KR20020086830A - 표면 근처에 도핑된 주석 또는 주석 합금으로 코팅된 금속아티클 - Google Patents

표면 근처에 도핑된 주석 또는 주석 합금으로 코팅된 금속아티클 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따라, 금속 기판은 주석 위스커들의 성장을 억제하기 위해 표면 도핑되는 주석 또는 주석 합금으로 된 층으로 코팅된다. 선택 금속 하부층은 기판과 주석 사이에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 금속 기판은 니켈 하부층으로 코팅된 구리 합금과 금 또는 팔라듐 주석으로 도핑된 표면의 층을 포함한다. 도핑은 위스커 성장을 억제하며, 그 결과로 생긴 구조는 전기 커넥터 또는 리드 프레임으로서 특히 유용하다.

Description

표면 근처에 도핑된 주석 또는 주석 합금으로 코팅된 금속 아티클{Metal article coated with near-surface doped tin or tin alloy}
본 발명의 분야
본 발명은 납땜성(solderability) 및 부식(corrosion)으로부터 보호하기 위해 도금된 금속 아티클(article)들에 관한 것이다. 특히, 이는 주석 위스커(whisker)들의 성장을 억제시키기 위해 표면 도핑된 주석 또는 주석 합금으로 된 층을 포함하는 피니쉬(finish)를 갖는 아티클에 관한 것이다. 표면 피니쉬는 특히 전기 커넥터들 및 집적 회로 리드 프레임들에 유용하다.
본 발명의 배경
고 품질의 커넥터들은 가전 제품(consumer electronics), 가정용 기기(household appliances), 컴퓨터, 자동차, 전기 통신, 로봇(robotics), 및 군사 장비(military equipment)를 포함하는 여러 가지 제품들에서 더욱 더 중요해지고 있다. 커넥터들은 한 디바이스에서 다른 디바이스로 전류가 흐르는 경로들을 제공한다. 고급 커넥터들은 매우 높은 도전성, 부식 저항, 마모(wear) 저항을 가져야 하며, 납땜에 의해 용이하게 접속되고 비싸지 않아야 한다.
불행하게도 어떠한 단일 물질들도 원하는 특성들을 모두 갖고 있지 않다. 구리 및 그 다수의 합금들은 높게 도전되지만, 전형적인 환경에서 부식되며, 반응적인 산화물들 및 황화물들을 생성시킨다. 반응적인 부식 제품들은 커넥터들의 도전성과 상호 접속의 신뢰성을 감소시킨다. 부식 제품들은 또한 땜납 본드들의 형성 및 신뢰성을 방해하고 이들이 악영향을 미치는 다른 전기 구성 성분들로 이동할 수 있다.
주석으로 된 얇은 층들은 부식 저항 및 납땜성을 제공하기 위해 구리 표면들에 적용된다. 주석은 쉽게 적용되며, 유독하지 않으며(non-toxic), 부식에서의 보호를 제공하며 우수한 납땜성을 가진다. 불행하게도 주석 코팅들은 주석 "위스커들"로 불리는 금속 필라멘트의 자발적인 성장을 겪게 된다. 이 위스커들은 저전압 장치에서 단락 회로 실패들의 원인으로 식별되었다. 더욱이 위스커 파편(fragment)들은 디바이스 패키지들 내에서 떼어내고 축적할 수 있으며, 그 출처(origin)에서 멀리 떨어진 위치들에서 단락을 야기하며 전기 기계 동작에 대해 간섭한다. 따라서, 이는 주석으로 된 코팅이 없는 위스커를 갖는 금속 아티클들을 제공하는 것이 이롭다.
본 발명에 따라, 금속 기판은 주석 위스커들의 성장을 억제하기 위해 표면 도핑되는 주석 또는 주석 합금으로 된 층으로 코팅된다. 선택 금속 하부층은 기판과 주석 사이에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 금속 기판은 니켈 하부층으로 코팅된 구리 합금과 금 또는 팔라듐 주석으로 도핑된 표면 층을 포함한다. 도핑은 위스커 성장을 억제하며, 그 결과로 생긴 구조는 전기 커넥터 또는 리드 프레임으로서 특히 유용하다.
본 발명의 이점들, 성질 및 다양한 추가 특징들은 첨부한 도면들과 함께 상세히 기술되어질 예시적인 실시예들로 보다 완전히 이해될 것이다.
도 1은 본 발명에 따라 코팅된 금속 아티클(article)의 개략적인 단면도.
도 2는 도 1의 코팅된 금속 아티클을 만들 때 수반되는 단계들을 도시한 블록도.
도 3은 도 2의 공정을 사용하여 전기 커넥터를 만들기 위한 기판을 도시한 도면.
도 4a 및 도 4b는 전형적인 표면 도핑 프로파일들을 도시한 도면.
도 5는 집적 회로 리드 프레임을 만들기 위한 기판을 도시한 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *
10 : 기판11 : 피니쉬
12, 13 : 층14 : 표면 근처 영역
이 도면들은 본 발명의 개념들을 예시하는 것을 목적으로 하며, 일정한 비율로 그려진 것이 아님을 알아야 할 것이다.
도 1은 위스커(whisker) 형성을 억제시키기 위해 표면 근처에 도핑된 주석 또는 주석 합금으로 된 선택적 금속 하부층(underlayer)(12) 및 층(13)을 포함하는피니쉬(finish)(11)로 코팅된 금속 기판(10)의 개략적 단면도이다. 표면 근처에 도핑된 주석 또는 주석 합금으로 된 층은 표면 및 층의 두께의 약 10%의 깊이 사이에 적어도 1/2의 도펀트들을 갖는다. 금속 기판은 전형적인 환경에서 부식되기 쉬운 전형적으로 구리, 구리 합금, 철 또는 철 합금과 같은 도전 금속이다. 선택 하부층은 니켈, 니켈 합금, 코발트 또는 코발트 합금과 같은 낮은 다공성(porosity) 금속이 유리하다. 이는 비결정질의 합금인 것이 바람직하다. 인이 약 10wt%보다 크거나 같은 니켈-인 합금은 구리 또는 철을 포함하는 기판들을 만족시킨다. 니켈-인-텅스텐 또는 코발트-인이 또한 사용될 수 있다. 중간 층(13)은 주석-구리, 주석-비스무트(bismuth), 주석-은, 주석-니켈, 주석-아연 또는 주석-구리 -은과 같은 위스커 성장에 영향을 받는 주석 또는 주석 합금일 수 있다. 층(13)은 위스커 형성을 억제하는 도펀트를 사용하여 표면 도핑된다. 선택 하부층(12)은 0-5㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다. 층(13)은 전형적으로 0.5-10㎛ 범위의 두께를 갖는다.
층(13)은 열 또는 이온 조력 상호 확산(ion-assisted interdiffusion)에 의해 표면 근처에 도핑되는 것이 유리하다. 도펀트의 층은 전기 도금, PVD 또는 CVD에 의해 주석 층상에 침착되며, 코팅된 층은 도펀트를 층(13)의 표면 근처 영역으로 확산하도록 가열된다(전형적으로 표면의 맨 처음 100㎚). 몇 시간 동안 50℃에서 확산은 효과적이었다. 이 도핑이 내부 스트레스(stress)를 완화하며(위스커들 성장을 위한 구동 힘), 확산 활성(activation) 에너지를 증가시킴으로써 주석 원자들의 물질 이동(mass transport)을 방해하는 것으로 믿어진다. 표면 근처의영역(14)만의 선택적인 도핑은 납땜 가능한 코팅을 필요로 하는 주석 또는 주석 합금 층의 물리적 및 화학적 특성들을 절충하지 않고 위스커 성장을 감소시키기 위해 층(13)의 표면 및 표면 근처 특성들을 충분히 변경시킬 것이다.
이 방법을 테스트하기 위해, 출원인들은 구리 기판을 3㎛의 주석막들로 도금하였다. 제 1 서브세트의 샘플들은 금으로 표면 도핑되었고, 제 2 서브세트는 팔라듐으로 표면 도핑되었다. 도 4a 및 도 4b는 농도 프로파일들을 도시한다. 알 수 있는 바와 같이, 대부분의 Au 및 Pd는 Sn막 두께의 5%보다 작은 표면의 처음 100㎚내에서 발견되었다.
다음으로 표면 도핑된 Sn막들은 50℃에서 열 에이징을 받았다. 큰 위스커 성장도 6개월의 열 에이징 후에 관찰되지 않는다.
본 발명은 본 발명에 따라 코팅된 금속 아티클들의 제조를 기술하는 다음의 특정 예들을 고려함으로써 보다 명료하게 이해될 수 있다.
예 1-전기 커넥터
도 2는 코팅된 금속 전기 커넥터 제조시의 단계들을 도시한 블록도이다. 블록 A로 도시된, 제 1 단계는 금속 기판을 제공하는 것이다. 기판은 금속 블랭크를 스탬프 또는 에칭함으로써 원하는 구성으로 형성될 수 있다.
도 3은 커넥터 바디(31) 및 메이팅 핀(mating pin)(32)을 갖는 전기 커넥터(30)용 기판을 도시한다. 커넥터(31) 및 핀(32)은 구리-니켈-주석 합금 번호 725(88.2wt.% Cu, 9.5 Ni, 2.3 Sn; ASTM Spec. No. B122)와 같은 높은 도전성 금속으로 이루어져있다.
선택적인, 다음 단계는 비결정질의 니켈-인과 같은 금속 하부층(12)으로 도전 기판(10)을 코팅하는 것이다. 하부층(12)은 0에서 약 5㎛의 두께를 가질 수 있다. 이는 비결정질의 구조를 보장하기 위해 약 10wt%보다 더 높은 P 컨텐트를 갖는 전착된(electrodeposited) Ni-P일 수 있다. 적절한 Ni-P 비결정질 층은 다음의 바스 조성(bath composition)을 사용하여 전착(electrodeposite)될 수 있다.
니켈 황산염NiSO46H2O100-300g/l
니켈 염화물NiCl26H2O40-60g/l
인산 H3PO340-100g/l
인을 함유한 산(phosphoric acid)H3PO40-50g/l
블록 C인, 제 3 단계는 주석 또는 주석 합금으로 된 층(13)을 적용한 것이다. 층(13)은 약 0.5㎛보다 더 큰 두께를 가져야 하며, 바람직하게는 약 3㎛이다. 적절한 주석 층은 다음의 바스를 사용하여 전착될 수 있다.
주석 메탄 술폰산염:40-80 g/l
메탄 술폰산:100-200 g/l
습윤제(wetting agent) 300:5-15 g/l
(Harcos Chemicals Inc.)
안티-옥시던트 C 1:1-3 g/l
(스펙트럼 실험실 제품; Spectrum Laboratory Products)
블록 D로 도시된, 다음 단계는 층(13)을 표면 도핑한 것이다. 출원인들은도펀트의 적절한 선택이 주석 위스커들의 성장을 억제한다는 것을 알았다. 도펀트는 팔라듐, 금, 로듐, 루테늄, 백금와 같은 값비싼 금속일 수 있다. 이는 또한 구리, 은 또는 비스무트일 수 있다.
예 2-집적 회로 리드 프레임
집적 회로 리드 프레임은 또한 도 2에 도시된 공정에 의해 제조될 수 있다. 기판이 상이하고 주석 코팅 두께가 더 클 수 있다(예를 들어, 0.5-15㎛)는 차이만이 있다.
도 5는 집적 회로(IC)용 리드 프레임으로 사용하기 위한 구성으로 형성된 기판(50)을 도시한다. 기판(50)은 IC가 장착될 패들(paddle)(52)과 IC가 접착될 리드들(53)을 포함한다. 댐 바(dam bar)(54)는 패키지 전에 리드들을 상호 접속한다. 집적 회로가 접착되고 패키징 매체가 가상 선들(55)에 도시된 영역 상에 적용된 후, 댐 바(54)를 없앤다.
리드 프레임의 기판은 구리 또는 합금 번호 151(99.9wt.%Cu, 0.1%Zr) 또는 합금 번호 194(97.5wt.%Cu, 2.35%Fe, 0.03%P, 0.12%Zn)와 같은 구리 합금일 수 있다. 다른 도전 금속들 및 합금 번호 42(42wt.%Ni, 58%Fe)와 같은 합금들이 또한 사용될 수 있다.
집적 회로(56)는 기판에 장착되고 접착되며 기판은 도 2에 도시된 공정에 의해 것이다. 그 결과물은 표면 도핑된 주석 또는 주석 합금을 포함하는 다층 피니쉬를 포함하는 IC 리드 프레임이다.
상술된 실시예들이 본 발명의 원리들의 응용들을 나타낼 수 있는 많은 가능한 특정 실시예들 중 몇몇만을 도시하는 것임을 알아야 한다. 다수의 그리고 여러 가지의 다른 장치가 본 발명의 정신 및 범위에서 벗어나지 않고 당업자에 의해 쉽게 고안될 수 있다.
본 발명에 따라, 금속 기판은 주석 위스커들의 성장을 억제하기 위해 표면 도핑되는 주석 또는 주석 합금으로 된 층으로 코팅된다. 선택 금속 하부층은 기판과 주석 사이에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 금속 기판은 니켈 하부층으로 코팅된 구리 합금과 금 또는 팔라듐 주석으로 도핑된 표면 층을 포함한다. 도핑은 위스커 성장을 억제하며, 그 결과로 생긴 구조는 전기 커넥터 또는 리드 프레임으로서 특히 유용하다.

Claims (8)

  1. 코팅된 금속 아티클에 있어서,
    금속 기판과,
    상기 기판 위에 놓인 바깥 표면 및 두께를 갖는 주석 또는 주석 합금으로 된 층을 포함하고, 상기 층은 상기 층으로부터 위스커들의 성장을 억제하기 위해 도펀트로 표면 도핑되며, 상기 도펀트의 적어도 1/2이 표면과 두께의 10%의 깊이 사이에 배치되는, 코팅된 금속 아티클.
  2. 제 1 항에 있어서, 주석 또는 주석 합금으로 된 상기 층은 금, 팔라듐, 로듐, 루테늄, 백금, 구리, 은, 이리듐 또는 비스무트으로부터 선택된 도펀트로 도핑되는, 코팅된 금속 아티클.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 도펀트는 주석 또는 주석 합금 층의 표면의 100㎚내에 주로 배치되는, 코팅된 금속 아티클.
  4. 제 1 항에 있어서, 니켈, 니켈 합금, 코발트 및 코발트 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속의 하부층을 더 포함하는, 코팅된 금속 아티클.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 하부층은 니켈-인, 니켈-인-텅스텐 및 코발트-인으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 코팅된 금속 아티클.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 금속 기판은 구리, 구리 합금, 철, 철 합금, 니켈 또는 니켈 합금을 포함하는, 코팅된 금속 아티클.
  7. 청구항 제 1항에 따라 코팅된 금속 아티클을 포함하는 전기 커넥터.
  8. 청구항 제 1항에 따라 코팅된 금속 아티클을 포함하는 집적 회로용 리드 프레임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005002368A (ja) * 2003-06-09 2005-01-06 Ishihara Chem Co Ltd ホイスカー防止用スズメッキ浴
US20050249968A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 Enthone Inc. Whisker inhibition in tin surfaces of electronic components
US20050249969A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 Enthone Inc. Preserving solderability and inhibiting whisker growth in tin surfaces of electronic components
TW200530433A (en) * 2004-01-21 2005-09-16 Enthone Preserving solderability and inhibiting whisker growth in tin surfaces of electronic components
KR101038491B1 (ko) * 2004-04-16 2011-06-01 삼성테크윈 주식회사 리드프레임 및 그 제조 방법
US7507605B2 (en) * 2004-12-30 2009-03-24 Texas Instruments Incorporated Low cost lead-free preplated leadframe having improved adhesion and solderability
EP1904669A1 (en) * 2005-07-11 2008-04-02 Technic, Inc. Tin electrodeposits having properties or characteristics that minimize tin whisker growth
US20070052105A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Metal duplex method
US7462926B2 (en) * 2005-12-01 2008-12-09 Asm Assembly Automation Ltd. Leadframe comprising tin plating or an intermetallic layer formed therefrom
JP4796522B2 (ja) * 2007-03-07 2011-10-19 日立電線株式会社 配線用導体およびその製造方法
JP4847898B2 (ja) * 2007-03-07 2011-12-28 日立電線株式会社 配線用導体およびその製造方法
US8404160B2 (en) 2007-05-18 2013-03-26 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
US10231344B2 (en) 2007-05-18 2019-03-12 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
US8506849B2 (en) 2008-03-05 2013-08-13 Applied Nanotech Holdings, Inc. Additives and modifiers for solvent- and water-based metallic conductive inks
US9730333B2 (en) 2008-05-15 2017-08-08 Applied Nanotech Holdings, Inc. Photo-curing process for metallic inks
KR20110044793A (ko) * 2008-08-21 2011-04-29 에이저 시스템즈 인크 Ｓｎ-필름 내의 휘스커의 완화
CN102365713B (zh) 2009-03-27 2015-11-25 应用纳米技术控股股份有限公司 增强光和/或激光烧结的缓冲层
US8422197B2 (en) 2009-07-15 2013-04-16 Applied Nanotech Holdings, Inc. Applying optical energy to nanoparticles to produce a specified nanostructure
WO2011099934A1 (en) * 2010-02-10 2011-08-18 Agency For Science, Technology And Research A method of forming a bonded structure
US20120090880A1 (en) * 2010-10-19 2012-04-19 International Business Machines Corporation Mitigation and elimination of tin whiskers
JP6046406B2 (ja) * 2011-07-26 2016-12-14 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 高温耐性銀コート基体
DE102011052792B4 (de) * 2011-08-18 2014-05-22 HARTING Electronics GmbH Isolierkörper mit Schirmkreuz
JP5966506B2 (ja) * 2012-03-29 2016-08-10 山一電機株式会社 電気接点の製造方法
WO2014011578A1 (en) 2012-07-09 2014-01-16 Applied Nanotech Holdings, Inc. Photosintering of micron-sized copper particles
DE102012213505A1 (de) * 2012-07-31 2014-02-06 Tyco Electronics Amp Gmbh Schicht für ein elektrisches Kontaktelement, Schichtsystem und Verfahren zur Herstellung einer Schicht
CA2892094C (en) * 2012-11-30 2021-08-31 Electric Power Research Institute, Inc. Improved electrical contact conductivity via surface doping
TWI496683B (zh) * 2013-06-14 2015-08-21 Univ Nat Taiwan Science Tech 可抑制錫鬚晶生長之非晶材料結構
US10633754B2 (en) 2013-07-05 2020-04-28 The Boeing Company Methods and apparatuses for mitigating tin whisker growth on tin and tin-plated surfaces by doping tin with germanium
US10260159B2 (en) 2013-07-05 2019-04-16 The Boeing Company Methods and apparatuses for mitigating tin whisker growth on tin and tin-plated surfaces by doping tin with gold
DE112015001594B4 (de) * 2014-04-03 2021-02-04 Autonetworks Technologies, Ltd. Anschlusspaar und Steckverbinderpaar, das das Anschlusspaar einschließt
JP5922702B2 (ja) * 2014-05-07 2016-05-24 アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド Ｓｎ膜におけるウイスカの軽減
JP6282205B2 (ja) * 2014-09-12 2018-02-21 株式会社オートネットワーク技術研究所 電気接点材料の製造方法
US20170100916A1 (en) * 2015-10-12 2017-04-13 Tyco Electronics Corporation Electronic Component and Process of Producing Electronic Component
EP3580815A4 (en) 2017-02-10 2021-06-02 Ctwists, LLC DEVICE AND METHOD FOR GENERATING AND DETECTING A TRANSMISSION SHAFT AND DEVICE AND METHOD FOR SENDING AND RECEIVING DIGITAL INFORMATION
JP7121881B2 (ja) * 2017-08-08 2022-08-19 三菱マテリアル株式会社 銀皮膜付端子材及び銀皮膜付端子
US10453817B1 (en) 2018-06-18 2019-10-22 Texas Instruments Incorporated Zinc-cobalt barrier for interface in solder bond applications
CN110396708A (zh) * 2019-08-07 2019-11-01 东莞市合航精密科技有限公司 一种银组合镀层的耐腐蚀性镀层

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4935312A (en) * 1987-06-25 1990-06-19 Nippon Mining Co., Ltd. Film carrier having tin and indium plated layers
US5393573A (en) * 1991-07-16 1995-02-28 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of inhibiting tin whisker growth
US6110608A (en) * 1996-12-10 2000-08-29 The Furukawa Electric Co., Ltd. Lead material for electronic part, lead and semiconductor device using the same
DE19752329A1 (de) * 1997-11-26 1999-05-27 Stolberger Metallwerke Gmbh Verfahren zur Herstellung eines metallischen Verbundbands

Also Published As

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