KR20020074179A

KR20020074179A - 도금처리장치 및 도금처리방법

Info

Publication number: KR20020074179A
Application number: KR1020027008248A
Authority: KR
Inventors: 노바따히로타카; 소노다하루끼; 타떼하바요시히또; 오츠보테츠로우; 모리또야스오미; 시마다키요시; 아베유스케; 안도에이이치; 오오이시테츠지
Original assignee: 시마다리카고교가부시끼가이샤
Priority date: 1999-12-24
Filing date: 2000-12-21
Publication date: 2002-09-28
Also published as: JP3367655B2; EP1243672A1; US20030051995A1; EP1243672A4; JP2002080996A; TW504731B; WO2001048275A1

Abstract

도금장치내외에서의 금속오염의 확산을 방지하고, 시드층이 용해하지않고, 세정액이 비산해서 결함이 발생하지않고, 외주연부만을 세정하는 전자부품기판등의 도금처리장치와 그 방법을 제공한다. 전자부품기판등의 피처리물에 도금처리등을 행하는 도금처리장치에 있어서, 이 장치는 도금처리조와 세정처리조를 각각 적당한 개수내로 설치하고, 도금처리ㆍ단부 식각처리ㆍ세정처리ㆍ건조처리를 장치내에서 연속해서 행하도록 구성된다.

Description

도금처리장치 및 도금처리방법{Apparatus and Method for plating}

종래의 도금처리장치의 일례인 도13은 피처리물인 반도체 웨이퍼(101)에 전해 도금처리를 행하기 위한 도금처리장치를 나타낸다. 이 도금처리장치는 도금조(106)가 한개이고, 세정처리조(107)가 한개인 구성이지만, 로더(103,loader)ㆍ언 로더(104,unloader)를 구비하고, 반송에는 반송로봇(105)을 사용하는 일반적인 반도체 웨이퍼(101) 자동처리장치의 구성을 채용하고 있다. 도금처리장치에서 피처리물인 반도체 웨이퍼(101)는 반송로봇(105) 혹은 반송용 카세트(102,이하, 카세트)에 의해 로더(103,loader)로부터 꺼내지고 도금조(106)로 투입된다. 도금처리 종료 후, 이 반도체 웨이퍼(101)는 동일한 반송로봇(105)에 의해 도금조(106)로부터 꺼내어 지고, 다음으로 세정처리조(107)로 투입된다. 세정처리 종료후, 반도체 웨이퍼(101)는 동일한 반송로봇(105)에 의해 세정처리조(107)로부터 꺼내지고, 언로더(104,unloader)의 카세트(102)에 수납된다.

이와 같은 구성 장치의 경우, 금속을 포함하는 도금액(219,도14의 종래의 처리조를 참조)의 분위기가, 세정부, 혹은 로더ㆍ언 로더부로 확산할 우려가 있다. 반도체의 제조공정에서 구리 등과 같은 금속에 의한 오염은 반도체 칩의 전기적 특성에 큰 영향을 준다. 그러므로 금속을 포함하는 분위기의 확산을 막는 것이 중요한 과제중 하나이다.

또한, 도금처리를 한 경우, 반도체 웨이퍼(101)의 외주연부 혹은 단면에 도금액(219)으로부터 석출된 금속이 부착되는 경우가 있다. 금속은 순수(純水;pure water)를 이용한 린스(헹굼)에서는 떨어지기 어렵고, 이것을 카세트(102)에 수납한 경우, 카세트(102)를 매개로 금속 오염이 확산될 우려가 있다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼(101) 외주부, 특히 카세트(102)와 접촉하는 부분에는 불필요한 금속이 남지 않도록 대책을 마련해야 한다.

종래 처리조의 일례로서 도금 처리조(106)를 도14에 나타내었다. 이 도금처리조(106)는 피처리물인 반도체 웨이퍼(101)에 전해 도금처리를 행하기 위한 것이다. 이 도금처리조(106)에 의한 전해도금처리에서는 반도체 웨이퍼(101)를 도금 처리조(106)의 저면측에 설치해 두고, 도금액(219)은 도금 처리조(106)의 상부측으로 부터 공급해서, 같은 도금처리조(106)의 상부측으로 배출해서 회수하는 것에 의해, 기포에 의해 도금얼룩의 발생을 방지하고 있다.

이 도금처리조(106)의 내부 상면측에는 애노드 전극(207), 내부 저면측에는 캐소드 전극(208) 및 웨이퍼 설치대(201)가 설치되어 있다. 이 웨이퍼 설치대(201)의 상면에는 피처리물인 반도체 웨이퍼(101)가 배치되어 있고, 이 웨이퍼 설치대(201)는 도금처리조(106)의 저면측으로 부터 아래쪽으로 승강을 자유자재로 하고 상하 방향으로 위치 이동한다. 도14중의 화살표는 웨이퍼 설치대(201)의 승강의 모양을 나타내고 있다. 이 웨이퍼 설치대(201)가 아래쪽에서 부터 윗쪽으로 이동해 오면, 도금처리조(106)의 저면을 채우는 위치에서 정지하게되고, 이 반도체 웨이퍼(101)는 웨이퍼 설치대(201)에 의해 도금처리조(106)에 눌려져서 밀착하고, 도금처리조(106)의 저면부를 형성한다.

그 후, 순환 펌프(202)에 의해 도금액 탱크(203)로 부터 공급배관(204)를 매개로 도금처리조(106)에 도금액(219)이 공급된다. 도금처리조(106)의 내부가 도금액(219)으로 채워지면, 제2 드레인 배관(215)를 매개로 도금액(219)은 도금액 탱크(203)로 회수된다. 동시에, 도금 전원(206)으로 애노드 전극(207)과 캐소드 전극(208)을 통해 반도체 웨이퍼(101)에 전류가 흘러 도금처리가 이루어진다. 도금처리가 종료하면 순환 펌프(202)가 정지하고, 도금처리조(106)내에 남은 도금액이, 중력 또는 기체에 의한 압송으로 제2 드레인 배관(215)계로부터 도금액 탱크(203)로 수납된다. 그리고, 종래의 도금처리장치에서는, 도금액 탱크(203)가 도금처리조(106)의 하측 혹은 외측으로 이탈되어 설치되고, 도금 처리시에 도금처리조(106)로 순환 펌프(202)에서 도금액(219)을 이송하는 구조로 되어 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼(101) 표면으로부터 애노드 전극(207)에까지 도금액(219)가 가득차 전류가 통할 수 있게 되기까지 시간이 걸리고, 시드층(601)(도15 참조)을 녹여버리는 문제가 있었다.

상기 도금처리조(106)에서, 반도체 웨이퍼(101)에 예를 들어 구리를 도금할 경우, 반도체 웨이퍼(101)에는 통전용의 하지구리박막(601,이하,시드층)이 전공정에서 형성되어 있는 상태이다. 그러나 일반적인 황산구리계 도금액(219)은 강산성이기 때문에, 상기 시드층(601)은 도금액(219)에 접촉하면 용해되기 시작한다. 시드층(601)이 식각되어 불연속적인 상태가 되면, 그 부분에 전류가 흐르지 않기 때문에, 도금할 수 없게된다. 또한, 막두께, 도금액(219)의 농도, 액온 등에 의해서 달라지긴 하지만, 반도체 배선 패턴의 미세화가 진행함에 따라, 시드층(601)이 얇아지는 경향이 있고, 아주 짧은 시간에 시드층(601)이 불연속적인 상태까지 식각되어 버린다. 이 때문에, 액온 관리나 전류제어만으로는 대응할 수 없게 되고, 반도체 웨이퍼(101)가 도금액(219)에 접촉되어 통전될 때까지의 시간을 될 수 있는 한 짧게 할 필요가 있다.

도15는 종래의 도금처리방법의 일례로서, 반도체 웨이퍼(101)의 구리배선도금처리의 모식도를 나타내고 있다. 도15-1은 시드층(601)의 형성공정의 모양을, 도15-2는 황산구리 도금공정 개시 직후의 모양을, 도15-3은 황산구리 도금 공정 종료 후의 모양을 각각 나타낸다. 반도체 웨이퍼(101)상의 미세하고 어스팩트비(aspect ratio)가 큰 배선용 패턴에 대해서 시드층(601)의 생성 시에, 종래 스파터법에서는 패턴저부에 충분한 막두께를 형성하는 것이 곤란하다. 도15-1에 나타난 것처럼 반도체 웨이퍼(101)상의 패턴용 패턴에는 오목부(604)가 형성되어 있다. 이러한 배선용 패턴에 시드층(601)을 형성하는데 있어서, 종래의 전해 황산구리 도금처리에 의해 석출하는 도금 피막(도금 외층 603)으로 배선용 패턴을 충전할 경우, 상술한 것처럼 반도체 웨이퍼(101)가 도금액(219)에 접촉하는 순간부터 도금 통전이 개시하기까지의 동안에, 강산성인 황산구리 도금액(219)에 의해 얇은 시드층(601)이 용해되어버린다(도15-2). 용해된 부분은 전해 도금 때문에 통전이 이뤄지지 않으므로, 결과적으로 전해 구리 도금이 미석출되는 보이드(void)라고 하는 좋지 않은 경우가 생긴다(도15-3).

이와 같은 문제에 대해, 특허 공개 공보 평11-315385에 피로린산(pyrophoric acid)계 구리 도금액을 사용한 방법이 나타나 있지만, 피로린산계 구리 도금액에는 다음과 같은 문제가 있기 때문에 실용성이 결여된다.

① 액 성분이 자연 분해하기 쉽고 불안정하다.

② 피로린산계 구리도금액은, 나트륨(이하 Na)을 혼합해서 제조되기 때문에, 성막된 막중에 Na이 섞여 들어갈 경우가 있다. 미세하게 진행하는 반도체 제조에 있어서, 도전성 물질인 Na이 배선 안으로 섞여 들어가면 전기특성이 바뀌어져 충분한 성능을 얻을 수 없거나 혹은 결점이 된다.

③ 황산구리계 도금액은 배액 처리시에 용해되어 있는 구리이온은 응집 침전 회수되지만, 피로린계 구리 도금액은 구리가 응집 침전하지 않기 때문에, 배액 처리가 어렵다.

도16은 종래의 반도체 웨이퍼(101)의 회전형의 세정처리조의 일례이다. 종래의 세정처리조(107, 도14)는 피처리물인 반도체 웨이퍼(101)를 수평으로 지지하고 회전시키는 회전대(801)와 이 회전대(801)를 회전시키는 모터(802)와 회전대(801)에 지지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(101)의 외주연부를 향해 세정액(805)을 분출시키는 세정액 공급 수단(804)을 구비하고 있다. 여기서, 회전대(801)는 반도체 웨이퍼(101)를 수평으로 배치해서 지지하는 지지기구를 구비함과 동시에, 모터(802)의 회전축에 지지되어 모터(802)가 구동하는 것에 의해 회전하도록 배설되어 있다. 따라서, 회전대(801)는 반도체 웨이퍼(101)를 지지기구에 의해 지지해서 모터(802)의 구동력에 의해 회전시키는 것으로 세정할 수 있도록 형성되어 있다. 그리고, 회전대(801)의 상부에는 회전하는 반도체 웨이퍼(101)의 외주연부에 세정액(805)을 공급하는 세정액 공급 수단(804)이 설치되어 있다. 이 세정액 공급 수단(804)은 세정액(805)을 분출하는 분출 노즐이고, 회전대(801)에 지지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(101)의 외주연부에 세정액(805)을 분출해서 그 압력에 의해 세정하도록 배설되어 있다.

이와 같이 형성된 종래의 세정처리조(107, 도14)에 의해 반도체 웨이퍼(101)를 세정할 경우에는, 우선, 소정의 공정(예를 들면, 레지스트 도포공정)을 마친 반도체 웨이퍼(101)를 반송(搬送)수단에 의해 파지해서 회전대(801)의 상면으로 반송해서 배치 한다. 또한, 이와 같이 회전대(801)의 상면에 반도체 웨이퍼(101)를 배치하면, 회전대(801)의 지지기구에 의해 반도체 웨이퍼(101)를 지지해서 회전대(801)의 상면에 고정한다. 그 후, 모터(802)를 구동시켜 회전대(801)를 회전시키는 것으로, 회전대(801)에 지지된 반도체 웨이퍼(101)을 동시에 회전시킨다. 그리고, 이 반도체 웨이퍼(101)에는 회전대(801)에 배치되어 회전하는 상태에서 외주연부에 세정액 공급 수단(804)으로 부터 세정액(805)이 분사되고, 이 세정액(805)의 분사에 의해 외주연부가 세정된다. 이와 같이 종래의세정처리조(107)에서는 반도체 웨이퍼(101)를 회전대(801)에 설치해서 회전시키는 것과 동시에, 세정액 공급수단(804)으로부터 분사된 세정액(805)의 압력에 의해 반도체 웨이퍼(101)의 외주연부를 세정하고 있었다.

하지만, 종래의 세정처리조(107)에서는, 도16에 나타낸 것처럼, 세정액 공급 수단(804)으로부터 세정액(805)의 분사를 개시할 때에 세정액(805)이 반도체 웨이퍼(101)의 중심측으로 비산해서 반도체 웨이퍼(101)의 표면에 결함을 발생시키기 때문에, 생산공정에서의 수율이 현저히 저하해 버리는 좋지 못한 경우가 있었다.

본 개발은 상기한 문제점들을 해결하기 위하여 제안된 것으로 장치 내외에서의 금속 오염의 확산을 방지하고, 전자부품 기판의 도금처리시에 시드층이 용해하지 않고 양호한 도금처리를 실현하는 것, 세정 중에 피세정물의 중심측으로 세정액이 비산해서 결함이 발생하는 것을 방지하고, 그리고 효과적으로 외주연부만을 세정할 수 있는 전자부품 기판 등의 도금처리 장치 및 도금처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 전자부품 기판 등의 피처리물에 도금처리 등을 행하는 도금처리장치 및 그 처리방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 반도체 웨이퍼나 하드디스크 등의 원판모양의 피처리물에 전해 도금처리를 행하고, 또한 피처리물을 지지해서 회전시키고, 세정액에 의해 세정처리를 행하기 위한 장치 및 그 방법에 관한 것이다.

도1은 본 발명에 의한 도금처리장치 실시형태의 일례를 나타내는 사시도이다. 도2는 본 발명에 의한 도금처리장치에 탑재되는 도금처리조와 그 관련설비의일례를 나타내는 단면도이다. 도3은 본 발명에 의한 도금처리장치에 탑재되는 도금처리조의 도금액 공급시(통전시)의 단면도이다. 도4는 본 발명에 의한 도금처리장치에 탑재되는 도금처리조의 도금 개시시의 단면도이다. 도5는 본 발명에 의한 도금처리장치에 탑재되는 도금처리조의 도금 개시 후에 애노드 전극이 상승한 후의 단면도이다. 도6은 본 발명에 의한 도금처리장치에 탑재되는 도금처리조에서의 도금 처리방법의 일실시예로서, 도6-1은 시드층의 형성모양을, 도6-2는 보강도금(약 알카리성 도금)만으로 매입 도금까지 행하는 경우의 모양의 모식도를 나타낸다. 도7은 본 발명에 의한 도금처리장치에 탑재되는 도금처리조의 도금 처리방법의 다른 실시예로서, 도7-1은 시드층의 형성모양을, 도7-2는 1차도금(약 알카리성 도금)의 공정모양을, 도7-3은 2차 도금(산성도금)의 공정모양을 각각 나타낸다. 도8은 본 발명에 의한 도금처리장치에 탑재되는 세정 처리조이고, 그 제1 실시형태를 나타내는 사시도이다. 도9는 본 발명에 의한 도금처리장치에 탑재되는 세정 처리조이고, 그 제2 실시형태를 나타내는 사시도이다. 도10은 본 발명에 의한 도금처리장치에 탑재되는 세정 처리조이고, 그 제3 실시형태를 나타내는 사시도이다. 도11은 도10에 나타낸 유체분출수단의 내부구조를 상세히 나타내는 분해사시도이다. 도12는 도10에 나타낸 유체분출수단이 소정의 유체를 분출하는 상태를 나타내는 도면이다. 도13은 종래 도금처리장치를 나타내는 사시도이다. 도14는 종래 도금처리장치의 처리조를 나타내는 단면도이다. 도15는 종래의 배선 프로세스(생산공정)를 나타내는 모식도로서, 도15-1은 시드층의 형성공정의 모양을, 도15-2는 산성도금 공정개시 직후의 모양을, 도15-3은 산성도금 공정 종료후의 모양을 각각 나타낸다.도16은 웨이퍼 세정에 채용한 종래의 세정처리조를 나타내는 사시도이다.

본 발명에 의한 전자부품 기판 등의 도금처리장치 및 도금처리 방법은 다음과 같은 수단을 이용한다. 즉, 붙인 부호는 도면의 그것에 일치한다.

본 발명에 의한 도금처리 장치는 전자부품 기판 등의 피처리물에 도금처리 등을 행하는 도금처리 장치에 있어서, 이 장치는 도금처리조와 세정처리조를 각각 적당한 개수 내로 설치하고, 도금처리ㆍ단부 식각 처리ㆍ세정처리ㆍ건조처리를 장치 내에서 연속해서 행하도록 구성된다.

여기서, 본 발명에 대한 세정처리조는 한 조에서 세정 처리 뿐만 아니라 기판 단부 식각 처리나 건조 처리도 행할 수 있는 조로 하는 것이 좋지만, 단부 식각 처리나 건조 처리를 행하기 위한 독립된 처리조로서 형성하는 것도 물론 가능하다.

또한, 본 발명에 있어서는 도금처리조와 세정처리조는 각각 복수개수를 구비하고, 일체형의 장치 내에서 연속해서 처리를 행하도록 장치를 구성하면 효과적이고 한층 바람직하다.

또한, 본 발명에 의한 도금처리 장치는 도금처리조가 설치되는 제1영역, 단부 식각 처리 및 세정ㆍ건조 처리를 행하는 제2영역, 로더ㆍ언 로더 영역인 제3영역의 3개 영역으로 분할되고, 각각의 영역은 격리부로 구분되어 배치되고 일체형의 도금 장치로서 구성된다.

그러나, 도1에 나타낸 본 발명의 도금처리장치의 구체적인 구성은 도금처리조(106), 세정처리조(107), 로더(103), 언 로더(104), 나아가 반송수단으로서 반송로봇(105)을 내부에 설치한 장치에 있어서, 도금처리조(106)를 설치하는 도금처리부, 세정처리조(107)를 설치해서 세정과 건조를 행하는 처리부, 로더ㆍ언로더 일부로 영역을 나누고, 각각의 영역사이에는 격리부로 칸막이판(108a, 108b)을 구비한다. 칸막이 판(108a, 108b)은 전자부품 기판(101, 예를들어 반도체 웨이퍼)의 반송영역에는 개구부를 갖고, 칸막이판(108a)의 개구부에는 셔터(109a)를, 혹은 칸막이판(108b)의 개구부에는 다면체 혹은 원통모양으로 내부에 전자부품기판을 지지하는 기구를 갖고, 각각의 영역측에 셔터(109b)를 갖는 박스(110, BOX)를 구비하고 있는 전자부품기판 등의 도금처리장치로 했다. 다면체 혹은 원통모양으로 내부에 전자부품기판을 지지하는 기구를 갖고, 각각의 영역측에 셔터(109b)를 갖는 박스(110)는 내부에서 2단 구성 혹은 그 이상의 다단 구성으로 해도 좋다.

그리고, 도2에 나타낸 본 발명의 도금처리 장치에 탑재되는 도금처리조(106)는 도금처리조(106)의 저면(220)측으로는 피처리물인 전자부품기판(101,반도체 웨이퍼)의 설치대(201)를 구비하고, 대략 원통모양 또는 대략 원추형(中空方形)으로 도금처리조(106)의 저면(220) 방향으로 개구해서 도금액 공급 스페이스(218)를 갖고 피처리물인 전자부품기판(101,반도체 웨이퍼)을 상방향으로부터 덮는 커버(213)를 구비한다. 도금처리조(106) 내부로 도금액(219)을 공급해서 도금액(219)을 소정량 저축하고, 그 후 커버(213)를 대기 개방하는 것에 의해 도금액 공급 스페이스(218)로부터 커버(213) 내부로 상기 도금액(219)을 공급 한다.

또한, 도금처리조(106)의 저면(220)측에는 피처리물인 전자부품기판(101, 반도체 웨이퍼)의 처리면에 대응한 개구부(221)를 갖는 것과 동시에 피처리물인 전자부품기판(101, 반도체 웨이퍼)과 접촉하는 캐소드 전극(208)을 구비해도 상관없다.

나아가, 커버(213)는 피처리물(101)과 대항하는 애노드 전극(207)을 구비해도 상관없다.

나아가 또한 상기 커버(213)는 피처리물인 반도체 웨이퍼(101) 표면으로 액 공급시, 즉 통전 개시시에는 설치한 애노드 전극(207)이 피처리물인 반도체 웨이퍼(101)와의 거리가 수(數) mm 이하로 반도체 웨이퍼(101)의 바로 위에 있고, 그 후에는 표준위치인 피처리물인 반도체 웨이퍼(101)에 대응해서 소정의 높이를 갖는 위치에 설치되도록 승강 자유자재되어도 좋다.

그리고, 피처리물(101)의 설치대(201)는 최상 위치에서 캐소드 전극(208)과 접촉하고, 도금처리조(106) 하측에서 승강이 자유롭도록, 도금처리조(106)의 저면부(220)를 구성하는 것도 좋다.

게다가, 커버(213)의 상부에는 대기 개방 밸브(214)를 구비해도 좋다.

그리고 커버(213)에는 질소공급용 배관(209)을 구비해도 좋다.

또한, 도금처리조(106)의 상부에는 공기누출배관(210)을 구비해도 좋다.

그리고, 도금처리조(106)의 측면에는 액 검지 센서(217)를 구비해도 좋다.

게다가, 설치대(201)가 하강한 때에 도금처리조(106)으로부터 유출되는 도금액(219)을 회수하는 드레인 커버(212)를 구비해도 좋다.

본 발명의 전자부품기판 등의 도금처리장치에 탑재되는 도금처리조를 개략적으로 나타내면 다음과 같다. 피세정물인 반도체 웨이퍼(101)가 캐소드 전극(208)과 접촉하고, 또한 도금처리조(106)의 저면(220)부에 설치된다. 이러한 반도체 웨이퍼(101) 바로 위에 커버(213)를 씌운 상태로 고정하고, 나아가 커버 내부를 가압해 두고, 도금처리조(106)와 커버(213)의 사이에 도금액(219)을 일단 주입한다. 그 후 커버(213) 내부를 대기에 개방하고, 압력차를 이용해서, 도금액(219)을 반도체 웨이퍼(101) 면으로 도입한다. 또한, 커버(213)에는 애노드 전극(207)이 부착되어 있고, 피처리물인 반도체 웨이퍼(101) 바로 위의 시드층 보호 통전 위치로 부터 소정의 높이까지 승강가능한 구조로 되고, 도금액(219)을 반도체 웨이퍼(101)면으로 도입할 때는 커버(213)를, 즉 애노드 전극(207)을 반도체 웨이퍼(101) 바로 위의 시드층 보호 통전 위치에 고정한다. 이 때, 반도체 웨이퍼(101)와 애노드전극(207)의 틈 사이는 수 mm 내지 그 이하이다.

이 때문에, 저성막량(低成膜量)의 경우 통전가능하게 되기까지의 정체시간을 거의 없앨 수 있다. 그 다음에, 재차 도금액(219)을 재차 공급함과 동시에 애노드 전극(207)을 소정의 위치까지 상승시켜, 애노드 전극(207)에 설정전류를 흐르게 함으로써 도금처리를 행하는 도금처리조로 구성된다. 이와 같은 구성에 의해, 커버(213) 내부를 대기 개방한 후, 반도체 웨이퍼(101)와 애노드 전극(207) 사이에 액 주입시간이 거의 0으로 되고, 통전까지의 연체시간을 없앨 수 있기 때문에, 웨이퍼 박막을 용해시키지 않고 도금을 행할 수 있다.

또한, 도6과 도7은 본 발명에 의한 전자부품기판 등의 도금처리 장치에 탑재되는 도금처리조에서의 도금처리방법의 일례를 나타낸 도면이다. 상기 처리조에 적용되는 전해도금처리 방법은 배선용 패턴에 형성된 시드층(601)에 시드층 용해속도가 느린 인산계(phosphonic acid) 혹은 아민계 또는 초산계의 전해구리 도금액을 사용해서 도금을 행해서 배선용 패턴의 오목부(604)를 충전하는 도금공정을 구비하고 있다. 이 도금공정에 이용하는 전해구리 도금액(605)은 PH 6.5~8.5의 중성, 약 알카리성, 또는 약산성의 어느 하나가 될 수 있다. 그리고 이 도금공정은 시드층(601)을 보강하는 보강층(602)을 형성하는 1차 도금공정과, 배선 패턴의 오목부(604)를 충전하는 2차 도금공정으로 구성해도 좋다. 이때, 1차 도금공정에 이용하는 전해구리 도금액(605)은 시드층의 용해속도가 느린 인산계 혹은 아민계 또는 초산계의 전해구리 도금액중 선택된 하나이고, 그 구리농도는 7~12g/l가 가장 적당한데, 이는 상기 구리농도에서는 도금접착이 좋으므로 적정한 보강층을 형성할수 있고, 배선용 패턴의 오목부(604)의 저부에 보강되어 있지 않은 부분을 남길 우려 등이 없어서이다. 그리고, 2차 도금 공정에서는 전해황산구리 도금액(219)을 이용해서 도금처리를 행하고, 이때에는 PH 6.5 이하의 구리도금액을 이용하는 것이 좋다. 게다가, 애노드 전극(207)으로서 인을 포함한(phosphorus-containing) 구리등의 가용성 애노드, 혹은 백금이 피복된 티탄, 산화이리듐 등의 불용성 애노드를 구비해도 좋다.

또한, 본 발명에 의한 도금처리장치는 장치내부에 복수개의 도금처리조(106)를 구비하고 있고, 이들 도금처리조(106) 각각에는 동일한 액계(液系)를 갖고 있다. 각 도금처리조(106)의 액계는 각각 독립해 있어도 상관없다. 이때, 장치 내에 복수의 도금액(219)을 사용해도 상관없다.

그리고 도8 내지 도12는 본 발명에 의한 도금처리장치에 탑재되는 세정처리조(107)의 일례를 나타낸 도면이다. 본 발명의 도금처리장치에 탑재되는 세정처리조(107)는 피세정물(101)을 회전시키면서 세정액(805)에 의해 피세정물(101)의 외주연부를 세정하는 세정처리조(107)에 있어서, 피세정물(101)을 지지하고 회전시키는 회전대(801)와, 이 회전대(801)에 지지되어 회전하는 피세정물(101)의 외주연부에 세정액(805)을 공급하는 세정액 공급 수단(804)과, 피세정물(101)의 중심 측으로 부터 외주연 측으로 향해서 소정의 유체를 분사해서 피세정물(101)의 표면에 분류(噴流)를 발생시키는 것에 의해 피세정물(101)의 외주연부에 공급한 세정액(805)이 중심측으로 비산해서 피세정물(101)의 표면을 오염시키는 것을 방지하는 유체분출수단(803)을 설치한다.

여기서, 유체분출수단(803)은 소정의 유체를 분사하는 분사노즐이고, 세정액 공급 수단(804)의 근방에 근접되어서 피세정물(101)의 표면에 중심 측으로 부터 외주연을 향해서 소정의 유체를 분사하도록 배치하는 것이 바람직하다. 또한, 유체분출수단(803)의 다른 실시 형태로서는, 피세정물(101)의 외주 끝단으로부터 중심 측으로 오목 형상으로 연장해서 세정액 공급 수단(804)으로부터 공급되는 세정액(805)을 둘러싸도록 배치함과 동시에, 오목형상 내에 소정의 유체를 분출시켜서 세정액(805)의 비산을 방지하도록 설치하는 것이 바람직하다. 또한, 유체분출수단(803)의 또 다른 실시형태로서는, 피세정물(101)의 외주연부를 따라 상면으로부터 소정의 유체를 둥근 고리 모양으로 분사하는 분출구를 갖고, 이 분출구의 외측 근방에 세정액 공급 수단(804)을 배치하는 것이 바람직하다. 또한, 유체분출수단(803)으로부터 분출되는 소정의 유체는 공기, 질소, 아르곤, 헬륨, 이산화탄소 등의 기체, 또는 순수(純水), 불산, 암모니아, 염산, 황산 등의 액체중 선택된 1종을 사용함이 바람직하다. 또한, 세정액 공급 수단(804)은 세정액(805)을 분사하는 분출노즐이고, 피세정물(101)의 외주연부를 분류(噴流)에 의해 세정하는 것이 바람직하다. 또한, 피세정물(101)은 원반(圓盤)형상을 가진 반도체 웨이퍼, 하드디스크 등이고, 세정액(805)에 의해 외주연부에 여분으로 부착된 레지스트, 도금 등의 오염물을 세정하는 것이 바람직하다.

이하, 본 발명에 의한 도금처리장치의 실시형태를 첨부 도면에 근거해서, 보다 상세히 설명한다.

도1은 본 발명에 의한 도금처리장치의 구성 예를 나타내고 있다. 본 발명에 관계된 주요한 구성요소 등을 나타내면 다음과 같다. 본 발명의 도금처리장치는 반도체 웨이퍼(101, 피처리물), 웨이퍼의 보관 혹은 반송용 카세트(102, 카세트), 로더(103, loader), 언 로더(104, unloader), 반도체 웨이퍼 반송로봇(105a, 105b, 제1 및 제2 반송로봇), 처리조(106, 도금처리조), 세정처리조(107), 세정부 영역과 로더ㆍ언 로더 영역사이의 격리부인 칸막이판(108a), 처리부영역과 세정부 영역사이의 격리부인 칸막이판(108b), 셔터(109a, 109b), 다면체 혹은 원통형으로 내부에 전자부품기판을 지지하는 기구를 갖고 각각의 영역 측으로 셔터를 갖는 박스(BOX)로된 웨이퍼 수도부(受渡部, 110)를 포함한다.

전자부품기판(101,반도체 웨이퍼) 처리의 기본 반송(搬送)흐름은 다음과 같다. 제1 반송로봇(105a)에 의해 반도체 웨이퍼(101)를 로더(103)에 설치되어 있는 카세트(102)로부터 끄집어내어 웨이퍼 수도부(110)에 반도체 웨이퍼(101)를 위치시키고 제2 반송로봇(105b)에 의해 웨이퍼 수도부(110)로부터 반도체 웨이퍼(101)를 끄집어내서 도금처리조(106)로 투입한다. 도금처리 종료후 반도체 웨이퍼(101)는 같은 제2 반송로봇(105b)에 의해 도금처리조(106)로부터 꺼내져 웨이퍼 수도부(110)에 놓여진후 제1 반송로봇(105a)에 의해 꺼내져서 세정처리를 행하는세정처리조(107)로 투입된다. 단부식각처리, 세정ㆍ건조처리 종료 후 반도체 웨이퍼(101)는 제1 반송로봇(105a)에 의해 꺼내져 언 로더(104)에 설치되어 있는 카세트(102)로 수납된다. 이러한 과정에서 반도체 웨이퍼(101)를 제1 반송로봇(105a)이 로더(103)에 설치되어 있는 카세트로부터 꺼낼 때와, 언 로더(104)에 수납할 때에 셔터(109a)가 열리고, 반도체 웨이퍼(101)를 제1 반송로봇(105a) 혹은 제2 반송로봇(105b)에 의해 웨이퍼 수도부(110)로 투입할 때 셔터(109b)가 열린다. 이 이외의 경우에는 셔터(109a,109b)는 닫혀있고, 칸막이판(108a,108b)과 이 셔터(109a,109b)에 의해 로더ㆍ언 로더부, 세정부, 처리부 각각의 분위기는 구분되어 격리된다. 그리고, 본 발명에 의한 전자부품기판 등의 도금처리장치에는 도금처리 후 피세정물(101)의 외주연부를 세정하는 구성을 구비하고 있다.

도2 내지 도5는 본 발명에 의한 도금처리장치의 도금처리조에 관한 장치를 나타내고 있다. 도2는 주로 본 발명의 도금처리조에 관한 장치의 단면도 및 배관도를 나타내고, 도3 내지 도5는 주로 도금처리조로의 도금액 주입상황을 나타내고 있다. 본 발명에 관계된 주요한 구성요소 등을 나타내면 다음과 같다. 즉, 반도체 웨이퍼(101,피도금처리물), 웨이퍼 설치대(201), 도금처리조(106), 순환펌프(202), 도금액 탱크(203), 공급배관(204), 제1 및 제2 드레인 배관(205,215), 도금전원(206), 애노드 전극(207), 실린더(211), 드레인 커버(212), 커버(213), 대기개방 밸브(214), 밸브(216), 액면검지 센서(217), 도금액 공급스페이스(218), 도금액(219), 도금조 저면(220), 도금조 저면측 개구부(221)를 포함한다.

도2에 나타낸 것과 같이, 도금처리조(106)의 내부에는 상면측 중심으로부터저면측으로 향해 개구하는 커버(213)가 배설되어 있고, 저면 측에 있는 반도체 웨이퍼(101), 웨이퍼 설치대(201), 애노드 전극(207), 캐소드 전극(208)등을 덮고 있다. 커버(213)는 대략 원통형상 또는 대략 중공(中空)형상이고, 도금처리조(106) 저면(220) 방향으로 개구하고 있다. 도2 내지 도5에서의 커버(213)는 거의 삿갓과 같은 형상 또는 냄비를 엎어놓은 듯한 형상을 나타내고 있다. 이 커버(213)는 도금처리조(106)의 저면에는 밀착되지 않고 간격-즉, 도금액 공급스페이스(218)-를 갖고 배치되어 있으므로 이 간격을 통해 도금액의 유출입이 가능해지고 있다. 또한, 이 커버(213)의 상면에는 개폐가 자유로워 대기의 유출입이 가능한 대기개방 밸브(214)를 갖고 있다.

이와 같은 구성에서 본 발명의 원리적인 점을 서술하면, 도금처리조(106)와 커버(213)의 외측과의 사이에 도금액(219)을 일단 주입해서 저장해두고, 그후, 대기개방 밸브(214)를 열어서 커버(213) 내의 대기를 커버(213) 외의 대기에 개방하면, 내외의 압력 차가 생기기 때문에, 도금액(219)을 단숨에 반도체 웨이퍼(101) 표면으로 도입할 수 있다.

반도체 웨이퍼(101)가 설치대(201)에 설치된 후, 반도체 웨이퍼(101)를 배치한채로 설치대(201)는 상승해서 캐소드 전극(208)과 접촉된다. 또한, 이때 반도체 웨이퍼(101)는 도금처리조(106)의 저면(220)에 부착해 있는 실링(sealing)재에 접촉하고 도금처리조(106)의 저면(220)을 닫는 역할을 한다. 다음으로 밸브(216)를 닫고 도금액 탱크(203)중의 도금액(219)이 순환펌프(202)의 가동에 의해 공급배관(204)을 통해서 도금처리조(106)로 공급된다. 이때, 커버(213)에 부착되어있는 애노드 전극(207)은 실린더(211)에 의해 반도체 웨이퍼(101) 바로 위의 시드층 보호통전위치에 고정되고, 또한 대기개방 밸브(214)는 닫아두고, 커버(213) 내의 압력을 높이기 위해, 질소 배관(209)을 통해서 질소를 공급하고, 공기 누출 배관(210)은 열어둔다.

다음으로 도3에 나타낸 것처럼, 애노드 전극(207)과 반도체 웨이퍼(101) 사이를 채우기 위해 도금액(219)을 액면검지 센서(217)가 작동할 때 까지, 도금처리조(106)에 주입해서 일단 저장한다. 이때, 커버(213) 내에는 커버(213)와 도금처리조 내면의 사이에 일단 저장된 도금액의 압력보다 큰 압력의 질소에 의해서 채워져 있기 때문에, 도금액(219)은 커버(213) 안으로는 들어가지 않는다. 또한, 다음으로 도4에 나타낸 것처럼, 도금처리조(106)에 적당한 양의 도금액(219)을 공급하여 저장한(도3) 후에, 전원(206)에 의해 미소 전류를 공급함과 동시에 질소 공급을 정지하고 대기개방 밸브(214)를 개구하는 것에 의해서, 커버(213) 내에 잠깐 동안 도금액(219)이 공급된다. 이때 애노드 전극(207)과 캐소드 전극(208)의 사이에는 전류가 흐르고, 반도체 웨이퍼(101)에 저성막량의 도금처리가 개시된다.

그 후, 도5에 나타낸 것처럼, 나아가 공급배관(204)으로부터 재차 액면검지 센서(217)가 작동하기까지 도금액(219)을 공급하여 도금처리조(106) 내의 도금액량을 늘림과 동시에, 애노드 전극(207)이 부착되어 있는 커버(213)를 반도체 웨이퍼(101) 바로 위의 시드층 보호 통전 위치로부터 소정의 높이까지 실린더(211)를 이용하여 상승시킨다. 그리고, 전원(206)에 의해 규정 전류를 흐르게 하고, 도금처리를 행한다. 도금처리 작업종료 후, 도금액(219)의 배출은 도2에 나타낸 것처럼 밸브(216)가 열려져, 제1 드레인 배관(205)을 통해서 도금액 탱크(203)로 되돌아간다. 그리고, 반도체 웨이퍼(101)의 설치대(201)를 내리고 반도체 웨이퍼(101)를 꺼낸다. 즉, 반도체 웨이퍼(101)를 꺼낼 때 유출되는 도금액(219)은 드레인 커버(212)로 떨어진 후, 제2 드레인 배관(215)을 통해 도금액 탱크(203)로 회수된다.

다음으로, 본 발명에 의한 도금처리장치의 도금처리조에 적용되는 도금처리 방법을 도6, 도7을 이용해서 설명한다. 우선, 도6을 참조해서 설명한다. 반도체 웨이퍼(101)상의 배선용 패턴에 대한 구리 충전 방법으로 시드층 용해속도가 느린 인산계, 또는 아민계, 혹은 초산계 전해구리 도금액(605)을 이용함으로써 배선용 패턴 내부의 얇은 시드층(601)을 용해하지 않고 시드층(601)상에 균일하게 도금을 석출시켜서 하지 구리 피막의 박막을 늘리도록 해서 시드층(601)을 보강한다. 여기에 더하여 배선용 패턴의 오목부(604)의 매입까지 행하는데, 이들을 하나의 공정으로서 실시해서 도금외층(603)을 형성하는 것이다. 이때에는, 시드층의 용해속도가 느린 인산계, 또는 아민계, 혹은 초산계 전해구리 도금액(605)을 이용한다.

다음으로, 도7을 참조해서 설명한다. 반도체 웨이퍼(101)상의 배선용 패턴에 대한 구리의 충전 방법으로서, 시드층(601)의 용해속도가 느리고 균일전착성이 뛰어난 성질을 갖는 인산계, 또는 아민계, 혹은 초산계 전해구리 도금액(605)을 이용함으로써 배선용 패턴 내부의 얇은 시드층(601)을 용해하지 않고 시드층(601)상에 균일하게 도금을 석출시켜 하지구리 피막의 박막 두께를 늘려, 시드층(601)을 보강하는 보강층(602)을 형성한다. 여기까지는 제1단계이고 1차 도금공정이라고 한다.

그리고, 다음으로는 1차 도금공정(제1 단계)에서 보강 도금 공정이 완료되어보강층(602)을 형성한 후에는 충분한 세정을 행하고, 2차 도금공정(제2 단계)로 보강된 전해구리도금피막-보강층(602)-상에 황산구리 도금액(219)을 이용해서 매입도금 (2차 도금)을 실시해서, 도금외층(603)을 형성한다. 이 때 황산구리 도금액(219)이 반도체 웨이퍼(101,기판)에 접촉하고 나서부터 통전이 시작되기까지의 사이에, 강산성인 황산구리 도금액(219)에 의해 보강된 전해구리 도금피막이 약간 용해되기는 하나 보강된 전해구리 도금피막이 어느 정도의 막두께를 갖기 때문에 완전히 용해되기까지는 이르지 않는다. 이와 같이 1차 도금공정과 2차 도금공정을 2단계로 연속해서 행하는 것에 의해, 보이드 등의 미석출을 발생시키는 것 없이 배선용 패턴에 구리를 충진할 수가 있다.

또한, 제2 단계(2차 도금)에 이용하는 황산구리 도금액(219)은 종래의 구리배선프로세스에 이용되는 것과 동일하고, 특히 배선용 패턴의 저부에서부터 우선적으로 석출하는 효과(바텀 업 효과)가 뛰어난 매입 특성을 갖는 액을 사용하는 것이 좋다. 그리고, 본 발명의 전자부품 기판등의 도금처리장치에 탑재되는 도금처리조에 사용하는 애노드 전극(207)에 관해서는 인을 함유하는 구리 등의 가용성 애노드, 또는 백금피막 Ti, 산화이리듐 등의 불용성 애노드를 사용하는 도금액 특성에 맞춰 선택할 수 있도록 한다. 예를 들면, 강산성 도금액(219)에는 애노드 자신이 용해되어서 구리이온을 공급하는 가용성 애노드가 적합하고, 중성 또는 약알카리성 도금액(605)에는 가용성 애노드가 용해되지 않아 본래의 애노드 특성을 얻을수 없기 때문에 불용성 애노드가 적합하다.

나아가, 본 발명의 전자부품기판 등의 도금처리장치에 이용되는도금전원(206)은, 일반적인 직류전원과는 달리 균일 전착성(電着性)이 뛰어난 펄스전원 혹은 PR전원의 어느 하나를 선택할 수 있다.

즉, 본 발명의 전해구리 도금처리장치에 있어서 상술한 것처럼, 본래는 시드 층의 보강을 목적으로 하는 1차 도금(제1 단계)만을 이용해서, 최후의 배선 패턴의 매입까지 행할 수 있으므로, 그 경우, 그 공정은 청구항 1항에 기재된 전해구리 도금처리장치로 나타내는 것과 동일하다고 할 수 있다. 따라서, 제1단계(1차 도금)만을 행하는 것을 감안하면 특히 극히 미세한 배선용 패턴에 대해서 2차 도금을 생략할 수 있다라고 간주되기 때문에, 나아가 유효한 수단으로 될 수 있다.

다음으로, 나아가 구체적인 실시예를 나타낸다. 도7에 나타난 실시예는 1차 도금공정에 인산계, 또는 아민계, 혹은 초산계 전해구리 도금액(605)을 이용한 경우로, 이를 이하에 나타낸다. 0.18~0.25μm의 비어홀에 시드층(601, 베리어 층)을 형성한 후, 우선 1차 도금으로서 시드층(601)을 용해시키지 않는 인산계, 또는 아민계, 혹은 초산계 전해구리 도금액(605)을 이용해서, 0.05μm 정도의 도금피막을 비어홀 내부에 균일하게 석출시켜 시드층(601)의 보강을 행한다. 그 후, 세정공정을 거쳐, 2차 도금으로서 전해구리 도금액을 이용해서 원하는 막두께(예를들어, 1μm)까지 매입을 행한다.

또한, 도6에 나타낸 실시예는 하나의 도금공정(1차도금공정)만으로 매입까지 행하는 경우를 나타낸다. 0.15μm 정도의 작은 지름의 비어홀에 시드층(601,베리어층)을 형성한 후, 시드층(602)을 용해시키지 않는 인산계, 또는 아민계, 혹은 초산계 전해구리 도금액(605)을 이용해서, 1.0μm정도의 도금피막을 비어홀 내부에 석출시켜서 비어홀 내부의 매입을 행함과 동시에 표면에도 석출시킨다.

또한, 도2에 나타난 것과 같은 배관계를 갖는 도금처리조(106)를 장치 내에 복수개 탑재하는 것에 의해, 그중 일부의 도금처리조(106)는 1차 도금을 행하고, 다른 일부는 2차 도금을 행할 수 있다. 본 발명에 의한 전자부품기판 등의 도금처리장치의 구성은 상기한 처리방법을 장치 내에서 연속해서 행할 수 있도록 고려하고 있다.

도8은 본 발명에 의한 도금장치에 탑재되는 세정처리조의 실시형태의 일례를 나타낸다. 도16에 나타낸 종래 기술과 동일하게 웨이퍼세정에 적용한 것이고, 피세정물인 반도체 웨이퍼(101)를 수평 상태로 지지해서 회전시키는 회전대(801)와 이 회전대(801)를 회전시키는 모터(802)와, 회전대(801)에 지지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(101)의 외주연부를 향해서 세정액을 분출시키는 세정액 공급 수단(804)을 구비하고 있다. 또한, 제1 실시형태에는, 도16에 나타낸 종래 기술과는 달리, 세정액 공급 수단(804)의 근방에 배치되어 소정의 유체를 분사하는 유체분출수단(803)을 구비하고 있다.

여기서, 회전대(801)는 도16에 나타낸 종래 기술과 동일하게 반도체 웨이퍼(101)를 수평으로 배치해서 지지하는 지지기구(도시하지 않음)를 구비함과 동시에, 모터(802)의 회전축(도시하지 않음)에 지지되어 모터(802)가 구동하는 것에 의해 회전하도록 설치되어 있다. 따라서, 회전대(801)는 반도체 웨이퍼(101)를 지지기구에 의해 지지해서 모터(802)의 구동력에 의해 회전시켜 세정하도록 형성되어 있다.

그리고, 이 회전대(801)의 상부에는 회전하는 반도체 웨이퍼(101)의 외주연부에 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단(804)을 설치하고 있다. 세정액 공급 수단(804)은 세정액(805)을 분사하는 분출노즐이고, 회전대(801)에 지지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(101)의 외주연부에 세정액(805)을 분사해서 압력에 의해 세정하도록 배치되어 있다.

또한, 세정액 공급 수단(804)의 근방에는 도16에 나타낸 종래 기술과는 달리, 반도체 웨이퍼(101)의 중심 측으로부터 외주 측을 향해서 소정의 유체를 분사하는 유체분출수단(803)을 배치하고 있다. 이 유체분출수단(803)은 소정의 유체를 분사하는 분사노즐이고, 반도체 웨이퍼(101)의 중심 측으로부터 외주 측을 향해서 분사하도록 배치되어 반도체 웨이퍼(101)의 외주연부로 분류(噴流)를 발생시키는 것으로 세정액(805)이 반도체 웨이퍼(101)의 중심측으로 비산되어서 표면이 오염되는 것을 방지할 수 있도록 배치되어 있다. 여기서, 반도체 웨이퍼(101)를 세정할 경우, 유체분출수단(803)으로부터 분사되는 소정의 유체는 예를 들면, 탈 이온화된 순수(純水) 등에 의한 액체, 또는 압축공기 등에 의한 기체 중 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.

이와 같이 형성된 본 발명에 의한 도금처리장치에 탑재되는 세정처리조의 제1 실시형태를 이용해서 반도체 웨이퍼(101)를 세정할 경우에는 우선 소정의 공정(예를 들면, 레지스트 도포공정)을 마친 반도체 웨이퍼(101)를 도시되어 있지 않은 반송수단에 의해 파지해서 회전대(801)의 상면으로 반송해서 배치 한다. 이어 이와 같이 회전대(801)의 상부에 반도체 웨이퍼(101)를 배치하면, 회전대(801)의표면에 배치된 반도체 웨이퍼(101)를 지지기구에 의해 지지해서 고정한다. 그 후 모터(802)를 구동시켜서 회전대(801)를 회전시킴으로서 이 회전대(801)에 지지된 반도체 웨이퍼(101)를 동시에 회전시킨다.

그리고, 이렇게 회전하는 반도체 웨이퍼(101)에는 중심측으로부터 외측을 향해서 유체분출수단(803)을 이용하여 소정의 유체를 분사함으로써 유체의 분류(噴流)에 의해 세정액(805)이 비산하는 것을 방지한다. 또한, 반도체 웨이퍼(101)에는 유체분출수단(803)에 의해 소정의 유체를 분사한 외주연부에 세정액 공급 수단(804)으로부터 세정액(805)을 분사한다. 이에 따라 외주연부가 세정된다. 이와 같이 본 발명에 의한 전자부품기판 등의 도금처리 장치에 탑재되는 세정처리조의 제1실시형태에 의하면, 세정액 공급 수단(804)이 분사한 세정액(805)을 유체분출수단(803)으로부터 분사되는 소정의 유체를 이용하여 반도체 웨이퍼(101)의 외측으로 배제시키기 때문에, 세정처리 중에 세정액(805)이 반도체 웨이퍼(101)의 중심부로 비산해서 반도체 웨이퍼(101)의 표면을 오염시키는 것을 막을 수 있고, 반도체 웨이퍼(101)의 외주연부만을 선택적으로 세정할 수 있는 것과 동시에, 생산공정에서의 수율을 향상시킬 수 있다.

다음으로, 도9를 참조해서 본 발명에 의한 전자부품기판 등의 도금처리장치에 탑재되는 세정처리조의 제2 실시형태를 상세히 설명한다. 여기서, 제2 실시형태에서는, 도9에 나타낸 유체분출수단(803) 이외의 모든 부분은 제1 실시예의 형태와 같다. 이하, 동일 또는 균등한 구성요소에는 같은 부호를 기재함과 동시에, 중복하는 설명은 생략한다. 도9에 나타낸 것처럼, 본 발명에 의한 전자부품기판 등의 도금처리장치에 탑재되는 세정처리조의 제2 실시형태는, 도8에 나타낸 제1 실시형태와 동일하게 웨이퍼 세정에 적용한 것이고, 피세정물인 반도체 웨이퍼(101)를 배치해서 지지하는 지지기구(미도시)를 구비해서 반도체 웨이퍼(101)를 수평상태로 지지해서 회전시키는 회전대(801)와, 이 회전대(801)를 회전시키는 모터(802)와, 회전대(801)에 지지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(101)의 외주연부를 향해서 세정액(805)을 분출시키는 세정액 공급 수단(804)과, 이 세정액 공급 수단(804)의 근방에 배치되어 소정의 유체를 분사하는 유체분출수단(901)을 구비하고 있다.

여기서, 유체분출수단(901)은 제1 실시형태와는 달리, 반도체 웨이퍼(101)의 외주단으로부터 중심측으로 향해서 오목형상으로 형성되어 대략 U자 형상으로 뻗어 존재하고, 세정액 공급 수단(804)으로부터 분사되는 세정액(805)을 둘러싸도록 형성되어 있다. 또한, 유체분출수단(901)은 일단측의 상부에 소정의 유체를 주입하는 주입구(902)를 구비하고 있고, 이 주입구(902)가 반도체 웨이퍼(101)와 접하는 하단부에 연통해서 소정의 유체를 반도체 웨이퍼(101)의 외측으로 분사할 수 있도록 형성되어 있다. 따라서, 유체분출수단(901)은 반도체 웨이퍼(101)의 외주연부를 오목형상으로 둘러싸도록 형성하고, 이 오목형상내에 소정의 유체를 분사해서 세정액(805)이 반도체 웨이퍼(101)의 중심 측으로 비산하는 것을 방지하는 구조로 형성되어 있다. 또한, 유체분출수단(901)에서 분사되는 소정의 유체는 제1 실시형태와 동일하게, 탈 이온화된 순수(純粹) 등에 의한 액체, 또는 압축공기 등에 의한 기체중의 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.

이와 같이 형성된 본 발명에 의한 전자부품기판 등의 도금처리장치에 탑재되는 세정처리조의 제2 실시형태를 이용해서 반도체 웨이퍼(101)를 세정할 경우에는 우선 소정의 공정(예를 들면, 레지스트 도포공정)을 마친 반도체 웨이퍼(101)를 도시되어 있지 않은 반송수단으로 파지해서 회전대(801)의 상면에 반송해 배치한다. 또한 이와 같이 회전대(801)의 상면에 반도체 웨이퍼(101)를 배치하면, 회전대(801)에 배치된 반도체 웨이퍼(101)를 지지기구에 의해 지지해서 고정한다. 그 후, 모터(802)를 구동시켜 회전대(801)를 회전시키는 것으로, 이 회전대(801)에 지지된 반도체 웨이퍼(101)를 동시에 회전시킨다.

또한, 반도체 웨이퍼(101)는 일부 외주연부를 유체분출수단(901)에 의해 오목형상으로 둘러싸여지고, 이 오목형상 내에 주입구(902)로부터 주입된 소정의 유체를 분사시킴으로써 세정액(805)이 비산되는 것을 방지한다. 그리고, 반도체 웨이퍼(101)에는 세정액 공급 수단(804)으로부터 유체분출수단(901)에 의해 둘러싸인 오목형상내의 외주연부에 세정액(805)이 분사된다. 이에 따라 반도체 웨이퍼(101)는 세정액 공급 수단(804)으로부터 분사된 세정액(805)의 압력에 의해 외주연부가 세정된다.

이와 같이, 본 발명에 의한 전자부품기판 등의 도금처리장치에 탑재되는 세정처리조의 제2 실시형태에 의하면, 유체분출수단(901)에 의해 세정액(805)이 반도체 웨이퍼(101)의 중심측으로 비산되는 것이 방지되고 있기 때문에, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 제2 실시형태에 의하면 세정액 공급 수단(804)의 주위를 유체분출수단(901)에 의해 대략 U자 모양으로 둘러싸고 있기 때문에, 세정액(805)이 비산되는 것을 최소한 억제할 수 있고, 제1 실시형태에 비해 효과적으로 반도체 웨이퍼(101)의 오염을 방지할 수 있다.

다음으로, 도10 내지 도12를 참조해서 본 발명에 의한 전자부품기판 등의 도금처리장치에 탑재되는 세정처리조의 제3 실시형태를 상세히 설명한다. 여기서, 제3 실시형태에서는 도10에 나타낸 유체분출수단(911) 및 세정액공급수단(912) 이외는 모두 제1 실시형태와 같은 구성요소이다. 이하, 동일 또는 균등한 구성요소에는 동일한 부호를 기재하고 중복되는 설명은 생략한다.

도10에 나타낸 것처럼, 본 발명에 의한 전자부품기판 등의 도금처리장치에 탑재되는 세정처리조의 제3 실시형태는 도 8에 나타낸 제1 실시형태와 동일하게 반도체 웨이퍼 세정에 적용한 것이고, 피세정물인 반도체 웨이퍼(101)를 배치해서 지지하는 지지기구(미도시)를 구비해서 반도체 웨이퍼(101)를 수평상태로 지지해서 회전시키는 회전대(801)와, 이 회전대(801)를 회전시키는 모터(802)를 구비하고 있다.

또한, 제3 실시형태는, 제1 실시형태와는 달리, 회전대(801)에 지지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(101)의 외주연부를 따라서 상면으로부터 소정의 유체를 둥근 고리형상으로 분사하는 유체분출수단(911)과, 이 유체분출수단(911)에 장착되어 반도체 웨이퍼(101)의 외주연부를 향해서 세정액(805)을 분출시키는 세정액공급 수단(912)을 구비하고 있다.

여기서, 유체분출수단(911)은 대략 원반모양으로 형성되어 중심부에 개구공(931, 도11 참조)이 형성된 컵(913)의 개구공(931)에 삽입되는 본체(915)와, 상기 본체(915)에 나사 감겨지고 컵(913)에 본체(915)를 겹친 상태로 고정하는 잠금 너트(916)를 구비하고 있다.

그리고, 본체(915)에는 상단 중심에 원통모양으로 개구해서 소정의 유체를 주입하는 주입구(914)를 형성하고, 이 주입구(914)의 원통모양 하부 안쪽으로부터 바깥쪽으로 방사상으로 관통하는 복수의 관통구(917)를 형성하고 있다.

따라서, 본체(915)는 도11에 나타난 것과 같이, 소정의 유체를 주입구(914)로부터 주입하여 상기 유체를 외측으로 외주에까지 개구된 복수개의 관통구(917)를 통해 배출할 수 있도록 형성되어 있다. 또한 본체(915)에는 도10 및 도11에 나타낸 것과 같이, 주입구(914)의 주위에 상기 관통구(917)와 교차하지 않고 상부에서부터 저면까지 관통되는 외기구(918)를 복수개 구비하여 외부 공기를 취입할 수 있도록 형성하고 있다.

이와 같이 형성된 본체(915)는 도11에 나타낸 컵(913)의 개구공(931)에 삽입되어 상부로부터 잠금 너트(916)를 체결하는 것에 의해 유체분출수단(911)이 된다. 이때, 컵(913)과 본체(915)의 사이에는 도10에 나타낸 것처럼, 외주를 따라서 둥근 고리모양으로 공동(空洞)부(919)가 형성된다. 또한, 컵(913)과 본체(915)의 사이에는, 저면 외주에 소정의 간격으로 열려진 공동부(919)와 연통되는 분출구(920)가 형성된다. 그리고, 공동부(919)에는 도10에 나타낸 것처럼, 본체(915)에 형성된 관통구(917)의 일단이 배치된다. 따라서, 유체분출수단(911)은 주입구(914)로부터 소정의 유체가 주입되고, 이 유체가 관통구(917)를 매개로 공동(空洞)부(919)로 공급되고, 도12에 나타낸 것처럼, 저면으로 개구된 둥근 고리모양의 분출구(920)로 분출되도록 형성되어 있다.

여기서, 분출구(920)로부터 분출되는 유체는 제1 실시형태에서와 동일하게, 탈 이온화 순수(純粹) 등에 의한 액체, 또는 압축공기 등에 의한 기체 중 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 세정액공급수단(912)은 도8에 나타낸 제1 실시형태와는 달리, 컵(913, 도10 참조)의 외측으로 장착되고, 세정액(805)을 반도체 웨이퍼(101)의 외주연부에 분출할 수 있도록 배치하고 있다. 이 세정액공급수단(912)은 세정액(805)을 분사하는 분출노즐이고, 도10에 나타낸 것과 같이, 회전대(801)에 지지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(101)의 외주연부로 분사하는 위치에 배치되어 있다. 이 세정액공급수단(912)의 근방에는 유체분출수단(911)의 분출구(920)가 배치되어 있고, 반도체 웨이퍼(101)의 외주연부로 분사해서 세정을 마친 세정액(805)을 반도체 웨이퍼(101)의 외측으로 배출할 수 있도록 형성하고 있다.

따라서, 유체분출수단(911)에는 본체(915)와 컵(913)과의 사이에 반도체 웨이퍼(101)의 직경보다 조금 작은 도12에 나타낸 둥근 고리모양의 분출구(920)를 형성함과 동시에, 이 분출구(920)의 근방에 반도체 웨이퍼(101)의 외주연부로 세정액(805)을 분사하는 세정액공급수단(912)을 배치하고 있다.

이와 같이 형성된 본 발명에 의한 전자부품기판 등의 도금처리장치에 탑재되는 세정처리조의 제3 실시형태를 이용해서 반도체 웨이퍼(101)를 세정할 경우에는, 소정의 공정(예를 들면, 레지스트 도포공정)을 마친 반도체 웨이퍼(101)를 도시되지 않은 반송수단에 의해 파지해서 유체분출수단(911)과 회전대(801)의 사이로 반송해서 회전대(801)의 상면에 반도체 웨이퍼(101)를 배치하면, 회전대(801)에 설치된 지지기구에 의해 반도체 웨이퍼(101)를 지지해서 상면에 고정한다.

그 후, 모터(802)를 구동시켜 회전대(801)를 회전시키는 것에 의해 이 회전대(801)에 지지된 반도체 웨이퍼(101)를 동시에 회전시킨다. 이때, 반도체 웨이퍼(101)와 유체분출수단(911)의 틈 사이에는 부압이 발생해서 반도체 웨이퍼(101)가 유체분출수단(911) 측으로 끌려가 버린다. 이 때문에, 유체분출수단(911)에는 도10에 나타낸 외기구(918)가 복수개 형성되어 있고, 이 외기구(918)에 의해 외부공기를 취입하여 부압(負壓)의 발생을 방지하고 있다.

그리고, 웨이퍼(101)에는 본체(915)의 주입구(914)에 소정의 유체를 주입하고, 이 소정의 유체를 하단의 분출구(920)로부터 외주연부를 향해서 둥근고리모양으로 분출시켜 세정액(805)이 중심측으로 비산하는 것을 방지한다. 그 후, 반도체 웨이퍼(101)에는, 세정액공급수단(912)에 의해 세정액(805)을 외주연부로 분사해서, 이 분사한 세정액(805)의 압력에 의해 도10에 나타낸 것처럼 외주연부를 세정한다.

이와 같이, 본 발명에 의한 전자부품기판 등의 도금처리장치에 탑재되는 세정처리조의 제3 실시형태에 의하면, 유체분출수단(911)에 의해 세정액(805)이 반도체 웨이퍼(101)의 중심 측으로 비산하는것을 방지하기 때문에, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다.

또한, 제3 실시형태에 의하면, 유체분출수단(911)에 의해 소정의 유체를 반도체 웨이퍼(101)의 외주 전체를 따라 둥근고리 모양으로 분사하기 때문에, 제1 및 제2 실시형태에 비해서, 보다 효과적으로 세정액(805)의 비산을 억제해 반도체 웨이퍼(101)의 오염을 방지할 수 있는 것과 동시에, 생산공정에서의 수율을 향상시킬 수 있다.

이상, 본 발명에 의한 전자부품기판 등의 도금처리장치에 탑재되는 세정처리조의 실시형태를 상세히 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시형태에 한정되지 않고, 그 요지를 벗어나지 않는 범위에서 변경 가능하다. 예를 들면, 본 발명에 의한 전자부품기판 등의 도금처리장치에 탑재되는 세정처리조를 반도체 웨이퍼 세정에 채용한 실시형태를 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 원반형상으로 형성된 하드디스크 등의 피세정물에도 사용할 수 있다.

이상 설명한 것처럼, 본 발명에 의한 전자부품기판 등의 도금처리장치에 있어서는, 다음에 상술한 것과 같은 뛰어난 효과를 발휘한다.

로더ㆍ언 로더부, 세정부, 처리부의 각 영역사이에 격리부(칸막이판)와 셔터 및 수도부를 설치함으로써 각 영역 밖으로의 분위기의 확산을 방지할 수 있다. 또한, 도금처리장치로 사용할 때, 단부의 식각기구를 구비함으로써 장치내외의 금속오염의 확산을 방지할 수 있다.

다음으로, 도금처리조로 도금액을 공급할 때, 애노드 전극이 도금액에 잠겨서 도금이 가능해질 때까지의 시간동안에 생기는 웨이퍼상 박막의 용해를 방지할 수 있고, 박막의 용해에 의해 생기는 도금의 미착(未着)을 회피할 수 있다.

그리고, 본 발명에 의한 도금처리장치의 구성에 의하면, 커버 안쪽을 대기 개방한 후 웨이퍼와 애노드 전극사이의 액 주입시간이 거의 0로 되고, 통전까지의연체시간을 없앨 수 있고, 웨이퍼 박막을 용해하지 않고 도금을 행할 수 있고, 반도체 웨이퍼 제조에 있어서는 간단한 구조의 장치를 이용해서 뛰어난 도금처리를 가능하게 한다.

나아가, 도금액에 의해 시드층이 용해되어 보이드 등의 미석출이 발생하지 않는 것과 같은 양호한 매입성을 확보할 수 있다. 게다가, 이 장치는 단일 공정을 추가하는 것만으로 용이하게 실시 할 수 있고, 효율적이고 실용성이 높다. 또한, 시드층의 용해속도가 느린 비강산성(중성, 약 알칼리성 혹은 약산성)의 전해구리 도금액을 이용한 1차 도금공정에 의해, 배선용 패턴(비어홀이나 트렌치) 형상을 따라 균일하게 도금피막을 석출시켜서 얇은 시드층을 보강하고, 그 뒤에 전해황산구리 도금액을 이용한 2차 도금공정에 의해 비어홀의 저부로부터 우선적으로 도금피막을 석출하는 것과 같은 매입 도금을 행함으로써 미세하고 어스팩트비가 큰 배선용 패턴에 형성된 시드층을 용해하지 않고 배선용 패턴에 보이드(빈틈)없는 양호한 매입성을 실현한다.

그리고, 피세정물을 회전시키면서 외주연부로 세정액 공급수단 및 유체분사수단에 의해 세정액과 소정의 유체를 동시에 공급해서 세정하기 때문에, 세정처리중에 세정액이 피세정물의 표면을 오염시키는 것을 방지할 수 있고, 피세정물의 외주연부만을 선택적으로 세정할 수 있음과 동시에, 생산공정에서의 수율을 향상시킬 수 있다.

Claims

피처리물에 도금처리를 행하는 도금처리장치에 있어서,

상기 도금처리조와 세정처리조를 각각 소정 개수 이내로 설치하고, 도금처리, 단부식각처리, 세정처리, 건조처리를 상기 도금처리장치 내에서 연속해서 행하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 도금처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 도금처리장치는 상기 도금처리조가 설치되는 제1 영역, 단부식각처리 및 세정ㆍ건조처리를 행하는 제2 영역, 로더ㆍ언 로더 영역인 제3 영역의 3개 영역으로 분할되고, 각각의 영역은 격리부로 구분되어 배치되어 구성되는 것을 특징으로 하는 도금처리장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도금처리조가 설치되는 상기 제1 영역과, 상기 단부 식각처리 및 세정ㆍ건조처리를 행하는 상기 제2 영역의 2개 영역 사이의 전자부품기판 반송영역에, 다면체 혹은 원통모양으로, 내부에 전자부품기판을 지지하는 기구를 갖고, 각각의 영역측으로 셔터부를 갖는 박스가 그 영역사이를 격리한 채로 설치되어 구성되는 것을 특징으로 하는 도금처리장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 단부식각 처리 및 세정ㆍ건조처리를 행하는 상기 제2 영역과, 로더ㆍ언 로더 영역인 상기 제3 영역과의 2개 영역 사이의 격리부에 있는 전자부품기판 반송영역에 개구부를 갖고, 상기 개구부는 셔터부에 의해 개폐되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 도금처리장치.
제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 도금처리장치에 탑재되는 상기 도금처리조는 저면측에 상기 피처리물의 설치대를 구비하고, 원통형상 또는 원추형이고 저면 방향으로 개구해서 도금액 공급 스페이스를 갖고, 상기 피처리물을 위에서부터 덮는 커버를 구비하고, 공급되는 도금액을 소정량 저축하고, 상기 커버를 대기 개방하여 상기 도금액 공급 스페이스로부터 상기 커버 내로 도금액을 공급하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 도금처리장치.
제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서, 상기 도금처리조는 그 도금처리조 저면 측에 상기 피처리물의 처리면에 대응되는 개구부; 및

상기 피처리물과 접촉하는 캐소드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 도금처리장치.
제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 커버는 상기 피처리물과 대응하는 애노드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 도금처리 장치.
제5항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 커버는 승강이 자유자재로 가능하고, 상기 커버의 승강 범위는, 구비된 애노드 전극이 상기 피처리물 표면으로 도금액을 공급할 때, 통전개시에 설치되는 피처리물 바로 위의 시드층 보호 통전 위치로부터, 표준위치인 피처리물에 대해서 소정의 높이를 갖는 위치로 되는 범위이도록 구성되는 것을 특징으로 하는 도금처리 장치.
제5항 내지 제8항중 어느 한 항에 있어서, 상기 피처리물의 상기 설치대는 상기 도금처리조 하측에서 승강이 자유자재로 가능하고, 상승위치에서 상기 캐소드 전극 및 상기 도금처리조 저면의 개구부의 단부와 접촉하고 상기 도금처리조의 저면부를 구성하는 것을 특징으로 하는 도금처리 장치.
제5항 내지 제9항중 어느 한 항에 있어서, 상기 도금처리조 저부의 피처리물의 상기 설치대와 접촉하는 부분에 실링재가 부착되어 구성되는 것을 특징으로 하는 도금처리장치.
제5항 내지 제10항중 어느 한 항에 있어서, 상기 도금처리조는 상기 커버의 상부에 대기개방밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 도금처리 장치.
제5항 내지 제11항중 어느 한 항에 있어서, 상기 도금처리조는 상기 커버에 질소공급용 배관을 포함하는 것을 특징으로 하는 도금처리장치.
제5항 내지 제12항중 어느 한 항에 있어서, 상기 도금처리조 상부에 공기누출배관을 포함하는 것을 특징으로 하는 도금처리장치.
제5항 내지 제13항중 어느 한 항에 있어서, 상기 도금처리조는 그 측면에 액면검지 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 도금처리장치.
제5항 내지 제14항중 어느 한 항에 있어서, 상기 도금처리조는 상기 피처리물의 상기 설치대에 붙어있는 드레인 커버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도금처리 장치.
제7항 내지 제15항중 어느 한 항에 있어서, 상기 애노드 전극은 ⅰ)인을 함유한 구리를 포함하는 가용성 애노드, 또는 ⅱ)백금이 피복된 티탄, 또는 산화 이리듐을 포함하는 불용해성 애노드인 것을 특징으로 하는 도금처리장치.
제1항 내지 제16항중 어느 한 항에 있어서, 상기 도금처리장치에는 상기 피처리물의 외주 단부 식각처리를 행하는 외주단부식각처리조, 세정건조처리를 행하는 세정건조처리조, 및 동일한 조에서 상기 피처리물의 외주 단부 식각처리 및 세정건조처리를 행하는 처리조 중 적어도 하나가 탑재되며, 상기 각각의 처리조는

상기 피처리물을 지지해서 회전시키는 회전기구;

상기 회전기구에 지지되어 회전하는 피처리물의 외주 단부에 처리액을 공급하는 처리액 공급수단; 및

상기 피처리물의 중심 측으로부터 외주 방향을 향해서 소정의 유체를 분사하는 유체분출수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 도금처리 장치.
제17항에 있어서, 상기 유체분출수단은, 소정의 유체를 분출하는 분출노즐이고, 세정액공급수단의 근방에 근접되어 상기 피처리물의 표면에 중심 측으로부터 외주 측을 향해서 상기 소정의 유체를 분사하도록 배치해서 구성되는 것을 특징으로 하는 도금처리 장치.
제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 유체분출수단은, 상기 피처리물의 외주단으로 부터 중심측으로 오목형상으로 되어있고, 상기 세정액공급수단으로부터 공급되는 세정액을 감싸도록 배치함과 동시에, 상기 오목 형상 내에 소정의 유체를 분출시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 도금처리 장치.
제17항 내지 제19항중 어느 한 항에 있어서, 상기 유체분출수단은, 상기 피처리물의 외주부를 따라서 상면으로부터 소정의 유체를 둥근 고리모양으로 분출하는 분출구를 갖고, 이 분출구의 외측근방에 상기 세정액 공급수단을 배치해서 구성되는 것을 특징으로 하는 도금처리 장치.
제17항 내지 제20항중 어느 한 항에 있어서, 상기 유체분출수단으로부터 분출하는 소정의 유체는, 공기, 질소, 아르곤, 헬륨, 이산화탄소, 순수, 불산, 암모니아, 염산, 황산 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 도금처리 장치.
제18항에 있어서, 상기 세정액공급수단은, 세정액을 분출하는 노즐이고, 상기 피처리물의 외주연부에 세정액을 분출시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 도금처리장치.
제1항 내지 제22항중 어느 한 항에 있어서, 상기 피처리물은, 원반(圓盤)모양을 가진 반도체 웨이퍼 또는 하드디스크인 것을 특징으로 하는 도금처리 장치.
제2항 내지 제23항중 어느 한 항에 있어서, 상기 도금처리장치는 처리전의 전자부품기판을 수납한 카세트를 설치하기 위한 로더; 및 처리후의 전자부품기판을 수납하는 카세트를 설치하기 위한 언로더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도금처리 장치.
피처리물에 도금처리를 행하는 일체형 처리장치를 이용하는 도금처리 방법에 있어서,

상기 일체형 처리장치에, 청구항 1 내지 24중 어느 한 항에 기재된 도금처리 장치를 적용해서 도금처리를 행하는 것을 특징으로 하는 도금처리 방법.
제25항에 있어서, 전자부품기판 또는 반도체 웨이퍼의 구리 패턴공정에서는,상기 전자부품기판상의 오목부를 갖는 배선 패턴에 형성된 구리시드층에 시드층 용해속도가 느린 인산계, 아민계 및 초산계 중 적어도 하나로된 PH 6.5~8.5의 전해구리 도금액을 이용해서, 상기 배선 패턴의 오목부의 시드층을 보강하는 도금을 실시하는 것을 특징으로 하는 도금처리 방법.
제25항 또는 제26항에 있어서, 시드층 용해속도가 느린 인산계, 아민계 및 초산계의 PH 6.5~8.5이고 구리농도가 7~12g/1인 전해구리 도금액을 이용해서, 배선 패턴의 오목부의 시드층을 보강하는 도금 처리를 하여 보강층을 형성하는 1차 도금처리를 행하고, 그 후 배선 패턴의 오목부를 충전하는 2차 도금처리를 PH 6.5이하의 구리 도금액을 이용해서 행하는 것을 특징으로 하는 도금처리 방법.