KR20020057765A - 듀얼다마신 공정용 포토마스크, 그 제조방법 및 그포토마스크를 이용한 듀얼다마신 배선 형성방법 - Google Patents

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KR20020057765A
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    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H01L21/76807—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures
    • H01L21/76813—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures involving a partial via etch

Abstract

듀얼다마신 공정용 포토마스크, 그 제조방법 및 그 포토마스크를 이용한 듀얼다마신 배선 형성방법에 대해 개시되어 있다. 그 포토마스크는, 투명한 기판 상에 형성된 불투광층 패턴에 의해 정의되는 영역에, 라인형상이고 기판의 표면과 위상차가 170˚내지 190˚인 복수개의 식각패턴을 갖는 배선영역 및 배선영역 내에 형성되고 기판의 표면과 위상차가 0˚인 콘택영역을 포함한다. 그 포토마스크의 제조방법은, 투명한 기판 상에 불투광층 패턴을 형성하는 단계와, 불투광층 패턴을 식각마스크로 하여 불투광층을 식각하는 단계와, 기판과 불투광층의 전면에 형성된 식각마스크층에 기판의 표면과 위상차가 170˚내지 190˚이고 복수개의 라인형상으로 이루어진 배선영역 패턴을 형성하는 단계와, 배선영역 패턴을 식각마스크로 기판을 식각하는 단계를 포함하며 이를 듀얼다마신 배선 형성방법에 이용한다. 포토마스크에 라인형상이고 기판의 표면과 위상차가 170˚내지 190˚인 복수개의 식각패턴으로 이루어진 배선영역을 형성함으로써, 배선영역에 균일한 노광강도분포를 확보하고 HTPS의 영향을 배제할 수 있다.

Description

듀얼다마신 공정용 포토마스크, 그 제조방법 및 그 포토마스크를 이용한 듀얼다마신 배선 형성방법{Photomask for dual damascene process, method thereof and method of forming dual damascene interconnection using the photomask}
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체소자용 포토마스크 및 그 포토마스크를 이용한 듀얼다마신(dual damascene) 배선 형성방법에 관한 것이다.
반도체소자의 제조공정에 있어서, 절연막에 형성된 배선영역 내에 콘택홀(contact hole)을 형성한 후, 금속층을 증착하고 이를 화학적 기계적 폴리싱(chemical mechanical polishing; CMP) 공정을 통하여 금속배선을 형성하는 듀얼다마신 공정이 도입되고 있다. 이 공정의 장점은 콘택과 금속배선을 동시에 형성함으로써 공정을 단순화하고, 공정완료후 국부적인 단차가 발생되지 않으므로 후속의 사진공정에서의 마진(margin)을 향상할 수 있다.
현재 사용되고 있는 듀얼다마신 공정을 살펴보면, 기판상에 절연막을 증착한 후 배선영역 형성용 포토마스크를 이용하여 노광 --> 현상 --> 이방성 식각공정을 거쳐서 절연막에 배선영역을 형성한다. 이어서, 콘택홀 형성용 포토마스크를 이용하여 배선영역 내에 콘택홀을 형성한다. 다음에, 배선영역과 기판의 전면에 도전성 물질, 예컨대 구리를 증착하고 CMP 공정을 이용하여 평탄화한다.
그런데, 이와 같은 배선 형성방법은 배선영역과 콘택홀을 형성하는 별도의 포토마스크로 노광 --> 식각공정을 거치는 데, 이는 공정의 복잡성은 물론이고 배선영역과 콘택홀 사이의 정렬에러로 인하여 상호간에 오버랩마진(overlap margin)을 감소시킬 수 있다.
따라서, 이러한 문제를 해결하기 위하여 배선영역과 콘택홀을 단일한 포토마스크로 제작하되, 포토마스크 상에서 배선영역에 해당되는 부위와 콘택홀에 해당되는 부위의 광투과도를 서로 다르게 하여 제작한다. 예를 들어, 콘택홀에 해당되는 부위의 광투과도를 100%라 하면 배선영역에 해당하는 부위의 광투과도는 100%와 0% 사이에의 적정한 값이 되도록(예를 들면 50%) 조절하고, 나머지 부위에는 광투과도가 0%가 되도록 포토마스크를 제작한다. 이것은, 포지티브(positive) 포토레지스트가 도포 --> 노광 --> 현상과정을 거치면, 현상후 잔존하는 포토레지스트의 두께는 조사되는 광의 강도(intensity)에 비례한다는 성질을 이용하는 것이다.
결과적으로, 투과도 100%에 해당되는 부위의 포토레지스트는 모두 제거되고, 광투과도가 0~100% 사이에 해당하는 부위의 포토레지스트는 일정한 두께만큼 잔존하며, 광투과율이 0%인 부위의 포토레지스트는 거의 손상되지 않고 보존된다. 현상이 끝난 후 절연막에 대해 이방성 식각할 때, 식각되는 량은 포토레지스트의 두께에 반비례한다. 다시 말하면, 포토레지스트가 없는 절연막은 최초 식각시부터 식각이 진행되어 기판까지 식각되나, 포토레지스트의 일부가 남아있는 절연막은 먼저 잔존하는 포토레지스트가 모두 식각된 후 식각되므로 일정한 깊이까지만 식각된다. 그리고 포토레지스트가 손상되지 않은 부위는 식각이 진행되지 않는다. 식각이 끝나면, 포토레지스트의 일부가 남아 있었던 부위는 배선영역을 형성하게 되고, 포토레지스트가 모두 제거되었던 부위는 콘택홀을 형성하게 된다. 이어서, 금속물질을 매립하고 CMP공정으로 평탄화하면, 통상의 듀얼다마신 공정과 같은 금속배선과 콘택을 얻게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 듀얼다마신 공정용 포토마스크를 설명하기로 한다.
도1 내지 도3은 종래의 듀얼다마신 공정용 포토마스크를 설명하기 위한 평면도, 단면도 및 도표이다.
도1은 종래의 듀얼다마신 공정용 포토마스크를 설명하기 위한 평면도이다.
도1을 참조하면, 기판(100) 상의 불투광층 패턴(106)에 의해 정의된 배선영역(102)은 광투과율이 0%보다 크고 100% 보다 작은 위상반전층에 의해 이루어지고, 배선영역(102) 내에는 광투과율이 100%인 콘택영역(104)이 형성된다. 이를 듀얼다마신 공정에 대응시키면 광투과율이 100%인 콘택영역(104)은 콘택홀을 형성하고, 광투과율이 0%보다 크고 100% 보다 작은 위상반전층은 배선영역(102), 그리고 광투과율이 0%인 부위는 절연막이 형성된다. 이와 같이, 한장의 포토마스크에 듀얼다마신 공정용 포토마스크를 형성할 수 있다.
도2는 종래의 듀얼다마신 공정용 포토마스크를 설명하기 위한 단면도이다.
도2를 참조하면, 콘택영역(104)은 불투광층 패턴(106)에 의해 정의된 영역에서 위상반전층으로 이루어진 영역에 의해 둘러쌓여 형성된다. 여기서, 위상반전층은 기판과 위상차를 야기하는 물질을 도포하거나 층의 두께를 조절함으로써 형성한다. 여기서, 위상반전층은 비정질 탄소(amorphous carbon), MoSiON, SiN 또는 SOG(Spin On Glass)일 수 있다.
도3은 도1 및 도2와 같이 형성된 포토마스크를 이용하여 노광되는 빛의 강도를 나타낸 도표이다.
도3을 참조하면, 배선영역(102)의 가장자리에는 광투과율이 100%인 빛과 광투과율이 0%와 100% 사이로 위상반전된 빛이 상호간섭을 일으킨다. 이러한 효과로 인하여 배선영역(102)의 가장자리에는 하프톤위상반전(Half-tone phase shift ; HTPS)이라는 반전효과로 인하여 HTPS 부위(108)가 발생한다. 그런데, HTPS 부위(108)에 해당되는 부위의 배선영역(102)을 식각하기 위하여 도1에서 도시된 포토마스크를 이용하여 노광하면, 노광강도가 현저하게 저하된다. 이렇게 되면, 배선영역(102) 중의 HTPS 부위(108)에서는 균일한 노광강도를 확보하기가 어려우므로, 현상후 잔존하는 포토레지스트가 적정량보다 많아진다. 심할 경우에는 CMP 공정후 형성되는 금속배선과 콘택과의 접촉불량이 발생할 수 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 배선영역을 형성하는 부위에 균일한 노광강도분포를 확보하고 HTPS의 영향을 배제하는 포토마스크로 이루어진 듀얼다마신 공정용 포토마스크를 제공하는 것이다,
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 배선영역을 형성하는 부위에 균일한 노광강도분포를 확보하고 HTPS의 영향을 배제하는 포토마스크로 이루어진 듀얼다마신 공정용 포토마스크의 제조방법을 제공하는 것이다,
나아가, 본 발명이 이루고자 하는 또다른 기술적 과제는, 배선영역을 형성하는 부위에 균일한 노광강도분포를 확보하고 HTPS의 영향을 배제하는 포토마스크로 이루어진 듀얼다마신 공정용 포토마스크를 이용하여 듀얼다마신 배선 형성방법을 제공하는 것이다,
도1 내지 도3은 종래의 듀얼다마신 공정용 포토마스크를 설명하기 위한 평면도, 단면도 및 도표이다.
도4 내지 도6은 본 발명에 의한 듀얼다마신 공정용 포토마스크를 설명하기 위한 평면도, 단면도 및 도표이다.
도7a 내지 도7e는 본 발명에 의한 듀얼다마신 공정용 포토마스크의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
도8a 내지 도8e는 본 발명에 의한 포토마스크를 이용한 듀얼다마신 배선 형성방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100 ; 기판 102 ; 배선영역
104 ; 콘택영역 106 ; 불투광층 패턴
108 ; HTPS 부위 202 ; HTPS 보정 부위
302 ; 불투광층 304 ; 제1 식각마스크층
306 ; 제1 패턴 308 ; 제2 식각마스크층
310 ; 제2 패턴 402 ; 도전층
404 ; 절연막 406 ; 식각마스크층
408 ; 도전성물질층
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 듀얼다마신 공정용 포토마스크는, 투명한 기판과, 상기 투명한 기판 상에 형성된 불투광층 패턴과, 상기 불투광층 패턴에 의해 정의되는 영역에 라인형상이고 기판의 표면과 위상차가 170˚내지 190˚인 복수개의 식각패턴을 갖는 배선영역 및 상기 배선영역 내에 형성되고 상기 기판의 표면과 위상차가 0˚인 콘택영역을 포함한다.
여기서, 상기 식각패턴이 기판의 표면과 위상차가 180˚인 것이 바람직하며, 상기 위상차가 170˚내지 190˚인 복수개의 식각패턴 내부에 상기 콘택영역이 존재하는 것이 바람직하다.
나아가, 상기 불투광층 패턴이 상기 배선영역에서 상기 위상차가 170˚내지 190˚인 식각패턴과 접하면서 형성되거나, 상기 불투광층 패턴이 상기 배선영역에서 상기 위상차가 0˚인 영역과 접하는 것이 바람직하다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 듀얼다마신 공정용 포토마스크 제조방법은, 투명한 기판을 제공하는 단계와, 상기 투명한 기판에 불투광층을 증착하는 단계와, 상기 불투광층의 전면에 제1 식각마스크층을 도포하는 단계와, 상기 제1 식각마스크층에 배선영역을 정의하는 제1 패턴을 형성하는 단계와,상기 제1 패턴을 식각마스크로 하여 불투광층을 식각하는 단계와, 상기 제1 식각마스크층을 제거하는 단계와, 상기 기판과 불투광층의 전면에 제2 식각마스크층을 도포하는 단계와, 상기 제2 식각마스크층에 복수개의 라인형상으로 이루어진 제2 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2 패턴을 식각마스크로 상기 기판을 식각하는 단계 및 상기 제2 식각마스크층을 제거하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 기판이 식각되는 깊이가 1200Å 내지 2000Å인 것이 바람직하다.
또한, 상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 듀얼다마신 배선 형성방법은, 기판 상에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상에 식각마스크층을 도포하는 단계와, 상기 식각마스크층에 상기 듀얼다마신 공정용 포토마스크 제조방법에 의해 제조된 포토마스크를 이용하여 패턴을 형성하는 단계와, 상기 패턴을 식각마스크로 하여 상기 절연막을 상기 기판을 종료점으로 하여 식각하는 단계와, 상기 식각마스크층을 제거하는 단계 및 상기 절연막의 식각된 부분과 식각되지 않은 부분의 전면에 도전물질을 매립하여 배선을 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 식각마스크가 포지티브 타입의 포토레지스트인 것이 바람직하며, 상기 절연막을 제1 절연막과 제2 절연막으로 형성하고 상기 제1 절연막과 상기 제2 절연막사이에 식각정지막을 형성하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 여러 막과 영역들의 두께는 명료성을 위해서 강조되었으며, 어떤 층이 다른 층이나 기판 "상"에 존재한다고 기술될 때 이 어떤 층은 다른 층이나 기판과 직접 접하면서 존재할 수도 있고 그 사이에 제3의 층이 존재할 수 있다.
도4 내지 도6은 본 발명의 실시예에 의한 듀얼다마신 공정용 포토마스크를 설명하기 위한 평면도, 단면도 및 도표이다.
도4는 본발명의 제1 실시예에 의한 듀얼다마신 공정용 포토마스크를 설명하기 위한 평면도이다.
도4를 참조하면, 기판(100) 상의 불투광층 패턴(106)에 의해 정의된 배선영역(102)은 라인형상이고 기판의 표면과 위상차가 170˚내지 190˚인 복수개의 식각패턴을 갖는다. 한편, 콘택홀을 형성하기 위하여 광투과율이 100%인 콘택영역(104)이 위상차가 170˚내지 190˚인 복수개의 식각패턴의 내부에 형성되는 것이 바람직하다. 그런데, 콘택영역(104)이 반드시 기판의 표면과 위상차가 170˚내지 190˚인 복수개의 식각패턴의 내부에 형성될 필요는 없으며, 경우에 따라서는 배선영역(102) 내에서 상기 식각패턴의 외부에 형성될 수도 있다. 이를 듀얼다마신 공정에 대응시키면 광투과율이 100%인 콘택영역(104)은 콘택홀이 형성되는 부위이고, 라인형상이고 기판의 표면과 위상차가 170˚내지 190˚인 복수개의 식각패턴을 갖는 영역은 배선영역(102), 그리고 광투과율이 0%인 불투광층 패턴(106)은 절연막을 형성한다. 여기서, 불투광층 패턴(106)은 배선영역(102) 내에 기판의 표면과 위상차가 170˚내지 190˚인 식각패턴에 접하면서 형성될 수도 있고, 기판의 표면과 위상차가 0˚인 영역에 접하면서 형성될 수도 있다.
도5는 본발명의 실시예에 의한 듀얼다마신 공정용 포토마스크를 설명하기 위한 단면도이다.
도5를 참조하면, 기판(100) 상의 불투광층 패턴(106)에 의해 정의된 배선영역(102)이 형성된다. 배선영역(102)은 라인형상이고 기판의 표면과 위상차가 170˚내지 190˚인 복수개의 식각패턴으로 이루어진다. 또한, 기판의 표면과 위상차가 170˚내지 190˚인 영역은 기판(100)을 일정한 깊이까지 식각하여 형성한다. 이때, 불투광층 패턴(106)을 이루는 물질은 니켈층, 크롬층, 몰리브덴층 또는 이들의 합금층일 수 있다. 경우에 따라서, 니켈, 크롬 또는 몰리브덴의 산화물층일 수도 있다.
도6은 도4 및 도5와 같이 형성된 포토마스크를 이용하여 노광되는 빛의 강도를 나타낸 도표이다.
도6을 참조하면, 배선영역(102)의 가장자리에는 광투과율이 100%인 빛과 배선영역(102)에서 노광된 빛의 상호간섭현상이 거의 일어나지 않는다. 이러한 현상은 도표에서 나타난 바와 같이 HTPS 현상이 사라진 것으로써 확인할 수 있다. 따라서, 배선영역(102)의 가장자리에는 종래의 경우에 비해 노광강도가 보정된 HTPS 보정 부위(202)가 형성된다. 이렇게 되면, 배선영역(102) 부위에 균일한 노광강도가 확보되므로 현상후 적정량의 포토레지스트가 배선영역(102)에 남게 되어 균일한 두께의 배선영역을 형성할 수 있다.
도7a 내지 도7e는 본 발명의 실시예에 의한 듀얼다마신 공정용 포토마스크의제조방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
도7a를 참조하면, 기판(100) 상에 불투광층(302), 제1 식각마스크층(304)을 순차적으로 형성한다. 여기서, 불투광층(302)은 통상적으로 크롬을 이용한다.
도7b를 참조하면, 제1 식각마스크층(304)에 배선영역(102)을 정의하는 제1 패턴(306)을 형성한다.
도7c를 참조하면, 제1 식각마스크층(304)을 식각마스크로 하여 불투광층 (302)을 식각한다. 그 결과, 배선영역(102)은 불투광층(302)이 제거되어 기판(100)을 노출시킴으로써 형성된다.
도7d를 참조하면, 기판(100)과 제1 패턴(306)의 전면에 제2 식각마스크층 (308)을 형성한다. 이어서, 제2 식각마스크층(308)에 복수개의 라인형상으로 이루어진 제2 패턴(310)을 형성한다. 다음에, 상기 제2 패턴(310)을 식각마스크로 하여 기판(100)을 식각한다.
도7e를 참조하면, 기판(100)을 식각하면 배선영역(102)이 기판(100)에 형성된다. 그런데, 기판(100)이 식각되는 깊이는 노광되는 빛의 파장에 따라 적절하게 결정될 수 있다. 일반적으로, 기판(100)이 식각되는 깊이가 1200Å 내지 2000Å인 것이 바람직하다.
도8a 내지 도8e는 도7a 내지 도7e에 의해 제조된 포토마스크를 이용하여, 본 발명의 실시예에 의한 듀얼다마신 배선 형성방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.
도8a를 참조하면, 도전층(402)이 형성된 기판(100) 상에 절연막(404)과 식각마스크층(406)을 순차적으로 형성한다. 여기서, 도전층(402)은 반도체 기판상에 형성되는 소오스 및 드레인 영역, 게이트 전극, 비트라인 콘택패드 또는 워드라인 콘택패드일 수 있다. 또한, 절연막(404)은 실리콘 산화막이 바람직하다. 경우에 따라서는 도전층(402)이 형성되지 않을 수도 있다. 여기서, 식각마스크층(406)은 포지티브(positive) 타입의 포토레지스트가 사용되는 것이 바람직하다. 포지티브 포토레지스트는 빛에 노출되면, 불용성에서 용해성으로 바뀌는 데, 이를 광분해라고 한다. 이러한 광분해는 노광되는 빛의 강도인 노광강도에 비례한다. 즉, 노광된 빛의 강도가 크면 포토레지스의 광분해가 많이 일어나고, 적으면 광분해가 적게 일어난다.
도8b를 참조하면, 도7a 내지 도7e를 거쳐서 제작된 포토마스크를 이용하여 식각마스크층(406)을 노광하여 현상한다. 이때, 콘택홀이 형성되는 부위인 콘택영역(104)은 포토레지스트가 완전하게 현상되어서 제거되고, 배선영역(102)을 형성하는 부위는 투과되는 광투과율에 비례하는 양만큼의 포토레지스트가 현상되어 일정한 두께만큼의 포토레지스트는 현상후에도 남게 된다.
도8c를 참조하면, 식각마스크층(406)을 식각마스크로 하여 이방성 식각을 진행한다. 식각이 시작되면, 콘택영역(104)이 형성되는 부위의 절연막(404)은 식각되고, 배선영역(102)을 형성하는 부위의 포토레지스트도 점점 식각되어 그 두께가 얇아지지만 절연막(404)을 식각하지는 않는다. 계속 식각이 진행되면, 배선영역(102)을 형성하는 부위의 포토레지스트는 점점 얇아져서 결국은 없어지게 되므로, 그 부위의 절연막(404)도 식각이 일어난다. 동시에, 콘택영역(104)을 형성하는 부위의 절연막(404)도 계속하여 식각된다.
도8d를 참조하면, 콘택영역(104)을 형성하는 부위의 절연막(404)에 대한 식각은 도전층이 노출될 때까지 진행한다. 콘택영역(104)을 형성하기 위한 식각이 진행되는 동안에도 배선영역(102)을 형성하는 식각도 계속 진행되므로, 식각이 멈추면 절연막(404)에는 배선영역(102)과 콘택영역(104)이 형성된다.
도8e를 참조하면, 절연막(404)과 노출된 도전층(402)의 전면에 도전성 물질층(408) 예컨대, 구리층을 매립한다. 이어서, CMP공정을 이용하여 절연막(404)이 노출될 때까지 도전성 물질층(408)을 제거하여 평탄화한다. 이상과 같이 듀얼다마신 배선이 형성된다.
이상 본 발명을 상세히 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고 당업자에 의해 많은 변형 및 개량이 가능하다. 예컨대, 도8a에서 절연막(404)을 제1 절연막과 제2 절연막으로 형성하고 제1 절연막과 제2 절연막사이에 식각정지막을 형성할 수 있다.
상술한 본 발명에 따른 듀얼다마신 공정용 포토마스크, 그 제조방법 및 그 포토마스크를 이용한 듀얼다마신 배선 형성방법은, 불투광층 패턴에 의해 정의되는 배선영역이 라인형상이고 기판의 표면과 위상차가 170˚내지 190˚인 복수개의 식각패턴을 갖도록 형성함으로써, 배선영역 부위에 균일한 노광강도분포를 확보하고 HTPS의 영향을 배제할 수 있다. 또한, 금속과 같은 도전성물질을 증착하여 금속배선 형성시, 금속배선과 콘택과의 접촉이 불량해지는 것을 방지할 수 있다.

Claims (10)

  1. 투명한 기판;
    상기 투명한 기판 상에 형성된 불투광층 패턴;
    상기 불투광층 패턴에 의해 정의되는 영역에, 라인형상이고 기판의 표면과 위상차가 170˚내지 190˚인 복수개의 식각패턴을 갖는 배선영역; 및
    상기 배선영역 내에 형성되고 상기 기판의 표면과 위상차가 0˚인 콘택영역;
    을 포함하는 듀얼다마신 공정용 포토마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 식각패턴이 기판의 표면과 위상차가 180˚인 것을 특징으로 하는 듀얼다마신 공정용 포토마스크.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 위상차가 170˚내지 190˚인 복수개의 식각패턴 내부에, 상기 콘택영역이 존재하는 것을 특징으로 하는 듀얼다마신 공정용 포토마스크.
  4. 제1항에 있어서, 상기 불투광층 패턴이 상기 배선영역에서 상기 위상차가 170˚내지 190˚인 식각패턴과 접하면서 형성되는 것을 특징으로 하는 듀얼다마신 공정용 포토마스크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 불투광층 패턴이 상기 배선영역에서 상기 위상차가 0˚인 영역과 접하는 것을 특징으로 하는 듀얼다마신 공정용 포토마스크.
  6. 투명한 기판을 제공하는 단계;
    상기 투명한 기판에 불투광층을 증착하는 단계;
    상기 불투광층의 전면에 제1 식각마스크층을 도포하는 단계;
    상기 제1 식각마스크층에 배선영역을 정의하는 제1 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 패턴을 식각마스크로 하여 불투광층을 식각하는 단계;
    상기 제1 식각마스크층을 제거하는 단계;
    상기 기판과 불투광층의 전면에 제2 식각마스크층을 도포하는 단계;
    상기 제2 식각마스크층에 복수개의 라인형상으로 이루어진 제2 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 패턴을 식각마스크로 상기 기판을 식각하는 단계; 및
    상기 제2 식각마스크층을 제거하는 단계;
    를 포함하는 듀얼다마신 공정용 포토마스크 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 기판이 식각되는 깊이가 1200Å 내지 2000Å인 것을 특징으로 하는 듀얼다마신 공정용 포토마스크 제조방법.
  8. 기판 상에 절연막을 형성하는 단계;
    상기 절연막 상에 식각마스크층을 도포하는 단계;
    상기 식각마스크층에 제1항에서 정의된 포토마스크를 이용하여 패턴을 형성하는 단계;
    상기 패턴을 식각마스크로 하여 상기 절연막을 상기 기판을 종료점으로 하여 식각하는 단계;
    상기 식각마스크층을 제거하는 단계; 및
    상기 절연막의 식각된 부분과 식각되지 않은 부분의 전면에 도전물질을 매립하여 배선을 형성하는 단계;
    를 포함하는 듀얼다마신 배선 형성방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 식각마스크가 포지티브 타입의 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 듀얼다마신 배선 형성방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 절연막을 제1 절연막과 제2 절연막으로 형성하고 상기 제1 절연막과 상기 제2 절연막사이에 식각정지막을 형성하는 것을 특징으로 하는 듀얼다마신 배선 형성방법.
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