KR20020074188A - 전기적 접속 소자를 제조하기 위한 방법, 제조 설비 및제조 장치, 전기적 접속 소자 및 반가공 제품 - Google Patents

전기적 접속 소자를 제조하기 위한 방법, 제조 설비 및제조 장치, 전기적 접속 소자 및 반가공 제품 Download PDF

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KR20020074188A
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recesses
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질케 발츠
필리페 슈타이에르트
발터 슈미츠
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엘미크론 아게
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Abstract

전기적 접속 소자를 제조하기 위한 방법은 본질적으로 오목부가 생성되고 여기서 스트립 컨덕터 및 예를 들어 또한 패시지 홀 또는 접촉 위치가 생성되는 방법으로, 엠보싱 단계에서 가소성적으로 변형 가능한 기판이 엠보싱 툴로 형성되는 것을 특징으로 한다. 그 다음에 얇은 컨덕터 층으로 기판의 코팅이 행해진다. 그 다음 단계에서 컨덕터 재료는 상기 오목부가 컨덕터 재료로 충진될 때까지 상기 기판 상에 침전된다. 그 다음에 상기 컨덕터 재료는 예를 들어 에칭 처리와 같은 제거 처리에 의해 도전면을 갖지 않아야 하는 기판의 위치에 금속 코팅이 없어질 때까지 제거된다.

Description

전기적 접속 소자를 제조하기 위한 방법, 제조 설비 및 제조 장치, 전기적 접속 소자 및 반가공 제품{METHOD, FACILITY AND DEVICE FOR PRODUCING AN ELECTRICAL CONNECTING ELEMENT, ELECTRICAL CONNECTING ELEMENT AND SEMI-FINISHED PRODUCT}
마이크로일렉트로닉스 분야에서 끊임없이 발전하는 소형화는 또한 전기적 접속 소자, 특히 회로 기판, 고밀도 인터커넥트 등의 제조에 대해 영향을 미친다. 적용의 많은 분야에서는 회로 기판의 종래의 제조를 점차 새로운 방법으로 대체할 필요성이 있다. 컨덕터 구조물의 종래의 제조는 광화학적 방법 및 패시지 홀(passage hole)의 기계적 드릴링을 기초로 한다. 더욱더 새로운 설비는 레이저에 의한, 또는 플라즈마 에칭에 의한, 또는 회로 기판 재료로의 천공 툴의 기계적 프레싱(마이크로 천공, 이것에 대해서는 국제 특허 공개 WO 00/13062 참조)에 의한 가장 작은 구멍의 드릴링을 포함한다.
미세 홀의 드릴링은 점점 현대 요구를 충족시키는 새로운 방법으로 수행되는 한편, 도전 트랙(conductive tracks)의 구조화는 여느 때와 마찬가지로 광 구조화의 확실하고 신뢰성있는 방법으로 행해진다. 그러나 이것은 포토레지스트 (photoresist)의 광조사, 현상 및 제거를 포함하는 다수의 제조 단계를 포함한다. 따라서 이것은 상대적으로 복잡하며, 또한 환경적인 관점에서 단점을 갖는다.
미국 특허 제 6 035 527 호 명세서에는 또한 스트립 컨덕터(strip conductors)의 제조를 위하여 최신 홀 형성 기술을 이용하는 설비를 제안한다. 상기 설비는 레이저 융제(ablation)에 의해 기판에 본질적으로 직사각형 단면의 오목부를 제조한다는 사실에 기초를 둔다. 뒤를 이어 완성된 기판에는, 예를 들어 화학 기상 성장(CVD; chemical vapour deposition)법에 의해 얇은 도전층(conductive layer)이 제공된다. 이후에, 선택적인 방법에서 상기 층은 어떠한 스트립 컨덕터(컨덕터 패스)도 일어나지 않는 모든 곳에서 즉, 상기 오목부를 제외한 모든 곳에서 제거된다. 상기 선택적인 제거는 또한 예를 들어, 레이저 융제에 의해 행해질 수 있다. 뒤를 이어 금속은 화학적으로 성장되며, 여기서 제거되지 않는 도전층 영역은 시드층(seed layer) 역할을 한다. 습식 화학 처리의 수는 상기 방법에 의해 감소된다. 그러나 몇몇 일련의 레이저 융제 단계가 행해지는데, 이것은 상기 방법이 복잡한 회로 기판에 있어서 너무 느리기 때문이다. 일 실시예에 따르면 적어도 제 2 레이저 융제 단계가 제거된다. 이것은 오랫동안 당업자 사이에서 공지된 방법으로 얇은 도전층이 부착된 후에, 전체 기판은 전기 도금 또는 레벨 표면이 생길 때까지 화학적 부착에 의해 금속으로 코팅된다. 이것에 의해 생기는 층은 그 다음에 단지 스트립 컨덕터 내의 재료만이 나타날 때까지 에칭되어 제거된다. 상기 방법은 다음의 단점을 갖는다: 통상적으로 화학적 방법과 함께 행해지는, 뒤이어 작용하는 레이저 제거는 에칭되어 제거되어야 할 큰 층 두께 및 스트립 컨덕터의 깊이 및 폭 사이의 바람직하지 않은, 성취 가능한 비(종횡비)의 원인이 된다. 또한 이것은 금속층이 에칭되어 제거되는 경우에, 실제적으로 매우 얇은 오목부가 에칭되어 제거되는 것을 피할 수 없으며, 이것에 의해 중단(interruption)이 일어난다. 레이저 융제에 의한 깊은 채널의 제조는 그러나 경제적인 이유만으로도 적절하지 않다. 또한 상기 방법은 상술한 바람직하지 않은, 성취 가능한 종횡비 때문에 좁고 깊은 채널을 가능하게 하지 않는다.
종래의 방법과 대조적으로, 미국 특허 출원 제 6 005 198 호 명세서에는 회로 기판의 제조 방법이 기재되는데, 이것은 다른 것들 중에서 엠보싱 툴(embossing tool)에 의해 절연되고 바람직하게는 듀로플라스틱(duroplastic) 기판에 U자형 그루브 및 컵형 그루브의 동시적인 압인을 구상한다. 2개의 컨덕터 층 사이의 전기적 접속을 위한 컵형 오목부로부터 포켓 홀(pocket hole)을 형성하기 위하여, 재료는 뒤를 이어 또한 화학적으로 또는 기계적으로 제거되어야 한다. 따라서 상기 그루브 및 오목부는 금속 피막이 씌워진다. 이것은 예를 들어, 도전 페이스트(conductive paste)가 고무 롤러에 의해 상기 오목부 내로 내리눌려진다는 점에서 성취된다. 이것에 대안적으로 전체 기판이 코팅되며 뒤를 이어 고무 롤러에 의해 상기 오목부내로 절연재(에치레지스트; etchresist)가 삽입될 수 있다. 이것에 뒤이어 일어나는 에칭 처리에서, 상기 오목부 내에 존재하는 금속층은 에치레지스트에 의해 보호된다. 상기 방법에 의해 몇몇 처리 단계가 절감된다. 상기 방법은 그러나 이전의 경우와 마찬가지로 몇몇 습식 화학 처리를 필요로 한다. 작용하기 위해 상기 방법에 필요한 오목부의 상대적으로 넓은 U자형 때문에, 또한 소형화는 한계를 갖는다. 또한 상기 스트립 컨덕터는 설계에 기인하여 낮은 도전성의 경화 가능한 페이스트(도전 잉크; conductive ink)로 이루어지거나, 또는 비교적 얇다. 상기 이유로, 한계는 또한 성취 가능한 신뢰도 및 스트립 컨덕터에 의해 전달될 수 있는 동력으로 설정된다. 컨덕터 페이스트의 또는 에치레지스트의 압인이 잔존 표면상에서 항상 상기 재료의 오염을 수반하기 때문에, 상기 방법은 실제적으로 그다지 성공적인 것으로 보여지지 않는다. 상기 표면은 그러나 절대적으로 제거되고 깨끗해야 하며, 이것은 그것이 코팅 처리 및 경화 후에, 기계적으로 접지되어야 한다는 사실의 원인이 된다.
본 발명은 전기적 접속 소자, 예를 들어 회로 기판, 고밀도 인터커넥트 (high-density-interconnect), 볼 그리드 어레이(BGA; ball grid array) 기판, 칩 스케일 패키지(CSP; chip scale package), 다중 칩 모듈(MCM; multi-chip-module) 기판 등의 제조 분야에 관한 것이다. 이것은 특히 독립항에 따른 방법, 접속 소자, 반가공 제품(semi-finished product) 뿐만 아니라, 독립항에 따른 설비 및 장치에 관한 것이다.
도 1 내지 도 5는 상응하는 장치의 매우 개략적인 도면을 통하여 본 발명에 따른 방법의 일 실시예의 일련의 방법 단계의 도면.
도 1a는 엠보싱 다이의 단면으로 절단한 개략 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 방법으로 회로 기판을 제조하기 위한 설치의 일 실시예의 개략도.
도 7a 및 도 7b는 종래 기술에 따른 전기 도금 절차의 실시예의 도면.
도 8a 및 도 8b는 기판 표면에 수직한 단면으로, 본 발명에 따라 전기 도금적으로 충진된 스트립 컨덕터의 실시예의 도면.
도 9는 배치(batch) 처리로서 전기 도금 처리를 수행하기 위한, 수평면을 따하 분할된 용기의 개략 평면도.
도 9a 및 도 9b는 도 9의 상세도.
도 9c는 도 9의 배열을 절단한 수직 단면도.
도 10은 연속 공정으로서 전기 도금 처리를 수행하기 위한 배열의 일 실시예의 개략도.
도 11은 특정 실시예에 따른 전해질 순환을 위한 구조도.
도 12a, 도 12b 및 도 12c는 제조 공정에서의 다양한 단계동안 회로 기판 영역을 절단한 단면도.
도 13a, 도 13b 및 도 13c는 제조 공정에서의 다양한 단계동안 전기적 접속 소자의 일 실시예의 영역을 절단한 단면도.
도 14a, 도 14b 및 도 14c는 제조 공정에서의 다양한 단계동안 전기적 접속 소자의 또 다른 일 실시예의 영역을 절단한 단면도.
본 발명의 목적은 회로 기판을 제조하기 위한 새로운 방법을 제공하는 것이다. 상기 방법의 효율성에 관하여 종래 기술과 비교하여 더 높은 요구를 충족시키기 위하여, 비용 및 소형화, 이하의 사항이 충족되어야 한다.
- 모든 방법 단계는 가능한 한 병행하여 행해져야 한다. 순차적인 방법 단계는 상기 제조를 더욱 복잡하고 고가로 만든다.
- 습식 화학 단계의 수는 상기 방법의 경제적인 이유 및 생태학적인 이유로가능한 한 낮게 유지되어야 한다.
- 전체로서 방법 단계의 필요한 수는 현재의 방법에 비해 감축되어야 한다.
- 상기 방법은 스트립 컨덕터 및 패시지 홀이 가능한 한 작은 측면 치수를 갖는 구조를 가능하게 하여야 한다. 동시에 그러나 신뢰도 및 도전성은 종래 기술에 비해 감소되지 않아야 한다. 따라서 스트립 컨덕터를 사용하는 경우에 이들이 현재의 시스템에 비해 덜 편평한 횡단면을 가져야만 하는, 즉 충분히 큰 횡단면을 가져야 하는 요구가 생긴다.
- 마지막으로 성취될 수 있는, 더욱 정교하고 더욱 복잡한 구조 때문에, 툴에 대해 상기 구조의 정교성을 고려하는 정확도로 제품을 위치시켜야만 하는 것이 회피되어야 한다.
본 발명은 상술한 특징을 갖는 방법을 제공하며, 특허 청구항에서 정의된다.
상기 방법은 엠보싱 단계에서 탄성적으로 변형 가능한 기판이 엠보싱 툴에 의해 스트립 컨덕터 및 예를 들어, 패시지 홀 또는 접촉면이 생성될 오목부가 생성되는 방법으로 변형된다는 점에서 본질적으로 구별된다. 그 다음에 거기에는 얇은 컨덕터 층을 갖는 기판의 코팅이 행해진다. 다음 단계에서 전체 기판은 상기 오목부가 컨덕터 재료로 다 채워질 때까지 컨덕터 재료로 전기 도금으로 덮여진다. 이후에, 제거 공정에 의해, 컨덕터 재료는 도전면을 가져서는 안 되는 상기 기판의 위치에 금속 코팅이 없을 때까지 제거된다.
동시에 적어도 몇몇 구조물은 종횡비(폭에 대한 깊이의 비)가 적어도 1:2, 예를 들어 적어도 1:1 및 바람직하게는 1:2 및 5:1 사이인 횡단면 영역을 갖는 것이 바람직하다.
바람직한 일 실시예에 따르면, 플라즈마 후처리가 엠보싱 단계 후에 행해진다. 이것에 의해, 예를 들어 이를 위해 제공되는 위치에서의 상기 패시지 홀은 잔류층으로부터 자유로워진다.
본 발명에 따른 회로 기판 제조는 놀랄 정도로 간단하다. 이것은 단독 변형 단계, 코팅 단계 및 2개의 습식 화학 처리 단계를 필요로 한다. 상기 코팅 단계 및 양 습식 화학 처리 단계는 전체로서 기판 상의 전체면에 걸쳐 행해지며, 따라서 예를 들어 레이저 융제법에서와 마찬가지로, 툴에 관한 기판의 측면 위치 설정이 필요하지 않다. 따라서 상기 단계들은 매우 간단히 행해질 수 있다. 엠보싱 단계도 역시 - 엠보싱 툴을 설치한 후에 - 정교한 구조물의 제조에 있어서라 하더라도 조작상의 정밀도의 어떠한 형태도 필요로 하지 않는다. 부가적으로, 스트립 컨덕터 횡단면의 초적화는 본 발명에 따른 극히 간단한 방법으로 해결될 수 있다. 상기 스트립 컨덕터는 동시에 종래 기술에 비해 상당히 더 바람직한 종횡비를 갖는, 예를 들어 본질적으로 직사각형 횡단면을 가질 수 있다.
본 발명은 일련의 새롭고 놀라운 발견을 기초로 한다.
첫번째 발견은 우수한 방법으로 회로 보드 기판을 엠보싱하기 위해 적절한 썰모풀라스트(thermoplasts) 및 듀로플라스트(duroplasts)가 존재한다는 사실이다. 상기 기판의 예가 액정 폴리머(LCPs; liquid crystal polymers)이다. 또 다른 가능성들이 폴리술폰(polysulfones), 2차 전이 온도를 경유하여 변형 가능한 에폭시 수지, 어떤 폴리에스테르(PEEK), 폴리카보네이트(polycarbonates) 등이다.
또 다른 발견은 엠보싱 툴이 거의 어떠한 구조물로도 제조될 수 있다는 사실이다. 상기 발견은 그것의 내용이 여기에 포함되는 국제공개특허출원 WO 00/13062에 이미 부분적으로 기재된다.
부가적으로 또한 본질적으로 채널 형상이며 1:2 이상 및 예를 들어 1:1 또는 더 큰 종횡비를 갖는, 예를 들어 길게 늘여진 오목부의 전기 도금적인 충진이 가능하다는 매우 놀라운 사실이 존재한다. 구조물 및 도금시의 전체로서의 비는 또한 놀랍게도 바람직하다. 상기 전기 도금은 즉 불완전한 충진이 발생함으로써 비롯되는 소위 "버블 캐비티(bubble cavities)" 없이 또한 가능하다. 전기장 분포 때문에 전기 도금되는 재료가 상기 오목부 내가 아니라 표면 및 가장자리에 모여지므로, 이것은 종래 기술에 따른 통상적인 전기 도금으로 자동적으로 일어난다. 상기 오목부가 종래 기술에 따라 전기 도금적으로 충진되는 경우에는, 이것이 모든 경우에 가능하므로, 소위 "역펄스 플레이팅(reverse-pulse-plating) 방법이 적용된다. 상기 방법에 따르면, 전류는 수회 방향이 전환되며, 이것은 재료가 기판 사에서 교호적으로 성장되고 다시 제거되는 사실의 원인이 된다. 이것으로 최적의 경우에는 버블 캐비티 형성이 회피될 수도 있으나, 장치에 관한 비용, 가해져야 하는 에너지, 증가되는 제조 시간은 근 단점이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 1에는 기판(1a)이 개략적으로 도시된다. 여기에 도시되는 실시예에서 이것은 액정 폴리머(LCP) 박판이다. 상기 기판은 또한 다수의 전기적 접속 소자용 기판의 성형을 위해, 특히 회로 기판을 위해 예견되는 무한 박판(1)을 위해 잡아늘여진다.
액정 폴리머는 개개 분자가 부분적으로 배열된 정렬에서 서로에 대해 "얼어 있는(frozen)" 고분자 플라스틱이다. 액정 폴리머는 그 자체로 공지된다. 이것은 우수한 방법으로 회로 보드 기판으로서의 사용에 적합한 일련의 특성을 갖는 열가소성 물질이다. 따라서 이것은 예를 들어, 치수적으로 안정하고, 자가 담금질되며, 어떠한 수분도 흡수하지 않는다. 상대 유전율 εr의 값은 2.9이며, 이것은 고주파수 회로에 매우 유리하다.
본 발명에 따른 방법은 또한 물론 LCP 박판과는 다른 기판으로도 행해질 수 있다. 특히 그들의 통상적인 정의에 따라 박판보다 더 두꺼운 기판에서 인식 가능하다. 특히 LCP와는 다른, 가소성적으로 변형 가능한 재료가 가능하며, 여기에는 전문화된 문헌이 참조된다.
전기적 접속 소자를 엠보싱하기 위한 장치(21)는 도 1에 도시된다. 이것은 둘 다 엠보싱 챔버(7)의 외측에 배열되는 디스펜싱 롤(3) 및 수취 롤(5)을 포함한다. 엠보싱 툴(9), 예를 들어 미세 엠보싱 툴은 상기 엠보싱 챔버 내로 돌출되는 상부 엠보싱 다이(11) 및 하부 엠보싱 다이(13)를 포함한다. 상기 기판 박판(1)은 디스펜싱 롤(3), 수취 롤(5)에 의해, 및 그것이 상기 엠보싱 챔버(7)를 관통하여연장되는 것과 같은, 엠보싱 챔버의 벽 내의 구멍에 의해 안내된다. 대안적으로, 상기 디스펜싱 롤 및 수취 롤은 또한 상기 엠보싱 챔버의 내측에 배열될 수 있다. 상기 엠보싱 단계는 양 엠보싱 다이(11, 13)를 서로 내리 누르는 것을 예견한다. 이렇게 되면 오목부는 양 측 상에서 상기 기판상으로 동시에 통합된다.상기 오목부의 적어도 몇몇은 본질적으로 채널 형상을 갖는다. 상기 기판 박판은 엠보싱된 후에 상기 수취 롤(5) 상으로 감겨진다. 엠보싱 단계를 위하여 상기 기판은 기판 재료에 따른 온도로 가열되며, 여기서 이것은 가소성적으로 변형된다. 엠보싱 단계로 생성되는 인쇄 기판(1b)은 도면에 도시되는 바와 같다.
도 1a에는 상기 엠보싱 다이(11)의 상세도가 도시된다. 엠보싱 스탬프는 예를 들어 LIGA법으로 제조되며, 표면(11a) 및 이것 위로 돌출되는 돌출부(11b, 11c)를 갖는다. 이것에 의해 일방향(도면에서는 도면 평면에 평행)으로 연장되며 스트립 컨덕터를 위한 채널과 유사한 오목부를 형성하는 마루 형상의 또는 마루와 유사한 돌출부(11b)와, 패시지 홀을 형성하기 위한 핀과 유사한 돌출부(11c)가 구별될 수 있다. 마루와 유사한 돌출부(11b)의 적어도 몇몇은 상기 표면에 수직인 단면(11a)을 가지며, 여기서 폭(b)은 최대로 높이(h)의 두배 크기이다. 여기에 도시된 실시예에서 상기 엠보싱 스탬프는 금속재이며, 이것은 그러나 예를 들어 구리보다 더 단단한 다른 재료로 제조될 수 있다.
여기에 기재된 실시예에서는 2개의 엠보싱 다이가 도시되며, 이들 사이에서 상기 기판이 엠보싱 단계에 따라 내리눌려진다. 이것은 그러나 도시된 1개의 엠보싱 다이만이 고려되며, 이것은 단단한 표면 상에 놓여진 기판에 대해 내리눌려진다. 상기 경우에 기판에는 당연히 일측상에 오목부가 구비된다.
엠보싱 단계에 있어서 몇몇 다른 엠보싱 처리를 포함할 수 있다. 따라서 예를 들어 거친 엠보싱 툴을 사용하는 거찬 엠보싱 단계 및 뒤이어 일어나는 미세 엠보싱 툴을 사용하는 미세 엠보싱 단계가 행해질 수 있다.
상기 엠보싱 단계, 대안적으로는 2개의 엠보싱 다이를 서로 내리 누르는 것은 또한 회전 롤러("롤러 엠보싱")에 의해 행해질 수 있다.
도 2에 도시되는 후세척 또는 후처리 단계는 예를 들어 플라즈마 에칭에 의해 행해진다. 이것에 대안적으로 습식 화학 처리가 또한 고려될 수 있다. 상기 플라즈마 에칭 단계는 그 자체가 공지되고 간행물에 수회 기재된 방법으로 플라즈마 에칭 장치(23) 내에서 행해진다. 이것으로 상기 기판(1)은 예를 들어 디스펜싱 롤(13) 및 수취 롤(15) 사이에서 인장된다. 후처리 단계는 엠보싱 툴에 의해 제거되지 않고 여전히 잔존하는 재료 잔여물(1r)을 제거하는 목적을 수행한다. 이러한 재료 잔여물(1r)은 예를 들어 엠보싱된 기판(1b) 상에서 패시지 홀이 생성될 위치에 잔존한다. 후처리된 기판(1c)은 도 2에 도시된 바와 같다.
도 3에 따른 또 다른 단계에서는 얇은 컨덕터 층을 갖는 코팅이 피복된다. 이것은 예를 들어 진공 챔버 내에서 스퍼터링에 의해 행해진다. 화학 기상 성장(CVD), 열 기상 성장, 양극 기상 성장, 또는 또다른 화학적 또는 물리적 방법과 같은 다른 방법이 고려될 수 있다. 구리가 코팅재로 사용되는 것이 바람직하지만, 은 등과 같은 다른 컨턱터 재료도 사용 가능하다. 어떤 폴리머 재료에 있어서는 구리가 접착 강도에 있어 아무런 문제를 일으키지 아니하고 피복될 수 있다. 다른 경우에서는 최초로 크롬, 티탄, 또는 텅스텐의 소의 접착층이 피복될 수 있다.제 2 층에는 일반적으로 구리가 피복된다. 상기 경우에 얇은 컨덕터 층은 2개 또는 될 수 있는 한 그 이상의 금속층으로 구성된다.
상기 코팅 단계는 예를 들어 디스펜싱 롤 및 수취 롤을 가지며, 이 롤들 사이에 기판 박판이 인장되는 장치(25) 내에서 행해진다. 상기 코팅층은 뒤이어 일어나는 전기 도금 처리, 및 절연성 기판 재료 및 전기 도금될 도전성 기판 재료 사이의 인터페이스 형성을 위해 기판을 도전성있게 만드는 역할을 한다. 도 3의 코팅 장치(25)는 도 2의 후세척 장치와 유사하며, 매우 개략적으로만 도시된다. 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 코팅 장치가 구비해야 하는 요소(예를 들어, 진공을 생성 및 유지시키는 수단, 예를 들어 이온 공급원, 적어도 1개의 타겟, 및 여기서 상기 코팅 장치가 스퍼터 장치인 경우에 이온 편향 수단이 필요)를 고려할 수 있다. 코팅 단계 전의 기판(1c) 및 코팅 단계 후의 기판은 또한 코탕(102)를 갖는 기판층(유전체; 101)으로서 도 3에 도시된다.
코팅이 행해진 후에, 컨덕터 재료는 도 4에 도시되는 바와 같이, 오목부가 완전히 충진될 때까지 전체 기판 상에 피복된다. 이것은 전해질 셀에서 전기 도금적으로 행해진다. 동시에 플레이팅 처리에 있어서, 예를 들어 역펄스 플레이팅을 가할 수 없다. 즉, 전기 도금 처리에 있어서 극성이 전환되지 않거나, 또는 예를 들어 최대로 2회 전환된다. 구리, 그러나 기본적으로 또한 예를 들어 구리와 같은 다른 컨덕터 재료가 고려된다. 상기 처리 단계를 위한 장치(27)는 예를 들어 또한 롤(17)을 포함하며, 이들 사이에서 중간 제품이 인장된다. 여기에 도시된 배열은매우 개략적이며, 전기 플레이팅 단계는 차후에 상세히 다루어진다. 상기 처리 단계 전의 제품은 1d로 지시되며, 상기 처리 단계 후에는 1e로 지시된다. 상기 처리 단계 후에 기판층은 오목부를 충진하며 또한 전체 기판을 광법위하게 덮는 플레이팅(103)을 포함한다.
따라서 도 5에 따른 또 다른 단계에서 상기 플레이팅은 컨덕터 재료(103')가 단지 여전히 이것이 고려되는 위치에, 따라서 스트립 컨덕터, 패시지 홀을 위한 오목부 내에 및 접촉 위치에 존재할 때까지 오래동안 제거된다. 상기 제거는 예를 들어 에칭에 의하여 습식 화학적으로 행해진다. 상기 에칭 백(etching back)은 예를 들어 화학조(chemical bath) 내에서, 또는 도시된 바와 같이 에칭 용액으로 스프레잉함에 의해, 그 자체로 공지된 방법으로 에칭 백 장치(29)에서 행해진다. 대안적으로 에칭에 대하여, 예를 들어 기계적인 제거 방법(예를 들어 미세 그라인딩-"래핑") 또는 또 다른 회학적 또는 물리적 제거 방법이 적용될 수 있다.
모든 이전의 방법에 있어서, 도면에 도시된 2개의 롤 사이에 박판으로서 형성되는 기판을 인장하는 "릴 대 릴(reel to reel)" 방법과는 다른, 기판을 유지하기 위한 방법도 고려될 수 있다. 대안적으로 예를 들어, 단지 가장자리에만 형상 고정기판을 매달기 또는 유지하기, 플레이트 상으로 상기 기판을 인장하기 또는 부착하기, 프레임 내로 상기 기판을 인장하기 등이 있다.
상술한 방법 단계는 회로 기판의 자동 제조를위한 설비 내에서 행해지는 것이 바람직하다. 도 6에 개략적으로 도시된 바와 같이, 이러한 설비는 진공 부품 및 습식 화학 처리를 수행하기 위한 부품으로 구성된다. 상기 진공 부품은 플라즈마융제(23)에 의한 후세척을 위하여 및 코팅(25)를 위하여, 엠보싱 단계(21)를 수행하기 위한 장치를 포함한다. 상기 진공 부품은 몇멸 챔버를 포함한다. 습식 화학 처리를 수행하기 위한 부품은 전기 플레이팅 장치(27) 및 에칭 장치(29)를 포함한다. 개개 장치의 본질적인 특징은 이미 상기 방법 단계의 기재에 의해 설명되었다. 따라서 상기 장치들은 여기서 다시 기재하지 않는다.
도 6의 배열에 대안적으로, 상기 엠보싱 장치는 또한 진공 외측에 부착될 수 있으며, 따라서 엠보싱은 산소를 포함하는 대기 내에서 또는 예를 들어 보호 기체 하에서 행해진다.
예를 들어, 도 1에 의해 이미 기재되고 도 6에 도시된 상기 장치와 대조하여, 엠보싱 단계(21)를 수행하기 위한 장치는 또한 몇몇 엠보싱 다이를 구비할 수 있다.상기 경우에 병렬 엠보싱이 몇몇 기판 상에서 발생한다. 또한 각각의 장치 사이에는 디스펜싱 롤 및 수취 롤에 부가적으로 저장 롤(31; 완충 롤)이 존재할 수 있다. 이들은 예를 들어 저장 및 완충 작용을 하며, 특히 상이한 사이클 시간으로 장치들 사이에 설치된다.
이하, 컨덕터 재료 상에서의 전기 도금이 기재된다. 지금까지는 단지 평판 구조물이 컨덕터 재료로의 전기 도금적 충진을 위해 고려되었다. 다른 것들 중에서 이를 위한 이유는 전기 도금시에 상기 재료가 사실상 전기장이 큰 곳, 따라서 코너 및 가장자리에 침착(沈着)된다는 점이다. 여기에 기재되는 본 발명의 실시예는 그러나 폭에 대한 깊이의 비로서 종횡비가 적어도 1:2 및 예를 들어 대략 1:1 또는 그 이상인 단면을 갖는 컨덕터 재료가 수행되고 충진된다는 점에 기초를 둔다.
도 7a 및 도 7b에는 종래 기술에 따른 전기 도금 방법이 도시된다. 상기 도면에서는 디음의 도면과 마찬가지로 명확성을 이유로, 금속층 상에서의 전기 도금을 위한 음영은 생략된다. 도 7a에는 얇은 코팅을 갖는 전형적인 기판 형상(101')이 도시되며, 이것 상에 컨덕터 층(103')이 전기 도금된다. 도시된 선(41')은 부착되는 재료의 다양한 양을 갖는 표면의 진행(course)을 나타낸다. 코팅된 기핀(101') 상으로 전기 도금될 경우에 상기 컨덕터 재료(103")는 코너에 침착되고 오목부 내에는 거의 침착되지 않으므로, 캐비티 형태인 "버블 캐비티(111')"는 충진되어야 할 오목부의 폭 및 깊이 사이의 비가 작아질 경우에 형성된다. 상기 이유로 상기 종횡비가 1:3, 1:2 또는 심지어 2:3 또는 1:1인 오목부는 전기 도금 충진이 고려되지 않는다. 본 발명은 또한 상기 영역을 접근 가능하게 한다.
도 8a 및 도 8b에는 본 발명에 따른 실시예에 따라 충진되는 오목부가 도시된다. 선(41)은 동시에 전기 도금의 다양한 단계동안의 컨덕터 층(103) 표면을 나타낸다. 상기 도면으로부터 명확히 유도될 수 잇는 바와 같이, 편평한 표면은 매우 빨리 달성된다. 도면에서 대시선은 기판의 표면 평면을 나타낸다. 치수 b 및 t는 상기 오목부의 폭 및 깊이를 각각 나타낸다. 도면에 도시된 대략적으로 직사각형 또는 U자형 단면은 별도로 하더라도, 엠보싱 다이에서 만들어질 수 있는 다른 어떠한 오목부의 횡단면도 고려될 수 있다.
여기에 기재되는 실시예에 따라, 구리로 전기 도금하거나 또는 전기 플레이팅하는 것은 도 9 및 도 9c에 따른 장치에서 행해질 수 있다. 여기서는 샘플이 전해질 셀 내로 통합되고, 처리되며 뒤이어 상기 셀로부터 제거되는 배치 처리가 기재된다. 도 9는 수직 배열에서 전기 도금하기 위한 장치의 평면도를 개략적으로 도시한다. 도 9c는 도 9의 선 C-C를 따라 절단한 단면도를 도시한다. 상기 장치는 용기(51)을 포함하는데, 이것 내에는 주위에 2개의 양극 로드(53)가 부착되며, 중앙에 1개의 음극 로드(55)가 부착된다. 상기 양극 로드는 구멍을 갖는 강판(56)을 보유 및 포함하는 역할을 하며, 이것은 도 9a에 정면도로, 축소되어 도시된다. 상기 구멍(56a)은 코팅된 기판을 잡는 그립핑 장치(56b)에 설치된다. 또한 다이아프램(57) 및 구멍(59)가 설치된다. 상기 다이아프램(57)은 어떠한 양극 점액(60)이 음극을 둘러싸는 전해질 내로 들어가는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 구멍은 전류로부터 또는 전기장으로부터 측면으로 한정되어 보호하는 역할을 한다(도 9b 참조). 또한 다공질의 유전체 튜브로 형성되고 이것을 통해 각각의 산성 구리 전해질을 위해 필요한 공기 분사가 행해지는 수단(61)이 설치된다. 부가적으로, 도시되지 않은 펌프 및 필터 수단이 존재하는데, 이것에 의해 전해질이 안내되고, 여과되며, 상기 용기로 다시 안내된다. 상기 수단에 의해 행해지는 전해질 순환은 예를 들어 시간당 3 내지 5배의 전해질 체적이다.
상기 전기 도금 단계에서, 전해질의 조성물은 상술한 바와 같이 "버블 캐비티"없이 충진될 수 있도록 상대적으로 큰 종횡비를 갖는 오목부에 있어서 필수적이다.
놀랍게도 장식 목적을 위한 종래의 전기 도금 기술의 방법은 - 적절한 개작으로 - 상기 목적을 위해 사용될 수 있다. 이러한 방법은 지금까지 회로 보드 기술에서의 응용을 위해(또는 일반적으로 전기적 접속 소자를 위한 사용을 위해) 고려되지 않았다. 지금까지 이것은 오로지 표면에 광택(장식)을 제공하기 위해 사용되었다. 이것은 지금까지 오목부를 갖는 표면 상에 재료를 부착하기 위해, 일반적으로는 구조화된 표면에서, 또는 매우 일반적으로는 기능적인 전기 도금 기술을 위해 사용되지는 않았다.
제 1 실시예에 따르면 상기 전해질은 이하의 성분을 갖는다:
황산(H2SO4) : 10 내지 200 g/L
황산구리(CuSO4×5H2O) : 50 내지 500 g/L
염화나트륨(NaCl) : 10 내지 250 mg/L, 또한 유기물 첨가제
독일 조링엔에 있는 HSO사의 HSO C-WL 주 광택제(gloss) : 0.5 내지 5 mL/L
HSO C-WL 광택제 기질 : 0.5 내지 5 mL/L
HSO C-WL 광택 첨가제 : 0.05 내지 2 mL/L
이하의 파라미터를 갖는 결과가 특히 유리하다:
황산 45 내지 70 g/L, 황산구리 200 내지 230 g/L, 염화나트륨 100 내지 190 mg/L, HSO C-WL 주 광택제 2.2 내지 4.2 mL/L, HSO C-WL 광택제 기질 1.6 내지 2.8 mL/L, HSO C-WL 광택 첨가제 0.15 내지 0.9 mL/L
최적의 결과는 45 내지 60 g/L의 황산 , 210 내지 230 g/L의 황산구리, 140 내지 170 mg/L의 염화나트륨, 2.6 내지 3.8 mL/L의 HSO C-WL 주 광택제, 1.7 내지 2.5 mL/L의 HSO C-WL 광택제 기질 및 0.2 내지 0.6 mL/L의 HSO C-WL 광택 첨가제로 얻어진다.
제 2 실시예에 따르면, 무기물 성분에 있어서 제 1 실시예에서와 동일한 조성물이 사용된다:
황산(H2SO4) : 10 내지 200 g/L, 바람직하게는 45 내지 70 g/L 및 예를 들어 45 내지 60 g/L
황산구리(CuSO4×5H2O) : 50 내지 500 g/L, 바람직하게는 200 내지 230 g/L 및 예를 들어 210 내지 230 g/L
염화나트륨(NaCl) : 10 내지 250 mg/L, 바람직하게는 100 내지 190 mg/L 및 예를 들어 140 내지 170 mg/L
유기물 성분은 그러나 조링엔(독일)에 있는 슈미드트(Schmidt)사의 (종래의 전기 도금 기술적인)HSO C-OF법에서 사용 가능하게 되었다.
도 10에는 연속적인 공정으로서 본 발명에 따른 방법의 실시예를 수행하기 위한 장치가 하나 더 도시된다. 수평 배열은 매우 개략적으로 도시된다. 그러나 특히 큰 설비에서는 편향 롤러를 갖는 더 복잡한 배열이 고려된다. 연속적인 공정으로서의 상기 실시예에 있어서, 코팅된 기판의 어떠한 설치도 필요로 하지 않는다. 음극으로서 작용하는 기판(1; 코팅을 가짐)은 상술한 바와 같이 휘어질 수 있는 박판으로 설계되며, 롤러에 의해 인장된다. 이것은 예를 들어 전체 공정동안 이동되며, 수평 방향으로 전해질 용기를 헤쳐 나가게 된다. 양극(53')은 기판 상부 또는 하부, 도는 기판의 양 측상에 부착된다. 상기 장치는 공기 유입 수단을 포함하며, 여기에는 또 다시 기재되지 않는 다이아프램 및 구멍이 또한 고려된다. 부가적으로도시되지는 않지만 전해질의 연속적인 흐름을 위해 설치되는 노즐이 있다. 화살표에 의해 도면에 기호화되는 상기 흐름에 의해, 전해질은 시간의 경과에 있어서 음극 부근에서 국지적으로 고갈되는 것이 방지된다.
본 발명에 따른 방법을 수행하기 위한 방범의 실시예의 개략적인 도해가 도 11에 도시된다. 상기 실시예에서 코팅된 기판 상에서의 구리 침전 처리는 그것 내에서 구리가 고체 상태에서 용액 내의 전해질로 되는 용기(63")으로부터 분리되는 전기 분해 셀(51")에서 행해진다. 동시에 전해질의 연속적인 순환이 행해지며, 여기서 고갈된 전해질은 전기 분해 셀(51")로부터 용기(63")로 이송되고, 구리로 풍부해진 전해질은 용기로부터 전기 분해 셀로 이송된다.
채널의 깊이도 사용된 유전체의 두게에 의해 한정되므로, 본 발명에 따른 방법은 특히 1:2 보다 큰, 큰 종횡비를 갖는 미세 구조물을 제조하기 위해 적합하다. 상기 두께는 10 내지 200 마이크로미터 영역에 해당하므로, 컨덕터 채널은 항상 10 및 최대 100 마이크로미터 사이의 폭울 갖는다. 회로 보드를 위한 적용에 있어서 특히, 가장 미세한 도전 트랙이 매우 간단하고 경제적인 방법으로 제조될 수 있다. 그러나 실제적으로 모든 적용에 있어서, 금속을 갖춘 더 큰 표면이 필요하다. 따라서 예를 들어 회로 보드 상으로 납땜되어야 하는 부품을 위한 접촉면은 대부분 비교적 크며, 전류 공급원 리드(Vcc 및 GND)는 종종 큰 표면으로 설계된다. 전기 도금 후에, 상기 표면은 너무 작은 구리층 두께를 가지며, 상기 구리를 얇게 제거한 후에, 상기 구리는 큰 면적 영역에서 에칭되어 제거된다. 도 12a, 도 12b 및 도 12c는 이것을 개략적으로 도시한다. 여기서 도 12a는 엠보싱 단계 후의 기판(210)을 도시한다. 도 12b에는 동일한 기판이 도시되는데, 여기서 코팅 및 전기 플레이팅 단계 후에 이것에는 구리층(203)이 제공된다. 에칭 백 후에, 도 12c에 따르면 구리는 단지 상기 단계의 근처에서 또한 상기 오목부 내에서만 잔존한다.
본 발명에 따른 방법으로 상기 큰 표면을 갖는 구조물을 제조할 수 있기 위해서, 다양한 설계 치수가 선택될 수 있다:
접촉면으로서 설계되어야 할 면은 미세 구조물 내로 스크린닝된다. 이것은 예를 들어 병렬로 연장되거나 또는 교차하여 연장되며 본 발명에 따른 방법에 있어 최적인 종횡비를 갖는 미세 채널에 의해 수행된다. 이것은 또한 종래의 실시예에 있어서 대개 스크린-온으로 설계되므로, 이러한 경우에 전류 공급원 평면 또는 스크린 평면이 제조될 수 있다. 그러나 접속면이 납땜을 위해 제조되는 경우에, 스크린되는 면은 양호한 납땜의 질을 가능하게 하지 않으며, 상기 방법은 수정되어야 하고 따라서 폐쇄된 납땜면이 형성된다.
일 실시예가 도 13a, 도 13b 및 도 13c에 도시되는데, 여기서 전기적 접속 소자는 도 12a 내지 도 12c에 유사한 방법으로 엠보싱 단계 후, 전기 플레이팅 단계 후 또는 에칭 후로 도시된다. 상기 실시예는 엠보싱 단계 동안에 기판(310)에 주어진 미세 구조물(301a)로 큰 면적 영역을 스크리닝하는 것에 있다. 상기 구조물은 오목부 및 이들 사이에 존재하는 돌출부를 포함한다. 상기 구조물 즉, 오목부의 깊이는 예를 들어 T/2 이하에 존재하며, 여기서 T는 스트립 컨덕터를 위한 채널 형상의 오목부의 깊이를 나타낸다. 이것은 상기 미세 스크린 영역에서 구리를 인공적으로 두텁게 하는 원인이 되며, 폐쇄된 잔류층(303a')는 상기 구리가 얇게 제거된후에 잔존한다. 이러한 스크리닝은 예를 들어 병렬 전도 트랙, 교차 전도 트랙 등과 같은 많은 방법으로 행해질 수 있다.
상기 효과는 또한 더 큰, 큰 표면 구조물 사이에 존재하는 오목부 및 돌출부를 갖는 미세 구조물로부터 떨어진 엠보싱 툴이 제조될 수 있다는 점에서 얻어질 수 있다. 적절한 전기적 접속 소자가 다양한 제조 단계 동안 도 14a, 도 14b 및 도 14c에 도시된다. 전기 도금시에, 상기 미세 구조물은 신속히 충진되며, 결국 박판과 유사한 구조물이 전기 도금된다. 이것이 겹쳐져서 상기 큰 표면 구조물 영역에 약간 더 두꺼운 구리층이 발생하게 되고, 상기 구리가 얇게 제거된 후에 폐쇄된 잔존층(403a')이 잔존하게 된다. 즉, 돌출부는 에칭 백 단계 후에도 여전히 구리로 덮혀진다.
남땜 표면을 위한 큰 표면 영역의 스크리닝은 또한 상기 구리층이 유전체 상에서 기계적으로 강성적으로 고정되며 이 수단에 의해 납땜면의 접착 강도가 크게 증가된다는 장점을 갖는다.
상술된 본발명에 따른 실시예는 회로 보드의 제조에 한정된다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명이 다른 전기적 접속 소자의 제조에도 적합하다는 사실을 용이하게 인식할 것이다.
또한 상술한 기재에 있어서, 간략함을 위해 상기 방법의 제품은 완제된 접속 소자인 것이 가정된다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 상술한 단계에 부가하여 전기적 접속 소자를 제조하기 위한 또 다른 처리 단계를 행할 수 있을 것이다. 이러한 반가공 제품은 예를 들어, 다른 부품에의해 다층 전기적 접속 소자로 예를 들어 가공될 수 있다.
본 발명에 따른 방법으로 제조되는 전기적 접속 소자는 다수의 가능한 엠보싱을 가질 수 있으며, 전기적 접속 소자가 사용되는 영역에서 일반적으로 사용될 수 있다. 서로 전기적으로 연결되는 소자가 회로 기판에 설치되는 종래의 적용을 별도로 하고, 본 발명에 따른 전기적 접속 소자는 물론 소형화가 더욱 발전된 적용에 있어서 완벽히 적절하다. 또한 스트립 컨덕터의 전류 부하 능력이 중요한 적용이 참조된다. 이러한 적용은 상술한 바와 같이 본 발명에 따른 전기적 접속 소자가 특히 유리한 횡단면을 갖는 트랙을 구비한다는 점에서 바람직하다. 따라서 이것은 예를 들어 본 발명에 따른 접속 소자가 평면 코일로서 작용하며, 여기서 서로 상에서 상기 코일을 접음에 의한 재료의 적절한 유연 형성을 갖는 경우에, 다층 평면 코일이 형성될 수 있음을 보여준다.
따라서, 상술한 바와 같은 본 발명에 따른 전기적 접속 소자를 제조하기 위한 방법, 제조 설비 및 제조 장치, 전기적 접속 소자 및 반가공 제품은 모든 방법 단계는 가능한 한 병행하여 행해지도록 함으로써 비용을 절감하며, 습식 화학 단계의 수를 감소함으로써 환경 친화적이고, 스트립 컨덕터 및 패시지 홀이 가능한 한 작은 측면 치수를 갖는 구조를 가능하게 하여 제조를 용이하게 하는 탁월한 효과가 있다.

Claims (19)

  1. 다음의 방법 단계 즉,
    a. 가소성적으로 변형 가능한 폴리머 재료의 기판(101, 201, 301, 401)를 준비하는 방법 단계;
    b. 엠보싱 툴(9)에 의하여 기판을 기계적으로 변형시키고, 따라서 스트립 컨덕터가 생성되는 본질적으로 채널 형상의 오목부가 생성되는 방법 단계;
    c. 전기적 도전층(102)으로 상기 기판을 코팅하는 방법 단계;
    d. 상기 오목부가 충진될 때까지 상기 기판을 전기 도금하는 방법 단계;
    e. 도전면을 가져서는 안 되는 기판의 위치에 금속 코팅이 없어질 때까지 컨덕터 재료(103)를 제거하는 방법 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전기적 접속 소자를 제조하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 b에서 기판 표면에 수직인 횡단면을 갖는 오목부가 생성되며, 여기서 상기 횡단면의 종횡비, 특히 상기 기판의 깊이(t) 및 폭(b)의 비는 적어도 1:2 및 예를 들어 적어도 2:3 또한 최대 5:1인 것을 특징으로 하는, 전기적 접속 소자를 제조하기 위한 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 종횡비는 적어도 1:1인 것을 특징으로 하는, 전기적 접속 소자를 제조하기 위한 방법.
  4. 전 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 엠보싱 단계에서 패시지 홀이 생성될 오목부가 생성되며, 상기 엠보싱 단계 b 후에, 및 상기 단계 c 전에, 후세척 단계가 행해지는 것을 특징으로 하는, 전기적 접속 소자를 제조하기 위한 방법.
  5. 전 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 엠보싱 단계에서 돌출부에 의해 서로로부터 분리되는 오목부의 그룹으로서 스크린된 구조물을 갖는 부가적인 부분이 형성되며, 여기서 상기 돌출부의 높이(h')는 스트립 컨덕터를 위한 본질적으로 채널 형상의 오목부의 깊이(t) 보다 작은 것을 특징으로 하는, 전기적 접속 소자를 제조하기 위한 방법.
  6. 전 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 엠보싱 단계는 거친 엠보싱 툴로 생성되는 거친 엠보싱 단계 및 이것에 뒤이어 일어나는 미세 엠보싱 툴로 생성되는 미세 엠보싱 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전기적 접속 소자를 제조하기 위한 방법.
  7. 전 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계 d에서 사용되는 전해질은 10 내지 200 g/L의 황산과, 50 내지 500 g/L의 황산구리와, 10 내지 250 mg/L의 염화나트륨 및 또한 유기물 첨가제를 갖는 것을 특징으로 하는, 전기적 접속 소자를 제조하기 위한 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 유기물 첨가제는 0.5 내지 5 mL/L의 HSO C-WL 주 광택제와, 0.5 내지 5 mL/L의 HSO C-WL 광택제 기질과, 0.05 내지 2 mL/L의 HSO C-WL 광택 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전기적 접속 소자를 제조하기 위한 방법.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 전해질은 20 내지 100 g/L, 바람직하게는 45 내지 70 g/L의 황산과, 180 내지 280 g/L, 바람직하게는 200 내지 230 g/L의 황산구리와, 100 내지 190 mg/L, 바람직하게는 140 내지 170 mg/L의 염화나트륨을 포함하는 것을 특징으로 하는, 전기적 접속 소자를 제조하기 위한 방법.
  10. 전 항들 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되는 전기적 접속 소자에 있어서,
    이것은 기계적으로 생성되는 오목부를 갖는 가소성적으로 변형 가능한 폴리머로 구성되는 절연층(101)으로 구성되며, 여기서 상기 오목부의 적어도 몇몇은 상기 절연층의 표면에 수직힌 횡단면을 가지고, 여기서 상기 횡단면의 종횡비는 적어도 1:2이며, 스트립 컨덕터로서 제공될 수 있는, 전기 도금적으로 침착되는 컨덕터 재료(103')로 본질적으로 완전히 충진되는 것을 특징으로 하는 전기적 접속 소자.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 종횡비는 대략 1:1 또는 그 이상인 것을 특징으로 하는 전기적 접속 소자.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    채널 구조물로 구성되는 도전 접촉면을 갖는 적어도 하나의 영역은 컨덕터 재료로 전기 도금적으로 충진되며, 여기서 상기 채널 구조물은 돌출부에 의해 서로로부터 분리되는 일렬의 오목부로서 설계되고, 여기서 상기 돌출부는 전기 도금적으로 침착되는 컨덕터 재료로 덮혀지는 것을 특징으로 하는 전기적 접속 소자.
  13. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    패시지 홀은 엠보싱 단계 및 후세척 단계에서 생성되는 것을 특징으로 하는 전기적 접속 소자.
  14. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되는 전기적 접속 소자의 부품으로서 사용하기 위한 반가공 제품에 있어서,
    이것은 기계적으로 생성되는 오목부를 갖는, 가소성적으로 변형 가능한 폴리머로 구성되는 절연층(101)을 포함하며, 여기서 상기 오목부의 적어도 몇몇은 상기 절연층의 표면에 수직하는 횡단면을 가지고, 여기서 상기 횡단면의 종횡비는 적어도 1:2이며, 스트립 컨덕터로서 제공될 수 있는, 전기 도금적으로 침착되는 컨덕터 재료(103')로 본질적으로 완전히 충진되는 것을 특징으로 하는, 전기적 접속 소자의 부품으로서 사용하기 위한 반가공 제품.
  15. 적어도 1개의 엠보상 다이(9)로 가소성적으로 변형 가능한 기판 상에 오목부를 생성하기 위한 장치(21)와, 상기 절연 기판을 물리적 또는 화학적으로 코팅하기 위한 1개의 코팅 장치(25)와, 전기 플레이팅 장치(27) 및 제거 장치(29)를 포함하는, 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되는 전기적 접속 소자를 제조하기 위한 설비.
  16. 제 15 항에 있어서,
    유전체 기판으로부터 유전체 물질을 제거하기 위한 후세척 장치(23)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전기적 접속 소자를 제조하기 위한 설비.
  17. 기판 상에 오목부를 생성하기 위한 돌출부(11b, 11c)를 갖는 적어도 1개의 엠보싱 다이(11, 13)를 가지며, 여기서 상기 엠보싱 다이의 중간 표면에 수직하는 횡단면을 갖는 마루와 유사한 돌출부(11b)가 존재하고, 상기 횡단면에서 마루와 유사한 돌출부의 높이(h')는 그것의 폭(b')의 적어도 반만큼 큰, 가소성적으로 변형가능한 유전체 기판을 엠보싱하기 위한 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 마루와 유사한 돌출부(11b)는 적어도 거의 직사각형 횡단면을 갖는 것을 특징으로 하는, 가소성적으로 변형 가능한 유전체 기판을 엠보싱하기 위한 장치.
  19. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,
    패시지 홀을 생성하기 위한 핀과 유사한 돌출부(11c)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 가소성적으로 변형 가능한 유전체 기판을 엠보싱하기 위한 장치.
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