선스 장치로 이루어진 표시 패널(208)을 구비하고 있다.
도 20은 디지털 스틸 카메라(300)의 구성을 나타내는 사시도이다. 또, 외부 기기와의 접속에 대하여도 간단하게 나타내고 있다.
통상의 카메라는, 피사체의 광상(光像)에 의하여 필름을 감광하는 것에 반하여 디지털 스틸 카메라(300)는 피사체의 광상을 CCD(Charge Coupled Device) 등의 촬상 소자에 의해 광전 변환하여 촬상 신호를 생성하는 것이다. 여기서, 디지털 스틸 카메라(300)에서의 케이스(302)의 배면에는 상술한 전기 광학 장치가 적용된 유기 일렉트로루미네선스 장치로 이루어진 표시 패널(304)이 설치되고, CCD에 의한 촬상 신호에 기초하여 표시를 행하는 구성으로 되어 있다. 이 때문에, 표시 패널(304)은 피사체를 표시하는 파인더로서 기능한다. 또, 케이스(302)의 관찰측(도면에서는 이면측)에는 광학 렌즈나 CCD 등을 포함한 수광 유닛(306)이 설치되어 있다.
여기서, 촬상자가 표시 패널(304)에 표시된 피사체상을 확인하고, 셔터 버튼(308)을 누르면, 그 시점에서의 CCD의 촬상 신호가 회로 기판(310)의 메모리에 전송되어 저장된다. 또, 이 디지털 스틸 카메라(300)에서는, 케이스(302)의 측면에 비디오 신호 출력 단자(312)와, 데이터 통신용 입출력 단자(314)가 설치되어 있다. 그리고, 도면에 나타낸 바와 같이, 전자인 비디오 신호 출력 단자(312)에는 텔레비전 모니터(430)가, 또 후자인 데이터 통신용 입력 단자(314)에는 퍼스널 컴퓨터(440)가 각각 필요에 따라 접속된다. 또한, 소정의 조작에 의해 회로 기판(310)의 메모리에 저장된 촬상 신호가 텔레비전 모니터(430)나 퍼스널컴퓨터(440)에 출력되는 구성으로 되어 있다.
또, 전자 기기로서는, 도 18의 퍼스널 컴퓨터나 도 19의 휴대 전화, 도 20의 디지털 스틸 카메라 외에도, 텔레비전, 뷰-파인더형 및 모니터 직시형 비디오 테이프 레코더, 카네비게이션 장치, 페이저, 전자수첩, 계산기, 워드프로세서, 워크스테이션, 텔레비전 전화, POS 단말, 터치 패널을 구비한 기기 등을 들 수 있다. 그리고, 이들 각종 전자 기기에 표시부로서 상술한 전기 광학 장치로 이루어진 표시 장치가 적용 가능하다는 것은 말할 필요도 없다.
청구항 1~66에 기재된 발명에 의하면, 전류 구동에 의한 전기 광학 소자의 구동 제어를 보다 고정밀도로 행하고 또 구성 소자 수의 저감을 도모할 수 있다.

Claims (66)

  1. 통전선(通電線)과,
    상기 통전선에 접속된 복수의 단위 회로와,
    상기 통전선에 접속되고, 또한 상기 통전선에 흐르는 전류의 전류량에 기초하여 게이트 전압이 설정되는 트랜지스터
    를 구비한 전자 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 트랜지스터의 소스단(端) 또는 드레인단과 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  3. 통전선과,
    상기 통전선에 접속된 복수의 단위 회로와,
    상기 통전선에 접속되고, 또한 상기 통전선에 흐르는 전류의 전류량에 기초하여 게이트 전압이 설정되는 제 1 트랜지스터를 구비한 전자 장치로서,
    상기 단위 회로는 상기 제 1 트랜지스터와 커런트 미러를 구성하는 제 2 트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제 1 트랜지스터의 소스단 또는 드레인단과 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  5. 통전선과,
    상기 통전선에 접속된 복수의 단위 회로와,
    상기 통전선에 접속되고, 또한 상기 통전선에 흐르는 전류의 전류량에 기초하여 게이트 전압이 설정되는 제 1 트랜지스터를 구비한 전자 장치로서,
    상기 단위 회로는 그 도전형이 p형이고, 상기 제 1 트랜지스터와 커런트 미러를 구성하는 제 2 트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제 1 트랜지스터의 소스단 또는 드레인단과 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  7. 통전선과,
    상기 통전선에 접속된 복수의 단위 회로와,
    상기 통전선에 접속되고, 또한 상기 통전선에 흐르는 전류의 전류량에 기초하여 게이트 전압이 설정되는 제 1 트랜지스터를 구비한 전자 장치로서,
    상기 단위 회로는 상기 제 1 트랜지스터와 커런트 미러를 구성하는 제 2 트랜지스터를 갖고,
    상기 제 2 트랜지스터는 그 이득계수를 상기 통전선에 흐르는 전류의 전류량보다 큰 전류량을 생성하도록 설정한 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  8. 통전선과,
    상기 통전선에 접속된 복수의 단위 회로와,
    상기 통전선에 접속되고, 또한 상기 통전선에 흐르는 전류의 전류량에 기초하여 게이트 전압이 설정되는 제 1 트랜지스터를 구비한 전자 장치로서,
    상기 단위 회로는 상기 제 1 트랜지스터와 커런트 미러를 구성하는 제 2 트랜지스터를 갖고,
    상기 제 2 트랜지스터는 그 이득계수를 상기 통전선에 흐르는 전류의 전류량보다 작은 전류량을 생성하도록 설정한 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제 1 트랜지스터의 소스단 또는 드레인단과 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  10. 데이터선과,
    전기 광학 소자를 갖고, 또한 상기 데이터선에 접속되는 복수의 단위 회로와,
    상기 데이터선에 접속되고, 또한 상기 데이터선에 흐르는 전류의 전류량에의해 게이트 전압이 설정되는 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    주사전을 더 구비하고,
    상기 복수의 단위 회로의 각각은 상기 전기 광학 소자에 전기적으로 접속된 구동 트랜지스터와, 게이트 전극이 상기 주사선에 접속된 스위칭 트랜지스터를 갖고, 상기 데이터선을 개재하여 데이터 신호가 상기 복수의 단위 회로에 공급되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 스위칭 트랜지스터의 소스단 또는 드레인단은 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 데이터 신호는 디지털 아날로그 변환 회로에서 생성된 아날로그량을 갖는 전류인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  14. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 트랜지스터와 상기 구동 트랜지스터는 커런트 미러를 구성하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 데이터선에 접속되는 제 1 전원의 전압치와, 상기 전기 광학 소자와 상기 구동 트랜지스터를 개재하여 접속되는 제 2 전원의 전압치는 소정의 비율로 되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 트랜지스터는 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 데이터선과의 사이에 배치한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 트랜지스터와의 사이에 상기 데이터선이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 트랜지스터와 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 데이터선은 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 데이터선과 상기 디지털 아날로그 변환 회로는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 데이터선과 상기 트랜지스터는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  21. 제 16 항에 있어서,
    상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 트랜지스터는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  22. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 트랜지스터와 상기 단위 회로에 포함되는 트랜지스터는 박막 트랜지스터로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  23. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 트랜지스터는 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  24. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전기 광학 소자에 공급되는 전류량을 설정하기 위한 상기 데이터선을 흐르는 전류량은 상기 전기 광학 소자에 공급되는 전류량 이상인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  25. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전기 광학 소자에 공급되는 전류량을 설정하기 위한 상기 데이터선을 흐르는 전류량은 상기 전기 광학 소자에 공급되는 전류량 이하인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  26. 데이터선과,
    상기 데이터선과 접속되고, 상기 데이터선에 흐르는 데이터 신호의 전류량에 의해 게이트 전압이 설정되는 변환 트랜지스터와,
    전기 광학 소자와, 상기 전기 광학 소자와 전기적으로 접속되고, 또한 그 도전형이 p형인 구동 트랜지스터를 갖는 단위 회로
    를 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  27. 제 26 항에 있어서,
    주사선을 더 구비하고,
    상기 복수의 단위 회로의 각각은, 게이트 전극이 상기 주사선에 접속된 스위칭 트랜지스터를 갖고,
    상기 데이터선을 개재하여 데이터 신호가 상기 단위 회로에 공급되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 스위칭 트랜지스터의 소스단 또는 드레인단은 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  29. 제 26 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 데이터 신호는 디지털 아날로그 변환 회로에서 생성된 아날로그량을 갖는 전류인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  30. 제 26 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 변환 트랜지스터와 상기 구동 트랜지스터는 커런트 미러를 구성하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  31. 제 29 항에 있어서,
    상기 변환 트랜지스터는 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 데이터선과의 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  32. 제 29 항에 있어서,
    상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 변환 트랜지스터와의 사이에 상기 데이터선이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  33. 제 29 항에 있어서,
    상기 변환 트랜지스터와 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 데이터선은 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  34. 제 32 항에 있어서,
    상기 데이터선과 상기 디지털 아날로그 변환 회로는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  35. 제 31 항에 있어서,
    상기 데이터선과 상기 변환 트랜지스터는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  36. 제 31 항에 있어서,
    상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 변환 트랜지스터는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  37. 제 27 항 또는 제 28 항에 있어서,
    상기 변환 트랜지스터와 상기 단위 회로에 포함되는 상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터는 박막 트랜지스터로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  38. 제 26 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 변환 트랜지스터는 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  39. 데이터선과,
    상기 데이터선과 접속되고, 상기 데이터선에 흐르는 데이터 신호의 전류량에 의해 게이트 전압이 설정되는 변환 트랜지스터와,
    상기 변환 트랜지스터와 커런트 미러 회로를 구성하고, 상기 데이터선에 흐르는 데이터 신호의 전류량에 의해 큰 전류량을 생성하도록 그 이득계수가 설정된 구동 트랜지스터와,
    상기 구동 트랜지스터와 전기적으로 접속된 전기 광학 소자를 갖는 단위 회로
    를 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  40. 데이터선과,
    상기 데이터선과 접속되고, 상기 데이터선에 흐르는 데이터 신호의 전류량에의해서 게이트 전압이 설정되는 변환 트랜지스터와,
    상기 변환 트랜지스터와 커런트 미러 회로를 구성하고, 상기 데이터선에 흐르는 데이터 신호의 전류량에 의해 작은 전류량을 생성하도록 그 이득계수가 설정된 구동 트랜지스터와,
    상기 구동 트랜지스터와 전기적으로 접속된 전기 광학 소자를 갖는 단위 회로
    를 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  41. 제 39 항 또는 제 40 항에 있어서,
    주사선을 더 구비하고,
    상기 복수의 단위 회로의 각각은 게이트 전극이 상기 주사선에 접속된 스위칭 트랜지스터를 갖고,
    상기 데이터선을 개재하여 데이터 신호가 상기 복수의 단위 회로에 공급되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  42. 제 41 항에 있어서,
    상기 스위칭 트랜지스터의 소스단 또는 드레인단은 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  43. 제 39 항 또는 제 40 항에 있어서,
    상기 데이터 신호는 디지털 아날로그 변환 회로에서 생성된 아날로그량을 갖는 전류인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  44. 제 39 항 또는 제 40 항에 있어서,
    상기 변환 트랜지스터와 상기 구동 트랜지스터는 커런트 미러를 구성하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  45. 제 43 항에 있어서,
    상기 변환 트랜지스터는 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 데이터선 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  46. 제 43 항에 있어서,
    상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 변환 트랜지스터와의 사이에 상기 데이터선이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  47. 제 43 항에 있어서,
    상기 변환 트랜지스터와 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 데이터선은 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  48. 제 46 항에 있어서,
    상기 데이터선과 상기 디지털 아날로그 변환 회로는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  49. 제 45 항에 있어서,
    상기 데이터선과 상기 변환 트랜지스터는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  50. 제 45 항에 있어서,
    상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 변환 트랜지스터는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  51. 제 41 항에 있어서,
    상기 변환 트랜지스터와 상기 단위 회로에 포함되는 상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터는 박막 트랜지스터로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  52. 제 39 항 또는 제 40 항에 있어서,
    상기 변환 트랜지스터는 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  53. 데이터 신호를 공급하는 복수의 데이터선과, 상기 데이터 신호의 전류량에 대하여 그 구동 범위가 다른 전기 광학 소자를 각각 구비한 복수의 단위 회로를 구비한 전기 광학 장치로서,
    상기 데이터선에 접속되고, 상기 전기 광학 소자의 구동 범위에 따른 이득계수를 갖는 변환 트랜지스터와,
    상기 단위 회로의 각각에 설치되어, 상기 변환 트랜지스터와 커런트 미러를 구성하는 구동 트랜지스터
    를 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  54. 제 53 항에 있어서,
    상기 전기 광학 장치는 각각 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 유기 재료로 형성된 발광층을 갖는 유기 일렉트로루미네선스 소자인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  55. 제 53 항 또는 제 54 항에 있어서,
    주사선을 더 구비하고,
    상기 복수의 단위 회로 각각은 게이트 전극이 상기 주사선에 접속되어 있던 스위칭 트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  56. 제 53 항 또는 제 54 항에 있어서,
    상기 데이터 신호는 디지털 아날로그 변환 회로에서 생성된 아날로그량을 갖는 전류인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  57. 제 53 항 또는 제 54 항에 있어서,
    상기 변환 트랜지스터는 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 데이터선과의 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  58. 제 53 항 또는 제 54 항에 있어서,
    상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 변환 트랜지스터와의 사이에 상기 데이터선이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  59. 제 53 항 또는 제 54 항에 있어서,
    상기 변환 트랜지스터와 상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 데이터선은 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  60. 제 56 항에 있어서,
    상기 데이터선과 상기 디지털 아날로그 변환 회로는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  61. 제 56 항에 있어서,
    상기 데이터선과 상기 변환 트랜지스터는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  62. 제 56 항에 있어서,
    상기 디지털 아날로그 변환 회로와 상기 변환 트랜지스터는 동일 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  63. 제 55 항에 있어서,
    상기 변환 트랜지스터와 상기 단위 회로에 포함되는 상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터는 박막 트랜지스터로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  64. 제 53 항 또는 제 54 항에 있어서,
    상기 변환 트랜지스터는 실리콘 베이스의 MOS 트랜지스터로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  65. 제 10 항, 제 11 항, 제 12 항, 제 26 항, 제 27 항, 제 28 항, 제 39 항, 제 40 항, 제 53 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전기 광학 소자는 유리 일렉트로루미네선스 소자인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  66. 제 10 항, 제 11 항, 제 12 항, 제 26 항, 제 27 항, 제 28 항, 제 39 항, 제 40 항, 제 53 항, 제 54 항 중 어느 한 항에 기재된 전기 광학 장치를 표시부로서 이용한 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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