KR20030009593A - 수소 플라즈마 및 급속 열처리의 이중 전처리 단계를포함하는 구리 전착방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (8)
- a) p-type (100) Si 웨이퍼 상에 확산 방지막을 스퍼터링(sputtering)하는 단계;b) 상기 스퍼터링된 확산 방지막의 표면상에 구리 전도막(seed layer)을 연속 증착하여 구리 전도막/확산 방지막/SiO2/Si의 기판을 형성하는 단계;c) 상기 구리 전도막을 포함한 기판을 수소 플라즈마 전처리로 세정하는 단계;d) 상기 세정된 구리 전도막을 포함하는 기판을 연속적으로 급속 열처리하는 단계; 및e) 이중 전처리된 상기 구리 전도막을 포함하는 기판 표면상에 펄스 전류를 이용하여 구리 전해도금 단계를 포함하는 구리 전착방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 확산 방지막이 내화금속의 질화물인 TaN을 증착하는 것을 특징으로 하는 구리 전착방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 수소 플라즈마 전처리가 rf-전원이 20 W ∼ 140 W 및 플라즈마 노출 시간이 1 분 ∼ 20 분동안 처리되는 것을 특징으로 하는 구리 전착방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 수소 플라즈마 전처리가 rf-전원이 100 W 이고, 플라즈마 노출 시간이 10 분동안 처리된 것을 특징으로 하는 구리 전착방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 급속 열처리 전처리 단계가 350 ℃ ∼ 500 ℃ 이고, 30 초동안 처리되는 것을 특징으로 하는 구리 전착방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 급속 열처리 전처리 단계가 350 ℃에서 30 초동안 처리된 것을 특징으로 하는 구리 전착방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 수소 플라즈마 전처리가 구리 전도막 표면의 불순물 또는 금속 산화물을 제거하는 것을 특징으로 하는 구리 전착방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 구리 전도막 표면의 불순물 또는 금속 산화물로는탄소, 산소 또는 구리-산소가 제거된 것을 특징으로 하는 구리 전착방법.
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