CN1763885A - 电子发射装置及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电子发射装置及其制备方法。该电子发射装置包括：相互朝向设置的第一基板和第二基板；形成在第一基板上的阴极；电连接到阴极的电子发射区域；形成在第一基板上并具有用于显露电子发射区域的开口的绝缘层；以及形成在绝缘层上的栅电极。电子发射区域包括形成在阴极上的至少一个多孔氧化铝模板，并且电子发射区域竖直生长于多孔氧化铝模板中。制备该电子发射装置的方法包括使用阳极氧化在阴极上形成多孔氧化铝模板，通过使用化学气相沉积而且注入载气和在第一基板和阴极之间施加电压来形成电子发射区域，在多孔氧化铝模板中生长电子发射材料。

Description

电子发射装置及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种电子发射装置及其制备方法，更特别地，本发明涉及一种电子发射装置以及制备这种电子发射装置的方法，该电子发射装置可以通过多孔氧化铝模板来垂直于基板直接生长电子发射区域从而控制电子束的发散。
背景技术
总体上，电子发射装置有两种类型：使用热阴极作为电子发射源和使用冷阴极作为电子发射源的电子发射装置。公知的冷阴极类型的电子发射源中有场发射极阵列(FEA)类型、金属-绝缘体-金属(MIM)类型、金属-绝缘体-半导体(MIS)类型以及弹道电子表面发射极(BSE)类型。
电子发射装置根据它们的类型具有不同的结构，但是基本上它们都形成有在真空容器中用于发射电子的结构，并且使用从该结构发射的电子。在电子发射装置于电子束路径中包括荧光层的情形，它可以用作发光元件或显示元件。FEA型电子发射装置形成有电子发射区域，采用在对其施加电场时发射电子的材料，并且它包括驱动电极，比如阴极和栅电极，在电子发射区域附近。它利用了这一原理，当在电子发射区域附近由于两个电极之间的电势差形成电场时发射电子。FEA型电子发射装置典型的结构包括依次形成在基板上形成的阴极、绝缘层和栅电极。在栅电极和绝缘层中每个阴极与每个栅电极相交的区域中形成有开口以显露阴极的部分表面，然后在开口中显露的阴极上形成电子发射区域。在最初提出的FEA型电子发射装置中，通过在真空下沉积或溅镀钼(Mo)将电子发射区域形成为具有锐点端部的Spindt型。与最初FEA型电子发射装置相关的是电场冷阴极制备方法，公开于授予ito的美国专利No.5,938,495中，该专利题为“Method ofManufacturing aField Emission Cold Cathode Capable of Stably Producing a High EmissionCurrent”，于1999年8月17日公布。形成该Spindt型电子发射区域来具有大约0.5μm的底部直径和大约0.5至1μm的高度。由于制备具有Spindt型电子发射区域的电子发射装置应当使用公知的半导体制备方法，所以制备方法复杂，并且需要非常困难的技术。所以，制造成本高，并且难于制造大尺寸的产品。
为了解决这些困难，在电子发射装置领域中最近的研究趋势是开发一种方法，用于通过比如丝网印刷的公知膜生长工艺、采用低功函的例如碳纳米管(CNT)、石墨和类金刚石碳的碳基材料来形成电子发射区域。由于电子发射区域在它们显露的表面上具有电子发射材料，即碳基材料，所以它们
可以很容易地在低电压下发射电子，并且它们可以很容易地制备。所以，这种方法有利于制造大尺寸的装置。
电子发射装置通过丝网印刷、干燥以及培烧的工艺来形成电子发射区域。所以，电子发射材料不会显露在表面上，而是埋入固态粉末中，由此降低了电子发射效率。为了解决这个问题，对电子发射装置经过表面处理工艺，其中通过将粘性带附着到电子发射结构，然后分离该粘性带来去除电子发射区域所在位置的部分表面，从而显露电子发射材料。此外，由于通过以膏状使用电子发射材料来形成电子发射区域，所以电子发射材料随机分布，这导致电子束发散。
发明内容
本发明的一个方面提供了一种能够控制电子束发散的电子发射装置，使得从电子发射区域发射的电子不会与包括绝缘层和电极的结构碰撞，本发明还提供了制备该电子发射装置的方法。
本发明的另一个方面提供了一种电子发射装置，其包括：相互朝向设置的第一基板和第二基板；形成在第一基板上的阴极；电连接到阴极的电子发射区域；形成在第一基板上的绝缘层以在第一基板上具有用于显露电子发射区域的开口；以及形成在绝缘层上的栅电极。电子发射区域包括形成在阴极上的至少一个多孔氧化铝模板，并且电子发射区域竖直生长于多孔氧化铝模板中。
本发明的再一个方面提供了一种制备电子发射装置的方法，该方法包括如下步骤：(a)在一基板上形成阴极；(b)形成绝缘层来在整个基板上覆盖阴极；(c)在绝缘层上形成栅电极，该栅电极在栅电极与阴极相交的每一区域中具有至少一个开口；(d)通过对阴极进行阳极氧化(阳极化处理)的而且使用该栅电极作为掩模以仅显露阴极，来在阴极上形成多孔氧化铝模板；以及(e)形成电子发射区域，这通过将多孔氧化铝模板与化学气相沉积(CVD)反应器相连接，向CVD反应器注入含有碳氢化合物的载气而且在第一基板和阴极之间施加电压，和在阴极上在多孔氧化铝模板中直接竖直生长电子发射材料。
附图说明
当结合附图考虑时，参考如下详细的描述，随着本发明及其优点更易于理解，对本发明更完全的理解和本发明多个随附的优点将变得更加清楚；在附图中类似标记表示相同或相似的元件，其中：
图1是根据本发明实施例的电子发射装置的横截面视图；
图2是根据本发明实施例的电子发射区域的横截面视图；
图3是示出根据本发明实施例的电子发射区域的扫描电子显微(SEM)图片；
图4A至图4E是根据本发明实施例的电子发射装置的制备方法的横截面示意图。
具体实施方式
在下面的详细描述中，仅通过图示发明人所构想的实施本发明的最佳实施例来对本发明的实施方式进行示出和说明。如将意识到的那样，在都不偏离本发明的情形，本发明可以在各个方面进行修改。因此，附图和说明部分应当被视为本质上是说明性的而非限制性的。
本发明涉及一种电子发射装置以及制造该电子发射装置的方法，该电子发射装置能够通过使用多孔氧化铝模板以及垂直于基板直接生长电子发射区域来控制电子束发散，电子束发散是由于从传统电子发射区域发射的电子与比如绝缘层和电极的结构相碰撞而导致的。
图1是根据本发明实施例的电子发射装置的横截面视图。
参考图1，通过放置预定大小的第一基板2和第二基板4并结合第一基板2和第二基板4来形成一真空容器，该真空容器是电子发射装置的外部框架，而且第一基板2和第二基板4彼此平行且间隔开来在两个基板之间形成内部空间。第一基板2设置有发射电子的结构，第二基板4设置有利用电子发射可见光的发光区域从而实现预定的图像。
具体而言，具有预定图案，例如条状图案的多个阴极6形成在第一基板2上，且沿第一基板2的一方向彼此隔开，该方向在图中是y轴方向，第一绝缘层8形成来在整个第一基板2上覆盖阴极6。在第一绝缘层8顶上形成多个彼此隔开并沿一方向延伸而与阴极6相交的多个栅电极10，也就是说栅电极10沿垂直于图中所示的x-z平面的方向延伸。
如果在本发明的实施例中将阴极6和栅电极10彼此相交的区域定义为像素区域，那么在每个像素区域中在阴极6上形成了至少一个电子发射区域12。在第一绝缘层8和栅电极10中，形成了对应于电子发射区域12的开口8a和10a以显露第一基板2上的电子发射区域12。
在本发明的电子发射装置中，电子发射区域12没有如传统方法所提示的那样均匀地形成在开口中的阴极上，它们而是形成通过直接生长在阴极6上来形成在阴极6上。
图2是根据本发明实施例的电子发射区域的横截面视图，图3是示出根据本发明实施例的电子发射区域的扫描电子显微(SEM)图片。
在图2中，电子发射区域12直接生长在形成于阴极6之上的多孔氧化铝模板14中，从而垂直于阴极6分布。
多孔氧化铝模板14是通过对由铝薄膜形成的阴极6进行阳极氧化而形成的。多孔氧化铝模板14具有纳米尺寸的孔。多孔氧化铝模板14的孔径大小正比于所施加的电压的幅值。生长于多孔氧化铝模板14中的电子发射区域12的直径与多孔氧化铝模板14的孔径相同。所以，可以通过调节多孔氧化铝模板14的孔径来控制电子发射区域12的直径。
根据化学气相沉积(CVD)方法来在阴极6上进行直接生长电子发射区域12的方法。电子发射区域12的长度由CVD处理时间和多孔氧化铝模板14的厚度控制。这里，多孔氧化铝模板14的厚度可以由阴极6的阳极氧化反应的时间控制。
除第一绝缘层之外，本发明的电子发射装置包括在整个基板上覆盖栅电极的第二绝缘层，和形成在第一绝缘层和栅电极上的聚焦电极，第二绝缘层设置在聚焦电极和栅电极之间。
具体地，第二绝缘层16和聚焦电极18可以形成在栅电极10和第一绝缘层8上，并且开口16a和18a形成在第二绝缘层16和聚焦电极18上来显露电子发射区域12。这里，分别为建立于第一基板2上的每个像素区域提供第二绝缘层16和聚焦电极18上的开口16a和18a，并且开口16a和18a形成来围绕多个电子发射区域12。
第二绝缘层16的开口16a和第一绝缘层8的开口8a通过依次构图第二绝缘层16和第一绝缘层8来形成。对此，根据通常的光刻方法来进行构图。而且，第一绝缘层8以三倍于第二绝缘层16的蚀刻速率通过蚀刻溶液或蚀刻气体蚀刻。
随后，在第二基板4的一侧，即朝向第一基板2的一侧上形成例如红、绿、蓝荧光层20，它们之间具有预定间隔。在各色荧光层20之间，可以形成黑层22来提高屏幕的对比度。在荧光层20和黑层22上，可以沉积金属膜(例如，铝膜)来形成阳极24。阳极从外部接受加速电子束的电压，并且通过提供金属背部效应(metal back effect)增加了屏幕的亮度。
而且，阳极24可以由比如氧化铟锡(ITO)膜的透明导电膜而非金属膜形成。这里，首先在第二基板4顶上形成透明阳极(未示出)，然后在其上形成荧光层20和黑层2。如果需要，可以在荧光层20和黑层2上形成金属膜以提高屏幕的亮度。阳极形成在整个第二基板4上，或者它可以形成为多个预定图案的单元。
在图1中，标号“26”是保持第一基板2和第二基板4之间预定间距的分隔体。虽然图2只给出了一个分隔体，但是在第一基板2和第二基板4之间有多个分隔体。
当向阴极6和栅电极10施加预定级别的驱动电压时，具有上述结构的电子发射装置在竖直分布的电子发射区域12附近形成电场，并且由于阴极6和栅电极10之间的电压差而发射电子。由施加于聚焦电极18例如数十伏的负电压对所发射的电子施力和将其会聚沿一方向移动，使得发散角变小。所发射的电子被施加于阳极24的高压吸引，并且它们向第二基板4移动由此与对应像素的荧光层20相碰撞并发光。
这里，本发明的电子发射装置可以通过形成垂直于阴极6的电子发射区域12来会聚电子发射区域12的电场，因此它控制了电子束发散现象。由于电子可以很容易地从电子发射区域12发射出来，所以电子发射区域12的发射效率增加了，并且驱动电压因此降低了。
本发明的电子发射装置提供了竖直分布的电子发射区域12，可以最小化与第一绝缘层8和第二绝缘层16碰撞从而使得第一绝缘层8和第二绝缘层16带电而消耗的电子的数量，或最小化通过与栅电极10碰撞而泄漏的电子的数量。由于电子是以规则的平直度向着第二基板4发射，所以其优点在于色彩损坏被最小化，并且屏幕色彩再现能力变高。
图4A至图4E是根据本发明实施例的电子发射装置的制备方法的横截面示意图。
首先，如图4A所示，阴极6以条状图案沿第一基板2的一方向形成，第一绝缘层8形成来在整个第一基板2上覆盖阴极6。第一绝缘层8可以通过反复进行丝网印刷、干燥和培烧的工艺来形成为约5-30μm的厚度。
随后，栅电极10以条状图案并沿栅电极10与阴极6相交这样的方向形成在第一绝缘层8上。栅电极10在每个像素区域，即在栅电极10与阴极6相交的区域中，包括至少一个开口10a。
如图4B所示，第二绝缘层16形成在第一绝缘层8和栅电极10的预上。第二绝缘层16也可以通过反复进行丝网印刷、干燥和培烧的工艺来形成为约5-30μm的厚度。然后，通过在第二绝缘层16上涂覆和构图导电材料来形成具有开口18a的聚焦电极18。
如图4C和图4D所示，开口16a和8a是通过依次对第二绝缘层16和第一绝缘层8构图形成的。第一绝缘层8和第二绝缘层16是通过通常的光刻方法在膜生长工艺中构图的，从而形成开口16a和8a。第一绝缘层8和第二绝缘层16中每一个可以由具有不同蚀刻速率的材料形成，并且可以使用蚀刻溶液或蚀刻气体来蚀刻由此形成每个开口。
如图4E所示，在第一基板2顶上的阴极6上形成多孔氧化铝模板14，并且通过在多孔氧化铝模板14中垂直生长电子发射区域来形成电子发射区域12。
可以通过使用栅电极10作为掩模，在形成阴极基板结构之后用光刻胶进行掩蔽，显露其中待形成电子发射区域12的阴极6，并且对阴极6进行阳极氧化来形成多孔氧化铝模板14。将具有被显露的阴极6的第一基板2浸入电解质溶液中，并且对第一基板2和阴极6施加电压来进行对阴极6的阳极氧化。
阴极6由铝薄膜形成，并且暴露于电解质溶液的该铝薄膜进行阳极氧化来由此来形成纳米尺寸的孔。该多孔铝薄膜就是多孔氧化铝模板14。电解质溶液由草酸形成。
本发明的电子发射区域12是通过这样的工艺形成的：将上述过程中所获得的结构与化学气相沉积(CVD)反应器(未示出)相连接，将含有碳氢化合物的载气注入到CVD反应器中，而且在基板和阴极6之间施加一电压，在形成在阴极6上的多孔氧化铝模板14中垂直生长电子发射材料。
对于该CVD方法，可以使用公知的等离子体CVD方法或热CVD方法。等离子体CVD方法是其中通过对两个电极施加高频电源来在腔或反应器中诱导辉光放电的方法。例如，当合成碳纳米管时，使用比如C2H2、CH4、C2H4和CO的反应气体，和比如Fe、Ni和Co的催化金属通过热沉积方法或溅镀方法沉积在Si、SiO2或在玻璃基板上。通过使用氨气和氢气蚀刻沉积在基板上的催化金属来形成纳米尺寸的细催化金属颗粒。当向腔中供应反应气体并且对两个电极施加高频电源时，诱导了辉光放电并且比如碳纳米管的碳基材料从基板上的细催化金属颗粒合成。
热CVD方法包括如下的步骤：沉积Fe、Ni和Co或三种催化金属的合金在基板上作为催化金属；使用水稀释的氢氟酸对基板蚀刻；将蚀刻后的样品加载到石英舟中并将该石英舟塞入CVD反应器中，并且通过另外使用NH3气体蚀刻催化金属膜来形成纳米尺寸的精细催化金属颗粒。碳纳米管可以合成在细催化金属颗粒上。此外，优选的是通过在低于600℃的温度下进行CVD方法来生长电子发射区域12。
形成电子发射区域12的电子发射材料大致上划分为碳基材料和纳米尺寸材料。碳基材料的例子有碳纳米管、石墨、类金刚石碳和富勒烯(C60)。纳米级材料的例子有碳纳米管、石墨纳米纤维和硅纳米线。
下面的示例进一步详细地图示了本发明，但是它们不应该解释为对本发明范围的限制。
比较示例1
将10g碳纳米管(CNT)、1g玻璃粉和2g无机粘结树脂混合来制备第一混合物。然后，将10g感光单体、5g光学引发剂、10g作为溶剂的松油醇以及50g作为有机粘结树脂的丙烯酸树脂相混合来获得载体。随后，通过混合和搅拌第一混合物和载体来制备糊状组合物。该糊状组合物被印刷机丝网印刷到第一基板的阴极上，然后在90℃下热处理10分钟。该工艺的产物然后曝光于镜面反射平行束照明器(MRPBI)，曝光能量为10到20000mJ/cm2，并通过使用碱性显影溶液以喷洒方法显影。然后在炉中550℃下进行培烧来获得碳纳米管层。随后，对该碳纳米管层通过将粘性带附着到碳纳米管层然后垂直地分离该带来进行表面处理。
示例1
在其上形成有阴极的基板上，通过将该阴极基板浸入到草酸电解质溶液中并施加电压来进行阳极氧化，形成了具有纳米尺寸孔的多孔氧化铝模板。这里，栅电极被用作掩模。
随后，将该多孔氧化铝模板连接到化学气相沉积(CVD)反应器，通过将含有碳氢化合物的载气注入到CVD反应器中，并同时在基板和阴极施加电压来在阴极上的多孔氧化铝模板中直接垂直生长电子发射材料，从而形成电子发射区域。这里，碳纳米管被用作电子发射材料。
本发明的电子发射装置具有直接生长于基板上的多孔氧化铝模板中并且竖直分布在基板上的电子发射区域。由于从电子发射区域发射的电子不会与比如绝缘层或电极的其他结构相碰撞，所以可以控制电子束的发散并且可以增加电子发射的数量。
尽管已经参照优选实施例对本发明进行了说明，但是本领域的技术人员将理解，在不偏离由权利要求所限定的本发明范围的情形，可以进行各种改变和修改。

Claims (19)

1、一种电子发射装置，包括：
第一基板和第二基板，相互朝向设置；
阴极，形成在所述第一基板上；
电子发射区域，电连接到所述阴极；
绝缘层，形成在所述第一基板上，所述绝缘层具有用于显露所述电子发射区域的开口；以及
栅电极，形成在所述绝缘层上；
其中，所述电子发射区域包括形成在所述阴极上的至少一个多孔氧化铝模板，并且其中，所述电子发射区域竖直生长于所述多孔氧化铝模板中。
2、根据权利要求1的电子发射装置，其中，所述多孔氧化铝模板是通过对所述第一基板和阴极施加电压，并对所述阴极进行阳极氧化，来竖直形成的。
3、根据权利要求1的电子发射装置，其中，所述阴极包括铝薄膜。
4、根据权利要求1的电子发射装置，其中，所述电子发射区域的直径与所述至少一个多孔氧化铝模板的孔径相同。
5、根据权利要求1的电子发射装置，其中，所述场发射区域由选自碳纳米管、石墨、类金刚石碳、富勒烯、石墨纳米纤维和硅纳米线的至少一种形成。
6、根据权利要求1的电子发射装置，还包括：至少一个阳极，形成在所述第二基板上；和荧光层，形成在所述阳极第一侧。
7、根据权利要求6的电子发射装置，其中，所述至少一个阳极和所述荧光层形成在所述第二基板朝向所述第一基板一侧。
8、根据权利要求1的电子发射装置，还包括：附加绝缘层，设置在所述栅电极上用于在整个所述第一基板和所述第二基板上覆盖所述栅电极；和聚焦电极，形成在所述附加绝缘层上。
9、一种制备电子发射装置的方法，包括如下步骤：
(a)提供基板；
(b)在所述基板上形成阴极；
(c)形成绝缘层来在整个所述基板上覆盖所述阴极；
(d)在所述绝缘层上形成栅电极；
(e)在所述阴极上形成多孔氧化铝模板；以及
(f)通过在所述阴极上在所述多孔氧化铝模板中直接生长电子发射材料来形成电子发射区域。
10、根据权利要求9的方法，其中，形成所述栅电极来在栅电极与阴极相交的区域中具有开口。
11、根据权利要求9的方法，其中，所述多孔氧化铝模板通过对所述阴极阳极氧化，而且使用所述栅电极作为掩模来仅显露所述阴极而形成在所述阴极上。
12、根据权利要求11的方法，其中，所述阴极的阳极氧化通过将具有被显露的阴极的基板浸入电解质溶液，并对所述基板和所述阴极施加电压来执行。
13、根据权利要求12的方法，其中，所述电解质溶液包括草酸。
14、根据权利要求9的方法，其中，所述电子发射区域是通过这样形成的：将所述多孔氧化铝模板与化学气相沉积反应器相连接，向所述化学气相反应器注入含有碳氢化合物的载气而且在所述第一基板和所述阴极之间施加电压，然后在所述阴极上在所述多孔氧化铝模板中直接竖直生长电子发射材料。
15、根据权利要求9的方法，其中，所述电子发射区域通过在低于600℃的温度下进行化学气相沉积来进行的。
16、根据权利要求9的方法，其中，所述电子发射区域的直径通过调节所述多孔氧化铝的孔径来控制。
17、根据权利要求9的方法，其中，所述电子发射区域包括选自碳纳米管、石墨、类金刚石碳、富勒烯、石墨纳米纤维和硅纳米线的至少一种。
18、根据权利要求9的方法，还包括如下步骤：
在所述绝缘层和所述栅电极的顶上形成附加绝缘层；
在所述附加绝缘层上形成具有开口的聚焦电极；以及
构图所述绝缘层和所述附加绝缘层来在其中形成开口。
19、根据权利要求9的方法，其中，所述电子发射材料直接生长在所述多孔氧化铝模板中。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8110971B2 (en) 2009-05-19 2012-02-07 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting element, light emitting device, image display device, method of driving light emitting element, and method of producing light emitting element
US8164247B2 (en) 2009-05-19 2012-04-24 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, and electron-beam curing device
US8249487B2 (en) 2009-05-19 2012-08-21 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element, electron emitting device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, light emitting device, image display device, air blowing device, and cooling device
CN101652827B (zh) * 2007-11-20 2012-09-19 夏普株式会社 电子发射元件、电子发射装置、自发光设备、图像显示装置、送风装置、冷却装置、带电装置、图像形成装置、电子线硬化装置及电子发射元件的制造方法
US8299700B2 (en) 2009-02-05 2012-10-30 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element having an electron acceleration layer, electron emitting device, light emitting device, image display device, cooling device, and charging device
US8378565B2 (en) 2009-06-25 2013-02-19 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element having an electron acceleration layer using fine particle layer
US8476818B2 (en) 2009-05-19 2013-07-02 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element including a fine particle layer containing insulating particles, and devices and methods related thereto
US8487521B2 (en) 2009-12-01 2013-07-16 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element, method for producing electron emitting element, electron emitting device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, light emitting device, image display device, air blowing device, and cooling device
US8547007B2 (en) 2009-02-24 2013-10-01 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, and method for producing electron emitting element
CN104319215A (zh) * 2014-11-05 2015-01-28 东南大学 一种圆形平面阴极与圆台、柱形组合栅孔对应的冷阴极电子枪
CN109494139A (zh) * 2017-09-11 2019-03-19 夏普株式会社 电子发射元件及其制造方法以及电子元件的制造方法
CN112701023A (zh) * 2020-12-29 2021-04-23 杭州电子科技大学 一种柔性透明场发射冷阴极的制备方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8102108B2 (en) * 2003-12-05 2012-01-24 Zhidan Li Tolt Low voltage electron source with self aligned gate apertures, fabrication method thereof, and devices using the electron source
KR20070105489A (ko) * 2006-04-26 2007-10-31 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 소자 및 그 제조 방법
KR20070106231A (ko) * 2006-04-28 2007-11-01 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출원 형성용 조성물, 이를 이용하는 전자 방출원의제조 방법, 이 방법에 의해 제조된 전자 방출원 및 전자방출 소자
SG140484A1 (en) * 2006-08-24 2008-03-28 Sony Corp An electron emitter and a display apparatus utilizing the same
JP2008234973A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Ulvac Japan Ltd 電子放出源及びその作製方法並びに画像表示装置の製造方法
JP2009048937A (ja) * 2007-08-22 2009-03-05 Rohm Co Ltd カーボンファイバー製造法、カーボンファイバー電子源およびフィールドエミッションディスプレイ装置
JP5293352B2 (ja) * 2009-04-02 2013-09-18 凸版印刷株式会社 三極構造型の電界電子放出型ランプの製造方法
US9245671B2 (en) 2012-03-14 2016-01-26 Ut-Battelle, Llc Electrically isolated, high melting point, metal wire arrays and method of making same
US20130241389A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Ut-Battelle, Llc Vacuum field emission devices and methods of making same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07220619A (ja) * 1994-02-01 1995-08-18 Mitsubishi Electric Corp 冷陰極電極構造とその製造方法
US6417605B1 (en) * 1994-09-16 2002-07-09 Micron Technology, Inc. Method of preventing junction leakage in field emission devices
JP3080142B2 (ja) * 1996-05-10 2000-08-21 日本電気株式会社 電界放出型冷陰極の製造方法
US6525461B1 (en) * 1997-10-30 2003-02-25 Canon Kabushiki Kaisha Narrow titanium-containing wire, process for producing narrow titanium-containing wire, structure, and electron-emitting device
JP2000285790A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Canon Inc 電子放出素子及びその製造方法とそれを用いた電子源，撮像装置，画像形成装置
JP3764651B2 (ja) * 2000-12-28 2006-04-12 株式会社東芝 カーボンナノチューブ接合体の製造方法
TW511108B (en) * 2001-08-13 2002-11-21 Delta Optoelectronics Inc Carbon nanotube field emission display technology

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101652827B (zh) * 2007-11-20 2012-09-19 夏普株式会社 电子发射元件、电子发射装置、自发光设备、图像显示装置、送风装置、冷却装置、带电装置、图像形成装置、电子线硬化装置及电子发射元件的制造方法
US8401430B2 (en) 2007-11-20 2013-03-19 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element for accelerating and emitting electrons, and use of electron emitting element
US8299700B2 (en) 2009-02-05 2012-10-30 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element having an electron acceleration layer, electron emitting device, light emitting device, image display device, cooling device, and charging device
US8616931B2 (en) 2009-02-24 2013-12-31 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, and method for producing electron emitting element
US8547007B2 (en) 2009-02-24 2013-10-01 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, and method for producing electron emitting element
US8164247B2 (en) 2009-05-19 2012-04-24 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, and electron-beam curing device
US8249487B2 (en) 2009-05-19 2012-08-21 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element, electron emitting device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, light emitting device, image display device, air blowing device, and cooling device
US8476818B2 (en) 2009-05-19 2013-07-02 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element including a fine particle layer containing insulating particles, and devices and methods related thereto
US8110971B2 (en) 2009-05-19 2012-02-07 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting element, light emitting device, image display device, method of driving light emitting element, and method of producing light emitting element
US8378565B2 (en) 2009-06-25 2013-02-19 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element having an electron acceleration layer using fine particle layer
US8487521B2 (en) 2009-12-01 2013-07-16 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element, method for producing electron emitting element, electron emitting device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, light emitting device, image display device, air blowing device, and cooling device
CN104319215A (zh) * 2014-11-05 2015-01-28 东南大学 一种圆形平面阴极与圆台、柱形组合栅孔对应的冷阴极电子枪
CN109494139A (zh) * 2017-09-11 2019-03-19 夏普株式会社 电子发射元件及其制造方法以及电子元件的制造方法
CN109494139B (zh) * 2017-09-11 2021-03-09 夏普株式会社 电子发射元件及其制造方法以及电子元件的制造方法
CN112701023A (zh) * 2020-12-29 2021-04-23 杭州电子科技大学 一种柔性透明场发射冷阴极的制备方法
CN112701023B (zh) * 2020-12-29 2022-08-12 杭州电子科技大学 一种柔性透明场发射冷阴极的制备方法

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JP2006073514A (ja) 2006-03-16
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