JP2002524837A - 銅相互接続の電気移動耐性が改善されるように調整されたバリヤー層 - Google Patents
銅相互接続の電気移動耐性が改善されるように調整されたバリヤー層Info
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Abstract
(57)【要約】
半導体デバイスの銅相互接続及び電気コンタクトを形成するのに有用なバリヤー層構造が開示される。このバリヤー層構造は、基体上に直接堆積されている第１のＴaＮx層と、それに続く第２のＴa層とからなる。ＴaＮx／Ｔaバリヤー層構造は、その上に堆積される銅層に対するバリヤーとして働く他に、高い｛１１１｝結晶含量を有する銅層の形成をも可能にし、銅の電気移動耐性を増加させる。ｘを約0.1から約1.5までの範囲とするＴaＮx層は、典型的にはシリコン、または二酸化シリコンのような誘電体である下方の基体内への銅の拡散を防ぐように十分にアモルファスである。相互接続として使用される場合のＴaＮx及びＴa層の厚みは特色サイズ及びアスペクト比に依存し、典型的には、ＴaＮx層の厚みは約50Å から約1,000Å の範囲であり、一方Ｔa層の厚みは約20Å から約500Å の範囲である。コンタクトバイアの場合には、バイア壁上の許容される層の厚みは特色サイズ及びアスペクト比に基づいてより一層注意深く制御しなければならず、典型的には、ＴaＮx層の厚みは約10Å から約300Å の範囲であり、一方Ｔa層の厚みは約５Å から約300Å の範囲である。銅層は、デバイスの要望に合わせて所望の厚みに堆積される。銅層は、当分野において公知の好ましい技術の何れかを使用して堆積させることができる。好ましくは、全銅層は、または少なくとも銅の“シード”層は、ＣＶＤまたは電気めっきではなく、スパッタリングまたは蒸着のような物理的蒸着技術を使用して堆積させる。銅の結晶配向は堆積温度に鋭敏であるから、また、もし温度が高過ぎれば、銅はバリヤー層からデウェット／デラミネートする傾向があるから、約500℃よりも低い温度で、好ましくは約300℃より低い温度で、銅を堆積及び／または焼鈍することが重要である。
Description
【０００１】 （発明の分野） 本発明は、上に重ねられた銅層内の｛１１１｝結晶配向の程度を増加させ、そ
れによって改良された銅の電気移動耐性が得られるようにするある特定のＴaＮx ／Ｔaバリヤー／ウェッティング層構造に関する。
れによって改良された銅の電気移動耐性が得られるようにするある特定のＴaＮx ／Ｔaバリヤー／ウェッティング層構造に関する。
【０００２】 （従来の技術の簡単な説明） マイクロエレクトロニクスが小型化され続けるにつれて、相互接続性能、信頼
性、及び電力消費が益々重要になり、アルミニウム合金に代わる固有抵抗が低く
、信頼性が高い金属に対する関心が増してきている。銅は、コンタクト及び相互
接続材料として、アルミニウムに代わる重要な改善を提供する。例えば、銅の固
有抵抗は約1.67μΩｃｍであり、これはアルミニウムの固有抵抗の約半分にしか
過ぎない。
性、及び電力消費が益々重要になり、アルミニウム合金に代わる固有抵抗が低く
、信頼性が高い金属に対する関心が増してきている。銅は、コンタクト及び相互
接続材料として、アルミニウムに代わる重要な改善を提供する。例えば、銅の固
有抵抗は約1.67μΩｃｍであり、これはアルミニウムの固有抵抗の約半分にしか
過ぎない。
【０００３】 銅の使用を可能にすることを企図している材料及びプロセスデベロッパは、競
合する２つの主要技術を評価している。第１の技術は、ダマシン技術として知ら
れるものである。この技術による0.5ミクロン（μｍ）以下の範囲の特色サイズ
（即ち、開口の幅）を有する多層構造を製造するための典型的なプロセスは、誘
電体材料をブランケット堆積させ、この誘電体材料をパターン化して開口を形成
させ、拡散バリヤー層及び、オプションとして、ウェッティング層を堆積させて
開口を裏打ちし、開口を充填するのに十分な厚みの銅層を基体上に堆積させ、そ
して化学・機械研磨（ＣＭＰ）技術を使用して基体から余剰導電性材料を除去す
ることを含んでいる。ダマシンプロセスに関してはApplied Surface Science 91
(1995) 139-146においてC. Steinbruchelが“ Patterning of copper for mult
ilevel metallization : reactive ion etching and chemical-mechanical poli
sing ”に詳細に記述している。
合する２つの主要技術を評価している。第１の技術は、ダマシン技術として知ら
れるものである。この技術による0.5ミクロン（μｍ）以下の範囲の特色サイズ
（即ち、開口の幅）を有する多層構造を製造するための典型的なプロセスは、誘
電体材料をブランケット堆積させ、この誘電体材料をパターン化して開口を形成
させ、拡散バリヤー層及び、オプションとして、ウェッティング層を堆積させて
開口を裏打ちし、開口を充填するのに十分な厚みの銅層を基体上に堆積させ、そ
して化学・機械研磨（ＣＭＰ）技術を使用して基体から余剰導電性材料を除去す
ることを含んでいる。ダマシンプロセスに関してはApplied Surface Science 91
(1995) 139-146においてC. Steinbruchelが“ Patterning of copper for mult
ilevel metallization : reactive ion etching and chemical-mechanical poli
sing ”に詳細に記述している。
【０００４】 競合する技術は、銅層のパターン化エッチングを含む技術である。この技術に
よる典型的なプロセスは、所望の基体（典型的には、その表面上にバリヤー層を
有する誘電体材料）上に銅層を堆積させ、銅層の上にパターン化されたハードマ
スクまたはフォトレジストを堆積させ、湿式または乾式エッチング技術を使用し
て銅層をパターンエッチングし、パターン化された銅層の表面上に誘電体材料を
堆積させて、種々の集積回路を構成している導電性ライン及びコンタクトを絶縁
することを含む。
よる典型的なプロセスは、所望の基体（典型的には、その表面上にバリヤー層を
有する誘電体材料）上に銅層を堆積させ、銅層の上にパターン化されたハードマ
スクまたはフォトレジストを堆積させ、湿式または乾式エッチング技術を使用し
て銅層をパターンエッチングし、パターン化された銅層の表面上に誘電体材料を
堆積させて、種々の集積回路を構成している導電性ライン及びコンタクトを絶縁
することを含む。
【０００５】 典型的には、銅層は、当分野においては公知のスパッタリング技術を使用して
堆積させることができる。銅のスパッタリングは、蒸着またはＣＶＤ（化学蒸着
）よりも遙かに高い堆積速度が得られ、またＣＶＤよりも純粋な銅の薄膜が得ら
れる。
堆積させることができる。銅のスパッタリングは、蒸着またはＣＶＤ（化学蒸着
）よりも遙かに高い堆積速度が得られ、またＣＶＤよりも純粋な銅の薄膜が得ら
れる。
【０００６】 導電性ライン及びコンタクトを形成する材料として銅が使用される集積回路相
互接続構造においては、銅は、隣接するＳiＯ2及びシリコンの層内へ急速に拡散
し、カプセル封じする必要があることが知られている。Gang Baiらは、1996年の
Symposim on VLSI Technology, Digests of Technical Papers (0-7803-3342-X/
96, IEEE)において、銅と共に使用するためのバリヤー層としてＴa、ＴiＮ、Ｗ
、及びＭoの有効性を記述している。彼等は、銅を堆積した後にＵＨＶ（超高真
空）内で焼鈍したＴaが最良のバリヤー層になると結論付けている。スパッタさ
れた銅は、ＣＶＤ銅及び電気めっきされた銅よりも好ましいとしているが、この
論文が提出された時点には電気めっき銅のための全てのデータは利用できなかっ
た。
互接続構造においては、銅は、隣接するＳiＯ2及びシリコンの層内へ急速に拡散
し、カプセル封じする必要があることが知られている。Gang Baiらは、1996年の
Symposim on VLSI Technology, Digests of Technical Papers (0-7803-3342-X/
96, IEEE)において、銅と共に使用するためのバリヤー層としてＴa、ＴiＮ、Ｗ
、及びＭoの有効性を記述している。彼等は、銅を堆積した後にＵＨＶ（超高真
空）内で焼鈍したＴaが最良のバリヤー層になると結論付けている。スパッタさ
れた銅は、ＣＶＤ銅及び電気めっきされた銅よりも好ましいとしているが、この
論文が提出された時点には電気めっき銅のための全てのデータは利用できなかっ
た。
【０００７】 1982年３月９日付Ganguleeらの米国特許第4,319,264号“ Nickel-gold-nickel
Conductors For Solid State Devices ”は、ソリッドステートデバイスにおけ
る電気移動の問題を論じている。詳述すれば、この特許は、特定の電流密度の範
囲の直流を印加すると、薄膜導体を構成している原子の運動（電気移動として知
られている効果）が誘起されることを示している。電気移動は、導体内に割れ、
またはボイドの形成を誘起させる言われており、これらは時間が経過すると導体
の故障をもたらすようになる。電気移動の速度は、導体に印加される電流密度、
導体温度、及び導体材料の特性に依存すると記載されている。高い電流密度を印
加した場合、電気移動に起因する潜在的な導体の故障が回路の信頼性を著しく制
限すると記述されている。導体材料の性能に影響を及ぼすいろいろなファクタを
検討するに当たっては、粒構造が重要であると述べている。（十分なリソグラフ
ィックライン幅分解能を得るために薄膜を小さい粒状とし、粒径が所要ライン幅
の約1/3を越えないことを推奨している。）粒径の均一性、及び粒子の好ましい
結晶配向も導体の寿命をより長くする（電気移動を制限する）のを助長するファ
クタであると記述されている。また細かい粒径の薄膜がスムーザになって、ある
重ね層で導体をカバーする際の困難を少なくすることも記載されている（半導体
応用における望ましい品質である）。
Conductors For Solid State Devices ”は、ソリッドステートデバイスにおけ
る電気移動の問題を論じている。詳述すれば、この特許は、特定の電流密度の範
囲の直流を印加すると、薄膜導体を構成している原子の運動（電気移動として知
られている効果）が誘起されることを示している。電気移動は、導体内に割れ、
またはボイドの形成を誘起させる言われており、これらは時間が経過すると導体
の故障をもたらすようになる。電気移動の速度は、導体に印加される電流密度、
導体温度、及び導体材料の特性に依存すると記載されている。高い電流密度を印
加した場合、電気移動に起因する潜在的な導体の故障が回路の信頼性を著しく制
限すると記述されている。導体材料の性能に影響を及ぼすいろいろなファクタを
検討するに当たっては、粒構造が重要であると述べている。（十分なリソグラフ
ィックライン幅分解能を得るために薄膜を小さい粒状とし、粒径が所要ライン幅
の約1/3を越えないことを推奨している。）粒径の均一性、及び粒子の好ましい
結晶配向も導体の寿命をより長くする（電気移動を制限する）のを助長するファ
クタであると記述されている。また細かい粒径の薄膜がスムーザになって、ある
重ね層で導体をカバーする際の困難を少なくすることも記載されている（半導体
応用における望ましい品質である）。
【０００８】 1996年11月５日付Chenらの米国特許第5,571,752号には、集積回路のサブミク
ロン半導体層をパターン化する方法が開示されている。アルミニウムコンタクト
を記述している１つの実施の形態では、約300から2,000Åまでの厚みを有するチ
タンまたは窒化チタンがスパッタ堆積によって形成され、コンタクト開口の底ま
で達している。最後に、典型的にはアルミニウムである第２の導電層が共形導電
層の表面上に堆積される。このアルミニウムは、好ましくは約100℃乃至400℃の
範囲にわたる温度でスパッタされる。この方法によれば、アルミニウム薄膜内に
極めて大きいサイズの粒子は形成されなくなるので、デバイスジオメトリを小さ
く設計することが要求されるコンタクト開口を充填することができると記述され
ている。
ロン半導体層をパターン化する方法が開示されている。アルミニウムコンタクト
を記述している１つの実施の形態では、約300から2,000Åまでの厚みを有するチ
タンまたは窒化チタンがスパッタ堆積によって形成され、コンタクト開口の底ま
で達している。最後に、典型的にはアルミニウムである第２の導電層が共形導電
層の表面上に堆積される。このアルミニウムは、好ましくは約100℃乃至400℃の
範囲にわたる温度でスパッタされる。この方法によれば、アルミニウム薄膜内に
極めて大きいサイズの粒子は形成されなくなるので、デバイスジオメトリを小さ
く設計することが要求されるコンタクト開口を充填することができると記述され
ている。
【０００９】 本発明と共に譲渡された1997年３月27日付Nganらの米国特許出願第08/824,911
号に開示されているように、アルミニウムの電気移動を改善する手段として、ア
ルミニウムの｛１１１｝結晶含量を増加させる努力がなされてきた。詳述すれば
、アルミニウム層の｛１１１｝含量は、このアルミニウム層の下に位置するさま
ざまなバリヤー層の厚みを制御することによって制御される。下に形成されてい
るバリヤー層構造はＴi／ＴiＮ／ＴiＮxであり、これは高アスペクトバイアをア
ルミニウムで充填することを可能にしながら、アルミニウム｛１１１｝結晶配向
を高度に呈するアルミニウム充填物が得られる。Ｔi／ＴiＮ／ＴiＮxバリヤー層
はＩＭＰ（イオン金属プラズマ）技術を使用して堆積され、バリヤー層の厚みは
以下のようであった。Ｔiの第１の層の厚みは、約100Å以上から約500Åまでの
範囲である（特色ジオメトリが厚みの上限を制限する）。ＴiＮの第２の層の厚
みは、約100Å以上から約800Åまでの範囲である（好ましくは、約600Åより薄
くする）。そして、ＴiＮxの第３の層（約50原子％のチタンから約100原子％の
チタンまでの範囲にわたるＴiを有する）は、約15Å以上から約500Åまでの範囲
である。この構造を有し、コンタクトバイアを裏打ちするために使用されるＴi
／ＴiＮ／ＴiＮxバリヤー層は、スパッタされた温アルミニウムでバイアを完全
に充填することを可能にし、バイアまたは開口の特色サイズは約0.25ミクロンま
たはそれ以下であり、アスペクト比は約５：１から約６：１程度の大きさまでの
範囲であると記述されている。
号に開示されているように、アルミニウムの電気移動を改善する手段として、ア
ルミニウムの｛１１１｝結晶含量を増加させる努力がなされてきた。詳述すれば
、アルミニウム層の｛１１１｝含量は、このアルミニウム層の下に位置するさま
ざまなバリヤー層の厚みを制御することによって制御される。下に形成されてい
るバリヤー層構造はＴi／ＴiＮ／ＴiＮxであり、これは高アスペクトバイアをア
ルミニウムで充填することを可能にしながら、アルミニウム｛１１１｝結晶配向
を高度に呈するアルミニウム充填物が得られる。Ｔi／ＴiＮ／ＴiＮxバリヤー層
はＩＭＰ（イオン金属プラズマ）技術を使用して堆積され、バリヤー層の厚みは
以下のようであった。Ｔiの第１の層の厚みは、約100Å以上から約500Åまでの
範囲である（特色ジオメトリが厚みの上限を制限する）。ＴiＮの第２の層の厚
みは、約100Å以上から約800Åまでの範囲である（好ましくは、約600Åより薄
くする）。そして、ＴiＮxの第３の層（約50原子％のチタンから約100原子％の
チタンまでの範囲にわたるＴiを有する）は、約15Å以上から約500Åまでの範囲
である。この構造を有し、コンタクトバイアを裏打ちするために使用されるＴi
／ＴiＮ／ＴiＮxバリヤー層は、スパッタされた温アルミニウムでバイアを完全
に充填することを可能にし、バイアまたは開口の特色サイズは約0.25ミクロンま
たはそれ以下であり、アスペクト比は約５：１から約６：１程度の大きさまでの
範囲であると記述されている。
【００１０】 その後、1997年８月23日付Nganらの米国特許出願第08/924,487号（ドケットNo.
1987 ）において発明者らは、所与の処理チャンバにおける一連の半導体基体の
処理中に、相互接続のアルミニウム｛１１１｝結晶配向含量を一貫して高く維持
するためには、この処理チャンバを最初に起動する（及び最初の７−８枚のウェ
ーハの処理を続ける）時に、この層を少なくとも約150Åの最小の厚みに堆積さ
せ、バリヤー層の第１の堆積層の初期堆積中に存在し得る結晶配向の不規則さを
補償する必要があることを示した。Nganらは、導電層が銅である場合には、半導
体チャンバ内における一連のウェーハ処理中に銅層内に一貫した結晶配向を可能
にするために、銅層の下に位置するバリヤー層構造の第１の層は少なくとも約15
0Åの最小厚が必要であることも教示している。
1987 ）において発明者らは、所与の処理チャンバにおける一連の半導体基体の
処理中に、相互接続のアルミニウム｛１１１｝結晶配向含量を一貫して高く維持
するためには、この処理チャンバを最初に起動する（及び最初の７−８枚のウェ
ーハの処理を続ける）時に、この層を少なくとも約150Åの最小の厚みに堆積さ
せ、バリヤー層の第１の堆積層の初期堆積中に存在し得る結晶配向の不規則さを
補償する必要があることを示した。Nganらは、導電層が銅である場合には、半導
体チャンバ内における一連のウェーハ処理中に銅層内に一貫した結晶配向を可能
にするために、銅層の下に位置するバリヤー層構造の第１の層は少なくとも約15
0Åの最小厚が必要であることも教示している。
【００１１】 （発明の概要） 我々は、銅のためのバリヤー層として、窒化タンタル（ＴaＮx）の方がタンタ
ル（Ｔa）よりも良好であることを発見した。しかしながら、ＴaＮx上に銅を直
接堆積させても、銅は所望の電気移動特性を与えるのに十分に高度の｛１１１｝
結晶配向を呈さない。我々は、ＴaＮxの層に重ねたＴaの層からなるバリヤー構
造を開発した。この構造は、ＴaＮxの層上に堆積される銅層の拡散に対するバリ
ヤーとしてだけではなく、高い｛１１１｝結晶含量を有する銅層の形成を可能に
し、従って銅電気移動耐性を増加させることができる。
ル（Ｔa）よりも良好であることを発見した。しかしながら、ＴaＮx上に銅を直
接堆積させても、銅は所望の電気移動特性を与えるのに十分に高度の｛１１１｝
結晶配向を呈さない。我々は、ＴaＮxの層に重ねたＴaの層からなるバリヤー構
造を開発した。この構造は、ＴaＮxの層上に堆積される銅層の拡散に対するバリ
ヤーとしてだけではなく、高い｛１１１｝結晶含量を有する銅層の形成を可能に
し、従って銅電気移動耐性を増加させることができる。
【００１２】 ｘを約0.1から約1.5までの範囲とするＴaＮx層は、下に堆積されたシリコンま
たは酸化シリコン表面内に銅が拡散するのを防ぐのに十分にアモルファスである
。ＴaＮx層の所望の厚みは、デバイス構造に依存する。典型的な相互接続の場合
には、ＴaＮx層の厚みは約50Åから約1,000Åまでの範囲である。コンタクトの
場合には、コンタクトバイアの壁上のＴaＮx層の厚みは、特色サイズに依存して
約10Åから約300Åまでの範囲である。ＴaＮx層は、好ましくは、約20℃から約5
00℃までの範囲にわたる基体温度において、標準反応性イオンスパッタリング技
術を使用して堆積させる。しかしながら、この層を堆積させるためにイオン堆積
スパッタリング技術を使用することができる。
たは酸化シリコン表面内に銅が拡散するのを防ぐのに十分にアモルファスである
。ＴaＮx層の所望の厚みは、デバイス構造に依存する。典型的な相互接続の場合
には、ＴaＮx層の厚みは約50Åから約1,000Åまでの範囲である。コンタクトの
場合には、コンタクトバイアの壁上のＴaＮx層の厚みは、特色サイズに依存して
約10Åから約300Åまでの範囲である。ＴaＮx層は、好ましくは、約20℃から約5
00℃までの範囲にわたる基体温度において、標準反応性イオンスパッタリング技
術を使用して堆積させる。しかしながら、この層を堆積させるためにイオン堆積
スパッタリング技術を使用することができる。
【００１３】 ＴaＮx層上に堆積されたＴa層は約５Å から約500Å までの範囲にわたる所望
厚を有しており、好ましい厚みは特色サイズに依存して約20Å より大きい。Ｔa
層は、好ましくは、約20℃から約500℃までの範囲にわたる基体温度において標
準イオンスパッタリング技術を使用して堆積させる。しかしながら、この層を堆
積させるためにイオン堆積スパッタリング技術を使用することができる。
厚を有しており、好ましい厚みは特色サイズに依存して約20Å より大きい。Ｔa
層は、好ましくは、約20℃から約500℃までの範囲にわたる基体温度において標
準イオンスパッタリング技術を使用して堆積させる。しかしながら、この層を堆
積させるためにイオン堆積スパッタリング技術を使用することができる。
【００１４】 銅層は、デバイスの要望に合わせて望ましい厚みに堆積させる。銅層は、当分
野においては公知の好ましい技術の何れかを使用して堆積させることができる。
好ましくは、銅層全体、または少なくとも銅の“シード”層を、ＣＶＤではなく
、スパッタリングまたは蒸着のような物理的蒸着技術を使用して堆積させる。銅
の結晶配向は堆積温度に鋭敏であるから、堆積中の、または爾後の焼鈍プロセス
中の銅の最大温度を約500℃よりも高くしないことが重要である。好ましくは、
最大温度は約300℃である。
野においては公知の好ましい技術の何れかを使用して堆積させることができる。
好ましくは、銅層全体、または少なくとも銅の“シード”層を、ＣＶＤではなく
、スパッタリングまたは蒸着のような物理的蒸着技術を使用して堆積させる。銅
の結晶配向は堆積温度に鋭敏であるから、堆積中の、または爾後の焼鈍プロセス
中の銅の最大温度を約500℃よりも高くしないことが重要である。好ましくは、
最大温度は約300℃である。
【００１５】 （好ましい実施の形態の詳細な説明） 本開示は、ＴaＮx／Ｔa／Ｃu構造、及び該構造を作成する方法に関する。Ｔa
Ｎx／Ｔaバリヤー層構造は、高｛１１１｝結晶含量を有する銅層をその上に重ね
て堆積させることを可能にし、従って銅の電気移動耐性を増加させる。
Ｎx／Ｔaバリヤー層構造は、高｛１１１｝結晶含量を有する銅層をその上に重ね
て堆積させることを可能にし、従って銅の電気移動耐性を増加させる。
【００１６】Ｉ．定義 詳細な説明の前書きとして、本明細書及び特許請求の範囲において使用されて
いる単数形 “ある”及び“その”等は、文脈が明確にそれ以外を指示していな
い限り、複数の関連を含んでいる。即ち、例えば、“ある半導体”は１つの半導
体の挙動特性を有することが知られている種々の異なる材料を含み、ある“プラ
ズマ”と記述されている場合には、高周波グロー放電によって活性化されるガス
またはガス反応物を含み、“そのコンタクト材料”または“相互接続材料” と
記述されている場合には、銅及び銅合金、及び本明細書及び特許請求の範囲に記
載されている温度範囲にわたってスパッタすることを可能にする１つの融点を有
する他の導電性材料を含むものとする。
いる単数形 “ある”及び“その”等は、文脈が明確にそれ以外を指示していな
い限り、複数の関連を含んでいる。即ち、例えば、“ある半導体”は１つの半導
体の挙動特性を有することが知られている種々の異なる材料を含み、ある“プラ
ズマ”と記述されている場合には、高周波グロー放電によって活性化されるガス
またはガス反応物を含み、“そのコンタクト材料”または“相互接続材料” と
記述されている場合には、銅及び銅合金、及び本明細書及び特許請求の範囲に記
載されている温度範囲にわたってスパッタすることを可能にする１つの融点を有
する他の導電性材料を含むものとする。
【００１７】 以下に、本発明の記述に特に重要な特定の用語を定義する。
【００１８】 用語“アスペクト比”は、ある電気コンタクトが配置される特定の開口の高さ
寸法に対する幅寸法の比のことをいう。例えば、典型的には管の形状で複数の層
を通って伸びるバイア開口はある高さ及びある直径を有しており、そのアスペク
ト比はその管状の高さを直径で除したものである。ある溝（トレンチ）のアスペ
クト比は、その溝の高さを、そのベースにおけるその溝の最小進行幅で除したも
のである。
寸法に対する幅寸法の比のことをいう。例えば、典型的には管の形状で複数の層
を通って伸びるバイア開口はある高さ及びある直径を有しており、そのアスペク
ト比はその管状の高さを直径で除したものである。ある溝（トレンチ）のアスペ
クト比は、その溝の高さを、そのベースにおけるその溝の最小進行幅で除したも
のである。
【００１９】 用語“コンタクトバイア”または“バイア”は、典型的に１：１より大きいあ
るアスペクト比を有する電気コンタクトのことをいう。あるコンタクトバイアは
１つの導電性要素と別の導電性要素とを接続するために、殆どの場合複数の材料
の層を通って伸びていることが多い。
るアスペクト比を有する電気コンタクトのことをいう。あるコンタクトバイアは
１つの導電性要素と別の導電性要素とを接続するために、殆どの場合複数の材料
の層を通って伸びていることが多い。
【００２０】 用語“銅”は、半導体産業において典型的に使用されている種類の銅の合金を
含む。以下に説明する好ましい実施の形態は、約98重量％の銅を含む銅合金に関
してなされている。
含む。以下に説明する好ましい実施の形態は、約98重量％の銅を含む銅合金に関
してなされている。
【００２１】 用語“特色”は、コンタクト、バイア、溝、及び基体表面のトポグラフィを形
成している他の構造のことをいう。
成している他の構造のことをいう。
【００２２】 用語“相互接続”は、一般に、ある半導体デバイス内の導電性構造のことをい
う。本特許出願の目的から、ある“コンタクトバイア”または“バイア”（これ
は、例えば溝内の導電性ラインよりも大きいアスペクト比を有している）の形状
の電気コンタクトは、相互接続を形成している他の導電性構造とは区別される。
う。本特許出願の目的から、ある“コンタクトバイア”または“バイア”（これ
は、例えば溝内の導電性ラインよりも大きいアスペクト比を有している）の形状
の電気コンタクトは、相互接続を形成している他の導電性構造とは区別される。
【００２３】 用語“スパッタされたイオン・堆積”及び用語“反応性イオン金属プラズマ（
ＩＭＰ）”は、高密度の誘導結合された高周波プラズマがスパッタリング陰極と
基体支持電極との間に位置決めされ、それによってスパッタされた放出の少なく
とも一部分は、それが基体表面に到達する時点にはイオンの形状であるような特
定の技術を使用するスパッタ堆積のことをいう。典型的には、スパッタされた放
出の10％またはそれ以上は、それが基体表面に到達する時点にはイオンの形状で
ある。
ＩＭＰ）”は、高密度の誘導結合された高周波プラズマがスパッタリング陰極と
基体支持電極との間に位置決めされ、それによってスパッタされた放出の少なく
とも一部分は、それが基体表面に到達する時点にはイオンの形状であるような特
定の技術を使用するスパッタ堆積のことをいう。典型的には、スパッタされた放
出の10％またはそれ以上は、それが基体表面に到達する時点にはイオンの形状で
ある。
【００２４】 用語“伝統的なスパッタリング”は、薄膜層を基体上に形成させる方法であっ
て、あるターゲットをスパッタし、そのターゲットからスパッタされた材料がタ
ーゲットと基体との間を通過して基体上に薄膜層を形成するような、またターゲ
ットからスパッタされたターゲット材料が基体に到達する前に、その材料の実質
的な部分をイオン化する手段が設けられていない方法のことをいう。伝統的なス
パッタリングを遂行するように構成された１つの装置が米国特許第5,320,728号
に開示されており、本明細書はこの特許の開示を参照として採り入れている。こ
のような伝統的なスパッタリング構成においては、イオン化されるターゲット材
料のパーセンテージは、ターゲットからスパッタされる材料の10％より低く、よ
り典型的には１％よりも少ない。
て、あるターゲットをスパッタし、そのターゲットからスパッタされた材料がタ
ーゲットと基体との間を通過して基体上に薄膜層を形成するような、またターゲ
ットからスパッタされたターゲット材料が基体に到達する前に、その材料の実質
的な部分をイオン化する手段が設けられていない方法のことをいう。伝統的なス
パッタリングを遂行するように構成された１つの装置が米国特許第5,320,728号
に開示されており、本明細書はこの特許の開示を参照として採り入れている。こ
のような伝統的なスパッタリング構成においては、イオン化されるターゲット材
料のパーセンテージは、ターゲットからスパッタされる材料の10％より低く、よ
り典型的には１％よりも少ない。
【００２５】 用語“ＸＲＤ”（Ｘ線回折）は、結晶配向を測定するために広く使用されてい
る技術であって、特定の波長にわたる放射を、特徴付けられた材料を通過させ、
材料を通過することによって生じた放射の回折を測定する技術のことをいう。回
折パターンを示すマップを作成し、このマップに基づいて結晶配向を計算する。
る技術であって、特定の波長にわたる放射を、特徴付けられた材料を通過させ、
材料を通過することによって生じた放射の回折を測定する技術のことをいう。回
折パターンを示すマップを作成し、このマップに基づいて結晶配向を計算する。
【００２６】 “伝統的にスパッタされた”窒化タンタルからなる薄膜または層は、窒素ガス
を有するコンビネータ内でタンタルターゲットを、アルゴンのような不活性ガス
から作られたプラズマと接触させることによって基体上に堆積させる。ターゲッ
トからスパッタされたタンタルの一部分は、プラズマによって活性化されている
窒素ガスと反応して窒化タンタルを発生し、この気相混合体が基体と接触して基
体上に層を形成する。
を有するコンビネータ内でタンタルターゲットを、アルゴンのような不活性ガス
から作られたプラズマと接触させることによって基体上に堆積させる。ターゲッ
トからスパッタされたタンタルの一部分は、プラズマによって活性化されている
窒素ガスと反応して窒化タンタルを発生し、この気相混合体が基体と接触して基
体上に層を形成する。
【００２７】II．本発明を実行する装置 本発明の方法を遂行できる処理システムは、Applied Materials, Inc.（カリ
フォルニア州サンタクララ）製のEndura（登録商標）Integrated Processing Sy
stemである。この処理システムは、図面には示されていない。しかしながら、こ
のシステムは半導体処理産業においては一般的に知られており、本明細書が参照
として採り入れている米国特許第5,186,718号及び第5,236,868号に示され、記載
されている。本発明の滑らかな表面をしたＴaＮx／Ｔaバリヤー層を形成するの
に有用な、典型的なスパッタリング装置の概要を図１に示す。スパッタリング装
置１００はスパッタリングターゲット１１０を含み、このターゲット１１０は２
つの主要表面、即ち熱を除去する裏面１１２と、スパッタリング表面である前面
１１４とを有している。スパッタされた材料は、プラテン１１８上に支持されて
いる半導体加工片１１６の表面上に堆積する。加工片１１６とターゲット１１０
との間の間隔は、プラテン１１８を移動させることによって調整することができ
る。スパッタリングターゲット（陰極）１１０は、約24ｋＷまでの電力レベルで
動作する。典型的には、アルゴンのような不活性ガスから生成されたイオン化し
たガスを使用してスパッタリングターゲット１１０に衝撃を与え、スパッタされ
た金属原子を発生させて加工片１１６上に堆積させる。不活性ガスは、図１には
示されていない開口を通して、ターゲット１１２の付近から真空チャンバ１１７
内に導入される。付加的なガスを、加工片支持プラテン１１８の表面から真空チ
ャンバ１１７へ導入することができる。支持プラテン１１８は、その表面に開口
を含み（図示してない）、加工片１１６と支持プラテン１１８との間に熱伝達ガ
スを流すことができるようになっている。これらのガスは、真空チャンバ１１７
内の開口（図示してない）を通して排気される。この開口は、真空ポンプ（図示
してない）に通ずる導管（図示してない）に接続されている。真空チャンバ１１
７は、遂行される特定の処理に依存して、約0.1ｍＴから約60ｍＴまでの範囲に
わたる圧力で動作させることができる。
フォルニア州サンタクララ）製のEndura（登録商標）Integrated Processing Sy
stemである。この処理システムは、図面には示されていない。しかしながら、こ
のシステムは半導体処理産業においては一般的に知られており、本明細書が参照
として採り入れている米国特許第5,186,718号及び第5,236,868号に示され、記載
されている。本発明の滑らかな表面をしたＴaＮx／Ｔaバリヤー層を形成するの
に有用な、典型的なスパッタリング装置の概要を図１に示す。スパッタリング装
置１００はスパッタリングターゲット１１０を含み、このターゲット１１０は２
つの主要表面、即ち熱を除去する裏面１１２と、スパッタリング表面である前面
１１４とを有している。スパッタされた材料は、プラテン１１８上に支持されて
いる半導体加工片１１６の表面上に堆積する。加工片１１６とターゲット１１０
との間の間隔は、プラテン１１８を移動させることによって調整することができ
る。スパッタリングターゲット（陰極）１１０は、約24ｋＷまでの電力レベルで
動作する。典型的には、アルゴンのような不活性ガスから生成されたイオン化し
たガスを使用してスパッタリングターゲット１１０に衝撃を与え、スパッタされ
た金属原子を発生させて加工片１１６上に堆積させる。不活性ガスは、図１には
示されていない開口を通して、ターゲット１１２の付近から真空チャンバ１１７
内に導入される。付加的なガスを、加工片支持プラテン１１８の表面から真空チ
ャンバ１１７へ導入することができる。支持プラテン１１８は、その表面に開口
を含み（図示してない）、加工片１１６と支持プラテン１１８との間に熱伝達ガ
スを流すことができるようになっている。これらのガスは、真空チャンバ１１７
内の開口（図示してない）を通して排気される。この開口は、真空ポンプ（図示
してない）に通ずる導管（図示してない）に接続されている。真空チャンバ１１
７は、遂行される特定の処理に依存して、約0.1ｍＴから約60ｍＴまでの範囲に
わたる圧力で動作させることができる。
【００２８】III．本発明を実行する方法 例１：ＴaＮx／Ｔaバリヤー層の形成 ＴaＮx／Ｔaバリヤー層構造を形成するために、タンタルターゲット陰極１１
０を使用し、この陰極に約0.5ｋＷから約８ｋＷまでの範囲にわたる直流電力を
印加した。ターゲット陰極１１０と加工片１１６との間の間隔はほぼ200−300ｍ
ｍであった。ＴaＮxの第１の層の形成中、真空チャンバ１１７へ供給されるアル
ゴンガスは、基体支持プラテンへ約15ｓｃｃｍであり、ターゲット陰極１１０の
近傍の開口へ約７ｓｃｃｍであった。窒素ガスも、ターゲット陰極１１０の近傍
の真空チャンバ１１７内へ供給した。窒素ガス供給量は、印加される直流電力に
依存して、約２から約20ｓｃｃｍまでの範囲であり、直流電力が増加するにつれ
て窒素供給量を増加させる。直流電力を４ｋＷに、また窒素ガス供給量を約14ｓ
ｃｃｍにセットした時に得られたＴaＮx層は、約40原子％の窒素を含むＴaＮ0.7 であった。
０を使用し、この陰極に約0.5ｋＷから約８ｋＷまでの範囲にわたる直流電力を
印加した。ターゲット陰極１１０と加工片１１６との間の間隔はほぼ200−300ｍ
ｍであった。ＴaＮxの第１の層の形成中、真空チャンバ１１７へ供給されるアル
ゴンガスは、基体支持プラテンへ約15ｓｃｃｍであり、ターゲット陰極１１０の
近傍の開口へ約７ｓｃｃｍであった。窒素ガスも、ターゲット陰極１１０の近傍
の真空チャンバ１１７内へ供給した。窒素ガス供給量は、印加される直流電力に
依存して、約２から約20ｓｃｃｍまでの範囲であり、直流電力が増加するにつれ
て窒素供給量を増加させる。直流電力を４ｋＷに、また窒素ガス供給量を約14ｓ
ｃｃｍにセットした時に得られたＴaＮx層は、約40原子％の窒素を含むＴaＮ0.7 であった。
【００２９】 基体１１６は、その表面に二酸化シリコン誘電体層を有する直径200ｍｍのシ
リコンウェーハであった。この基体を、ターゲット陰極１１０から約10インチ（
25ｃｍ）の距離に配置した。真空チャンバ１１７内の動作圧力は約1.7ｍＴであ
り、シリコンウェーハの基体温度は約25℃であった。これらの条件下では、約１
分間で500Å 厚のＴaＮの層が形成された。
リコンウェーハであった。この基体を、ターゲット陰極１１０から約10インチ（
25ｃｍ）の距離に配置した。真空チャンバ１１７内の動作圧力は約1.7ｍＴであ
り、シリコンウェーハの基体温度は約25℃であった。これらの条件下では、約１
分間で500Å 厚のＴaＮの層が形成された。
【００３０】 ＴaＮ層を堆積させた後に窒素ガスを遮断し、タンタルターゲット陰極１１０
への電力を約４ｋＷから約１ｋＷまで低下させ、そしてアルゴンガスの供給を維
持した。真空チャンバ内の圧力を約1.7ｍＴに維持し、基体温度を約25℃に維持
した。これらの条件下では、約10秒で60Å 厚のタンタルの層が形成された。
への電力を約４ｋＷから約１ｋＷまで低下させ、そしてアルゴンガスの供給を維
持した。真空チャンバ内の圧力を約1.7ｍＴに維持し、基体温度を約25℃に維持
した。これらの条件下では、約10秒で60Å 厚のタンタルの層が形成された。
【００３１】 図２に示すデータは、上述した技法で得たＴaＮ／Ｔaバリヤー層のためのもの
であり、より厚いタンタル層を発生させるためにタンタル堆積時間の長さを適切
に増加させた。
であり、より厚いタンタル層を発生させるためにタンタル堆積時間の長さを適切
に増加させた。
【００３２】 例２：銅導電層の形成 ＴaＮバリヤー層の上に位置する銅層は、ＴaＮバリヤー層の堆積に関して説明
した装置と同一の装置を使用して堆積させた。ターゲット陰極１１０は銅であっ
た。Ｃu層を上に重ねて形成させる間、真空チャンバ１１７へのアルゴンガス供
給は、基体支持プラテン１１８へ約15ｓｃｃｍであり、ターゲット陰極１１０の
近傍の開口へ約90ｓｃｃｍであった。その上面にタンタル層を有する基体を、タ
ーゲット陰極１１０から約10インチ（25ｃｍ）の距離に配置した。真空チャンバ
１１７内の動作圧力は約1.0ｍＴであり、基体温度は約150℃であった。これらの
条件下では、約１分間で1,000Å 厚の銅の層が形成された。
した装置と同一の装置を使用して堆積させた。ターゲット陰極１１０は銅であっ
た。Ｃu層を上に重ねて形成させる間、真空チャンバ１１７へのアルゴンガス供
給は、基体支持プラテン１１８へ約15ｓｃｃｍであり、ターゲット陰極１１０の
近傍の開口へ約90ｓｃｃｍであった。その上面にタンタル層を有する基体を、タ
ーゲット陰極１１０から約10インチ（25ｃｍ）の距離に配置した。真空チャンバ
１１７内の動作圧力は約1.0ｍＴであり、基体温度は約150℃であった。これらの
条件下では、約１分間で1,000Å 厚の銅の層が形成された。
【００３３】 ＴaＮx／Ｔa／Ｃu構造の形成に関しては、一般に平面化及びイメージングの目
的のためにより平らな構造であることが好ましいので、タンタル層を最小可能な
厚みで使用することが望ましい。また、過剰なタンタルを加工片の表面から除去
することは困難である。特色間の加工片の表面（“フィールド”として知られて
いる）上の材料を化学・機械研磨を使用して除去する場合、タンタルの除去速度
は銅の除去速度よりも遙かに遅い。その結果フィールドから銅及びＴa／ＴaＮx
を完全に除去しようとすると銅が過研磨され、銅はコンタクトから基体／加工片
の表面より下のレベルまで除去されて、コンタクトの領域内に“ディッシング効
果”を生ずるようになる。更に、基体処理時間にある費用がもたらされる。
的のためにより平らな構造であることが好ましいので、タンタル層を最小可能な
厚みで使用することが望ましい。また、過剰なタンタルを加工片の表面から除去
することは困難である。特色間の加工片の表面（“フィールド”として知られて
いる）上の材料を化学・機械研磨を使用して除去する場合、タンタルの除去速度
は銅の除去速度よりも遙かに遅い。その結果フィールドから銅及びＴa／ＴaＮx
を完全に除去しようとすると銅が過研磨され、銅はコンタクトから基体／加工片
の表面より下のレベルまで除去されて、コンタクトの領域内に“ディッシング効
果”を生ずるようになる。更に、基体処理時間にある費用がもたらされる。
【００３４】 タンタル層の最小厚みは、その層の所望性能の特色によって決定される。タン
タル表面が銅によって容易に濡れ（ウェットし）、且つ高い｛１１１｝結晶配向
を有する銅層の堆積を可能にするタンタル｛００２｝結晶配向を得るために、こ
の層は十分に厚くなければならない。堆積中の銅層がＴa表面からデウェット／
デラミネートするには、ＴaＮx表面からデウェット／デラミネートするよりも高
い温度を必要とするが、若干の場合には銅のデラミネーションが問題になる。典
型的には、銅層は約300℃乃至約500℃の範囲の温度で堆積させるので（またはよ
り低い温度で銅シード層を堆積させる、付加的な銅を堆積させてその組合わせを
この範囲の温度で焼鈍する）が、銅層のデラミネーションは現実に生じ得る。ウ
ェッティングに関しては、平らな相互接続ラインのために銅を堆積させる場合は
、銅を高いアスペクト比を有する（即ち、深さが幅よりも大きい）コンタクトバ
イアを充填するために堆積させる場合程重要ではない。
タル表面が銅によって容易に濡れ（ウェットし）、且つ高い｛１１１｝結晶配向
を有する銅層の堆積を可能にするタンタル｛００２｝結晶配向を得るために、こ
の層は十分に厚くなければならない。堆積中の銅層がＴa表面からデウェット／
デラミネートするには、ＴaＮx表面からデウェット／デラミネートするよりも高
い温度を必要とするが、若干の場合には銅のデラミネーションが問題になる。典
型的には、銅層は約300℃乃至約500℃の範囲の温度で堆積させるので（またはよ
り低い温度で銅シード層を堆積させる、付加的な銅を堆積させてその組合わせを
この範囲の温度で焼鈍する）が、銅層のデラミネーションは現実に生じ得る。ウ
ェッティングに関しては、平らな相互接続ラインのために銅を堆積させる場合は
、銅を高いアスペクト比を有する（即ち、深さが幅よりも大きい）コンタクトバ
イアを充填するために堆積させる場合程重要ではない。
【００３５】 タンタル層の厚みが増すにつれて、一般に、その上に重ねられる銅の層による
タンタルのウェッティングが改善される。タンタル層の厚みが増すにつれて、一
般的に、銅｛１１１｝結晶含量も増加する。タンタル層の厚みの限界は、特定的
にはデバイスの特色のサイズによって限定される。もしＴaＮxまたはＴa層が厚
過ぎれば、導電性特色の総合抵抗が増加する。もしこれらの層が薄過ぎれば、バ
リヤー層は拡散を防ぐのに不十分になり、更にもしＴa層が薄過ぎれば、銅｛１
１１｝結晶含量が所望の電気移動耐性を得るには不十分になり得る。
タンタルのウェッティングが改善される。タンタル層の厚みが増すにつれて、一
般的に、銅｛１１１｝結晶含量も増加する。タンタル層の厚みの限界は、特定的
にはデバイスの特色のサイズによって限定される。もしＴaＮxまたはＴa層が厚
過ぎれば、導電性特色の総合抵抗が増加する。もしこれらの層が薄過ぎれば、バ
リヤー層は拡散を防ぐのに不十分になり、更にもしＴa層が薄過ぎれば、銅｛１
１１｝結晶含量が所望の電気移動耐性を得るには不十分になり得る。
【００３６】 一般的に言えば、銅をＴaＮx層上に直接形成させた場合には、ＴaＮx層のアモ
ルファス構造含量のために、銅｛１１１｝結晶含量は貧弱になる。更に、スパッ
タリング以外の手段によって堆積させた銅（例えば、ＣＶＤによって堆積させた
銅）は銅層自体が高い不純物レベルを有するようになり、銅｛１１１｝結晶含量
は受入れ難い程低くなりかねない。ＴaＮx層の上にＴa層を使用すると、高い銅
｛１１１｝結晶含量を成長させるための受入れ可能な表面を発生させることがで
きる。若干のＣＶＤ前駆物質及び電気めっきは銅堆積プロセスを遂行するために
導電性基体を必要とするが、ＣＶＤのような他の手段によって銅コンタクト全体
を形成させる前にＴa表面上に銅のシード層を堆積させると、銅成長のための開
始マトリックスが得られる。更に、銅シード層は銅｛１１１｝結晶含量の増加を
促進する。
ルファス構造含量のために、銅｛１１１｝結晶含量は貧弱になる。更に、スパッ
タリング以外の手段によって堆積させた銅（例えば、ＣＶＤによって堆積させた
銅）は銅層自体が高い不純物レベルを有するようになり、銅｛１１１｝結晶含量
は受入れ難い程低くなりかねない。ＴaＮx層の上にＴa層を使用すると、高い銅
｛１１１｝結晶含量を成長させるための受入れ可能な表面を発生させることがで
きる。若干のＣＶＤ前駆物質及び電気めっきは銅堆積プロセスを遂行するために
導電性基体を必要とするが、ＣＶＤのような他の手段によって銅コンタクト全体
を形成させる前にＴa表面上に銅のシード層を堆積させると、銅成長のための開
始マトリックスが得られる。更に、銅シード層は銅｛１１１｝結晶含量の増加を
促進する。
【００３７】IV．ＴaＮx／Ｔaバリヤー層の構造及びその銅｛１１１｝結晶含量に対する効果 図２は、ＴaＮx／Ｔaバリヤー層のＴaの厚みの関数として、銅層の｛１１１｝
結晶含量（ＸＲＤによって測定）のグラフ２００を示している。
結晶含量（ＸＲＤによって測定）のグラフ２００を示している。
【００３８】 詳述すれば、試験したいろいろな試料（上述した方法を使用して準備した）は
２０７とラベル付けされている目盛り上に表されている。材料の層は、標準の、
伝統的なスパッタリング技術を使用して堆積させた。全ての場合において、銅層
は、1,000Å 厚であった。２０６とラベル付けされているデータ点を除く全ての
場合において、下に堆積されたＴaＮx層は、500Å 厚であった。２０６とラベル
付けされているデータ点は、500Å 厚のＴa（だけの）バリヤー層を表している
。２０８とラベル付けされているデータ点は、500Å 厚のＴaＮx（だけの）バリ
ヤー層を表している。２１０とラベル付けされているデータ点は、上に堆積され
たＴa層が57Å 厚であるＴaＮx／ＴaＮ構造を表している。２１２とラベル付け
されているデータ点は、上に堆積されたＴa層が114Å 厚であるＴaＮx／Ｔa構造
を表している。２１４とラベル付けされているデータ点は、上に堆積されたＴa
層が170Å 厚であるＴaＮx／Ｔa構造を表している。２１６とラベル付けされて
いるデータ点は、上に堆積されたＴa層が227Å 厚であるＴaＮx／Ｔa構造を表し
ている。そして、２１８とラベル付けされているデータ点は、上に形成されたＴ
a層が456Å 厚であるＴaＮx／Ｔa構造を表している。
２０７とラベル付けされている目盛り上に表されている。材料の層は、標準の、
伝統的なスパッタリング技術を使用して堆積させた。全ての場合において、銅層
は、1,000Å 厚であった。２０６とラベル付けされているデータ点を除く全ての
場合において、下に堆積されたＴaＮx層は、500Å 厚であった。２０６とラベル
付けされているデータ点は、500Å 厚のＴa（だけの）バリヤー層を表している
。２０８とラベル付けされているデータ点は、500Å 厚のＴaＮx（だけの）バリ
ヤー層を表している。２１０とラベル付けされているデータ点は、上に堆積され
たＴa層が57Å 厚であるＴaＮx／ＴaＮ構造を表している。２１２とラベル付け
されているデータ点は、上に堆積されたＴa層が114Å 厚であるＴaＮx／Ｔa構造
を表している。２１４とラベル付けされているデータ点は、上に堆積されたＴa
層が170Å 厚であるＴaＮx／Ｔa構造を表している。２１６とラベル付けされて
いるデータ点は、上に堆積されたＴa層が227Å 厚であるＴaＮx／Ｔa構造を表し
ている。そして、２１８とラベル付けされているデータ点は、上に形成されたＴ
a層が456Å 厚であるＴaＮx／Ｔa構造を表している。
【００３９】 これらの試料のＸＲＤ走査を、標準θ−２θ技術を使用して行った。Ｃu｛１
１１｝強さピーク下の相対正規化面積が、２０３とラベル付けされた目盛り上に
示されている。曲線２０２は、上述した試料のＣu｛１１１｝ＣＰＳ（カウント
／秒）強さピーク下の正規化面積を示しており、曲線上でデータ点２１０から始
まって左から右へＴa層の厚みが増加して行く。Ｃu｛１１１｝配向存在の量を表
す第２の測度が、２０５とラベル付けされている目盛り上のロッキングカーブデ
ータに示されている。このデータは、°θで測定されたＣu｛１１１｝ＦＷＨＭ
を表している。
１１｝強さピーク下の相対正規化面積が、２０３とラベル付けされた目盛り上に
示されている。曲線２０２は、上述した試料のＣu｛１１１｝ＣＰＳ（カウント
／秒）強さピーク下の正規化面積を示しており、曲線上でデータ点２１０から始
まって左から右へＴa層の厚みが増加して行く。Ｃu｛１１１｝配向存在の量を表
す第２の測度が、２０５とラベル付けされている目盛り上のロッキングカーブデ
ータに示されている。このデータは、°θで測定されたＣu｛１１１｝ＦＷＨＭ
を表している。
【００４０】 このロッキングカーブ測定技術においては、サンプルを回転させ、検出器を回
転させる。ＣＰＳ測定をある設定角で行い、次いで検出器を僅かに回転させて新
しいＣＰＳを測定する。測定の角度を増加させながらＣＰＳをプロットし、増加
する角度において測定された特定の結晶配向の量の分布曲線を生成する。
転させる。ＣＰＳ測定をある設定角で行い、次いで検出器を僅かに回転させて新
しいＣＰＳを測定する。測定の角度を増加させながらＣＰＳをプロットし、増加
する角度において測定された特定の結晶配向の量の分布曲線を生成する。
【００４１】 ＦＷＨＭ＝ピークの半値幅。ＦＷＨＭは、曲線の最大高さの半分を表す曲線上
の位置における曲線の幅を測定することによって計算される。ＦＷＨＭは度（°
）で表され、曲線の最高高さの半分における曲線の幅によって走査された度の数
を表す。多くの度の数に広がるより広い曲線（目盛り上で高い数）は、関心結晶
配向のための信号が強い信号ではなく、銅｛１１１｝結晶配向の存在が少ないこ
とを表している。制限された度の数に広がる狭い曲線（目盛り上で低い数）は強
い信号であり、結晶配向の存在が大きいことを表している。曲線２０４は、上述
した試料のためのＦＷＨＭを表しており、曲線上でデータ点２１０から始まって
左から右へＴa層の厚みが増加している。
の位置における曲線の幅を測定することによって計算される。ＦＷＨＭは度（°
）で表され、曲線の最高高さの半分における曲線の幅によって走査された度の数
を表す。多くの度の数に広がるより広い曲線（目盛り上で高い数）は、関心結晶
配向のための信号が強い信号ではなく、銅｛１１１｝結晶配向の存在が少ないこ
とを表している。制限された度の数に広がる狭い曲線（目盛り上で低い数）は強
い信号であり、結晶配向の存在が大きいことを表している。曲線２０４は、上述
した試料のためのＦＷＨＭを表しており、曲線上でデータ点２１０から始まって
左から右へＴa層の厚みが増加している。
【００４２】 曲線２０２上のデータ点２０６は、1,000Å 厚のスパッタされた銅層の下に堆
積された500Å 厚のＴa層を有する試料のためのＣu｛１１１｝強さピーク下の正
規化面積を示している。曲線２０２から明らかなように、Ｃu｛１１１｝結晶配
向の量は比較的高い。しかしながら前述したように、純粋なＴaの層は、ＴaＮx
／Ｔaバリヤー層構造のように下に位置する二酸化シリコン誘電体層内への銅の
拡散を防ぐ拡散バリヤーにはならない。
積された500Å 厚のＴa層を有する試料のためのＣu｛１１１｝強さピーク下の正
規化面積を示している。曲線２０２から明らかなように、Ｃu｛１１１｝結晶配
向の量は比較的高い。しかしながら前述したように、純粋なＴaの層は、ＴaＮx
／Ｔaバリヤー層構造のように下に位置する二酸化シリコン誘電体層内への銅の
拡散を防ぐ拡散バリヤーにはならない。
【００４３】 曲線２０２上のデータ点２０８は、1,000Å 厚のスパッタされた銅層の下に形
成されている500Å 厚のＴaＮ層を有する試料のためのＣu｛１１１｝強さピーク
下の正規化面積を示している。このＴaＮ層は良好な拡散バリヤーにはなるが、
Ｃu｛１１１｝の量は最小である。曲線２０２上のデータ点２１０乃至２１６は
、上に位置するＴa層の厚みが増加する（データ点の番号が増加する）のに伴う5
00Å 厚のＴaＮ層を有する試料のためのＣu｛１１１｝強さピーク下の正規化面
積を示しており、これらの全ての試料においてはＴaＮ／Ｔaバリヤー層上に1,00
0Åの銅の層が堆積されている。データ点２１０の500Å ＴaＮ／57Å Ｔaバリヤ
ー層は、500Å 厚のＴa層よりも約10％少ないＣu｛１１１｝ピーク下面積を呈し
ている。電気移動性能のこの低下の正確な重要性は未だに決定されていないが、
この差がデバイスの性能に重大な影響を与えるとは考えていない。
成されている500Å 厚のＴaＮ層を有する試料のためのＣu｛１１１｝強さピーク
下の正規化面積を示している。このＴaＮ層は良好な拡散バリヤーにはなるが、
Ｃu｛１１１｝の量は最小である。曲線２０２上のデータ点２１０乃至２１６は
、上に位置するＴa層の厚みが増加する（データ点の番号が増加する）のに伴う5
00Å 厚のＴaＮ層を有する試料のためのＣu｛１１１｝強さピーク下の正規化面
積を示しており、これらの全ての試料においてはＴaＮ／Ｔaバリヤー層上に1,00
0Åの銅の層が堆積されている。データ点２１０の500Å ＴaＮ／57Å Ｔaバリヤ
ー層は、500Å 厚のＴa層よりも約10％少ないＣu｛１１１｝ピーク下面積を呈し
ている。電気移動性能のこの低下の正確な重要性は未だに決定されていないが、
この差がデバイスの性能に重大な影響を与えるとは考えていない。
【００４４】 500Å ＴaＮ／170Å Ｔaバリヤー層を表している曲線２０２上のデータ点２１
４におけるＣu｛１１１｝ピーク下面積は、純粋なＴaの層と等価である。驚くこ
とには、データ点２１６によって表されている500Å ＴaＮ／227Å Ｔaバリヤー
層と、データ点２１８によって表されている500Å ＴaＮ／456Å Ｔaバリヤー層
との間のある点においては、Ｃu｛１１１｝結晶含量が急激に増加して純粋なＴa
の層の値よりも約20％大きい値まで上昇している。上述した同一試料のために曲
線２０４によって示されているＦＷＨＭデータは、Ｃu｛１１１｝強さピーク下
の正規化面積も同一の傾向にあることを確認している。例えば、曲線２０４上の
データ点２１６の後のＦＷＨＭが下がって、銅｛１１１｝結晶配向の量が増加し
ていることを示している。
４におけるＣu｛１１１｝ピーク下面積は、純粋なＴaの層と等価である。驚くこ
とには、データ点２１６によって表されている500Å ＴaＮ／227Å Ｔaバリヤー
層と、データ点２１８によって表されている500Å ＴaＮ／456Å Ｔaバリヤー層
との間のある点においては、Ｃu｛１１１｝結晶含量が急激に増加して純粋なＴa
の層の値よりも約20％大きい値まで上昇している。上述した同一試料のために曲
線２０４によって示されているＦＷＨＭデータは、Ｃu｛１１１｝強さピーク下
の正規化面積も同一の傾向にあることを確認している。例えば、曲線２０４上の
データ点２１６の後のＦＷＨＭが下がって、銅｛１１１｝結晶配向の量が増加し
ていることを示している。
【００４５】 この開示に基づいて、当業者ならば、バリヤー層上に堆積される銅層の拡散を
防ぐバリヤー層を得ることができ、高い｛１１１｝結晶含量を有する銅層の形成
が可能であろう。
防ぐバリヤー層を得ることができ、高い｛１１１｝結晶含量を有する銅層の形成
が可能であろう。
【００４６】 以上に説明した好ましい実施の形態は本発明の範囲を限定することを意図した
ものではなく、当業者ならば、本開示に鑑みて特許請求の範囲に記載された内容
に対応してこれらの実施の形態を拡張することができよう。
ものではなく、当業者ならば、本開示に鑑みて特許請求の範囲に記載された内容
に対応してこれらの実施の形態を拡張することができよう。
【図１】 本発明のバリヤー層を堆積させるために使用できる種類のスパッタリングチャ
ンバの概要断面図である。
ンバの概要断面図である。
【図２】 ＴaＮx層を約500Å に一定に維持し、Ｔa層の厚みの関数としてのＴaＮx／Ｔa
バリヤー層上の銅｛１１１｝結晶配向を表すグラフである。
バリヤー層上の銅｛１１１｝結晶配向を表すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チアン トニー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94043 マウンティン ヴィユー ノース ウィスマン ロード 100−♯17 (72)発明者 チン バリー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95070 サラトガ カンバーランド ドラ イヴ 13174 Ｆターム(参考） 5F033 JJ11 JJ21 JJ32 KK01 LL10 NN06 NN07 PP15 PP16 QQ48 QQ73 QQ98 RR04 WW00 WW02 WW03 WW04 XX04 XX05 XX28
Claims (27)
- 【請求項１】 ある導電層と組合わせて使用するためのバリヤー層であって
、上記バリヤー層は、 ａ）約10Å 以上から約1,000Å までの範囲にわたる厚みを有するＴaＮxの第
１の層と、 ｂ）上記第１の層の上に重ねられ、約５Å から約500Å までの範囲にわたる
厚みを有するＴaの第２の層と、 からなるある特定の構造を有していることを特徴とするバリヤー層。 - 【請求項２】 上記導電層は、銅であることを特徴とする請求項１に記載の
バリヤー層。 - 【請求項３】 上記バリヤー層はある相互接続構造内に使用され、上記Ｔa
Ｎx層の厚みは約50Å から約1,000Å までの範囲にわたり、上記Ｔa層の厚みは
約20Å から約500Å までの範囲にわたることを特徴とする請求項１に記載のバ
リヤー層。 - 【請求項４】 上記バリヤー層はあるコンタクトバイア構造内に使用され、
上記ＴaＮx層の厚みは約10Å から約300Å までの範囲にわたり、上記Ｔa層の厚
みは約５Å から約300Å までの範囲にわたることを特徴とする請求項１に記載
のバリヤー層。 - 【請求項５】 上記ｘは、約0.1から約1.5までの範囲にわたることを特徴と
する請求項２、または請求項３、または請求項４に記載のバリヤー層。 - 【請求項６】 請求項２のバリヤー層と、その上に重ねられた銅層とからな
る銅相互接続構造であって、上記重ねられた銅層のＣu｛１１１｝結晶含量は、
約500Å 厚の純粋なＴaバリヤー層を使用して得ることができるＣu｛１１１｝結
晶含量の少なくとも70％であることを特徴とする銅相互接続構造。 - 【請求項７】 請求項２のバリヤー層と、銅充填物とからなる銅コンタクト
バイアを構成する構造であって、上記銅充填物層のＣu｛１１１｝結晶含量は、
約250Å 厚の純粋なＴaバリヤー層を使用して得ることができるＣu｛１１１｝結
晶含量の少なくとも70％であることを特徴とする銅コンタクトバイアを含む構造
。 - 【請求項８】 ある導電層と組合わせるのに有用なバリヤー層を製造する方
法であって、 ａ）約10Å 以上から約1,000Å までの範囲にわたる厚みを有するＴaＮxの第
１の層を堆積させるステップと、 ｂ）約５Å から約500Å までの範囲にわたる厚みを有するＴaの第２の層を堆
積させるステップと、 を含んでいることを特徴とする方法。 - 【請求項９】 上記導電層は、銅であることを特徴とする請求項８に記載の
方法。 - 【請求項１０】 上記ＴaＮxの第１の層は、約25℃から約500℃までの範囲
にわたる基体温度を有するある基体上に堆積されることを特徴とする請求項８に
記載の方法。 - 【請求項１１】 上記Ｔaの第２の層は、約25℃から約500℃までの範囲にわ
たる基体温度を有するある基体上に堆積されることを特徴とする請求項８に記載
の方法。 - 【請求項１２】 上記バリヤー層はある相互接続構造内に使用され、上記Ｔ
aＮx層の厚みは約50Å から約1,000Å までの範囲にわたり、上記Ｔa層の厚みは
約20Å から約500Å までの範囲にわたることを特徴とする請求項８に記載の方
法。 - 【請求項１３】 上記バリヤー層はあるコンタクトバイア構造内に使用され
、上記ＴaＮx層の厚みは約10Å から約300Å までの範囲にわたり、上記Ｔa層の
厚みは約５Å から約300Å までの範囲にわたることを特徴とする請求項８に記
載の方法。 - 【請求項１４】 上記ｘは、約0.1から約1.5までの範囲にわたることを特徴
とする請求項８、または請求項１２、または請求項１３に記載の方法。 - 【請求項１５】 上記Ｔa層の少なくとも一部分は、ある伝統的な標準スパ
ッタリング技術を使用して堆積されることを特徴とする請求項８に記載の方法。 - 【請求項１６】 上記Ｔa層の少なくとも一部分は、ある伝統的な標準スパ
ッタリング技術を使用して堆積されることを特徴とする請求項１２に記載の方法
。 - 【請求項１７】 上記ＴaＮx層の少なくとも一部分は、ある伝統的な標準ス
パッタリング技術を使用して堆積されることを特徴とする請求項８に記載の方法
。 - 【請求項１８】 上記Ｔa層の少なくとも一部分は、イオン堆積スパッタリ
ングを使用して堆積されることを特徴とする請求項８に記載の方法。 - 【請求項１９】 上記Ｔa層の少なくとも一部分は、イオン堆積スパッタリ
ングを使用して堆積されることを特徴とする請求項１３に記載の方法。 - 【請求項２０】 上記ＴaＮx層の少なくとも一部分は、イオン堆積スパッタ
リングを使用して堆積されることを特徴とする請求項８に記載の方法。 - 【請求項２１】 請求項１のバリヤー層と、その上に重ねられた銅層とから
なる銅相互接続構造を製造する方法であって、上記重ねられた銅層のＣu｛１１
１｝結晶含量は、約500Å 厚の純粋なＴaバリヤー層を使用して上記銅層を堆積
させることによって得ることができるＣu｛１１１｝結晶含量の少なくとも70％
であり、上記方法は、 ａ）約50Å 以上から約1,000Å までの範囲の厚みを有するＴaＮxの第１の層
を堆積させるステップと、 ｂ）約５Å から約500Å までの範囲にわたる厚みを有するＴaの第２の層を上
記ＴaＮxの第１の層の表面上に堆積させるステップと、 ｃ）銅の第３の層を上記Ｔaの第２の層の表面上に堆積させるステップと、 を含み、上記銅の第３の層の少なくとも一部分は物理蒸着技術を使用して堆積さ
れ、上記銅の第３の層を堆積させる基体温度は約500℃よりも低い ことを特徴とする方法。 - 【請求項２２】 上記銅相互接続構造は、約500℃よりも低い温度で焼鈍さ
れることを特徴とする請求項２１に記載の方法。 - 【請求項２３】 請求項１のバリヤー層と、その上に重ねられた銅層とから
なる銅で構成されたコンタクトバイア構造を製造する方法であって、上記重ねら
れた銅層のＣu｛１１１｝結晶含量は、約300Å 厚の純粋なＴaバリヤー層を使用
して上記銅層を堆積することによって得ることができるＣu｛１１１｝結晶含量
の少なくとも70％であり、上記方法は、 ａ）約10Å 以上から約300Å までの範囲にわたる厚みを有するＴaＮxの第１
の層を堆積させるステップと、 ｂ）約５Å から約300Å までの範囲にわたる厚みを有するＴaの第２の層を上
記ＴaＮxの第１の層の表面上に堆積させるステップと、 ｃ）銅の第３の層を上記Ｔaの第２の層の表面上に堆積させるステップと、 を含み、上記銅の第３の層の少なくとも一部分は物理蒸着技術を使用して堆積さ
れ、上記銅の第３の層を堆積させる基体温度は約500℃よりも低い ことを特徴とする方法。 - 【請求項２４】 上記銅を含む構造は、約500℃よりも低い温度で焼鈍され
ることを特徴とする請求項２３に記載の方法。 - 【請求項２５】 上記銅の第３の層は、約300℃よりも低い温度で堆積され
ることを特徴とする請求項２３に記載の方法。 - 【請求項２６】 上記構造は、約500℃よりも低い温度で焼鈍されることを
特徴とする請求項２５に記載の方法。 - 【請求項２７】 請求項１のバリヤー層と、その上に重ねられた銅層とを含
む銅で構成されたコンタクトバイア構造を製造する方法であって、上記重ねられ
た銅層のＣu｛１１１｝結晶含量は、約300Å 厚の純粋なＴaバリヤー層を使用し
て上記銅層を堆積することによって得ることができるＣu｛１１１｝結晶含量の
少なくとも70％であり、上記方法は、 ａ）約10Å 以上から約300Å までの範囲にわたる厚みを有するＴaＮxの第１
の層を堆積させるステップと、 ｂ）約５Å から約300Å までの範囲にわたる厚みを有するＴaの第２の層を上
記ＴaＮxの第１の層の表面上に堆積させるステップと、 ｃ）銅の第３の層を上記Ｔaの第２の層の表面上に堆積させるステップと、 を含み、上記銅の第３の層の少なくとも一部分は物理蒸着技術を使用して堆積さ
れ、上記銅の第３の層を堆積させる基体温度は約500℃よりも低く、 上記第１の層、または上記第２の層、または上記第３の層の少なくとも一部分
、またはそれらのある組合わせは、イオン堆積スパッタリングを使用して堆積さ
れる ことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/995,108 | 1997-12-19 | ||
| US08/995,108 US6887353B1 (en) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | Tailored barrier layer which provides improved copper interconnect electromigration resistance |
| PCT/US1998/023355 WO1999033110A1 (en) | 1997-12-19 | 1998-11-02 | A tailored barrier layer which provides improved copper interconnect electromigration resistance |
Publications (2)
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|---|---|
| JP2002524837A true JP2002524837A (ja) | 2002-08-06 |
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Family
ID=25541403
Family Applications (1)
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