KR100804496B1 - 나노 전해도금법을 이용한 수지상 구조의 구리 팁의형성방법 및 이를 이용한 탄소나노화이버 및탄소나노코일의 형성방법 - Google Patents

나노 전해도금법을 이용한 수지상 구조의 구리 팁의형성방법 및 이를 이용한 탄소나노화이버 및탄소나노코일의 형성방법 Download PDF

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Abstract

나노 전해도금법을 이용한 수지상 구조의 구리 팁 및 이를 이용한 탄소나노화이버와 탄소나노코일의 형성방법이 개시된다. 본 발명의 구리 팁의 형성방법은 표면에 구리 씨드층이 형성된 음극 기판을 금속 양극 기판와 함께 구리 전해액을 포함하는 도금액이 채워진 도금조에 담근다. 음극 기판 및 양극 기판에 펄스 전압을 인가하여 음극 기판 상에 수지상 구조를 갖는 구리 팁을 형성한다. 구리 전해액은 황산구리, 황산, 염산으로 구성되는 것이 바람직하며, 구리 팁의 소오스는 구리 전해액에 있는 구리 이온인 것을 특징으로 한다. 나노 전해도금법을 사용하여 마이크로 구리 팁을 형성하여, 이를 이용하여 탄소나노화이버 및 탄소나노코일을 형성하여 전계방출 디스플레이의 전자방출 팁 또는 전계방출 방식의 백라이트 광원으로 사용할 수 있으며, 그 밖에 표면적의 증가로 인한 방열소재, 복합재, 전자파 차폐 등 다양한 분야에서 적용될 수 있다.
전해도금법, 구리 팁, 탄소나노화이버, 탄소나노코일, 수지상 구조

Description

나노 전해도금법을 이용한 수지상 구조의 구리 팁의 형성방법 및 이를 이용한 탄소나노화이버 및 탄소나노코일의 형성방법{Method for forming dentric copper tip using nano-electroplating and method for forming carbon nanofibers and carbon nanocoils using the same}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 구리 도금을 위한 도금조의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 비교 실시예에서 따른 마이크로-나노 구리 구조물을 나타내는 사진이다.
도 3는 본 발명의 일실시예에 따라 형성된 구리 팁을 나타내는 사진이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 구리 팁을 나타내는 평면사진이다.
도 5는 제1 비교 실시예로서 일반적인 구리 도금 구조물을 나타내는 사진이다.
도 6은 제2 비교 실시예로서 구리 박막을 나타내는 사진이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 구리 팁 상에 형성된 탄소나노화이버를 나타내는 사진이다.
도 8 제1 비교 실시예에 따른 일반적인 구리 도금 상에 형성된 탄소나노화이버를 나타내는 사진이다.
도 9는 제2 비교 실시예에 따른 구리 박막 상에 형성된 탄소나노화이버를 나 타내는 사진이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 구리 팁 상에 형성된 탄소나노화이버를 이용한 전계방출소자의 발광사진이다.
도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 구리 팁 상에 형성된 탄소나노코일을 나타내는 사진이다.
도 12는 제1 비교 실시예에 따른 일반적인 구리 도금 상에 형성된 탄소나노코일을 나타내는 사진이다.
도 13은 제2 비교 실시예에 따른구리 박막 상에 형성된 탄소나노코일을 나타내는 사진이다.
도 14는 본 발명의 일실시예에 따른 구리 팁 상에 형성된 탄소나노코일을 이용한 전계방출소자의 발광사진이다.
본 발명은 구리 팁 및 이를 이용한 탄소나노화이버 및 탄소나노코일의 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 나노 전해도금법을 이용한 수지상 구조의 구리 팁의 형성방법 및 이를 이용한 탄소나노화이버 및 탄소나노코일의 형성방법에 관한 것이다.
FED(Field Emission Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display), CRT(Cathod Ray Tube) 등의 디스플레이 장치 또는 백색광원, LCD(Liquid Crystal Display)의 백라이트 램프 등의 광원은 일정한 세기의 전계가 인가되면 전자를 방출하는 전자방출 팁(emitter tip)을 필요로 한다.
전자방출 팁을 사용하는 전계방출형 소자는 주로 ITO(Indium Tin Oxide) 형광체가 도포되어 있는 양극이 형성된 상부기판과 전자방출 팁을 구비한 음극이 형성된 하부기판으로 구성되어 있다.
최근들어, 종래의 전자방출 팁에 비해 전자방출전압은 수십배 낮은 반면 전자방출전류는 수십 내지 수십 배인 탄소나노튜브가 새로운 전자방출 팁으로서 각광 받고 있다. 탄소나노튜브를 전자방출 팁으로 형성하기 위하여는 저온에서 고순도 및 고밀도로 형성하여야 하며, 또한 전자방출이 쉽게 일어나도록 하기 위해서는 전자방출 팁의 끝 모양은 가능한 한 뾰족하여야 한다.
현재 전자방출 팁으로 탄소나노튜브를 이용하는 방법은 주로 금속, 유기 고분자 및 탄소나노튜브로 이루어진 페이스트(paste)를 하부기판에 프린팅 한 후에 선택적 식각으로 패터닝하여 탄소나노튜브막을 형성하는 방법과 탄소나노튜브를 대전제와 함께 용매에 분산시켜 전기영동법에 의하여 전자방출 팁을 형성하는 방법 등이 사용되고 있다.
그런데, 페이스트를 이용하는 방법은 탄소나노튜브가 아닌 페이스트에서 가스방출(outgassing)이 발생하여 디바이스의 수명이 단축되며, 전자방출에 유효한 나노튜브의 개수분포가 불량하고, 특히 전극기판과 나노튜브와의 접착력이 불량하기 때문에 균일한 휘도의 발광을 일으킬 수 없고 장시간 사용할 수 없는 단점이 있다. 전기영동법을 이용한 방법의 경우 기판과의 약한 접착성으로 인해 고전계에서 탄소나노튜브가 떨어지는 현상이 발생하여 접착성을 향상시키기 위한 방법이 필요하며, 이러한 문제점으로 실용화에 한계를 가지고 있다. 직접성장법의 경우 소다라임 유리기판의 변형온도인 550℃ 이하에서 성장되어야 하는데 일반적인 기판을 사용할 경우 550℃에서 성장시킨 탄소나노튜브 및 파이버는 2-3㎛ 로 길이가 짧아 전계방출특성이 우수하지 못하여 종횡비가 높은 탄소나노튜브를 필요한 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 전극기판과 접착성이 우수하고 고밀도로 배열된 수지상 구조의 구리 팁 및 이를 이용한 탄소나노화이버 및 탄소나노코일의 형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 구리 팁의 형성방법은 표면에 구리 씨드층이 형성된 음극 기판을 금속 양극 기판와 함께 구리 전해액을 포함하는 도금액이 채워진 도금조에 담근다. 음극 기판 및 양극 기판에 펄스 전압을 인가하여 음극 기판 상에 수지상 구조를 갖는 구리 팁을 형성한다.
본 발명에 있어서, 구리 전해액은 황산구리, 황산, 염산으로 구성되는 것이 바람직하며, 구리 팁의 소오스는 구리 전해액에 있는 구리 이온인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 전원은 펄스 전압으로서 전류 밀도는 100mA/cm2 내지 200mA/cm2, 주파수는 10Hz 내지 5,000Hz의 범위에서 진행하는 것이 바람직하다.
상기 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 탄소나노화이버의 형성방법은 표면에 구리 씨드층이 형성된 음극 기판을 금속 양극 기판와 함께 구리 전해액을 포함하는 도금액이 채워진 도금조에 담근다. 음극 기판 및 양극 기판에 펄스 전압을 인가하여 상기 음극 기판 상에 수지상 구조를 갖는 구리 팁을 형성하고, 수지상 구조의 구리 팁 상에 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 탄소나노화이버를 형성한다.
본 발명에 있어서, 탄소나노화이버는 전계방출 디스플레이의 전자방출 팁 또는 전계방출(field emission) 방식의 백라이트의 전자방출 팁일 수 있다.
상기 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 탄소나노코일의 형성방법은 표면에 구리 씨드층이 형성된 음극 기판을 금속 양극 기판와 함께 구리 전해액을 포함하는 도금액이 채워진 도금조에 담근다. 음극 기판 및 양극 기판에 펄스 전압을 인가하여 상기 음극 기판 상에 수지상 구조를 갖는 구리 팁을 형성하고, 수지상 구조의 구리 팁 상에 열화학증착법을 사용하여 탄소나노코일을 형성한다.
본 발명에 있어서, 탄소나노코일은 전계방출 디스플레이의 전자방출 팁 또는 전계방출(field emission) 방식의 백라이트의 전자방출 팁일 수 있다.
상술한 목적, 특징들 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 구리 팁을 형성하기 위한 전해 도금조를 나타내는 개략도이다.
도 1을 참조하면, 도금조(300)에는 도금액(315)이 일정 수위로 채워져 있으며, 양극기판(320)과 구리 팁이 형성되는 음극기판(325)이 도금액(315)에 담겨져 있다. 양극기판(320)과 음극기판(325) 사이에는 전원 공급장치(330)에 의하여 전기장이 가해질 수 있다.
(비교 실시예)
도 2은 본 발명의 비교 실시예에 따른 마이크로-나노 구리 구조물을 나타내는 사진이다. 도금액(315)은 황산구리, 황산, 염산으로 조성되어 있으며, 조성비율을 1:2.2:0.001로 하였으며, 양극기판(320)은 구리 소스 기판을 사용하였다.
도 2를 참조하면, 직류전압을 45-100mA/cm2, 3분 인가한 경우에 기판에 성장한 마이크로-나노 구리 구조물을 나타내는 사진이다. 나뭇잎 형상의 마이크로-나노 구리 구조물이 성장한다. 양극기판(320)에 구리 소스 기판을 사용하였으며, 직류전압을 인가한 경우에는 마이크로-나노 구조물은 뾰족한 팁의 형상을 가지지 못하므로 전자방출 팁으로 사용하는데 한계를 가지고 있다.
(실시예)
비교 실시예에서는 양극 기판에 구리도금을 위한 구리 소스 기판을 사용하여 도금하지만, 본 발명의 실시예에서는 구리 소스 기판 대신 구리 이외의 금속(예컨대, 텅스텐)을 금속전극으로 사용하여 전해도금하여 국부적으로 강한 펄스전압을 인가하여 뾰족한 팁을 형성할 수 있다.
음극기판(325)으로는 소다라임 유리, 실리콘 웨이퍼 등 현재 사용되는 모든 기판을 사용할 수 있으며, 또한 기판의 크기도 제한을 받지 않는다. 음극 기판(325) 상에는 열증착(thermal evaporation) 방법으로 기판과의 접착성을 향상시기 위하여 약 30nm의 크롬박막을 접착층으로 형성하고, 계속하여 300nm의 구리박막을 씨드층으로 형성할 수 있다.
도금액(315)은 황산구리(90g/L), 황산(197g/L), 염산(0.3g/L)로 이루어 질 수 있다.
실제로 도금방법에는 다양한 가지 변수가 있으며, 교반강도, 시간, 온도, 황산구리 용액의 농도, 전류밀도, 펄스 도금시 듀티비율, 주파수(frequency), 양극기판에서의 구리 소오스의 유무에 따라서 도금특성이 달라지게 된다.
본 발명의 실시예에서는 도금방법으로는 균일도 향상을 위한 펄스 도금으로 진행하였으며, 듀티비율(duty ratio, 온(on)/오프(off) 비율을 나타내며, 20%인 경우에는 온(on) 시간이 20%임을 나타냄)이 1~100%, 주파수는 10Hz ~ 5,000Hz 범위로 진행하였다. 양극 기판에 구리 소오스는 없어야 하며 전류밀도는 100 mA/cm2~ 200mA/cm2이 바람직하다.
도 3는 본 발명의 일실시예에 따라 형성된 구리 팁을 나타내는 사진이다.
도 3을 참조하면, 상온에서 펄스 전압을 전류밀도 120mA/cm2, 3분 가해진 경우에 기판에 성장한 마이크로-나노 구리 팁을 나타내는 사진이다. 수지상 구조를 갖는 마이크로-나노 구리 팁이 성장됨을 확인할 수 있다.
여기서, 펄스 도금을 진행하였는데 직류 도금과 비교하면, 직류 도금의 경우 (111) 피크와 상당한 (200) 피크가 공존하지만 펄스도금의 경우 (200) 피크가 매우 약하고, (111) 피크만이 매우 강하다. 구리 전해도금에서 뾰족한 팁은 펄스도금의 휴지시간(off time) 동안 흡착된 구리(Cu) 원자들이 면심입방정 구조인 구리의 가장 안정한 면인 (111) 면으로 이동하기 때문에 형성된다. 과전압이 증가할 경우 구리의 주성장 방향인 (111) 방향으로의 결정성장은 감소하고 (200) 방향 등 다른 결정성장이 증가하기 때문에 뾰족한 팁의 형상이 나타나지 않는다.
(구리 팁 상에 탄소나노화이버의 형성방법)
이하, 상술한 방법으로 형성한 구리 팁 상에 플라즈마 화학기상증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, 이하 PECVD)법을 이용한 탄소나노파이버의 형성방법에 대하여 살펴본다.
먼저, 기판 상에는 열증착(thermal evaporation) 방법으로 기판과의 접착성을 향상시기 위하여 약 30nm의 크롬박막을 접착층으로 형성하고, 계속하여 300nm의 구리박막을 씨드층으로 형성할 수 있다.
이어서, 본 발명의 실시예에 따른 구리 팁 구조물과 비교 실시예로서 구리 도금 구조물과 구리박막 구조물을 형성한다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 구리 팁을 나타내는 평면사진이며, 도 5는 제1 비교 실시예로서 일반적인 구리 도금 구조물을 나타내는 사진이며, 도 6은 제2 비교 실시예로서 구리 박막을 나타내는 사진이다.
도 4를 참조하면, 기판에 구리 팁이 형성되어 있다. 공정조건은 도금액은 황산구리(90g/L), 황산(197g/L), 염산(0.3g/L)로 이루어진 황산구리 용액을 사용하였 으며, 균일도 향상을 위한 펄스 도금으로 진행하였으며, 듀티비율(duty ratio)은 40~60%, 주파수는 10Hz ~ 5,000Hz 범위로 진행하였다. 양극 기판에 구리 소오스는 없어야 하며 전류밀도는 100 mA/cm2~ 200mA/cm2로 진행하였다.
도 5를 참조하면, 기판에 구리 팁이 형성되지 않고, 일반적인 구리가 도금되어 있다. 공정조건은 도금액은 황산구리(90g/L), 황산(197g/L), 염산(0.3g/L)로 이루어진 황산구리 용액을 사용하였으며, 펄스 도금으로 진행하였으며, 듀티비율(duty ratio)이 25~60%, 주파수는 10Hz ~ 5,000Hz 범위로 진행하였다. 양극 기판에 구리 소오스를 사용하였으며, 전류밀도는 10 mA/cm2~ 20mA/cm2로 진행하였다.
도 6을 참조하면, 기판에 평탄한 구리박막이 형성되어 있다. 공정조건은 일반적인 열 화학기상증착법 또는 스퍼터를 사용하여 형성한 구리 박막을 형성하였다.
다음으로, 본 발명의 실시예에 따른 상술한 구리 팁 상에 탄소나노파이버을 형성하는 방법에 대하여 살펴본다.
상술한 구리 팁과 일반적인 구리 도금 및 구리 박막에 각각 동일 공정조건으로 PECVD 법으로 탄소나노화이버를 성장시켰다.
공정조건으로는 PECVD법으로 반응기에 화학 반응 기체들로 NH3를 50sccm, C2H2를 25sccm 사용하였으며, 전압을 450V, 전류 100mA 인가하였고, 성장온도는 480℃, 성장시간은 20분을 각각의 기판들에 동일하게 적용하였다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 구리 팁 상에 형성된 탄소나노화이버를 나타내는 사진이며, 도 8 및 도 9는 제1 비교 실시예 및 제2 비교 실시예에 따른 일반적인 구리 도금 및 구리 박막 상에 형성된 탄소나노화이버를 나타내는 사진들이다.
도 7을 참조하면, 구리 팁에 탄소나노화이버를 성장시킨 경우로서 약 20μm의 탄소나노화이버가 성장되었다.
도 8을 참조하면, 일반적인 구리 도금에 탄소나노화이버가 약 7μm 성장되었으며, 구리 팁보다는 적게 탄소나노화이버가 성장하였다.
도 9을 참조하면, 구리박막에는 탄소나노화이버가 1μm 이하로 성장됨을 확인할 수 있었다.
이와 같이, 구리 팁을 이용하여 PECVD법으로 탄소나노화이버를 성장시킨 경우에는 다른 실시예와 비교하여 탄소나노화이버가 더 크게 성장함을 알 수 있었으며, 이를 이용하여 높은 종횡비를 갖는 전계방출소자를 형성할 수 있다.
도 10은 구리 팁 상에 PECVD법으로 성장시킨 탄소나노화이버를 이용한 전계방출소자의 발광사진이다.
(구리 팁 상에 탄소나노코일의 형성방법)
다음으로, 본 발명의 실시예에 따른 상술한 구리 팁을 이용한 탄소나노코일의 형성방법에 대하여 살펴본다.
먼저, 상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 구리 팁 구조물과 비교 실시예로서 구리 도금 구조물과 구리박막 구조물을 형성한다.
이어서, 상술한 구리 팁과 일반적인 구리 도금 및 구리 박막에 동일조건으로 열화학기상증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition)로 탄소나노코일을 성장시킨다.
공정 조건으로는 구리 팁, 일반적인 구리 도금, 구리 박막이 각각 형성된 기판들을 NH3 100sccm으로 전처리 공정을 진행한다.
이어서, 본 공정으로 C2H2 가스를 40sccm, 성장온도 600℃, 성장시간 20분의 공정조건을 각각의 기판들에게 동일하게 적용하여 탄소나노코일을 형성하였다.
도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 구리 팁 상에 형성된 탄소나노코일을 나타내는 사진이며, 도 12 및 도 13은 제1 비교 실시예 및 제2 비교 실시예에 따른 일반적인 구리 도금 및 구리 박막 상에 형성된 탄소나노코일을 나타내는 사진들이다.
도 11을 참조하면, 구리 팁에 위의 공정조건을 적용한 경우에는 100μm 정도의 길이와 균일한 지름을 갖는 탄소나노코일이 형성되었다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 일반적인 구리도금 또는 구리박막에 위의 공정조건을 적용한 경우에는 구리 팁보다는 현저하게 적은 탄소나노코일이 형성되었으며, 전체적인 탄소물질의 길이도 1μm 이하였다.
이와 같이, 구리 팁을 이용하여 열화학기상증착법으로 탄소나노코일을 성장시킨 경우에는 다른 실시예와 비교하여 균일한 지름을 갖는 탄소나노코일이 약 100배 정도 더 크게 성장함을 알 수 있었으며, 이와 같은 높은 종횡비로 전계방출소자 로 이용할 수 있다.
도 14는 구리 팁을 이용하여 열화학기상증착법으로 성장시킨 탄소나노코일을 이용한 전계방출소자의 발광사진이다.
이와 같이 본 발명에 따른 구리 팁과 이를 이용하여 형성한 탄소나노파이버 또는 탄소나노코일은 전계방출 디스플레이의 전자방출 팁 또는 전계방출 방식의 백라이트 광원으로 사용할 수 있으며, 그 밖에 표면적의 증가로 인한 방열소재, 복합재, 전자파 차폐 등 다양한 분야에서 적용될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같이 이루어진 본 발명은, 구리 팁과 이를 이용하여 형성한 탄소나노파이버 또는 탄소나노코일은 전계방출 디스플레이의 전자방출 팁 또는 전계방출 방식의 백라이트 광원으로 사용할 수 있으며, 그 밖에 표면적의 증가로 인한 방열소재, 복합재, 전자파 차폐 등 다양한 분야에서 적용될 수 있다.

Claims (10)

  1. 표면에 구리 씨드층이 형성된 음극 기판을 제공하는 단계;
    상기 음극 기판을 금속 양극 기판와 함께 구리 전해액을 포함하는 도금액이 채워진 도금조에 담그는 단계; 및
    상기 음극 기판 및 양극 기판에 펄스 전압을 인가하여 상기 음극 기판 상에 수지상 구조를 갖는 구리 팁을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 펄스 전압은 전류 밀도는 100mA/cm2 내지 200mA/cm2, 주파수는 10Hz 내지 5,000Hz의 범위에서 진행하는 것을 특징으로 하는 구리 팁의 형성 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 구리 팁의 소오스는 구리 전해액에 있는 구리 이온인 것을 특징으로 하는 구리 팁의 형성 방법.
  4. 삭제
  5. 표면에 구리 씨드층이 형성된 음극 기판을 제공하는 단계;
    상기 음극 기판을 금속 양극 기판와 함께 구리 전해액을 포함하는 도금액이 채워진 도금조에 담그는 단계; 및
    상기 음극 기판 및 양극 기판에 펄스 전압을 인가하여 상기 음극 기판 상에 수지상 구조를 갖는 구리 팁을 형성하는 단계; 및
    상기 수지상 구조의 구리 팁 상에 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 탄소나노화이버를 형성하는 단계를 포함하는 탄소나노화이버의 형성방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 탄소나노화이버는 전계방출 디스플레이의 전자방출 팁인 것을 특징으로 하는 탄소나노화이버의 형성방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 탄소나노화이버는 전계방출(field emission) 방식의 백라이트의 전자방출 팁인 것을 특징으로 하는 탄소나노화이버의 형성방법.
  8. 표면에 구리 씨드층이 형성된 음극 기판을 제공하는 단계;
    상기 음극 기판을 금속 양극 기판와 함께 구리 전해액을 포함하는 도금액이 채워진 도금조에 담그는 단계; 및
    상기 음극 기판 및 양극 기판에 펄스 전압을 인가하여 상기 음극 기판 상에 수지상 구조를 갖는 구리 팁을 형성하는 단계; 및
    상기 수지상 구조의 구리 팁 상에 열화학증착법을 사용하여 탄소나노코일을 형성하는 단계를 포함하는 탄소나노코일의 형성방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 탄소나노코일은 전계방출 디스플레이의 전자방출 팁인 것을 특징으로 하는 탄소나노코일의 형성방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 탄소나노코일은 전계방출(field emission) 방식의 백라이트의 전자방출 팁인 것을 특징으로 하는 탄소나노코일의 형성방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010041508A (ko) * 1998-03-02 2001-05-25 마에다 시게루 기판의 도금장치
KR20020042482A (ko) * 2000-11-29 2002-06-05 마에다 시게루 도금장치 및 도금액 조성의 관리방법
KR20020074179A (ko) * 1999-12-24 2002-09-28 시마다리카고교가부시끼가이샤 도금처리장치 및 도금처리방법
KR20030009593A (ko) * 2001-07-23 2003-02-05 학교법인 인하학원 수소 플라즈마 및 급속 열처리의 이중 전처리 단계를포함하는 구리 전착방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010041508A (ko) * 1998-03-02 2001-05-25 마에다 시게루 기판의 도금장치
KR20020074179A (ko) * 1999-12-24 2002-09-28 시마다리카고교가부시끼가이샤 도금처리장치 및 도금처리방법
KR20020042482A (ko) * 2000-11-29 2002-06-05 마에다 시게루 도금장치 및 도금액 조성의 관리방법
KR20030009593A (ko) * 2001-07-23 2003-02-05 학교법인 인하학원 수소 플라즈마 및 급속 열처리의 이중 전처리 단계를포함하는 구리 전착방법

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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