KR20020053712A - 광 조사식 가열 장치의 광 조사부의 구조 및 광 조사식가열 장치 - Google Patents

광 조사식 가열 장치의 광 조사부의 구조 및 광 조사식가열 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20020053712A
KR20020053712A KR1020010075255A KR20010075255A KR20020053712A KR 20020053712 A KR20020053712 A KR 20020053712A KR 1020010075255 A KR1020010075255 A KR 1020010075255A KR 20010075255 A KR20010075255 A KR 20010075255A KR 20020053712 A KR20020053712 A KR 20020053712A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cooling
lamp
duct
light irradiation
cooling wind
Prior art date
Application number
KR1020010075255A
Other languages
English (en)
Inventor
스즈키신지
Original Assignee
다나카 아키히로
우시오덴키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다나카 아키히로, 우시오덴키 가부시키가이샤 filed Critical 다나카 아키히로
Publication of KR20020053712A publication Critical patent/KR20020053712A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)

Abstract

외장 표면의 온도가 높아지는 부분을 최대한 작게 하여, 냉각풍의 집중 흡기와 집중 배기를 가능하게 하는 것이다.
냉각풍을 받아들이는 덕트부(30)는 미러(5)의 배면측에 장치 외주를 둘러싸도록 설치되어 있고, 냉각풍은 덕트부(30)를 통해 램프(4)에 공급된다. 램프(4)를 냉각하여, 고온이 된 냉각풍은 미러(5)의 배면과 플레이트(10)에 의해 둘러싸인 덕트부(30)의 중공부(30a)에 모여, 배기 덕트(20)로부터 배기된다. 덕트부(30)가 장치 외주를 둘러싸도록 설치되어 있어, 고온이 된 냉각풍은 덕트부(30)의 중공부(30a)에 모여 배기되므로, 배기 덕트(20)의 부분을 제거하여, 장치 외주의 온도를 낮게 할 수 있다. 또, 냉각풍 취입구(30b)로부터 냉각풍을 받아들여, 배기구(20a)로부터 배기하는 구조이므로, 냉각풍의 집중 흡기와 집중 배기를 행하는 순환 냉각 시스템을 형성할 수 있다.

Description

광 조사식 가열 장치의 광 조사부의 구조 및 광 조사식 가열 장치{Structure of light illuminating unit in light illuminating type heating apparatus, and light illuminating type heating apparatus}
본 발명은 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 한다)를 성막, 확산, 어닐 등을 위해, 급속 가속·고온 유지·급속 냉각 처리하는 광 조사식 가열 장치의 광 조사부의 구조에 관한 것으로, 특히 램프를 냉각하는 냉각풍이 흐르는 부분의 구조 및 이 구조를 구비한 광 조사식 가열 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정의 광 조사식 가열 처리는 성막, 확산, 어닐 등, 넓은 범위에 걸쳐 행해지고 있다. 이와 같은 광 조사식 가열 장치에서, 램프의 각 부분을 적절한 온도로 냉각하기 위한 냉각 구조에 대해서 본 출원인이 먼저 제안한 특개 2000-114196호 공보에 개시되어 있다. 동 공보에는 고리 형상 램프를 이용한 장치에서, 램프의 발광관부의 냉각풍과, 램프의 시일부의 냉각풍을 바람 상자를 통해 배기하는 구조가 개시되어 있다.
도 5에 상기 공보에 기재된 냉각 구조를 도시한다.
동 도면에서, 석영창(9)에 의해 구분된 광 조사실(1) 내에는 웨이퍼 유지대(2)상에 가열 조사되는 웨이퍼(3)가 재치되어 있다. 이 웨이퍼(3)를 가열하는 광원부에는 각각 직경이 다른 다수의 고리 형상의 적외선을 포함하는 광을 조사하는 램프(4)가 동심원 형상으로 배치되어 있다. 5는 알루미늄 등의 금속 미러이고, 표면에는 적외선을 효율좋게 반사하는, 예컨대 금이 도금되어 있다. 미러(5)의 표면에는 동심원 형상의 홈과, 램프(4)의 도입관부(8)를 통하는 관통 구멍(6)이 설치되어 있고, 램프(4)의 형상은 그 홈에 끼워넣도록 설계되어 있다. 미러(5)는 램프(4)로부터의 광에 의해 고온이 되기 때문에, 미러(5)의 재질이나 표면의 도금의 내열 온도에 맞추어 수냉식 등의 냉각 구조가 설치된다.
상기 광 조사식 가열 장치에서, 웨이퍼(3)의 가열 처리는 웨이퍼를 800∼1200℃로 가열함으로써 행해진다. 따라서, 상기 미러(5)의 냉각에 더하여 램프(4)의 발광관부(7), 도입관부(8), 시일부(11) 등의 각부가 적절한 온도가 되도록 냉각할 필요가 있다. 이 때문에, 이하의 냉각 구조가 채용된다.
미러(5)의 배면을 플레이트(10)로 구분하여 냉각풍의 통로인 바람 상자(13)를 설치하고, 플레이트(10)의 배면을 커버(14)로 구분하여 커버실(15)을 설치한다. 커버실(15)에는 시일부(11)를 냉각하는 냉각풍의 취입구(17)가 설치된다. 또, 커버실(15)의 하부의 플레이트(10)에는 램프(4)의 시일부(11)와 도입관부(8)의 일부를 통과하는 관통 구멍(16)이 설치된다. 램프(4)의 도입관부(8)는 미러(5), 바람상자(13)를 관통하여, 시일부(11)가 커버실(15)까지 이르고 있다.
커버실(15)의 플레이트(10)에는 램프(4)의 도입관부(8)를 유지하여, 램프(4)를 고정하는 램프 유지 부재(18)나, 램프(4)의 리드선(19)과 램프 점등 전원으로부터의 배선을 접속하는 단자대(23) 등이 설치된다.
바람 상자(13)는 미러(5) 상부와 플레이트(10)에 끼워진 공동(空洞)으로, 바람 상자(13)의 한 쪽에는 배기 덕트(20)가 접속되고, 배기 덕트(20)는 배기 장치(배기 블로워)(21)에 접속된다. 또, 광 조사실(1)에는 램프(4)를 냉각하기 위한 냉각풍의 취입구(22)가 설치되어 있다.
램프(4)의 점등시, 상기 배기 블로워(21)를 동작시켜 바람 상자(13)를 배풍한다. 이에 따라, 에어가 외부로부터 냉각풍으로서 광 조사실(1)의 냉각풍 취입구(22)로부터 취입된다. 냉각풍은 도 5의 화살표로 도시한 바와 같이, 램프(4)의 표면으로부터 램프(4)와 미러(5)와의 극간으로 돌아 들어가면서 램프(4)를 냉각하고, 미러(5)의 도입관부(8)를 통하는 관통 구멍(6)을 통과하여 바람 상자(13)에 들어간다. 바람 상자(13)에 들어간 냉각풍은 배기 블로워(21)에 의해 이끌려 바람 상자(13)로부터 배기 덕트(20)를 통해 배기된다.
도 5에 도시한 광 조사식 가열 장치에서, 냉각풍은 램프 냉각 후, 100∼150℃가 된다. 이 때문에, 바람 상자(13)의 외장의 표면 온도도 그에 따라 고온이 된다. 상기 도 5에 도시한 장치에서는, 광 조사실측으로부터 미러(5), 바람 상자(13), 커버실(15)의 계층 구조로 되어 있고, 바람 상자(13)의 외장은 그대로장치의 외장이 된다. 따라서, 바람 상자(13)에 닿는 부분(도 5의 사선 부분)의 표면은 장치 전체 둘레에 걸쳐 고온이 된다.
반도체 제조 공정의 장치를 비롯하여, 각종 장치에는 각국 회사에서 엄격한 안전 기준이 설치되어 있다. 예컨대, 표면 온도가 60℃를 넘는 경우, 장치를 취급하는 작업자가 직접 닿지 않도록 방호책(防護柵)이나 커버를 다중으로 설치하지 않으면 안 된다. 따라서, 고온의 부분이 많은 장치는 그에 따라 방호책이나 커버가 필요하게 되어, 그만큼 장치가 대형화하여 비용이 상승하게 된다.
또, 최근 웨이퍼의 구경이 점점 대형화하고 있는데, 광 조사식 가열 장치에서도 그에 대응하여 램프의 개수나, 개개의 램프에 투입하는 에너지도 크게 할 필요가 있다. 따라서, 램프를 냉각하기 위한 냉각풍의 풍량도 많이 필요해진다. 예컨대, 200∼300mmφ의 웨이퍼에 대응하는 경우, 광 조사식 가열 장치는 10∼20㎥/분의 램프 냉각풍이 필요하게 된다.
또, 반도체 제조 장치는 고온, 습도, 먼지량이 엄격하게 관리된 클린 룸에 배치된다. 장치를 이동하면, 램프 냉각풍으로서 상기와 같이 관리된 클린 에어를 냉각풍으로 하여, 대량으로 소비하게 되어, 제조 비용의 상승으로 이어진다. 따라서, 반도체 공장에서는, 장치의 냉각용은 배기를 냉각하여 다시 냉각풍으로 사용하는 순환 냉각 방식을 채용하는 것이 요망되고 있다.
순환 냉각 방식을 채용하기 위해서는 집중 흡기와 집중 배기가 행해지는 장치 구조로 하지 않으면 안 된다. 그러나, 도 5에 도시한 종래의 장치는 집중 흡기가 아니라, 광 조사실의 주위로부터 냉각풍을 둘러싸도록 하고 있으므로, 순환 냉각 방식을 채용하는 것이 곤란하다.
도 1은 본 발명의 실시예의 광 조사식 가열 장치의 광 조사부의 구조를 도시한 도면,
도 2는 도 1에 도시한 광 조사부의 냉각풍의 흐름을 설명하는 도면,
도 3은 도 1에 도시한 광 조사부에 배기된 냉각풍을 재이용하는 순환 냉각 시스템을 부착한 도면,
도 4는 본 발명의 실시예의 광 조사부의 변형예를 도시한 도면,
도 5는 종래의 냉각 구조를 도시한 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 광 조사부 2 : 웨이퍼 유지대
3 : 웨이퍼 4 : 램프
5 : 미러 5a : 냉각풍 취출구
6 : 미러의 관통 구멍 7 : 발광관부
8 : 도입관부 9 : 석영창
10 : 플레이트 11 : 시일부
13 : 바람 상자 14 : 커버
15 : 커버실 16 : 플레이트의 관통 구멍
17 : 냉각풍의 취입구 20 : 배기 덕트
20a : 배기구 21 : 배기 블로워
23a, 23b : 덕트 24 : 열 교환기
25 : 댐퍼 30 : 덕트부
30a : 중공부 30b : 냉각풍 취입구
30c : 냉각풍 취출구 30d : 절결부
본 발명은 상기 사정을 고려하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 램프를 냉각하여 고온이 된 냉각풍이 통과하기 위해 외장 표면의 온도가 높아지는 부분이, 가능한 한 장치 표면에 없도록 하는 동시에, 집중 흡기와 집중 배기가 가능한 광 조사식 가열 장치의 광 조사부의 구조 및 광 조사식 가열 장치를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해, 광 조사식 가열 장치의 광 조사부를 이하와 같은 구조로 한다.
광 조사실에 배치된 램프의 발광관부의 배후에 발광관부로부터의 광을 반사하고, 또 램프의 도입관부와 시일부가 통하는 관통 구멍을 가지는 미러와, 미러의 배면측에 설치되어, 중공부를 가지고 램프에 대해 냉각풍을 공급하는 도넛형의 덕트부와, 덕트부상에 배치하여 램프의 시일부가 통하는 관통 구멍을 가지는 플레이트로 구성한다.
상기 덕트부는 냉각풍 취입구로부터 냉각풍을 받아들여, 광 조사실과 덕트부간에 설치된 개구부로부터 램프에 냉각풍을 공급한다. 램프의 발광관부를 냉각한 냉각풍은, 상기 미러의 관통 구멍을 통해, 미러 배면과, 덕트부의 중공부와, 플레이트에 의해 둘러싸인 공간을 통해, 배기 덕트에 설치된 배기구로부터 배기된다.
상기 구조에서는 냉각풍을 취입하는 덕트부는 미러의 배면측에 장치 외주를 둘러싸도록 설치되어 있고, 냉각풍은 이 덕트부를 통해 램프에 공급된다. 이 때문에, 덕트부의 외장 표면 온도는 취입된 냉각풍과 동일 온도이다.
또, 램프를 냉각하여, 고온이 된 냉각풍은 상기 미러 배면과 플레이트에 의해 둘러싸인 덕트부의 중공부에 모여, 배기 덕트로부터 배기된다.
따라서, 장치 표면에서 고온이 된 부분은 이 배기 덕트의 부분뿐이다. 이 부분만이 고온이 되면, 예컨대 커버 등을 설치해도 그 정도로 대형화하지 않아, 비용 상승을 피할 수 있다.
또, 덕트부에 설치한 냉각풍 취입구로부터 냉각풍을 받아들여, 배기 덕트에 설치한 배기구로부터 배기하므로, 배기를 냉각풍으로서 재이용하는 순환 냉각 시스템을 용이하게 구축할 수 있다.
(실시형태)
도 1에 본 발명의 실시예의 광 조사식 가열 장치의 광 조사부의 구조를 도시한다. 또, 동 도면은 분해 사시도이고, 조립시에 각부의 a, b, c, d, e점이 일치한다.
동 도면에서, 상기 도 5에 도시한 것과 동일한 것에는 동일 부호가 붙여져 있고, 4는 램프, 5는 미러, 10은 플레이트이고, 미러(5)와 플레이트(10)의 사이에 중공부(30a)를 가지는 도넛 형상의 덕트부(30)가 설치된다.
또, 도 1에서는 구성의 개요를 알기 쉽게 도시하기 위해, 각 부분을 고정하기 위한 나사와, 가는 고정 부재 등은 모두 생략하고 있다. 또, 플레이트(10)의 상부에는, 상기 도 5에 도시한 것과 마찬가지로, 램프(4)에 전기를 공급하는 단자대 등이 부착되고, 또 커버가 설치되어 커버실을 형성하는데, 이것도 생략하고 있다. 또, 도 1의 램프(4)보다 아래는 상기 도 5에 도시한 광 조사실(1)이다.
램프(4)는 고리 형상의 발광관부(7)를 가지는 필라멘트 램프이며, 발광관부(7)에 대해 도입관부(8)가 수직으로 설치되고, 그 단부에는 리드선을 접속하는 시일부(11)가 설치되어 있다.
미러(5)에는 관통 구멍(6)이 설치되어 있고, 이 관통 구멍(6)에 램프(4)의 시일부(11) 및 도입관부(8)를 통해, 램프(4)를 미러(5)에 고정한다. 미러(5)의 램프측은 미러면으로, 램프(4)의 고리 형상에 맞춘 홈이 만들어지는데, 도 1에서는 생략하고 있다. 또, 도 1에서는 램프의 개수를 두 개로 생략하고 있지만, 실제로는 처리 웨이퍼의 크기에 따라 십수개에서 수십개 사용한다.
덕트부(30)는 상기한 바와 같이 모두 도넛형이고 중공부(30a)를 가진다. 미러(5)는 덕트부(30)의 하측에 부착된다. 덕트부(30)에는 냉각풍 취입구(30b)가 두 지점 설치되어 있어, 냉각풍이 취입된다. 덕트부(30)의 미러(5)가 부착된 부분에는 다수의 냉각풍의 취출구(30c)가 설치된다. 또, 미러(5)에는 덕트부(30)의 상기 냉각풍의 취출구(30c)에 대응하여, 관통하는 냉각풍 취출구(5a)가 설치되어 있고, 램프(4) 등을 냉각하는 냉각풍은 덕트(30)로부터 상기 취출구(30c), 취출구(5a)를 통해 광 조사실에 공급된다.
덕트부(30)의 상부에는 플레이트(10)가 부착된다. 이 플레이트(10)에 의해, 덕트부(30) 내부는 냉각풍 취입구(30b)와 냉각풍 취출구(30c)를 제외하고 막혀져 있다. 램프(4)의 시일부(11)는 플레이트(10)의 관통 구멍(16)을 관통한다.
또, 상기한 바와 같이, 플레이트(10)의 위에는 램프(4)에 전기를 공급하는 단자대, 배선, 또 램프의 시일부(11)를 유지 고정하는 부재가 배치된다. 또, 플레이트(10)에는 도시하지 않은 커버가 씌워져, 커버실을 형성한다.
덕트부(30)의 중공부(30a)는 하측을 미러(5)의 배면에 상측을 플레이트(10)의 하면에 의해 막혀 폐공간을 형성한다. 단, 이 중공부(30a)의 두 개의 냉각풍 취입구(30b) 사이에 닿는 위치에는 절단부가 30d이고, 거기에 배기 덕트(20)가 접속된다.
다음에, 도 1의 냉각풍의 흐름을 설명한다.
냉각풍은 덕트부(30)의 두 지점의 냉각풍 취입구(30b)로부터 덕트부(30) 내부로 취입된다. 덕트부(30) 내부의 냉각풍은 다수의 냉각풍 취출구(30c)로부터 미러(5)의 냉각풍 취출구(5a)를 통해, 광 조사실(미러면측)로 취출된다.
취출한 냉각풍은 램프(4)의 발광관부(8)를 냉각하여, 미러면에 설치된 홈을 따라 흘러, 미러(5)의 램프 도입관부(8) 및 시일부(11)가 관통하는 관통 구멍(6)으로부터 상하가 미러(5) 배면과 플레이트(10)에 의해 둘러싸인 중공부(30a)로 취입된다.
상기 중공부(30a)로 취입된 고온의 냉각풍은 중공부(30a)의 절결부(30d)로부터 배기 덕트(20)를 통해 배기구(20a)로부터 장치 밖으로 배기된다. 또, 도시하지 않았지만, 배기구(20a)에는 덕트를 통해 배기 블로워가 접속되어 있다.
도 2에 도 1에 도시한 상기 광 조사부의 구조의 냉각풍의 흐름을 도시한다. 도 2(a)는 도 1의 A부의 단면도를 도시하고, 도 2(b)는 B부의 단면도를 도시한다. 또, 도 2에서는 미러(5)의 하부에 도 1에는 도시하지 않았던 석영창(9), 웨이퍼(3), 또 플레이트(10)의 상부에 커버(14), 커버실(15) 등을 도시했지만, 상기 도 5에 도시한 유지 부재(18), 리드선(19), 단자대(23) 등은 생략한다.
도 2(a)의 A부 단면에서는 주로 냉각풍의 배기의 통로를 도시하고, 또 도 2(b)의 B부 단면에서는 주로 냉각풍의 취입 통로를 도시한다.
먼저, 도 2(a)에 의해 취입된 냉각풍의 광 조사실로의 취출 및 배기에 대해서 설명한다.
도 2(a)에서 덕트부(30)로 취입된 냉각풍은, 덕트부(30)의 바닥부에 설치된 냉각풍 취출구(30c)(도 1 참조), 미러(5)에 설치된 냉각풍 취출구(5a)를 통해 광 조사실측으로 취출하여 램프(4)의 발광관부(7)를 냉각하여, 미러(5)의 관통 구멍(6)을 통해 중공부(30a)에 취입된다.
덕트부(30)의 중공부(30a)에는, 도 1에 도시한 바와 같이 절결부(30d)가 설치되어 있어, 하측을 미러(5)의 배면에, 상층을 플레이트(10)에 의해 막힌 배기용의 통풍로가 형성되어 있다. 중공부(30a)로 취입된 고온의 냉각풍은 이 배기용의 통기로를 통해 배기 덕트(20)의 배기구(20a)로부터 배기된다.
또, 램프(4)의 시일부(11)를 냉각하는 냉각풍은, 상기 도 5에 도시한 것과 마찬가지로, 플레이트(10)의 상부에 설치한 커버(14)의 냉각풍 취입구(17)로부터 취입되어, 플레이트(10)의 시일부가 관통하는 관통 구멍(16)으로부터 중공부(30a)로 흡인된다. 또, 플레이트(10)를 수냉 플레이트로 한 경우에는, 반드시 커버(14)에 상기 냉각풍 취입구(17)를 설치할 필요는 없다.
다음에, 도 2(b)에 의해 광 조사실로의 냉각풍의 급기에 대해서 설명한다.
도 2(b)에서 냉각풍은 냉각풍의 취입구(30b)로부터 덕트부(30)로 취입된다.덕트부(30)로 취입된 냉각풍은 냉각풍 취출구(30c, 5a)로부터 광 조사실측으로 취출하여, 램프(4)를 냉각한다. 램프(4)를 냉각한 냉각풍은 도 2(a)에서 설명한 바와 같이, 중공부(30a)로 취입되어 배기 덕트(20)의 배기구(20a)로부터 배기된다.
이상 설명한 바와 같이, 램프(4)를 냉각한 고온의 냉각풍이 흐르는 중공부(30a)는 주위를 온도가 낮은 냉각풍이 취입된 덕트부(30)로 둘러싸여 있다. 또, 중공부(30a)의 상면은 플레이트(10)를 통해 커버실(15)이 설치되고, 커버실(15)의 온도도 실온과 대략 동일해진다. 또, 중공부(30a)의 하면은 수냉되어 있는 미러(5)이다. 따라서, 장치 외주에서 온도가 높은 부분을 작게할 수 있다.
장치 표면에서, 배기 덕트(20)의 부분만이 고온이 된다. 따라서, 이 부분만이면, 커버를 설치해도, 종래만큼 장치가 대형화하지도 않아, 비용 상승을 피할 수 있다.
도 3은 상기 장치에서, 장치로부터 배기된 냉각풍을 냉각풍으로 재이용하는 순환 냉각 시스템을 부착한 도면이다.
도 3에서, 덕트부(30)의 냉각풍 취입구(30b), 및 배기구(20a)에 각각 덕트(23a, 23b)를 부착한다.
램프를 냉각한 고온의 냉각풍은 배기 블로워(21)에 의해 배기구(20a)로부터 광 조사 장치 밖으로 배기된다. 배기구(20a)로부터 배기된 고온의 냉각풍은 덕트(23b)를 통해 열 교환기(24)로 취입되고, 여기에서 실온 정도로까지 냉각되어, 배기 블로워(21)로 보내어진다. 배기 블로워(21)로부터 배기된 냉각풍은덕트(23a)를 통해 냉각풍 취입구(30b)로 보내어져, 다시 냉각풍으로 사용된다.
또, 상기한 바와 같이 커버실(15)의 냉각풍 취입구(17)로부터 시일부(11)를 냉각하기 위해, 순환 냉각 시스템으로 취입되는 냉각풍에 대해서는, 그만큼 댐퍼(25)를 통해 배기 블로워(21)의 출구측에 설치한 배기구(26)로부터 강제 배기하여, 냉각 풍량이나 풍압을 조정한다. 시일부(11)의 냉각에는 클린 에어를 사용하지만, 필요로 되는 풍량은 작아도 되므로, 배기해도 큰 비용 상승은 되지 않는다.
또, 상기한 플레이트(10)는 수냉 파이프를 메우는 수냉 플레이트이어도 좋다. 수냉 플레이트로 함으로써, 고온의 냉각풍이 접하는 플레이트의 온도를 낮추고, 또 장치의 외장 표면 온도를 낮게 할 수 있다. 또, 플레이트(10)를 수냉 플레이트로 한 경우에는, 반드시 커버실(15)의 냉각풍 취입구(17a)로부터 클린 에어를 취입하지 않아도 좋다.
한편, 플레이트(10)를 수냉하지 않은 경우는 중공부(30a)로 흡인된 고온의 냉각풍에 의해, 플레이트(10)의 온도가 높아진다. 따라서, 장치 표면에 노출하는 고온 부분을 작게 하기 위해서는, 커버(14)를 설치할 필요가 있다. 또, 커버 내부는 상기한 바와 같이 시일부(11)를 수냉하기 위한 냉각풍이 흡인되므로, 커버 표면 온도는 낮아진다.
도 4에 도 1의 변형예를 도시한다. 동 도면에서, 상기 도 1에 도시한 것과 동일한 것에는 동일한 부호가 부여되고, 도 1의 것과의 차이점은 미러(5)가 원판 형상으로, 덕트부(30)의 중공부(30a)에 끼워지도록 되어 있는 점이다.
이 때문에, 미러(5)에는 냉각풍 취출구(5a)는 설치되지 않아, 덕트부(30)로부터의 냉각풍은 덕트부(30)의 바닥면에 설치된 냉각풍 취출구(30c)로부터 광 조사실측으로 불어낸다.
그 이외의 구조 및 냉각풍의 취입, 배기는 도 1에 도시한 것과 동일하고, 도 1에 도시한 것과 마찬가지로, 배기 덕트(20)의 부분을 제외하고, 장치 표면의 온도를 낮게 억제할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에서는 이하의 효과를 얻을 수 있다.
(1) 광 조사식 가열 장치의 광 조사부 구조에서, 냉각풍이 취입된 덕트부를 램프를 냉각한 고온의 냉각풍이 흐르는 바람 상자가 둘러싸도록 설치했으므로, 장치 외주에서 온도가 높은 부분을 작게 할 수 있다. 이 때문에, 장치의 안전성을 높일 수 있어, 장치의 대형화, 비용 상승을 방지할 수 있다.
(2) 냉각풍 취입구로부터 냉각풍을 받아들여, 배기구로부터 배기하도록 했으므로, 순환 냉각 시스템의 구축을 용이하게 할 수 있다. 이 때문에, 클린 에어를 대량으로 소비하지 않고, 램프를 냉각할 수 있어, 제조 비용을 저하시킬 수 있다.

Claims (2)

  1. 발광관부와, 발광관부의 단부에 설치된 도입관부와 시일부로 이루어진 다수의 램프를 광 조사실에 배치한 광 조사식 가열 장치의 광 조사부의 구조에서,
    램프의 발광관부의 배후에 설치되어, 발광관부로부터의 광을 반사하고, 또 램프 도입부 및 시일부가 통하는 관통 구멍을 가지는 미러와,
    상기 미러의 상부에 설치되어, 상기 램프에 대해 냉각풍을 공급하는 중공부를 가지는 덕트부와,
    상기 덕트부의 상부에 설치되어, 상기 램프의 시일부가 통하는 관통 구멍을 가지는 플레이트를 구비하고,
    상기 램프를 냉각하는 냉각풍은, 상기 덕트부를 통해, 이 덕트부에 설치된 냉각풍 취출구로부터 광 조사부실에 취출되고, 상기 램프의 발광관부를 냉각하여, 상기 미러의 관통 구멍으로부터 미러와 덕트부와 플레이트에 의해 둘러싸인 상기 덕트부의 중공부를 통해, 광 조사식 가열 장치의 외부로 배기되는 것을 특징으로 하는 광 조사식 가열 장치의 광 조사부의 구조.
  2. 제1항의 구조를 가지는 광 조사부를 구비한 광 조사식 가열 장치에 있어서,
    광 조사식 가열 장치의 외부로 배기된 냉각풍은 열 교환기에 의해 냉각되고, 다시 냉각풍으로서, 상기 덕트부에 도입되는 순환 냉각 시스템이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 광 조사식 가열 장치.
KR1020010075255A 2000-12-27 2001-11-30 광 조사식 가열 장치의 광 조사부의 구조 및 광 조사식가열 장치 KR20020053712A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000397555A JP2002198321A (ja) 2000-12-27 2000-12-27 光照射式加熱装置の光照射部の構造及び光照射式加熱装置
JPJP-P-2000-00397555 2000-12-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020053712A true KR20020053712A (ko) 2002-07-05

Family

ID=18862669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010075255A KR20020053712A (ko) 2000-12-27 2001-11-30 광 조사식 가열 장치의 광 조사부의 구조 및 광 조사식가열 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20020079798A1 (ko)
EP (1) EP1220300A2 (ko)
JP (1) JP2002198321A (ko)
KR (1) KR20020053712A (ko)
TW (1) TW546711B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4969732B2 (ja) * 2001-03-14 2012-07-04 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、熱処理装置及びランプ冷却方法
JP4720154B2 (ja) * 2004-11-19 2011-07-13 ウシオ電機株式会社 フラッシュランプ発光装置
JP5920188B2 (ja) * 2012-11-26 2016-05-18 信越半導体株式会社 加熱装置
JP6299635B2 (ja) * 2015-03-12 2018-03-28 信越半導体株式会社 気相成長装置及び気相成長装置に用いるリフレクタ
JP6785848B2 (ja) * 2015-12-30 2020-11-18 マトソン テクノロジー インコーポレイテッドＭａｔｔｓｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ． ミリ秒アニールシステムのためのガスフロー制御

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002198321A (ja) 2002-07-12
TW546711B (en) 2003-08-11
EP1220300A2 (en) 2002-07-03
US20020079798A1 (en) 2002-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100430947B1 (ko) 가열장치및열처리장치
KR100343911B1 (ko) 광학 장치
US4511788A (en) Light-radiant heating furnace
US4922385A (en) Cooled lighting apparatus and method
JPH071374B2 (ja) 光源装置
KR20020090987A (ko) 급속열처리 장치의 히터모듈
KR20020053712A (ko) 광 조사식 가열 장치의 광 조사부의 구조 및 광 조사식가열 장치
KR100331673B1 (ko) 웨이퍼플라즈마프로세서용이중윈도우배기장치
WO2022146060A1 (ko) 레이저 발광 소자를 이용한 기판 열처리 장치
US11311905B2 (en) Ultraviolet curing device and control method thereof
KR20000017153A (ko) 광조사식 가열장치의 냉각구조
KR100439276B1 (ko) 급속열처리 장치
JP5169106B2 (ja) 光照射式加熱処理装置
JP2000306857A (ja) 光照射式加熱処理装置
CN113280285A (zh) 一种光源散热系统及具有其的舞台灯
JP2000114196A (ja) 光照射式加熱装置の冷却構造
JP5648734B1 (ja) 光照射装置
JP2001196323A (ja) 光照射式加熱処理装置のランプユニット
CN220489100U (zh) 一种摇头灯光源内部散热装置
CN118431120B (zh) 热处理模块、工艺处理设备及半导体装置
JPH0523581A (ja) 紫外線照射装置
CN215489266U (zh) 一种光源散热系统及具有其的舞台灯
WO2022145875A1 (ko) 레이저 발광 소자를 이용한 기판 열처리 장치
CN210179389U (zh) 一种散热系统及具有所述散热系统的舞台灯
JP7332983B2 (ja) 光源装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid