KR0170952B1 - 광로 조절 장치의 제조방법 - Google Patents

광로 조절 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광로 조절 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 구동기판의 상부표면에 패드와 접촉되지 않게 다수 개의 돌출부를 형성한다. 그리고, 희생막을 형성하고 패드와 주변의 구동기판을 노출시킨다. 이어, 구동기판과 희생막의 상부표면에 멤브레인을 형성하고 멤브레인의 소정 부분에 패드가 노출되도록 개구를 형성하고 이 개구 내부에 플러그를 형성한다. 계속해서, 멤브레인의 상부표면에 하부전극, 변형부 및 상부전극을 순차적으로 형성하고 각각의 식각 마스크를 사용하여 구동기판이 노출되도록 식각하여 액츄에이터들을 분리한다. 다음, 상부전극의 표면과 액츄에이터들의 분리에 의한 측면들에 보호막을 형성하고 희생막을 제거하여 에어갭을 한정한다. 그리고, 보호막을 제거한다. 따라서, 본 발명은 구동기판 상부에 다수 개의 돌출부를 형성하므로 희생막 제거시 구동기판과 액츄에이터가 접촉되는 스티킹을 방지항 양질의 광로 조절 장치를 획득할 수 있다.

Description

광로 조절 장치의 제조방법
제1도(a) 내지 (d)는 종래 기술에 따른 광로 조절 장치의 제조공정도.
제2도(a) 내지 (d)는 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제조공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
41 : 구동기판 42 : 돌출부
43 : 패드 45 : 희생막
47 : 멤브레인 48 : 개구
49 : 플러그 51 : 하부전극
53 : 변형부 55 : 상부전극
57 : 보호막 59 : 에어갭
60 : 액츄에이터
본 발명은 투사형 화상 표시장치에 이용되는 광로 조절 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 구동기판 상부에 돌출부를 형성하여 희생막 제거시 발생하는 스티킹(sticking)을 방지할 수 있는 광로 조절 장치의 제조방법에 관한 것이다.
화상 표시장치는 표시방법에 따라, 직시형 화상 표시장치와 투사형 화상 표시장치로 구분된다.
직시형 화상 표시장치는 CRT(Cathode Ray Tube)등이 있는데, 이러한 CRT 화상 표시장치는 화질은 좋으나 화면이 커짐에 따라 중량 및 두께의 증대와, 가격이 비싸지는 등의 문제점이 있어 대화면을 구비하는데 한계가 있다.
투사형 화상 표시장치는 대화면 액정표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 'LCD'라 칭함)등이 있는데, 이러한 대화면 LCD의 박형화가 가능하여 중량을 작게할 수 있다. 그러나, 이러한 LCD는 편광판에 의한 광의 손실이 크고 LCD를 구동하기 위한 박막 트랜지스터가 화소 마다 형성되어 있어 개구율(광의 투과면적)을 높이는데 한계가 있으므로 광의 효율이 매우 낮다.
따라서, 미합중국 Aura사에 의해 액츄에이터드 미러 어레이(Actuated Mirror Arrays ; 이하 'AMA'라 칭함)를 이용한 투사형 화상 표시장치가 개발되었다. AMA를 이용한 투사형 화상 표시장치는 광원에서 발광된 백색광을 적색, 녹색 및 청색의 광으로 분리한 후, 이 광을 액츄에이터들로 이루어진 광로 조절 장치의 구동에 의해 광로를 변경시킨다. 즉, 액츄에이터들에 실장되어 이 액츄에이터들이 개별적으로 구동되는 것에 의해 기울어지는 거울들에 각각 반사시켜 광로(light path)를 변경시키는 것에 의해 광의 양을 조절하여 하면으로 투사시킨다. 그러므로, 화면에 화상이 나타나게된다. 상기에서, 액츄에이터는 압전 또는 전왜세라믹으로 이루어진 변형부가 인가되는 전압에 의해 전계가 발생되어 변형되는 것을 이용하여 거울을 기울게 한다. AMA는 구동방식에 따라 1차원 AMA와 2차원 AMA로 구별된다. 1차원 AMA는 거울들이 M×1 어레이로 배열되고, 2차원 AMA는 거울들이 M×N 어레이로 배열되고 있다. 따라서, 1차원 AMA를 이용한 투사형 화상 표시장치는 주사거울을 이용하여 M×1개 광속들을 선주사시키고, 2차원 AMA를 이용하는 투사형 화상 표시장치는 M×N개의 광속들을 투사시켜 화상을 나타나게 된다.
또한, 액츄에이터는 변형부의 형태에 따라 벌크형(bulk type)과 박막형(thin film type)으로 구분된다. 상기 벌크형은 다층세라믹을 얇게 잘라 내부에 금속전극이 형성된 세라믹웨이퍼(ceramic wafer)를 구동기판에 실장한 후 쏘잉(sawing)등으로 가공하고 거울을 실장한다. 그러나, 벌크형 액츄에이터는 액츄에이터들을 쏘잉에 의해 분리하여야 하므로 긴 공정시간이 필요하며, 또한, 변형부의 응답속도가 느린 문제점이 있었다. 따라서, 반도체공정을 이용하여 제조할 수 있는 박막형의 액츄에이터가 개발되었다.
제1도(a) 내지 (d)는 종래 기술에 따른 광로 조절 장치의 제조 공정도이다.
제1도(a)를 참조하면, 표면에 트랜지스터(도시되지 않음)가 매트릭스(matrix) 형태로 내장되고, 이 트랜지스터에 전기적으로 연결된 전기 전도성이 좋은 금속으로 이루어진 패드(pad:13)를 갖는 표면에 에어갭(air gap)을 형성하기 위한 희생막(15)을 형성한다. 그리고, 패드(13)가 형성된 부분의 희생막(15)을 제거하여 패드(13)와 주변의 구동기판(11)을 노출시킨다.
제1도(b)를 참조하면, 구동기판(11)과 희생막(15)의 상부표면에 멤브레인(17)을 형성한다. 그리고, 멤브레인(17)의 소정 부분에 패드(13)가 노출되도록 개구(18)를 형성한 후, 이 개구(18) 내부에 전기 전도성이 좋은 금속을 채워 패드(13)와 전기적으로 연결되는 플러그(plug:19)를 형성한다. 계속해서, 멤브레인(17)의 상부표면에 전기 전도성이 좋은 금속을 증착하여 플러그(19)와 전기적으로 연결하는 하부전극(21)을 형성한다.
제1도(c)를 참조하면, 하부전극(21)의 상부표면에 변형부(23)를 형성하고 변형부(23)의 상부표면에 상부전극(25)을 형성한다. 그리고, 상부전극(25), 변형부(23), 하부전극(21) 및 멤브레인(17)을 구동기판(11)이 노출되도록 순차적으로 식각하여 액츄에이터(30)들을 형성한다. 계속해서, 상부전극(25)의 표면과 액츄에이터(30)들의 분리에 의한 측면들에 보호막(27)을 형성한다.
제1도(d)를 참조하면, 희생막(15)을 제거하여 에어갭(29)을 형성한다. 그 다음, 탈이온수로 세정하여 희생막(15)을 제거하는 공정에서 사용되고 남은 식각용액을 제거하고 탈이온수를 건조한 후, 보호막(27)을 제거한다.
그러나 상술한 종래의 광로 조절 장치의 제조방법은 희생막을 제거하고 에어갭을 형성하는 공정에서 구동기판과 액츄에이터가 접촉하는 스티킹이 발생하는 문제점이 있었다.
따라서 본 발명의 목적은 희생막을 제거하고 에어갭을 형성하는 공정에서 구동기판과 액츄에이터가 접촉하는 스티킹을 방지할 수 있는 광로 조절 장치의 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제조방법은 트랜지스터들을 매트릭스 상태로 내장하고 표면에 상기 트랜지스터들과 전기적으로 연결된 패드들을 갖는 구동기판의 상부표면에 다수 개의 돌출부를 형성하는 공정과, 상기 구동기판의 상부표면과 상기 돌출부의 표면에 희생막을 형성하는 공정과, 상기 패드들 주위의 소정 부분의 상기 희생막을 제거하여 상기 구동기판을 노출시키고, 상기 노출된 구동기판과 상기 희생막의 상부에 멤브레인을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 소정 부분을 상기 패드가 노출되도록 제거하여 개구를 형성하는 공정과, 상기 개구내에 상기 패드와 전기적으로 연결되는 플러그를 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 상부에 상기 플러그와 전기적으로 접촉되도록 하부전극을 형성하는 공정과, 상기 하부전극의 상부에 변형부와 상부전극을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 상부전극부터 상기 멤브레인까지 소정 부분을 상기 희생막이 노출되도록 제거하여 액츄에이터들을 분리하는 공정과, 상기 상부전극의 표면 및 액츄에이터의 측면에 보호막을 형성하는 공정과, 상기 희생막과 상기 보호막을 제거하는 공정을 구비한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
제2도(a) 내지 (d)는 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제조공정도이다.
제2도(a)를 참조하면, 구동기판(41)은 표면에 트랜지스터(도시되지 않음)가 매트릭스 형태로 내장되고, 이 트랜지스터에 전기적으로 연결된 패드(43)를 갖는다. 또한, 구동기판(41)은 유리 또는 알루미나(Al2O3)등의 절연물질이나 실리콘등의 반도체로 이루어진다. 그리고, 구동기판(41)의 상부표면에 희생막(45) 제거시 식각되지 않는 물질인 질화물(nitride), 금(Au) 또는 백금(Pt)을 증착한 후 구동기판(41)이 노출되도록 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching)하여 다수 개의 돌출부(42)를 형성한다. 이때, 돌출부(42)는 패드(43)와 접촉되지 않도록 형성된다. 그리고, 구동기판(41)의 상부표면과 돌출부(42)의 표면에 1~2㎛ 두께로 희생막(45)을 형성하고 희생막(45)의 상부를 평탄화한다. 상기에서, 희생막(45)을 PSG(Phospho-Sillicate Glass)로 형성하여 평탄화 공정과 희생막(45) 형성공정을 단순화시킬 수 있다. 또한, 패드(43)의 주변의 희생막(45)을 제거하여 구동기판(41)을 노출시킨다.
제2도(b)를 참조하면, 구동기판(41) 및 희생막(45)의 상부표면에 질화실리콘(Si3N4) 또는 탄화실리콘 등의 규화물을 스퍼터링이나 CVD방법 등에 의해 1~2㎛ 두께로 적층하여 멤브레인(47)을 형성한다. 그 다음, 반응성 이온 식각에 의해 패드(43)가 노출되도록 멤브레인(47)의 소정 부분을 제거하여 개구(48)를 형성하고, 이 개구(48) 내부에 전기 전도성이 좋은 금속을 채워 패드(43)들과 전기적으로 연결되는 플러그(49)를 형성한다. 계속해서, 멤브레인(47)의 상부에 백금(Pt) 또는 백금/티타늄(Pt/Ti) 등을 진공증착 또는 스퍼터링 등에 의해 500~2000Å 두께로 증착하여 플러그(49)와 전기적으로 연결하는 하부전극(51)을 형성한다. 그러므로, 패드(43)와 하부전극(51)은 플러그(49)에 의해 서로 전기적으로 연결된다.
제2도(c)를 참조하면, 하부전극(51)의 표면에 변형부(53)를 형성한다. 변형부(53)는 BaTiO3, PZT(Pb(Zr,Ti)O3) 또는 PLZT((Pb,La) (Zr,Ti)O3) 등의 압전세라믹이나, 또는 PMN(Pb(Mg,Nb)O3) 등의 전왜세라믹을 스핀코팅(spin coating) 또는 스프레이 코팅(spray coating)으로 1~2㎛ 두께로 도포하여 형성한다. 이때, 변형부(53)는 얇게 형성되므로 별도의 분극을 하지 않고도 구동시 인가되는 화상신호에 의해 분극된다. 계속해서, 변형부(53)의 상부에 상부전극(55)을 형성한다. 상부전극(55)은 전기 전도도 및 반사특성이 좋은 금속인 알루미늄이 스퍼터링 또는 진공증착 방법으로 500~2000Å 두께로 증착되어 형성된다. 그리고, 상부전극(55), 변형부(53), 하부전극(51) 및 멤브레인(47)을 반응성 이온 식각으로 소정 부분을 제거하여 액츄에이터(60)들을 분리한다. 이때, 상부전극(55), 변형부(53), 하부전극(51) 및 멤브레인(47)은 각각의 식각 마스크가 필요하게 된다. 그리고, 상술한 구조의 전표면에 포토 레지스트를 도포한 후 노광 및 현상하여 보호막(57)을 형성하다. 보호막(57)은 상부전극(55)의 표면과 액츄에이터(60)들을 분리할 때 생성되는 측면들에 형성된다.
제2도(d)를 참조하면, 희생막(45)을 불산(HF)등의 식각용액으로 제거하여 에어갭(59)을 한정하는데 돌출부(42)로 인하여 구동기판(41)과 액츄에이터(60)가 접촉하는 스티킹이 방지된다. 보호막(57)은 희생막(45)을 식각할 때 상부전극(55)의 표면과 변형부(53)등의 측면이 식각용액과 접촉되어 식각되는 것을 방지한다. 그 다음, 탈이온수로 세정하여 잔류하는 식각용액을 제거한 후 건조한다. 그리고, 보호막(57)은 산소플라즈마에 의한 건식 식각 방법으로 제거한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제조방법은 구동기판의 상부표면에 패드와 접촉되지 않게 다수 개의 돌출부를 형성한다. 그리고, 구동기판의 상부표면과 돌출부의 표면에 희생막을 형성하고 패드와 주변의 구동기판을 노출시킨다. 이어, 구동기판과 희생막의 상부표면에 멤브레인을 형성하고 멤브레인의 소정 부분에 패드가 노출되도록 개구를 형성하고 이개구 내부에 플러그를 형성한다. 계속해서, 멤브레인의 상부표면에 하부전극, 변형부 및 상부전극을 순차적으로 형성하고 각각의 식각 마스크를 사용하여 구동기판이 노출되도록 식각하여 액츄에이터들을 분리한다. 다음, 상부전극의 표면과 액츄에이터들의 분리에 의한 측면들에 보호막을 형성하고 희생막을 제거하여 에어갭을 한정한다. 그리고, 보호막을 제거한다.
따라서 본 발명은 구동기판 상부에 다수 개의 돌출부를 형성하므로 희생막 제거시 구동기판과 액츄에이터가 접촉되는 스티킹을 방지항 양질의 광로 조절 장치를 획득할 수 있는 효과가 있다.

Claims (13)

  1. 트랜지스터들을 매트릭스 상태로 내장하고 표면에 상기 트랜지스터들과 전기적으로 연결된 패드(43)들을 갖는 구동기판(41)의 상부표면에 다수 개의 돌출부(42)를 형성하는 공정과, 상기 구동기판(41)의 상부표면과 상기 돌출부(42)의 표면에 희생막(45)을 형성하는 공정과, 상기 패드(43)들 주위의 소정 부분의 상기 희생막(45)을 제거하여 상기 구동기판(41)을 노출시키고, 상기 노출된 구동기판(41)과 상기 희생막(45)의 상부에 멤브레인(47)을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인(47)의 소정 부분을 상기 패드(43)가 노출되도록 제거하여 개구(49)를 형성하는 공정과, 상기 개구(49)내에 상기 패드(43)와 전기적으로 연결되는 플러그(49)를 형성하는 공정과, 상기 멤브레인(47)의 상부에 상기 플러그(49)와 전기적으로 접촉되도록 하부전극(51)을 형성하는 공정과, 상기 하부전극(51)의 상부에 변형부(53)와 상부전극(55)을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 상부전극(55)부터 상기 멤브레인(47)까지 소정 부분을 상기 희생막(45)이 노출되도록 제거하여 액츄에이터(60)들을 분리하는 공정과, 상기 상부전극(55)의 표면 및 액츄에이터(60)의 측면에 보호막(57)을 형성하는 공정과, 상기 희생막(45)과 상기 보호막(57)을 제거하는 공정을 구비하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 돌출부(42)를 질화물(nitride), 금(Au) 또는 백금(Pt)등의 상기 희생막(45)과의 식각 선택비가 높은 재질로 형성하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 희생막(45)을 1~2㎛ 두께로 형성하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 멤브레인(47)을 1~2㎛ 두께로 형성하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 하부전극(51)을 500~2000Å 두께로 형성하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 변형부(53)를 BaTiO3, PZT 또는 PLZT의 압전세라믹으로 형성하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 변형부(53)를 PMN의 전왜세라믹으로 형성하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 변형부(53)를 스퍼터링하여 형성하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 변형부(53)를 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅하여 형성하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 변형부(53)를 1~2㎛ 두께로 형성하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 상부전극(55)을 500~2000Å 두께로 형성하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 희생막(45)을 습식식각 방법으로 제거하는 광로 조절 장치의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 희생막(45) 제거 후 세정 및 건조하는 공정을 더 구비하는 광로 조절 장치의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2009025435A1 (en) * 2007-08-17 2009-02-26 Electronics And Telecommunications Research Institute Apparatus for preventing stiction of mems microstructure

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009025435A1 (en) * 2007-08-17 2009-02-26 Electronics And Telecommunications Research Institute Apparatus for preventing stiction of mems microstructure
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