KR20020050894A - 피에조 어레이의 균일한 표면 및 최대 변위 구현방법 - Google Patents

피에조 어레이의 균일한 표면 및 최대 변위 구현방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20020050894A
KR20020050894A KR1020000080128A KR20000080128A KR20020050894A KR 20020050894 A KR20020050894 A KR 20020050894A KR 1020000080128 A KR1020000080128 A KR 1020000080128A KR 20000080128 A KR20000080128 A KR 20000080128A KR 20020050894 A KR20020050894 A KR 20020050894A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
array
piezo
piezo array
membrane
uniform surface
Prior art date
Application number
KR1020000080128A
Other languages
English (en)
Inventor
민동훈
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1020000080128A priority Critical patent/KR20020050894A/ko
Publication of KR20020050894A publication Critical patent/KR20020050894A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/06Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/872Interconnections, e.g. connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/875Further connection or lead arrangements, e.g. flexible wiring boards, terminal pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)

Abstract

본 발명은 프로젝션 엔진에서 사용되는 반도체 처리기술 분야에 적용되어 피에조 어레이(piezo. array)의 상부를 모두 연결하지 않고 상부의 공통부분(common)을 잡아 멤브레인(membrane)에 의한 변위감소 및 표면의 균일성을 개선하는 피에조 어레이(piezo. array)의 균일한 표면 및 최대 변위 구현방법에 관한 것으로서, 어레이(array)의 에지(edge) 일부에 스텝(step)형의 비아 홀(hole)을 형성하고, 이를 통해 상부 전극을 하부로 끌어내리고, 이를 에어 갭(air gap)에 형성되는 금속 라인(metal line)을 통해 모두 연결하고 공통부분(common)으로 설정하는 것이다.

Description

피에조 어레이의 균일한 표면 및 최대 변위 구현방법{Embodiment method for uniform surface and maximum displacement of piezo. array}
본 발명은 피에조 어레이(piezo. array)의 균일한 표면 및 최대 변위 구현방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 프로젝션 엔진에서 사용되는 반도체 처리기술 분야에 적용되어 피에조 어레이(piezo. array)의 상부를 모두 연결하지 않고 상부의 공통부분(common)을 잡아 멤브레인(membrane)에 의한 변위감소 및 표면의 균일성을 개선하는 피에조 어레이(piezo. array)의 균일한 표면 및 최대 변위 구현방법에 관한 것이다.
일반적으로, 피에조 어레이(piezo. array)의 변위는 최대로 하여 기기의 성능을 향상시키고자 하는 노력이 계속되고 있다.
또한, 기기의 반복적인 구동에 따라 어레이의 균일성이 저하되는데, 이와 같이 균일성이 저하되는 것을 해결하기 위한 노력이 진행중이다. 또한, 기기의 사용에 따라 이미지 디그리데이션(image degradation) 및 표면 랜덤 스캐터링(surface random scattering)을 방지하기 위한 노력이 진행중이다.
한편, 피에조 어레이(piezo. array)의 상부 공통부분(common)을 위해 사용되는 멤브레인(membrane) 층의 반복구동에 따른 피로(fatigue) 현상 및 랜덤 스캐터링(random scattering)에 따른 콘트라스트(contrast) 저하 및 비균일한 표면이 되는 것을 방지하기 위하여 멤브레인(membrane) 없이 상부 공통부분(common)을 잡는 방법이 제시되고 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 피에조 어레이(piezo. array)의 구성을 설명하기 위한 단면도이다.
상기 첨부도면 도 1을 참조하면, 종래 기술에서는 피에조 어레이(piezo. array)의 상부 공통부분(common)을 위해 모든 어레이의 상부를 멤브레인(membrane;4)으로 연결하였다.
도 1에서와 같이 피에조 어레이(piezo. array)가 인가되는 전기적 신호에 의해 반복적으로 구동을 하게 되면 브리지 영역(bridge area)으로 표시된 영역은 피로(fatigue) 현상이 발생하여 상부 공통부분(common)이 끊어질 확률이 높게 되는 문제점이 발생된다.
또한, 반복 구동에 대한 멤브레인(membrane)의 변형이 완전히 복구되지 않고 남아있게 되어 신호가 인가되지 않는 상황에서도 미러 표면(mirror surface)의 평탄도(flatness)가 변형되고 그 부분에서 랜덤 스캐터링(random scattering)이 생겨 콘트라스트(contrast)가 떨어지는 현상이 발생되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 피에조 어레이(piezo. array)의 상부를 모두 연결하지 않고 상부의 공통부분(common)을 잡아 멤브레인(membrane)에 의한 변위감소 및 표면의 균일성을 개선하는 피에조 어레이(piezo. array)의 균일한 표면 및 최대 변위 구현방법을 제공하는데 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 피에조 어레이(piezo. array)의 구성을 설명하기 위한 단면도.
도 2는 본 발명에 의한 피에조 어레이(piezo. array)의 구성을 설명하기 위한 단면도.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 어레이(array)의 에지(edge) 일부에 스텝(step)형의 비아 홀(hole)을 형성하고, 이를 통해 상부 전극을 하부로 끌어내리고, 이를 에어 갭(air gap)에 형성되는 금속 라인(metal line)을 통해 모두 연결하고 공통부분(common)으로 설정하는 것을 특징으로 하는 피에조 어레이(piezo. array)의 균일한 표면 및 최대 변위 구현방법을 제공한다.
이때, 본 발명의 부가적인 특징에 따르면, 상기 상부 전극은 하부 전극과 절연(isolation) 되는 것이 바람직하다.
본 발명의 상술한 목적과 여러 가지 장점은 이 기술 분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 후술되는 발명의 바람직한 실시예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 기술하고자 한다.
도 2는 본 발명에 의한 피에조 어레이(piezo. array)의 구성을 설명하기 위한 단면도이다.
상기 첨부도면 도 2를 참조하면, 어레이의 에지(edge) 일부에 스텝(step)형의 비아 홀(hole)을 형성하고, 이를 통해 상부 전극(15)을 하부로 끌어내리고, 이를 에어 갭(air gap)에 형성되는 금속 라인(metal line)(16)을 통해 모두 연결하고 공통부분(common)으로 설정한다.
이때, 상기 상부 전극(15)은 하부 전극(12)과 반드시 절연(isolation)시켜야 한다.
상기와 같은 구성을 통해 멤브레인(membrane;14)의 피로(fatigue) 현상에 의한 표면의 평탄도(surface flatness)를 개선할 수 있게 된다.
또한, 미러 어레이(mirror array)의 에지(edge) 부분 및 평탄(flat)하지 않은 표면(surface)에서 생기는 랜덤 스캐터링(random scattering)에 의한 이미지 퀄리티(image quality)의 저하를 방지할 수 있게 된다.
또한, 멤브레인(membrane;14)에 의해 구동시 피에조 매트리얼(piezo. meterial)의 변위 홀딩 효과(holding effect)를 해소할 수 있게 된다.
이상의 설명에서 본 발명은 특정의 실시 예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 특허청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 개조 및 변화가 가능하다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 피에조 어레이(piezo. array)의 균일한 표면 및 최대 변위 구현방법은 피에조 어레이의 상부를 모두 연결하지 않고 상부의 공통부분(common)을 잡음으로써 멤브레인(membrane)에 의한 변위감소 및 표면의 균일성을 개선하게 되고, 미러 어레이(mirror array)의 에지(edge) 부분 및 평탄(flat)하지 않은 표면(surface)에서 생기는 랜덤 스캐터링(random scattering)에 의한 이미지 퀄리티(image quality)의 저하를 방지할 수 있게 되는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 어레이(array)의 에지(edge) 일부에 스텝(step)형의 비아 홀(hole)을 형성하고, 이를 통해 상부 전극을 하부로 끌어내리고, 이를 에어 갭(air gap)에 형성되는 금속 라인(metal line)을 통해 모두 연결하고 공통부분(common)으로 설정하는 것을 특징으로 하는 피에조 어레이(piezo. array)의 균일한 표면 및 최대 변위 구현방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 전극은 하부 전극과 절연(isolation) 된 것을 특징으로 하는 피에조 어레이(piezo. array)의 균일한 표면 및 최대 변위 구현방법.
KR1020000080128A 2000-12-22 2000-12-22 피에조 어레이의 균일한 표면 및 최대 변위 구현방법 KR20020050894A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000080128A KR20020050894A (ko) 2000-12-22 2000-12-22 피에조 어레이의 균일한 표면 및 최대 변위 구현방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000080128A KR20020050894A (ko) 2000-12-22 2000-12-22 피에조 어레이의 균일한 표면 및 최대 변위 구현방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020050894A true KR20020050894A (ko) 2002-06-28

Family

ID=27684523

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000080128A KR20020050894A (ko) 2000-12-22 2000-12-22 피에조 어레이의 균일한 표면 및 최대 변위 구현방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20020050894A (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960026999A (ko) * 1994-12-12 1996-07-22 무라따 야스따까 압전체 소자 및 이의 제조방법
JPH0955998A (ja) * 1995-08-17 1997-02-25 Motorola Inc 結合強化薄膜圧電アレイおよび製造方法
JPH0984193A (ja) * 1995-09-07 1997-03-28 Denso Corp 複合圧電材の製造方法
KR19990070321A (ko) * 1998-02-19 1999-09-15 이형도 마이크로 엑츄에이터 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960026999A (ko) * 1994-12-12 1996-07-22 무라따 야스따까 압전체 소자 및 이의 제조방법
JPH0955998A (ja) * 1995-08-17 1997-02-25 Motorola Inc 結合強化薄膜圧電アレイおよび製造方法
JPH0984193A (ja) * 1995-09-07 1997-03-28 Denso Corp 複合圧電材の製造方法
KR19990070321A (ko) * 1998-02-19 1999-09-15 이형도 마이크로 엑츄에이터 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6518079B2 (en) Separation method for gallium nitride devices on lattice-mismatched substrates
US6947195B2 (en) Optical modulator, optical modulator manufacturing method, light information processing apparatus including optical modulator, image formation apparatus including optical modulator, and image projection and display apparatus including optical modulator
EP2222417B1 (en) Collapsed mode operable cmut including contoured substrate
US6426582B1 (en) Micromechanical, capacitative ultrasound transducer and method for the manufacture thereof
US7717311B2 (en) Method for dividing substrate and method for manufacturing substrate using such method
US20010005213A1 (en) Ink jet head, method for producing the same, and ink jet type recording apparatus
US7504679B2 (en) Enhancement mode GaN FET with piezoelectric gate
US20220037555A1 (en) Micro light emitting diode, array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate
JPH0677185A (ja) 半導体ウエハの研磨用パッド及び研磨方法
KR20020050894A (ko) 피에조 어레이의 균일한 표면 및 최대 변위 구현방법
US20170148820A1 (en) Array Substrate And Method of Manufacturing the Same, And Display Apparatus
JP2003332689A (ja) リッジ状導波半導体レーザの自己位置合わせ式製造方法
KR100773723B1 (ko) 플라즈마 처리장치
JPS62277730A (ja) 半導体製造装置
KR102138465B1 (ko) 선형 요철 구조를 포함한 압전 소자를 이용한 스피커
JP6226113B1 (ja) 半導体装置
CN109148519B (zh) 显示面板及显示装置
US10782454B2 (en) Black matrix layer having micro-grooves, display substrate, and display apparatus
JP2024072003A (ja) 半導体装置の製造方法
KR0159401B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조방법
KR0159414B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조방법
JP2693882B2 (ja) 反応性イオンエッチング装置
JPH04100255A (ja) 半導体製造装置
JP2003161953A (ja) 液晶表示装置の製造方法
KR950005003A (ko) 투사형화상표시장치용 광로조절장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application