KR20030001510A - 압전 가요성 변환기 및 그 이용 - Google Patents

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KR20030001510A
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리델미하엘
루비쯔카를
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지멘스 악티엔게젤샤프트
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Abstract

적어도 하나의 길이측으로 압전체 (6) 가 제공된 연장된 지지 본체 (2) 를 갖는 압전 가요성 변환기에 관한 것이다. 압전 가요성 변환기의 동작을 위해, 지지 본체 (2) 의 내부, 및/또는 지지 본체 (2) 와 압전 다층 본체 (6) 사이, 및/또는 압전 다층 본체 (6) 의 이웃하는 압전 재료층들의 사이에는, 적어도 하나의 전자 (23) 및 센서 (33) 시스템의 부품 (24, 32) 이 채택된다.

Description

압전 가요성 변환기 및 그 이용{PIEZOELECTRIC BENDING TRANSDUCER AND USE THEREOF}
다층 가요성 작동기로 또한 표현되는, 이와 같은 압전 가요성 변환기는, 예컨대, 특허 공보 제 WO 99/17383 호에 개시되어 있다. 이 압전 가요성 변환기는, 2개의 대향하도록 위치된 넓은 영역을 갖는 수직면에 각각 압전 다층 본체를 가지며, 연장된, 판형, 또는 각각 주상형인 지지 본체를 갖는다. 각각의 압전 다층 본체는 복수개의 겹쳐진 압전 재료층과 또한 압전 재료층들 사이에 배치된 판형 전극으로 구성된다. 이 본체 상에 연장된 전기 전도체를 이용하여 제어 전압을 이용하여 제어 전압을 인가함으로써 압전 다층 본체의 길이 수축을 유발시켜 압전 가요성 변환기의 휨력은 그 수직 방향과 수직하게 발생된다.
압전 가요성 변환기의 동작을 위해 서로, 유효 저 전압 전류의 충분히 높은 제어 전압으로의 변환을 보장하는 부품들을 갖는, 적절한 전자 시스템에 의지해야한다. 이러한 관점에서, 다층 기술은, 압전 가요성 변환기의 작동에 필요한 전기 에너지를 비교할만한 치수의 모놀리틱 압전체의 경우에서 보다 실제로 더 낮은 제어 전압에서도 이용할 수 있는, 이점을 제공한다. 그러나, 전자 부품은, 필요 공간에 관한 실질적인 제약을 갖고 있어, 압전 가요성 변환기를 갖는 밸브와 같은 장치의 소형화되도록 한다.
공지된 압전 가요성 변환기의 다른 문제점은 동작 행위에 대한 모니터링 및/또는 피드백 공급이다. 게다가, 이 목적에 알맞는 센서 기술의 제공은 압전 가요성 변환기에 적합한 장치의 전체 사이즈의 관점에서 바람직하지 않은 것이다.
따라서, 본 발명의 하나의 목적은, 초기에 언급한 형태의 압전 가요성 변환기를 갖는 장치의 보다 소형화된 치수가 되도록 할 수 있는 방안을 제시하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 이와 같은 압전 가요성 변환기의 적절한 어플리케이션을 위한 것이다.
초기에 언급된 형태의 압전 가요성 변환기와 관련되어 먼저 언급된 목적은, 압전 다층 본체의 근접하는 압전 다층 본체 재료층들 사이, 지지 본체의 내부, 및/또는 지지 본체와 압전 다층 본체 사이에, 압전 가요성 변환기의 작동에 필요한, 적어도 하나의 전자 및/또는 센서 시스템의 부품이 포함된다.
본 발명은, 연장된 지지 본체를 구비하고 적어도 하나의 수직면이 복수개의 압전 재료 층과 층간에 위치된 전극을 갖는 압전 다층 본체가 제공된, 압전 가요성 변환기에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이와 같은 압전 가요성 변환기의 이용에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 압전 가요성 변환기의 바람직한 실시 형태를 나타내는, 부분적인 분해 확대 입면 사시도이다.
도 2는 화살표 Ⅱ의 방향에서 볼 때 상부로 향한 지지 본체의 지지면이 평면도이다.
도 3은 하부 지지 본체층의 상부로 향하는 면을 볼 때 단면 라인 Ⅲ-Ⅲ에 대하여 도 1의 지지 본체를 통과하는 수직 단면도이다.
도 4는 단면 라인 Ⅳ-Ⅳ에 대해서 도 1과 같은 지지 본체를 통과하여 추한것으로, 선택적으로 현재의 전기 전도체를 하부로 향하는 지지면 상에 점선으로 나타낸 수직 단면도이다.
도 5는 도 1 및 도 2의 단면 라인 Ⅴ-Ⅴ의 단면에 대해 도 1 내지 도 4의 압전 가요성 변환기를 나타낸 것으로, 공압 섹터에 사용되는 제어 밸브와 관련된 어플리케이션을 나타낸 도이다.
도 6 및 도 7은 압전 가요성 변환기의 다른 실시 형태의 지지 본체를 통과하는 도 2 및 3에 따른 수직 단면도.
도 8은 도 9의 단면 라인 Ⅷ-Ⅷ에 대해 취한 수직 단면도로 압전 가요성 변환기의 다른 실시 형태의 일부분을 나타낸다.
도 9는 압전체를 나타내지 않은 도 8에 따른 지지 본체의 상부로 향하는 지지면의 평면도이다.
본 발명은, 다층 가요성 변환기와 함께 사용되는 작동을 위해 필요한 전자 및/또는 센서 시스템의 부품을, 그들의 치수 및 그들의 형상을 고려하여 설계함으로써, 압전 가요성 변환기내의 통합이 가능하고, 따라서 이들 설비를 위한 더 넓은공간이 필요할 수도 있는, 전자 및/또는 센서 부품이 불필요하게 될 수도 있다는 인식에 기초를 둔다. 따라서, 예를 들면, 전자 및/또는 센서 부품은 압전 다층 본체의 압전 재료층들 사이 또는 동일하게 실장된 지지 본체와 압전 다층 본체 사이에 위치될 수 있지만, 지지 본체 내부에 수용될 수 있다. 따라서, 이는 센서 부품의 관점에서, 작동-관련 파라미터를 검출할 위치에 거의 동일하게 위치될 가능성을 증대시킨다.
따라서, 예를 들어, 안전 관련 밸브 어플리케이션의 경우, 작동기 세팅에 대한 신뢰성 있고 정확한 피드백 정보를 보장할 수 있다.
개별 압전 재료층의 층 두께가 최대 25㎛이고, 바람직하게는 막 두께가 14 내지 20㎛ 사이에 포함되고, 특히 바람직하게는 층 두께가 17㎛인, 압전 다층 본체를 갖는 압전 가요성 변환기를 제공하는 것이 특히, 이로운 것으로 나타났다. 이에 의해, 매우 얇은 층을 갖는 저 전압 다층 구조가 제공되며, 따라서, 60볼트 이상의 범위의 종래 기술의 부품 전압 상태보다 실질적으로 더 적은, 매우 감소된 부품 구동 전압이 얻어진다. 따라서, 전압 변환에 필요한 회로의 구조적인 복잡성 또한 감소되어, 본 발명에 따른 압전 가요성 변환기내의 통합도가 보다 더 단순해지도록 한다. 또한, 고 전압 범위에 적용하는 설계 표준이 더 이상 필요하지 않게 되므로, 압전 가요성 변환기 또는 각각 이에 적합한 장치의 배선의 위치와 하우징의 디자인에 대한 더욱 다양한 디자인 가능성이 증대되는 이점이 있다. 압전 재료내에의 충분한 전기장 강도가 달성되면서도, 전체 사이즈의 관점에서 세팅력이 증가하고 변위가 더 증가될 수 있다.
본 발명의 더 바람직한 개선은 종속 청구 범위에서 정의된다.
적어도 하나의 일체형 전자 부품은 전압 변환 회로, 전류 제한 회로, 또는 충전 및 방전 회로의 일부를 형성하거나, 또는 직접 이와 같은 회로 자체를 구성할 수 있다.
적어도 하나의 이와 같은 센서 부품은 예를 들면, 하나 이상의 압전 재료층 또는 유도 픽업 및 코일에 의한, 스트레인 게이지 스트립 (strain gage strip; DMS) 의 형상으로, 가요성 변환기의 휨 또는 변위에 응답하는 변위 센서로 구성될 수 있다. 지지 재료 또는 압전 재료에 탑재된 변위 센서의 실질적인 이점은, 압전 완화 및 드리프트 효과의 보상을 위한 작동기 변위의 시스템적인 추구의 경우에 대한 사용 가능성에 있다. 이에 의한 장 기간 안정적인 제어 어플리케이션들이 되도록 한다. 다른 사용 가능성은 세팅 소자의 기능적인 모니터링이다.
또한, 힘 (force), 가속도 또는 온도 센서와 같은, 바람직한 형태와 구조의 추가적인 센서가 시스템 내에 일체형될 수 있다.
지지 본체 내의 하나 이상의 전자 부품 및 또는 센서 부품의 통합은 단순하게 수행될 수 있으며, 만약, 지지 본체를 적어도 둘 이상의 지지 본체층을 겹친 다층 본체의 형상으로 설계되었다면, 지지 본체의 층 평면은 압전 재료층의 층 평면과 평행한 것이 바람직하고 각각의 부품들은 지지 본체의 각각의 이웃하는 2층 사이에 위치될 수도 있다.
지지 본체 상에서 최적의 분포를 갖는 압전 다층 본체의 제어 및 어떠한 본 발명의 센서 시스템의 작동을 위해 필요한 전기 전도체를 제공할 수 있도록 하기위해서, 본 발명의 전기 전도체는 지지 본체의 다른 부품 지탱면에 배치되어, 상호 접속이 예컨대 피팅 면을 가로질러 연장하는 하나 이상의 금속 라인 홀 또는 홀, 예컨대 비어 (via) 에 충진된 금속으로 구비되도록 한다. 다층체 기술을 이용하여 제공된 지지 본체의 경우, 전기 전도체는 지지 본체의 이웃 층들의 사이, 또는 외부 지지 본체의 외면 상에 제공될 수 있으므로, 전기 전도체가, 단지 대응되는 지지 본체층만을 통해 연장되는 금속 라인 홀 또는 금속 충진 홀에 의해 접촉될 수 있다
특히, 이 구조는, 압전 가요성 변환기가 예컨대, 트리모포오스 (trimorphous) 형상을 가지고, 지지 본체가 2개의 이격된 지지 본체의 수직면 상에 위치되는 2개의 압전체와 끼워 맞추어지게 되어 더욱 이롭게 된다. 이 경우, 2개의 압전체는 전술한 이점을 기초로, 2개의 상호 대향하는 방향으로 압전 가요성 변환기의 강제 변위를 할 수 있도록 하기 위해, 전술한 형태의 압전 다층 본체의 형상으로 설계되는 것이 바람직하다. 센서 시스템, 및/또는 전자 회로의 전속 수단으로서 활성 압전 재료층을 갖는 가요성 인쇄 배선층과 함께, 이 설계는 트리모포오스 가요성 변환기가 섬유 혼합물의 형상인 중간층을 갖도록 할 수도 있다. 적절한 열 팽창 계수를 갖는 재료의 적절한 선택에 따라 열 드리프트의 시스템적인 감소가 획득될 수 있다. 이에 대한 일 예는, 작동기의 전체 구조내의 구리층의 시스템적인 결합이다. 또한, 열 드리프트의 감소와 함께, 활성 압전 재료층, 일체형 센서 및/또는 전자 회로를 접촉하기 위해, 변위 및 세팅력과 같은 특정 기계적 특성을 설정하도록 구리층을 이용할 수 있다.
제 2 활성 압전체를 대신하여, 압전 다층 본체와 필수적으로 동일한 열 팽창 계수를 갖는 재료로 이루어진 어댑티브 본체를 공급하는 것이 보다 더 이롭다. 이를 보장할 책임이 있더라도, 그 일면상에 압전체를 갖는 예컨대, 유니모포오스 (unimorphous) 형태의, 압전 가요성 변환기에 비해, 상대적으로 낮은 가격으로 대칭적으로 디자인하여, 고유 열적 휨이 감소 또는 완전하게 차단될 수 있도록 보장할 책임이 있지만, 이 어댑티브 본체는 변위력에 기여하지 않은, 즉, 패시브 소자이다. 또한, 어댑티브 재료 자체를 센서로 하거나 센서 내에 탑재하는 것이 가능하다. 또한, 센서는 어댑티브 부분 내에 탑재될 수 있다.
특정한 과제를 달성하려는 처음에 언급한 본 발명의 제 2 목적은, 압전 가요성 변환기를 밸브의 세팅 부재, 보다 상세하게는, 공기 흐름 제어를 위한 공압 섹터의 형상으로 갖게 됨으로써, 가능해진다.
이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도 1 내지 5에 나타낸 가요성 변환기 (1) 는, 비록 가요성을 갖지만, 소정의 강성도를 갖고, 바람직하게는, 섬유 복합 재료 또는 다층 플라스틱, 더욱 바람직하게는 폴리이미드를 포함하는, 연장된, 판형, 또는 주상형의 지지 본체 (2) 를 포함한다.
서로 이격되어 마주보고 지지 본체 (2) 의 대향하는 수직면 상에 위치되는 넓은 외부면들은, 예를 들면 상부로 향하는 제 1 지지면 (3) 과 하부로 향하는 제 2 지지면 (4) 으로 구성된다. 다층체 기술을 이용하여 제 1 압전체 (5) 가 제 1 지지면상에 형성됨으로써 당해의 압전 다층 본체 (6) 가 되도록 배치된다.도 5에 나타난 바와 같이, 양방향 화살표 (8) 에 의해 나타낸 적층체의 방향 (8) 으로, 지지면 (3) 과 수직으로 정렬되는 서로 거의 평행한 층면과 마주보도록 적층된 복수개의 평평한 또는 평탄한 압전 재료층 (7) 을 포함한다. 압전 재료로서 적합한 압전 재료를 채택할 수 있으며, 압전 세라믹인 것이 바람직하다.
압전 재료층 (7) 의 면은 지지 본체 (2) 의 연장되는 면과 평행한 관계로 연장된다.
각각의 근접하는 압전 재료층들 (7) 사이에는, 시트형 형상, 바람직하게는 금속화된 은/팔라듐 (palladium) 층의 형상으로 박막 전극 (9, 10) 이 연장되어 있다.
여기에 엇갈리는 제 1 및 제 2 전극 (9, 10) 이 적층 방향으로 엇갈리도록 더 제공되어, 최상부 및 최하부 압전 재료층 (7) 을 제외한 작업 실시 형태에서는 대향하는 면 상의 각각의 압전 재료층 (7) 이 제 1 및 제 2 전극 (9, 10) 의 측면에 위치되도록 한다. 또한, 이 경우, 제 1 전극 (9) 과 제 2 전극 (10) 은 서로 전기적으로 접속되고, 지지 본체 (2) 와 직접 인접하는 하부 압전 재료층 (7) 의 하부면에 제공된 각각의 제 1 및 제 2 접촉면 (13, 14) 과 전기적으로 접속된다.
도시한 바와 같이, 최상부 압전 재료층 (7) 은 활성 커버층이 될 수도 있지만, 이 층을 활성화시켜 사용하기 위해, 그 최상부 면상에도 전극이 쉽게 제공될 수도 있다.
전극 (9, 10) 과 접촉하도록 제공된, 압전 다층 본체 (6) 의 외부 면 상에연장된 전도층들은, 상세하게 나타내지는 않았지만, 포팅 혼합물 (potting composition) 로 밀봉된다.
압전 다층 본체 (6) 는 제 1 지지면 (3) 의 전체 길이의 일부분만을 차지한다. 따라서, 지지 본체 (2) 는 압전 다층 가요성 변환기 (1) 의 접속면 (15) 상의 이전 압전 다층 본체 (6) 를 연장하는 접속부 (16) 을 갖는다. 압전 가요성 변환기 (1) 의 동작으로부터 필요한 전기적 접속은 접속부 (16) 를 이용하여 이루어지고, 또한, 접속부는 압전 가요성 변환기를 클램핑 (clamping) 또는 고정하기 위해 사용될 수 있다.
예를 들면, 압전 다층 본체 (6) 를 구동하기 위해, 지지 본체 (2) 는, 제 1 및 제 2 전기 전도체 (17a, 17b) 로 구성되는 인쇄 배선, 금속화된 층 및/또는 전도성 플라스틱층으로 구비된다. 이들은 접속부 (16) 의 자유 단부로부터 연장되며, 압전 다층 본체 (6) 에 의해 덮혀진 지지 본체까지 압전 다층 본체 (6) 의 제 1 및 제 2 접촉면 (13, 14) 과 전기적으로 접촉하는 제 1 및 제 2 전기적인 접속면 (18a, 18b) 의 형상을 갖는다.
따라서, 제 1 및 제 2 전기 전도체 (17a, 17b) 에 의해, 압전 다층 본체 (6) 에 인가되는, 압전 재료층 (7) 의 길이의 변화를 유발하는 공지의 방법으로, 구동 전압을 가질 수도 있으므로, 이는 압전 가요성 변환기 (1) 의 전 단부 (미도시) 의 (화살표 (22) 에 의해 나타난 바와 같이 가요성 변환기의 길이에 수직한) 접속부 (16) 에 클램핑된 커빙과 휨 또는 압전 가요성 변환기 (1) 의 변위를 유발할 수도 있다.
이 접속부 (16) 가 압전 가요성 변환기 (1) 를 고정하기 위해 채택되는 것이 유리하지만, 압전 다층 본체 (6) 의 접속부 (14) 와 인접되는 영역에 고정 효과를 제공하는 것 또한 가능하다.
구동 전압을 감소시키기 위해, 압전 재료층은 매우 얇다. 이 층의 두께는 작업 예에서 17㎛이고, 전체 두께 범위는 14㎛ 내지 29㎛ 사이ㅇ고, 25㎛를 초과하는 것이 바람직하다. 따라서, 구동 전압으로 최고 60V의 저 전압, 바람직하게는 최대값보다 명확하게 작은 전압을 이용하는 동작의 가능성으로 인해, 고 전압 어플리케이션에 적용하는 소정의 룰이 여기에는 유효하지 않으며, 전기 전도체의 최적 변위에 대해 보다 유연한 가능성이 있다.
저 구동 전압을 유발하는 박막층을 갖는 전압 다층 본체 형상으로의 압전 다층 본체 (6) 의 설계는, 압전 가요성 변환기 (1) 의 동작을 위해 채택된 전자 회로가 통상의 설계에 비해 실제로 보다 단순해지고, 보다 경박화되며, 보다 경제적인 구조를 갖는, 이점을 더 갖게 된다.
전자 회로 (23) 의 소형화된 전체 사이즈는, 압전 가요성 변환기 (1) 내의 적어도 하나의 전자 부품 (24) 과, 바람직하게는 모든 전자 부품 또는 각각의 전체 전자 구동 회로 전체를 탑재하기 위한 압전 가요성 변환기 (1) 의 경우에 이점을 갖는다. 도 1 내지 5 에 나타난 작업 실시 형태에서, 전자 부품 (24) 은 다층 본체의 형상으로 설계된 지지 본체 (2) 는 서로 평탄하게 위치된 2개의 지지 본체층들을 가지며 그 지지 본체층들 사이에 전자 부품이 위치된다. 2개 이상의 지지 본체층을 포함하는 지지 본체 (2) 의 경우, 하나 이상의 전자 부품의 수용을위해 더 이상의 층의 변경도 가능하다.
따라서, 소망의 양식으로 내장된 전자 부품 (24) 을 접촉하기 위해서, 적절하게 위치된 소위 비어로 불리워지는 금속 라인 홀 또는 금속 충진 홀들 (27) 이 지지 본체 (2) 에 제공된다. 이와 같은 금속 라인 홀 또는 금속 충진 홀 (27) 은 그 자체의 전기 전도체를 갖는 다른 부품 지탱면 (28) 에 구비될 수 있고, 대응하는 전기 전도체는 서로 전기적으로 접촉될 수 있다는 것을 의미한다. 이 경우, 금속 라인 홀 또는 금속 충진 홀 (27) 의 개수는 원칙적으로 자유롭게 변화할 수 있고, 소망의 회로 레이아웃에 따르게 될 것이다.
도 1 내지 5에 나타난 작업 실시 형태에서, 제 2 전기 전도체 (17b) 는, 이 경우, 전기 전도체에 대해, 제 1 부품 지탱면 (28a) 을 나타내는, 제 1 지지면 (3) 상에 위치된다. 여기서, 제 2 전기 전도체 (17b) 는 제 1 부품 지탱면 (28a) 내에 완전하게 위치된다.
다른 경우의 제 1 전기 전도체 (17a) 는 복수개의 전도체부로 분할되어, 다양한 부품 지탱면에서 연장되고, 금속 라인 홀 또는 금속 충진 홀 (27) 에 의해 링크된다. 접속부 (16) 내의 제 1 전도부 (31a) 는 제 1 지지면 (3) 상과, 이에 의해 정의되는 제 1 부품 지탱면 (28a) 에 연장된다. 심지어, 압전 다층 본체 (6) 에 도달하기 전, 금속 라인 홀 (27) 이 제 1 지지면 (3) 을 갖는 제 1 지지 본체층 (25) 만을 통과하여 연장되도록 제공되므로, 이는 2개의 지지 본체 (25, 26) 사이의 변화에 의해 구성된다. 여기서, 압전 다층 본체 (2) 하부의 지지 본체 (2) 내부와 압전 다층 본체 (2) 하부의 제 2 전기 접속면 (18b) 을 지나도록 연장되는, 제 1 전기 전도체 (17a) 의 근접 제 2 전기적 전도부 (31b) 가 있다. 제 1 전기 접속면 (18a) 의 레벨로, 제 2 전도부 (31b) 는 다른 금속 라인 홀 (27) 과 전기적으로 접촉되어, 제 1 지지 본체층 (25) 을 통과하여 다시 연장되고 제 1 전기 접속면 (18a) 을 정의하는 제 3 전도부 (31c) 와 접속됨으로써, 이와 같은 전도부 (31c) 가 제 1 부품 지탱면 (28a) 에 다시 위치되도록 한다.
적어도 하나의 전자 부품 (24) 은 제 2 부품 지탱면 (28b) 에 위치되고, 소망의 방법으로 연장된 전도부 (31b) 와 전기적으로 접속된다.
또한, 작업 실시 형태에 나타낸 이중층 지지 본체 (2) 의 경우, 양 지지층 (25, 26) 을 통해 연장될 수 있는 금속 라인 홀 또는 금속 충진 홀이 제공될 수 있다. 또한, 전기 전도체 및/또는 전자 부품을 그 양면 상에 전기적으로 링크하기 위해, 분리 금속 라인 홀 또는 금속 충진 홀이 모든 지지 본체 상에 상호 구비될 수 있다.
적어도 하나의 전자 부품 (24) 은 일부분을 형성할 수 있고, 또는 압전 가요성 변환기 (1) 에 대한 전자 제어 회로를 구성할 수 있다. 특히, 전자 회로는 소망의 구동 전압을 획득하기 위해 인가된 입력 전압에 대한 전압 변환 회로를 포함한다. 또한, 초과 전압으로 인한 압전 특성의 바람직하지 않은 변화를 방지하기 위해 전류 제한 회로를 제공하는 것 또한 바람직하다. 가요성 또는 변위를 리셋하기 위한 2개의 와이어가 작동하는 경우에 필요한 방전을 제공할 수 있는 충전 및 방전 회로 또한 바람직하다. 이 열거는 단지 일 실시예이며, 배제하는 효과를 갖지 않는다.
또한, 작업 실시 형태의 압전 가요성 변환기 (1) 는, 적어도 하나의 제 1 전자 부품과 함께, 압전 가요성 변환기의 작동을 위해 채택된 센서 시스템 (33) 의 도 1 및 도 5에 점선으로 나타난 적어도 하나의 센서 부품 (32) 을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 실시 형태에서, 적어도 하나의 센서 부품 (32) 은 압전 다층 본체 (6) 의 내부에 2개의 이웃하는 압전 재료층 (7) 사이에 수용된다. 여기서는, 압전 다층 본체 (6) 의 제조 공정 동안 쉽게 위치될 수 있다. 예를 들면, 작동을 위해 필요한 전기적 접촉 수단 (34) 은 압전 다층 본체 (6) 의 단부면으로 연장된 후 하부측으로 연장될 수 있으므로, 압전 다층 본체 (6) 가 지지 본체 (2) 상에 고착되면, 다른 전기 전도체 (35) 와 전기적 접촉을 이룰 수 있으므로, 이와 같은 다른 전기 전도체 (35) 가 단면 (16) 주변의 제 1 지지면 (3) 상에 제공되도록 한다.
적어도 하나의 센서 부품 (32) 과, 바람직하게는, 압전 가요성 변환기 (1) 내부의 전체 센서 시스템 (33) 변위에 의해, 적절한 요소가 적절한 위치에서 검출되도록 할 수 있다. 또한, 그 후의 사용 동안, 압전 가요성 변환기의 외부면 또는 압전 가요성 변환기 (1) 에 대한 하우징 상에는 추가의 공간을 필요로 하는 설비가 필요하다. 또한, 이는 적어도 하나의 일체형된 전자 부품 (24), 또는, 각각의 전자 회로 (23) 에 대해서도 적용한다. 압전 가요성 변환기 (1) 내부의 수용으로 인하여, 외부 영향으로부터 압전 가요성 변환기 (1) 의 부품들에 의해 둘러싸이는 부품들이 보호되기 때문에, 안전 수단이 더욱 불필요하게 될 수 있다.
적어도 하나의 전자 부품이 압전 다층 본체 (6) 의 내부에 위치될 수 있듯이, 적어도 하나의 센서 부품 (32) 또한 전자 부품 (24) 과 관련하여 설명된 방법으로 지지 본체내에 일체형될 수 있다. 전자 및/또는 센서 부품의 수용에 대하여 더욱 바람직한 위치는 지지 본체 (2) 와 그 곳에 고착된 압전 다층 본체 (6) 의 사이이며, 도 5에 각각의 전자 및/또는 센서 부품이 점선 (24a, 24b) 으로 나타나 있다.
소정의 어플리케이션에 따라, 동일한 압전 가요성 변환기 (1) 는 전자 부품만으로 또는 센서 부품만으로, 또는, 게다가, 전자 시스템 또는 센서 시스템의 2가지로 동시에 구비될 수 있다는 것은 명백하다. 이 경우, 부품을 수용하는 위치는 자유롭게 선택될 수 있다.
보다 상세하게는, 압전 가요성 변환기 (1) 내에 통합된 센서 시스템은, 센서 부품으로서 압전 가요성 변환기 (1) 의 순간적인 휨에 관한 정보를 제공하는, 스트레인 게이지 스트립 또는 몇몇 다른 픽업 및 코일과 같은 편향 센서를 포함할 수 있다.
도 6 및 도 7은, 스트레인 게이지 스트립의 형상으로 지지 본체 (2) 내의 센서 부품 (32) 의 일체형에 대한 가능성을 나타낸다. 이 경우, 전술한 제 1 및 제 2 전도체 (17a, 17b) 와 함께, 제 3 전기 전도체 (17c) 가 더 제공되어, 제 3 전도체가 센서 부품 (32) 과 전기적인 접촉을 이루고 제 1 및 제 2 부품 지탱면 (18a, 28b) 에 연장되도록 제공되어, 금속 라인 홀 또는 금속 충진 홀 (27a) 에 의해 링크될 수 있는 것은 명백하다.
더욱 바람직한 센서 부품은 힘 센서, 가속도 센서, 및 온도 센서이고, 이들은 압전체 가요성 변환기의 최적의 작동을 모니터하도록 제공할 수 있다.
실제로 압전 다층 본체 (6) 및 또는 지지 본체 (2) 의 층 설계를 손상시키지 않기 위해서, 지지 본체층의 면은 압전 재료층의 것과 평행하게 연장되며 일체형된 전자 및/또는 센서 부품 (24, 32) 에 대해, 거의 돌출되지 않는 매우 얇은 구조에 의지해야 한다. 이와 같은 구조는, 표면 실장된 장치 (SMD) 부품 또는 네키드 칩 (naked chip), 다시 말하면, 봉지되지 않은 반도체 칩과 같은 소위 박막 기술에 의해, 구비될 수 있다. 부품을 수용할 수 있는 층 영역은 매우 넓기 때문에, 전체 높이를 감소시키기 위해 부품의 회로 레이아웃은 더욱 길게 또는 넓게 이루어질 수 있다.
도 8 및 9는 지지 본체 (2) 의 다른 설계를 나타낸 것으로, 압전체에 의해 차지되지 않는 지지 본체 (2) 의 외면부에 위치된, 추가적인 부품 및 또는 센서 부품 (36) 이 존재할 수 있음을 알 수 있다. 보다 상세하게는, 그들은 지지면 (3) 의 접속부 (16) 상에서 연장되는 자유 표면부에 배치될 수 있다.
또한, 도 8 및 9는, 원하는 경우, 전기 전도체 (17) 및 금속 라인 홀 또는 금속 충진 홀 (27) 이 지지 본체 (2) 상에 어떠한 적절한 분포로 배치할 수 있다는 것을 나타낸다.
금속 라인 홀 또는 금속 충진 홀의 경우, 전기 전도체 재료는 지지체 (2) 내에 완전한 또는 부분적으로 연장 평면 방향으로 비스듬하게 연장하는 개구부 또는 오목부에 배치된다. 이를 대신하는 재료로서 전도성 접착제를 사용할 수 있다.
지금까지 설명한 압전 가요성 변환기 (1) 는 유니모포오스 가요성 변환기가될 수도 있다. 그러나 이와 같은 유니모포오스 봉합의 경우, 비대칭적인 구조로 인해, 상대적인 높은 열에 기인한 휨이 발생되어, 동작 특성을 악화시킬 수 있다. 그러나, 일체형된 센서 시스템으로 인해, 압전 완화 및 드리프트 영향을 시스템적으로 충족될 수 있으므로, 본 발명에 따른 일체형과 함께 유니모포오스 가요성 변환기의 동작 특성이 상대적으로 간단하게 최적화될 수 있다. 또한, 지지 본체 내에 일체형된 재료로 인하여, 가요성 변환기의 동작점은 시스템적으로 영향을 받을 수 있다.
고유 열 가요성 또는 휨의 경제적인 감소에 대한 다른 가능성은 트리모포오스 기술 내의 압전 가요성 변환기를 설계하고, 압전 다층 본체 (6) 와 동일한 레벨에서의 어댑티브 본체 (37) 로 불리워지며 압전 다층 본체 (6) 와 동일한 열 팽창 계수를 갖는 재료로 구성되도록 한다. 여기서, 제 2 압전체 (38) 는, 본체 (38) 가 다층 구조를 갖는 것보다 실제로 경제적인 모놀리틱 구조를 갖는 어댑티브 본체 (37) 를 구비하는 것이 유용하다. 따라서, 사실상 압전 다층 본체 (6) 와 동일한 열 특징을 갖도록 하기 위해, 압전 재료는 통상 활성적 동작을 위해 정상적으로 필요한 극성을 구비하는 것이 바람직하다. 그러나, 제 2 압전체 (38) 는 활성화되지 않으며, 각각 대칭 구조를 갖기 위한 어댑티브용으로 기능하는 것에 불과하다.
동일하게, 본 발명에 기초하여 압전 가요성 변환기 (1) 를 일측 뿐 아니라 양측이 활성화되도록굽히기 위해, 활성화될 수 있는 2개의 압전체 (5, 38) 를 갖는, 트리모포오스 가요성 변환기를 자연히 제공할 수 있다. 이 경우, 제 2 압전체 (38) 를 압전 다층 본체의 형상으로 설계하도록 권장된다. 따라서, 도 1 및 4의 점선으로 나타낸 바와 같이, 지지 본체 (2) 는, 제 2 지지면 (4) 상에 위치된 압전체 (38) 의 구동 가능성을 갖는, 상세하게 설명된 전술한 제 1 및 제 2 전기 전도체 (17a, 17b) 와 금속 라인 홀 (27) 과 유사한, 전기 전도체 (42) 및 금속 라인 홀 또는 금속 충진 홀 (43) 을 더 구비할 수 있다. 만약, 전자 및/또는 센서 부품이 압전 다층 본체 (6) 내에 또는 압전체와 지지 본체 (2) 사이의 전이부에 위치된다면, 압전 가요성 변환기 (1) 는 단일 층 지지 본체 (2) 를 쉽게 구비할 수 있다.
유체 흐름의 제어를 위해 제공된 밸브내의 세팅 부재로서 압전 가요성 변환기를 채택하는 것이 바람직하다. 도 5에는 압전 가요성 변환기 (1) 의 활성 또는 비활성에 의해 원하는 바에 따라 개방 또는 폐쇄되는 유체 도크 개구부 (45) 를 갖는 공압 밸브의 하우징 (44) 의 단면을 점선으로 나타낸다.

Claims (18)

  1. 연장된 지지 본체 (2) 를 포함하고, 그의 적어도 하나의 수직면상에 복수개의 압전 재료층 (7) 및 개재되어 위치된 전극 (9, 10) 을 갖는 압전 다층 본체 (6) 가 제공되는, 압전 가요성 변환기로서,
    상기 지지 본체 (2) 의 내부, 및/또는 상기 지지 본체 (2) 와 상기 압전 다층 본체 (6) 의 사이, 및/또는 상기 압전 다층 본체 (6) 의 근접하는 상기 압전 재료층 (7) 들의 사이에, 상기 압전 가요성 변환기 (1) 의 동작에 이용되는 전자 (23) 및/또는 센서 (33) 시스템의 적어도 하나의 부품 (24, 24a; 32, 32a) 이 포함되는 것을 특징으로 하는 압전 가요성 변환기.
  2. 제 1 항에 있어서, 적어도 하나의 상기 전자 부품 (24, 24a) 은 전압 변환 회로 또는 전류 제한 회로 또는 충전/방전 회로를 형성하거나 그의 일부분을 구성하는 것을 특징으로 하는 압전 가요성 변환기.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 적어도 하나의 상기 전자 부품 (24, 24a) 은 상기 압전 가요성 변환기를 위한 제어 전자 회로를 구성하거나, 그의 일부분을 구성하는 것을 특징으로 하는 압전 가요성 변환기.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 센서 부품 (32, 32a) 은 상기 가요성 변환기의 휨을, 보다 상세하게는 스트레인 게이지 스트립 또는 유도 픽업 및/또는 코일에 의해 검출하기 위한 편향 센서로 구성되는 것을 특징으로 하는 압전 가요성 변환기.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 센서 부품 (32, 32a) 은 힘 센서, 가속도 센서 및/또는 온도 센서에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 압전 가요성 변환기.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 전자 및/또는 센서 부품 (24, 24a; 32, 32a) 은, 박막 기술을 이용하여 제조된 것이거나, 또는 각각의 표면 실장 장치 (SMD) 부품 또는 네키드 칩 (naked chip) 으로 제조된 것을 특징으로 하는 압전 가요성 변환기.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 본체 (2) 는 적어도 2개의 겹쳐진 지지 본체층 (25, 26) 을 갖는 다층 본체의 형상으로 설계되는 것을 특징으로 하는 압전 가요성 변환기.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 지지 본체층 및 상기 압전 재료층의 면은 서로 평행하게 연장되는 것을 특징으로 하는 압전 가요성 변환기.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 지지 본체 (2) 내부에 배치된 상기 적어도 하나의 전자 및/또는 센서 부품 (24, 32) 은 2개의 이웃하는 상기 지지 본체층 (25, 26) 사이에 위치되는 것을 특징으로 하는 압전 가요성 변환기.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 본체 (2) 는 다른 부품 지탱면에 배치된 전기 전도체 (17a, 17b, 17c, 42) 가 구비되고, 상기 전도체는 상기 부품 지탱면 (28) 과 수직으로 위치된 하나 이상의 금속 라인 홀 또는 금속 충진 홀 (27, 43) 에 의해 서로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 압전 가요성 변환기.
  11. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 관련되는 제 10 항에 있어서, 그 양면 상의 상기 전기 전도체들을 접촉시키기 위해, 상기 하나의 지지 본체층만을 통과하여 연장하는, 상기 적어도 하나의 금속 라인 홀 (27, 43) 이 존재하는 것을 특징으로 하는 압전 가요성 변환기.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 압전 센서 (6) 는 이와 마주보는 지지 본체 (2) 의 지지면 (3) 을 일부분만 차지하여, 지지면 (3) 의 자유 단면이 적어도 하나의 전자 부품 (36) 을 더 탑재하는 것을 특징으로 하는 압전 가요성 변환기.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 개별 압전 재료층 (7) 의 두께는 최대 25㎛, 바람직하게는, 14㎛ 내지 20㎛ 사이이고, 더욱 바람직하게는, 17㎛인 것을 특징으로 하는 압전 가요성 변환기.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 압전 재료층 (7) 의 두께는 상기 압전 가요성 변환기의 동작에 필요한 구동 전압이 최대 60볼트가 되도록 제공되는 것을 특징으로 하는 압전 가요성 변환기.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 본체 (2) 는 상기 압전 다층 본체와 대향하는 수직면 상에 모놀리틱 압전체 (38) 를 탑재하는 것을 특징으로 하는 압전 가요성 변환기.
  16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 본체 (2) 는, 상기 압전 다층 본체 (6) 와 대향하는 상기 수직면 상에, 상기 압전 다층 본체 (6) 의 상기 압전 재료와 거의 동일한 열 팽창 계수를 갖는 재료로 된 어댑티브 본체 (37) 가 제공되는 것을 특징으로 하는 압전 가요성 변환기.
  17. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 본체 (2) 에는 상기 압전 다층 본체 (6) 와 대향하는 상기 수직면 상에 압전 다층 본체가 더 탑재되는 것을 특징으로 하는 압전 가요성 변환기.
  18. 밸브의 세팅 부재, 보다 상세하게는, 공압 섹터 (sector) 내의 밸브로서, 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 따른 압전 가요성 변환기를 이용하는 것을 특징으로 하는 압전 가요성 변환기의 이용.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10017760C1 (de) * 2000-04-10 2001-08-16 Festo Ag & Co Piezokeramischer Biegewandler sowie Verwendung des piezokeramischen Biegewandlers
DE20202297U1 (de) 2001-09-07 2002-08-29 Drei S Werk Praez Swerkzeuge G Flacher Aktor oder Sensor mit interner Vorspannung
DE10202996A1 (de) * 2002-01-26 2003-08-14 Eppendorf Ag Piezoelektrisch steuerbare Mikrofluidaktorik
DE10246307A1 (de) * 2002-10-04 2004-04-22 Siemens Ag Piezoelektrischer Biegewandler
ES2247438T3 (es) 2003-02-25 2006-03-01 FESTO AG & CO Dispositivo acutador equipado con un actuador de flexion.
US7105988B2 (en) 2003-04-30 2006-09-12 Vibration-X Di Bianchini Emanulee E C. Sas Piezoelectric device and method to manufacture a piezoelectric device
US7800595B2 (en) * 2003-12-18 2010-09-21 3M Innovative Properties Company Piezoelectric transducer
DE102004034537B3 (de) * 2004-07-16 2006-05-04 Festo Ag & Co Greifer zum Ergreifen von Gegenständen
AT500743B8 (de) * 2004-08-25 2007-02-15 Hoerbiger Automatisierungstech Piezo-biegewandler-anordnung sowie verfahren zur herstellung einer derartigen piezo-biegewandler- anordnung
KR100625772B1 (ko) * 2004-12-03 2006-09-20 (주)아이블포토닉스 다중 작용 진동자가 구비된 압전 진동자
EP1717500B1 (de) * 2005-04-28 2007-08-08 FESTO AG & Co Piezo-Biegewandler
DE102006012321A1 (de) * 2006-03-17 2007-09-20 Festo Ag & Co Piezoelektrische Vorrichtung
EP1835552A1 (de) * 2006-03-17 2007-09-19 Festo Ag & Co. Piezoelektrische Vorrichtung
DE102007043263A1 (de) * 2007-09-11 2009-04-02 Siemens Ag Informationswandler und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102008007774A1 (de) 2008-02-06 2009-08-13 Robert Bosch Gmbh Biegewandler zum Erzeugen von elektrischer Energie aus mechanischen Verformungen
DE102010040243A1 (de) * 2010-09-03 2012-03-08 Siemens Aktiengesellschaft Piezobasierter Generator mit mechanischem Energiespeicher und direktmechanischer Breitbandanregung
DE102010055417A1 (de) * 2010-12-21 2012-06-21 Hochschule Heilbronn Elektromechanischer Energiespeicher, insbesondere für integrierte Schaltungen
DE102010055934B4 (de) * 2010-12-23 2018-09-06 Epcos Ag Aktuator und Verfahren zu dessen Herstellung
AT520086B1 (de) * 2017-08-07 2019-01-15 Piezocryst Advanced Sensorics Piezoelektrische vorrichtung mit zumindest einem piezoelektrischen element
FR3074361B1 (fr) * 2017-11-27 2019-10-18 Continental Automotive France Rondelle piezoelectrique pour capteur accelerometre avec chemin resistif sur son contour externe
JP7276225B2 (ja) * 2020-03-31 2023-05-18 豊田合成株式会社 センサユニット

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5492307A (en) 1977-12-29 1979-07-21 Sony Corp Driving circuit of electrostrictive converter
JPS6048112B2 (ja) * 1979-05-02 1985-10-25 ソニー株式会社 電気・機械変換素子
CA1165860A (en) * 1979-12-12 1984-04-17 Susumu Nishigaki Piezoelectric electro-mechanical bimorph transducer
JPS6066882A (ja) * 1983-09-22 1985-04-17 Murata Mfg Co Ltd 圧電変位素子およびその分極方法
DE3425290A1 (de) * 1984-07-10 1986-01-16 Atlas Fahrzeugtechnik GmbH, 5980 Werdohl Piezokeramische ventilplatte und verfahren zu deren herstellung
US4678957A (en) * 1986-06-24 1987-07-07 General Electric Company Piezoelectric ceramic switching devices and systems and methods of making the same
GB8722086D0 (en) * 1987-09-19 1987-10-28 Cambridge Consultants Poling piezo-electric ceramic
US5038069A (en) * 1987-11-09 1991-08-06 Texas Instruments Incorporated Cylinder pressure sensor for an internal combustion engine
WO1989007345A1 (en) * 1988-02-08 1989-08-10 Pacific Bell Improved piezoelectric relay element and method for driving the same
JP2717669B2 (ja) 1988-07-07 1998-02-18 東芝セラミックス株式会社 半導体単結晶引上げ装置
JPH02184378A (ja) * 1989-01-11 1990-07-18 Toshiba Corp 圧電ファン
US5404067A (en) * 1990-08-10 1995-04-04 Siemens Aktiengesellschaft Bonded piezoelectric bending transducer and process for producing the same
JP3185226B2 (ja) * 1991-01-30 2001-07-09 株式会社村田製作所 圧電バイモルフ素子の駆動方法及び圧電バイモルフ素子
JP3238492B2 (ja) * 1992-10-19 2001-12-17 株式会社タイセー 圧電センサ
US5473214A (en) * 1993-05-07 1995-12-05 Noise Cancellation Technologies, Inc. Low voltage bender piezo-actuators
US6420819B1 (en) 1994-01-27 2002-07-16 Active Control Experts, Inc. Packaged strain actuator
DE4410153C1 (de) 1994-03-24 1995-02-09 Joucomatic Gmbh Piezoelektrisch betätigtes Fluidventil
DE69610863T2 (de) * 1995-02-21 2001-06-07 Toshiba Kawasaki Kk Tintenstrahldrucker
AU8991898A (en) 1997-09-05 1999-03-29 1... Limited Aerogels, piezoelectric devices, and uses therefor
DE59813810D1 (de) * 1997-09-30 2006-12-28 Argillon Gmbh Piezoelektrisches element
DE19827287A1 (de) 1998-06-19 1999-12-23 Bosch Gmbh Robert Brennstoffeinspritzventil-Drucksensor- Kombination
US6429574B1 (en) * 2001-02-28 2002-08-06 Acuson Corporation Transducer array using multi-layered elements having an even number of elements and a method of manufacture thereof

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Publication number Publication date
DE10023556A1 (de) 2001-11-29
DK1282921T3 (da) 2006-12-11
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ATE336080T1 (de) 2006-09-15
DE50110705D1 (de) 2006-09-21
TW526635B (en) 2003-04-01
EP1282921B1 (de) 2006-08-09
EP1282921A1 (de) 2003-02-12
WO2001089004A1 (de) 2001-11-22
US6744177B2 (en) 2004-06-01
US20030160544A1 (en) 2003-08-28

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