KR20020055248A - 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, NMOS 트랜지스터를 제조하는 과정에서, 드레인 쪽의 게이트 전극에 p타입의 불순물을 저농도로 도핑하여 후속 공정에서 n타입 불순물 도핑 시 p타입 불순물과 상쇄시켜 n타입 불순물의 농도를 낮춰줌으로써 게이트 전극과 드레인과의 전기장을 낮춰주어 소자의 라이프 타임을 증가시키고 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 특히 NMOS 트랜지스터의 게이트와 드레인간의 전기장(Electric field)을 감소시켜 소자의 라이프 타임(Life time)을 개선할 수 있는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법에 관한 것이다.
종래의 기술에서는 NMOS 트랜지스터의 게이트 전극에 불순물을 주입할 때 한 가지 타입으로 균일하게 도핑을 한다.
도 1을 참조하면, 트랜지스터는 일반적으로 반도체 기판(11)에 게이트 산화막(12), 게이트 전극(13), 소오스(14a) 및 드레인(14b)을 형성하여 제조한다.
이때, 트랜지스터가 NMOS 트랜지스터일 경우 고농도의 게이트 전극(13)과 드레인(14b) 사이(A)에 높은 전기장이 발생하여 핫 케리어 이펙트(Hot carrier effect)로 인한 소자 열화가 발생하여 소자의 라이프 타임이 줄어드는 문제가 발생한다. 또한, GIDL도 증가하여 소자의 전기적 특성을 저하시키는 문제가 있다.
따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 NMOS 트랜지스터의 게이트 전극의 드레인 쪽 불순물 농도를 낮추어 줌으로써 전기장을 낮추어 줌으로써 소자의 라이프 타임을 증가시켜 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 반도체 소자의 트랜지스터 구조를 설명하기 위하여 도시한 소자의 단면도.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명에 따른 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법을 설명하기 위하여 순차적으로 도시한 소자의 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
1, 11 : 반도체 기판2, 12 : 게이트 산화막
3a : 언도프트 폴리실리콘층3b : P- 폴리실리콘층
3c : n- 게이트 전극3d : n+ 게이트 전극
3, 13 : 게이트 전극4 : 제 1 감광막 패턴
5 : 제 2 감광막 패턴6 : 게이트 스페이서
7a, 14a : LDD 소오스7b, 14b : LDD 드레인
본 발명에 따른 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법은 반도체 기판 상에 게이트 산화막 및 언도프트 폴리실리콘층을 형성하는 단계, 언도프트 폴리실리콘층 상에 게이트 전극 형성 예정 영역의 일부분을 노출시키는 제 1 감광막 패턴을 형성하는 단계, 제 1 감광막 패턴을 이온 주입 마스크로 하여 언도프트 폴리실리콘층의 노출된 영역에 p타입의 불순물을 저농도로 도핑하여 p- 폴리실리콘층으로 형성하는 단계, 제 1 감광막 패턴을 제거한 후 제 2 감광막 패턴을 형성하고, 제 2 감광막 패턴을 식각 마스크로 하는 식각 공정을 실시하여 언도프트 폴리실리콘층 및 p- 폴리실리콘층을 게이트 전극의 형태로 패터닝하는 단계, 제 2 감광막 패턴을 제거한 후 n타입의 불순물 이온 주입 공정으로 소오스 및 드레인을 형성함과 동시에 소오스 쪽의 언도프트 폴리실리콘층을 n+ 폴리실리콘층으로 형성하고, 드레인 쪽의 p- 폴리실리콘층을 n- 폴리실리콘층으로 형성하여 n+ 폴리실리콘층 및 n- 폴리실리콘층으로 이루어진 게이트 전극을 형성하는 단계로 이루어진다.
소오스 및 드레인은 LDD 구조로 형성한다.
p타입 불순물 이온 주입 공정은 3E14 내지 2E15 atoms/cm2의 불순물을 주입하며, n타입 불순물 이온 주입 공정시 1E15 내지 5E15 atoms/cm2의 불순물을 주입한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명에 따른 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법을 설명하기 위하여 순차적으로 도시한 소자의 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 반도체 기판(1) 상에 게이트 산화막(2) 및 언도프트 폴리실리콘층(3a)을 순차적으로 형성한다.
도 2b를 참조하면, 언도프트 폴리실리콘층(3a) 상에 제 1 감광막 패턴(4)을 형성하여 게이트 형성 예정 영역(G)의 일부분을 노출시킨다. 이후, 제 1 감광막 패턴(4)을 이온주입 마스크로 하여 p타입의 불순물로 저농도 이온주입을 실시해 언도프트 폴리실리콘층의 노출된 부분을 p- 폴리실리콘층(3b)으로 형성한다.
이때, 저농도 이온 주입 공정시 3E14 내지 2E15 atoms/cm2의 p타입 불순물을 주입한다.
도 2c를 참조하면, 제 1 감광막 패턴(4)을 제거한 후 제 2 감광막 패턴(5)을 형성하여 게이트 형성 예정 영역(G)을 가린다. 이때, 게이트 형성 예정 영역(G)에는 언도프트 폴리실리콘층(3a)과 p- 폴리실리콘층(3b)이 동일한 층(Layer)에 동시에 존재한다.
도 2d를 참조하면, 도 2c의 제 2 감광막 패턴(5)을 식각 마스크로 하는 식각 공정으로 언도프트 폴리실리콘층(3a) 및 p- 폴리실리콘층(3b)의 노출된 부분을 식각하여 제거하고, 제 2 감광막 패턴(5)을 제거한다.
도 2e를 참조하면, 저농도 불순물 이온주입 공정을 실시한 후 게이트 스페이서(6)를 형성하고, 다시 고농도 불순물 이온 주입 공정을 실시하여 LDD 소오스/드레인(7a 및 7b)을 형성하여 NMOS 트랜지스터를 제조한다.
이때, 고농도 이온 주입 공정시 1E15 내지 5E15 atoms/cm2의 불순물을 주입한다.
여기서, 저농도 불순물 이온 주입 및 고농도 불순물 이온 주입은 n타입의 불순물을 주입하며, 도 2d의 언도프트 폴리실리콘층(3a)과 p- 폴리실리콘층(3b)에도 고농도 불순물 이온 주입 공정이 실시된다. 고농도 불순물 이온 주입에 의하여, 언도프트 폴리실리콘층(3a)은 n+ 폴리실리콘층(3d)이 되며, p- 폴리실리콘층(3b)은 고농도의 n+ 불순물이 p- 불순물과 일부 상쇄되어 n- 폴리실리콘층(3c)이 된다. 이로써, 드레인(7b) 쪽에는 n- 폴리실리콘층(3c)이 형성되고, 소오스(7a) 쪽에는 n+ 폴리실리콘층(3d)이 형성됨으로써, n- 폴리실리콘층(3c) 및 n+ 폴리실리콘층(3d)으로 이루어져 드레인(7b)쪽의 불순물 농도가 낮은 게이트 전극(3)이 형성된다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 드레인 쪽의 게이트 전극의 불순물 농도를 낮추어 전기장을 저하시키고, 소자의 라이프 타임을 증가시켜 전기적 특성 및 수명을 향상시키는 효과가 있다.
Claims (4)
- 반도체 기판 상에 게이트 산화막 및 언도프트 폴리실리콘층을 형성하는 단계;상기 언도프트 폴리실리콘층 상에 게이트 전극 형성 예정 영역의 일부분을 노출시키는 제 1 감광막 패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 감광막 패턴을 이온 주입 마스크로 하여 상기 언도프트 폴리실리콘층의 노출된 영역에 p타입의 불순물을 저농도로 도핑하여 p- 폴리실리콘층으로 형성하는 단계;상기 제 1 감광막 패턴을 제거한 후 제 2 감광막 패턴을 형성하고, 상기 제 2 감광막 패턴을 식각 마스크로 하는 식각 공정을 실시하여 상기 언도프트 폴리실리콘층 및 상기 p- 폴리실리콘층을 게이트 전극의 형태로 패터닝하는 단계 및상기 제 2 감광막 패턴을 제거한 후 n타입의 불순물 이온 주입 공정으로 소오스 및 드레인을 형성함과 동시에 상기 소오스 쪽의 상기 언도프트 폴리실리콘층을 n+ 폴리실리콘층으로 형성하고, 상기 드레인 쪽의 상기 p- 폴리실리콘층을 n- 폴리실리콘층으로 형성하여 상기 n+ 폴리실리콘층 및 상기 n- 폴리실리콘층으로 이루어진 게이트 전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 소오스 및 드레인은 LDD 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 p타입 불순물 이온 주입 공정은 3E14 내지 2E15 atoms/cm2의 불순물을 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서상기 n타입 불순물 이온 주입 공정시 1E15 내지 5E15 atoms/cm2의 불순물을 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
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KR101124252B1 (ko) * | 2010-01-26 | 2012-03-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
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2000
- 2000-12-28 KR KR1020000084663A patent/KR20020055248A/ko not_active Application Discontinuation
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