KR0159414B1 - 광로 조절 장치의 제조방법 - Google Patents

광로 조절 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광로 조절 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 멤브레인을 형성한 후 멤브레인에 Z축 방향으로 그루브를 형성한다. 그리고, 멤브레인의 표면에 하부전극을 형성하고, 하부전극의 상부에 그루브를 채우도록 변형부를 형성하고, 상부전극 및 보호막을 순차적으로 형성한 후 각각의 식각 마스크를 사용하여 액츄에이터를 분리한다. 따라서, 멤브레인에 그루브를 형성하여 멤브레인을 다수개로 분리하여 멤브레인 내부의 압축응력을 최소화함으로써 액츄에이터의 휨을 방지할 수 있다.

Description

광로 조절 장치의 제조방법
제1a도 내지 제1d도는 종래 기술에 따른 광로 조절 장치의 제조 공정도.
제2a도 내지 제2d도는 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제조 공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
51 : 구동기판 53 : 패드
55 : 희생막 57 : 멤브레인
58 : 개구 59 : 플러그
60 : 그루브 61 : 하부전극
63 : 변형부 65 : 상부전극
67 : 보호막 69 : 에어갭
80 : 액츄에이터
본 발명은 투사형 화상 표시장치에 이용되는 광로 조절 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 멤브레인의 상부와 하부의 밀도차에 의한 압축응력을 최소화할 수 있는 광로 조절 장치의 제조방법에 관한 것이다.
화상 표시장치는 표시방법에 따라, 직시형 화상 표시장치와 투사형 화상 표시장치로 구분된다.
직시형 화상 표시장치는 CRT(Cathode Ray Tube)등이 있는데, 이러한 CRT 화상 표시장치는 화질은 좋으나, 화면이 커짐에 따라 중량 및 두께의 증대와, 가격이 비싸지는 등의 문제점이 있어 대화면을 구비하는데 한계가 있다.
투사형 화상 표시장치는 대화면 액정표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 'LCD'라 칭함)등이 있는데, 이러한 대화면 LCD의 박형화가 가능하여 중량을 작게 할 수 있다. 그러나, 이러한 LCD는 편광판에 의한 광의 손실이 크고 LCD를 구동하기 위한 박막 트랜지스터가 화소 마다 형성되어 있어 개구율(광의 투과면적)을 높이는데 한계가 있으므로 광의 효율이 매우 낮다.
따라서, 미합중국 Aura사에 의해 액추에이티드 미러 어레이(Actuated Mirror Arrays : 이하 'AMA'라 칭함)를 이용한 투사형 화상 표시장치가 개발되었다. AMA를 이용한 투사형 화상 표시장치는 광원에서 발광된 백색광을 적색, 녹색 및 청색의 광으로 분리한 후, 이 광을 액츄에이터들로 이루어진 광로 조절 장치의 구동에 의해 광로를 변경 시킨다. 즉, 액츄에이터들에 실장되어 이 액츄에이터들이 개별적으로 구동되는 것에 의해 기울어지는 거울들에 각각 반사시켜 광로(light path)를 변경시키는 것에 의해 광의 양을 조절하여 화면으로 투사시킨다. 그러므로, 화면에 화상이 나타나게된다. 상기에서, 액츄에이터는 압전 또는 전왜세라믹으로 이루어진 변형부가 인가되는 전압에 의해 전계가 발생되어 변형되는 것을 이용하여 거울을 기울게 한다. AMA는 구동방식에 따라 1차원 AMA와 2차원 AMA로 구별된다. 1차원 AMA는 거울들이 M×1 어레이로 배열되고, 2차원 AMA는 거울 들이 M×N 어레이로 배열되고있다. 따라서, 1차원 AMA를 이용한 투사형 화상표시장치는 주사거울을 이용하여 M×1개 광속들을 선주사시키고, 2차원 AMA를 이용하는 투사형 화상표시장치는 M×N개의 광속들을 투사시켜 화상을 나타내게 된다.
또한, 액츄에이터는 변형부의 형태에 따라 벌크형(bulk type)과 박막형(thin film type)으로 구분된다. 상기 벌크형은 다층 세라믹을 얇게 잘라 내부에 금속전극이 형성된 세라믹웨이퍼(ceramic wafer)를 구동기판에 실장한 후 쏘잉(sawing)등으로 가공하고 거울을 실장한다. 그러나, 벌크형 액츄에이터는 액츄에이터들을 쏘잉에 의해 분리하여야 하므로 긴 공정시간이 필요하며, 또한, 변형부의 응답 속도가 느린 문제점이 있었다. 따라서, 반도체공정을 이용하여 제조할 수 있는 박막형의 액츄에이터가 개발되었다.
제1a도 내지 제1d는 종래 기술에 따른 광로 조절 장치의 제조 공정도이다.
제1a도를 참조하면, 표면에 트랜지스터(도시되지 않음)가 매트릭스(matrix) 형태로 내장되고, 이 트랜지스터에 전기적으로 연결된 알루미늄(Al)등의 금속으로 이루어진 패드(pad:13)를 갖는 구동기판(11)의 표면에 희생막(15)을 1~2㎛ 정도의 두께로 형성한다. 그리고, 패드(13)가 형성된 부분의 희생막(15)을 통상의 포토리쏘그래피(photolithography)방법으로 제거하여 패드(13)와 주위의 구동기판(11)을 노출시킨다.
제1b도를 참조하면, 상기 구동기판(11)과 희생막(15)의 상부에 멤브레인(17)을 1~2㎛ 정도의 두께로 형성한다. 그리고, 멤브레인(17)의 소정 부분에 패드(13)가 노출되도록 개구(18)를 형성한 후, 이 개구(18)의 내부에 전도성 금속을 채워 패드(13)와 전기적으로 연결되는 플러그(plug:19)를 형성한다. 계속해서, 멤브레인(17)의 상부에 500~2000Å 정도의 두께의 하부전극(21)을 플러그(19)와 전기적으로 연결되도록 형성한다. 그러므로, 패드(13)와 하부전극(21)은 플러그(19)에 의해 서로 전기적으로 연결된다.
제1c도를 참조하면, 상기 하부전극(21)의 표면에 변형부(23) 및 상부전극(25)을 형성한다. 상기에서, 변형부(23)는 압전 세라믹이나 전왜세라믹을 0.7~2㎛ 정도의 두께로 도포하며, 상부전극(25)은 반사특성과 전기적특성이 좋은 금속을 증착하여 형성된다. 계속해서, 상부전극(25), 변형부(23), 하부전극(21) 및 멤브레인(17)들을 구동기판(11)이 노출되도록 식각하여 액츄에이터들을 분리한다. 상기 액츄에이터들을 분리할 때, 상부전극(25), 변형부(23), 하부전극(21) 및 멤브레인(17)들을 각각의 식각 마스크를 사용하여 반응성 이온 식각(RIE)으로 식각한다. 그리고, 상부전극(25)의 표면과 액츄에이터들의 분리에 의한 측면들에 보호막(27)을 형성한다.
제1d도를 참조하면, 희생막(15)을 불산용액(HF) 등의 식각용액으로 제거한다. 이때, 보호막(27)은 멤브레인(17) 및 변형부(23)의 측멱이 식각되어 각층들이 박리되는 것을 방지한다. 그 다음, 보호막(27)을 제거하여 에어 갭(29)을 형성한다.
상술한 종래 기술에 따른 광로 조절 장치의 제조방법은 희생막 제거시 멤브레인 상부와 하부의 밀도차에 의한 압축응력에 의해 액츄에이터의 휨이 발생하여 반사각과 반사율의 조정에 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 멤브레인에 상부와 하부의 밀도차에 의한 압축응력을 최소화하여 액츄에이터의 휨을 방지할 수 있는 광로조절 장치의 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제조방법은 트랜지스터들을 매트릭스 상태로 내장하고, 표면에 상기 트랜지스터들과 전기적으로 연결된 패드들을 갖는 구동기판의 상부의 소정 부분에 상기 패드가 노출되게 희생막을 형성하는 공정과, 상기 구동기판의 노출된 부분과 상기 희생막의 상부에 멤브레인을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 소정 부분을 상기 패드가 노출되도록 제거하여 개구를 형성하고 그 개구내에 플러그를 형성하는 공정과, 상기 멤브레인에 Z축 방향으로 띠모양의 그루브를 형성하여 상기 멤브레인을 분리하는 공정과, 상기 멤브레인 상부와 상기 그루브의 내부표면에 상기 플러그와 전기적으로 접촉되도록 하부전극을 형성하는 공정과, 상기 하부전극의 상부에 상기 그루브를 채우도록 변형부를 형성하는 공정과, 상기 변형부의 상부에 반사막으로도 사용되는 상부전극을 형성하는 공정과, 상기 상부전극, 변형부, 하부전극 및 멤브레인을 각각의 식각마스크로 상기 구동기판이 노출되도록 하여 이웃하는 액츄에이터들과 분리하는 공정과, 상기 액츄에이터의 하부에 형성된 희생막을 제거하는 공정을 구비한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
제2a도 내지 제2d도는 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제조 공정도이다.
제2a도를 참조하면, 표면에 트랜지스터(도시되지 않음)가 매트릭스 형태로 내장되고, 이 트랜지스터에 전기적으로 연결된 알루미늄(Al) 등의 금속으로 이루어진 패드(53)를 갖는 구동기판(51)의 표면에 희생막(55)을 1~2㎛ 정도의 두께로 형성한다. 그리고, 패드(53)가 형성된 부분의 희생막(55)을 통상의 포토리쏘그래피(photolithography) 방법으로 제거하여 패드(53)와 주위의 구동기판(51)을 노출시킨다.
제2b도를 참조하면, 상기 구동기판(51)과 희생막(55)의 상부에 멤브레인(57)을 스퍼터링 또는 화학기상침적법으로 1~2㎛ 정도의 두께로 형성한다. 그리고, 멤브레인(57)의 소정 부분에 패드(53)가 노출되도록 개구(58)를 형성한 후, 이 개구(58)의 내부에 전도성 금속을 채워 패드(53)와 전기적으로 연결되는 플러그(59)를 형성한다. 다음, 멤브레인(57)에는 Z축 방향으로 평행하게 띠모양으로 그루브(groove:60)가 희생막(55)이 노출되게 다수 개 형성된다. 그런데, 멤브레인(57)을 형성하는 물질인 질화실리콘 또는 탄화실리콘 등의 규화물은 하부에서 상부로 형성되며, 밀도가 점점 조밀하기 때문에 압축응력이 발생된다. 그러므로, 멤브레인(57)에 그루브(60)가 형성되어 멤브레인(57)이 다수개로 분리되면 압축응력은 분산되어 최소화된다. 계속해서, 멤브레인(57)의 표면에 500~2000Å 정도의 두께의 하부전극(61)을 플러그(59)와 전기적으로 연결 되도록 형성한다. 그러므로, 패드(53)와 하부전극(61)은 플러그(59)에 의해 서로 전기적으로 연결된다.
제2c도를 참조하면, 하부전극(61)의 표면에 그루브(60)를 채우도록 변형부(63)를 형성하고 이 변형부(63) 상부에 상부전극(65)을 형성한다. 상기에서, 변형부(63)는 압전 세라믹이나 전왜세라믹을 0.7~2㎛ 정도의 두께로 도포하며, 상부전극(65)은 반사특성과 전기적특성이 좋은 금속을 스퍼터링 또는 진공증착하여 형성된다. 계속해서, 상부전극(65), 변형부(63), 하부전극(61) 및 멤브레인(57)들을 구동기판(51)이 노출되도록 식각하여 액츄에이터를 이웃하는 액츄에이터들(도시되지 않음)과 분리되도록 한다. 상기 액츄에이터들을 분리할 때, 상부전극(65), 변형부(63), 하부전극(61) 및 멤브레인(57)을 각각의 식각 마스크를 사용하여 반응성 이온 식각(RIE)으로 식각한다. 그리고, 상부전극(65)의 표면 및 액츄에이터들의 분리에 의한 측면들에 보호막(67)을 형성한다.
제2d도를 참조하면, 희생막(55)을 불산용액(HF) 등의 식각 용액으로 제거한다. 이때, 보호막(67)은 멤브레인(57) 및 변형부(63)의 측면이 식각되어 각층들이 박리되는 것을 방지한다. 그 다음, 보호막(67)을 제거하여 에어 갭(69)을 형성한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 멤브레인(57)을 형성한 후 멤브레인(57)에 Z축 방향으로 그루브(60)를 형성한다. 그리고, 멤브레인(57)의 표면에 하부전극(61)을 형성하고, 하부전극(61)의 상부에 그루브(60)를 채우도록 변형부(63)를 형성하고, 상부전극(65) 및 보호막(67)을 순차적으로 형성한 후 각각의 식각 마스크를 사용하여 액츄에이터를 분리한다.
따라서, 본 발명은 멤브레인에 그루브를 형성하여 멤브레인을 다수개로 분리하여 멤브레인 내부의 압축응력을 최소화함으로써 액츄에이터의 휨을 방지할 수 있는 잇점이 있다.

Claims (9)

  1. 트랜지스터들을 매트릭스 상태로 내장하고, 표면에 상기 트랜지스터들과 전기적으로 연결된 패드(53)들을 갖는 구동기판(51)의 상부의 소정 부분에 상기 패드(53)가 노출되게 희생막(55)을 형성하는 공정과, 상기 구동기판(51)의 노출된 부분과 상기 희생막(55)의 상부에 멤브레인(57)을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인(57)의 소정 부분을 상기 패드(53)가 노출되도록 제거하여 개구(58)를 형성하고, 그 개구(58)내에 플러그(59)를 형성하는 공정과, 상기 멤브레인(57)에 Z축 방향으로 띠모양의 그루브(60)를 형성하여 상기 멤브레인(57)을 분리하는 공정과, 상기 멤브레인(57) 상부와 상기 그루브(60)의 내부표면에 상기 플러그(59)와 전기적으로 접촉되도록 하부전극(61)을 형성하는 공정과, 상기 하부전극(61)의 상부에 상기 그루브(60)를 채우도록 변형부(63)를 형성하는 공정과, 상기 변형부(63)의 상부에 반사막으로도 사용되는 상부전극(65)을 형성하는 공정과, 상기 상부전극(65), 변형부(63), 하부전극(61) 및 멤브레인(57)을 각각의 식각마스크로 상기 구동기판(51)이 노출되도록 하여 이웃하는 액츄에이터들과 분리하는 공정과, 상기 액츄에이터(80)의 하부에 형성된 희생막(55)을 제거하는 공정을 구비하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 멤브레인(57)을 질화실리콘 또는 탄화실리콘의 규화물로 형성하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 멤브레인(57)을 화학기상침적법으로 형성하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 그루브(60)를 한 개 이상의 다수 개 형성하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 그루브(60)를 상기 희생막(55)이 노출되게 형성하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 변형부(63)를 BaTiO3, PZT 또는 PLZT의 압전세라믹으로 형성하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 변형부(63)를 PMN의 전왜세라믹으로 형성하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 상부전극(65)의 상부 및 액츄에이터들의 분리에 의한 측면들에 보호막(67)을 형성하는 공정을 더 구비하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 희생막(55)을 제거한 후 상기 보호막(67)을 제거하는 공정을 더 구비하는 광로 조절 장치의 제조방법.
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