JP6282205B2 - 電気接点材料の製造方法 - Google Patents
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Description
その後、該多層金属膜を230〜400℃の加熱温度で0.3〜120秒間加熱するリフロー処理を施して、Sn系母相中にSn−Pd合金相が分散した金属層と、該金属層上に形成された不導体皮膜とを含む被覆層を形成することを特徴とする電気接点材料の製造方法にある。
上記電気接点材料の製造方法の実施例について、図を用いて説明する。まず、図1に示すように、金属よりなる基材2上に、Snめっき膜31と、Snめっき膜31上に積層され表面300に露出したPdめっき膜32とを含む多層金属膜3を形成する。その後、多層金属膜3を加熱するリフロー処理を施して、図2または図3に示すようにSn−Pd合金を含む被覆層4(4a、4b)を形成する。以上により電気接点材料1を作製することができる。以下、詳説する。
本例は、上記の製造方法により作製した電気接点材料1の性能評価を行った例である。本例においては、実施例の製造方法により作製した電気接点材料1から採取した試料(以下、「試料E1」という。)を用いて、以下の方法により摩擦係数及び接触抵抗の測定を行った。
実施例の電気接点材料1から採取した板状材にプレス加工を施し、半径1mmの半球状エンボス部を有する相手部材を準備した。次いで、試料E1に相手部材の半球状エンボス部を当接させ、被覆層4同士を接触させた。この状態から相手部材に加える荷重を徐々に大きくし、40Nまで印加した。その後、相手部材に加える荷重を徐々に小さくした。そして、相手部材に荷重が印加されている間の、試料E1と相手部材との間の接触抵抗を測定した。
上記の相手部材における半球状エンボス部と試料E1の被覆層4とを当接させ、両者の間に3Nの荷重を印加した。そして、この荷重を維持しつつ、半球状エンボス部を試料E1に対して6mm/秒の速度で移動させ、試料E1の動摩擦係数を測定した。
2 基材
3 多層金属膜
31 Snめっき膜
32 Pdめっき膜
300 表面
Claims (6)
- 金属よりなる基材上に、Snめっき膜と、該Snめっき膜上に積層され表面に露出したPdめっき膜とを含む多層金属膜を形成し、
その後、該多層金属膜を230〜400℃の加熱温度で0.3〜120秒間加熱するリフロー処理を施して、Sn系母相中にSn−Pd合金相が分散した金属層と、該金属層上に形成された不導体皮膜とを含む被覆層を形成することを特徴とする電気接点材料の製造方法。 - 上記Pdめっき膜の膜厚は2μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の電気接点材料の製造方法。
- 上記Snめっき膜の膜厚は0.2〜20μmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気接点材料の製造方法。
- 上記多層金属膜は、上記基材上に積層された下地めっき膜を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の電気接点材料の製造方法。
- 上記下地めっき膜は、膜厚0.5〜3.0μmのNiめっき膜であることを特徴とする請求項4に記載の電気接点材料の製造方法。
- 上記被覆層は、半径1mmのエンボス部を有する相手部材を当接させた後、該相手部材に加える荷重を徐々に大きくしながら上記被覆層と上記相手部材との接触抵抗を測定した場合に、測定開始直後から集中抵抗の寄与が支配的となる特性を有していることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の電気接点材料の製造方法。
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