JPH0955998A - 結合強化薄膜圧電アレイおよび製造方法 - Google Patents
結合強化薄膜圧電アレイおよび製造方法Info
- Publication number
- JPH0955998A JPH0955998A JP21810796A JP21810796A JPH0955998A JP H0955998 A JPH0955998 A JP H0955998A JP 21810796 A JP21810796 A JP 21810796A JP 21810796 A JP21810796 A JP 21810796A JP H0955998 A JPH0955998 A JP H0955998A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- conductive layer
- thin film
- array
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 32
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 52
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02133—Means for compensation or elimination of undesirable effects of stress
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0421—Modification of the thickness of an element
- H03H2003/0435—Modification of the thickness of an element of a piezoelectric layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 圧電結合を強化した薄膜圧電共振器を提供す
る。 【解決手段】 薄膜圧電共振器アレイ（１５）を基板
（１０）上に形成し、並列に接続することによって、圧
電結合を強化した単一圧電共振器を形成する。アレイ
（１５）は、基板（１０）上に配置され第１電極（１
４）を規定する第１導電層（１３）、導電層（１３）上
に配置され各々別個の圧電共振器を規定する複数の圧電
物質の列（２０）、および複数の列（２０）上に配置さ
れ第２電極（３１）を規定する第２導電層（３０）を含
む。列（２０）は、選択的に堆積されるか、あるいは単
一層として堆積され、エッチングによって列に形成され
る。
る。 【解決手段】 薄膜圧電共振器アレイ（１５）を基板
（１０）上に形成し、並列に接続することによって、圧
電結合を強化した単一圧電共振器を形成する。アレイ
（１５）は、基板（１０）上に配置され第１電極（１
４）を規定する第１導電層（１３）、導電層（１３）上
に配置され各々別個の圧電共振器を規定する複数の圧電
物質の列（２０）、および複数の列（２０）上に配置さ
れ第２電極（３１）を規定する第２導電層（３０）を含
む。列（２０）は、選択的に堆積されるか、あるいは単
一層として堆積され、エッチングによって列に形成され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に圧電共振
器に関し、特に、圧電結合(piezoelectric coupling)を
強化した薄膜圧電共振器に関するものである。
器に関し、特に、圧電結合(piezoelectric coupling)を
強化した薄膜圧電共振器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】携帯用無線機(hand-held radio) におけ
る最も大きな素子の１つがＲＦフィルタである。このフ
ィルタのサイズを小さくするために、セラミック・フィ
ルタに代わって圧電共振器が主要フィルタ素子として利
用されている。このため、半導体基板等の上に形成され
た薄膜共振器が開発されている。これらの共振器は、通
常、基板表面上に堆積された金属薄層、金属層上に堆積
された圧電物質層、および圧電物質の表面上に堆積され
た第２金属層から成る。
る最も大きな素子の１つがＲＦフィルタである。このフ
ィルタのサイズを小さくするために、セラミック・フィ
ルタに代わって圧電共振器が主要フィルタ素子として利
用されている。このため、半導体基板等の上に形成され
た薄膜共振器が開発されている。これらの共振器は、通
常、基板表面上に堆積された金属薄層、金属層上に堆積
された圧電物質層、および圧電物質の表面上に堆積され
た第２金属層から成る。
【０００３】当業者には理解されようが、一般的に、望
ましくない信号がフィルタを通過して結合してしまうの
を防止するために、適切な入力インピーダンスを有する
フィルタを製造することが望ましい。薄膜圧電フィルタ
の場合、インピーダンスは圧電共振器または共振器群の
インピーダンス・レベルに主に依存する。更に、各圧電
共振器のインピーダンス・レベルは、第一に、２つの電
極間に狭持された圧電物質層の全表面積によって決定さ
れる。通常、これは、共振器の厚さより大幅に大きい、
直線寸法による表面を意味する。
ましくない信号がフィルタを通過して結合してしまうの
を防止するために、適切な入力インピーダンスを有する
フィルタを製造することが望ましい。薄膜圧電フィルタ
の場合、インピーダンスは圧電共振器または共振器群の
インピーダンス・レベルに主に依存する。更に、各圧電
共振器のインピーダンス・レベルは、第一に、２つの電
極間に狭持された圧電物質層の全表面積によって決定さ
れる。通常、これは、共振器の厚さより大幅に大きい、
直線寸法による表面を意味する。
【０００４】圧電共振器が適正かつ効率的に動作するた
めには、動作周波数において、大きな圧電結合定数(pie
zoelectric coupling constant) を有する必要がある。
現在、ギガヘルツ領域で使用可能な物質には、酸化鉛(Z
nO) および窒化アルミニウム(AlN) が含まれる。これま
では、かかる物質が最もよく用いられていたので、技術
的にも最も発展している。通常、これらの物質が薄膜圧
電共振器において有する結合定数は、多くの用途におい
ては使用し得る限界（即ち、数パーセントの結合定数）
である。この低い結合定数では、これらの物質によって
これまでに実現できたのは２〜３％の帯域のフィルタに
直接換算することである。しかしながら、結合定数を大
きくすれば、フィルタの設計および処理要件を大幅に簡
略化することができよう。
めには、動作周波数において、大きな圧電結合定数(pie
zoelectric coupling constant) を有する必要がある。
現在、ギガヘルツ領域で使用可能な物質には、酸化鉛(Z
nO) および窒化アルミニウム(AlN) が含まれる。これま
では、かかる物質が最もよく用いられていたので、技術
的にも最も発展している。通常、これらの物質が薄膜圧
電共振器において有する結合定数は、多くの用途におい
ては使用し得る限界（即ち、数パーセントの結合定数）
である。この低い結合定数では、これらの物質によって
これまでに実現できたのは２〜３％の帯域のフィルタに
直接換算することである。しかしながら、結合定数を大
きくすれば、フィルタの設計および処理要件を大幅に簡
略化することができよう。
【０００５】したがって、これらの問題を克服する新た
な圧電共振器を考案できれば、非常に有益であろう。
な圧電共振器を考案できれば、非常に有益であろう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、圧電
結合を強化した、新規で改良された薄膜圧電共振器を提
供することである。
結合を強化した、新規で改良された薄膜圧電共振器を提
供することである。
【０００７】本発明の他の目的は、帯域を拡大した圧電
ＢＡＷフィルタに用いるための、圧電結合を強化した、
新規で改良された薄膜圧電共振器を提供することであ
る。
ＢＡＷフィルタに用いるための、圧電結合を強化した、
新規で改良された薄膜圧電共振器を提供することであ
る。
【０００８】本発明の他の目的は、帯域を拡大すること
により許容度を緩和し、製造コスト削減を図った、圧電
ＢＡＷフィルタに用いるための、圧電結合を強化した、
新規で改良された薄膜圧電共振器を提供することであ
る。
により許容度を緩和し、製造コスト削減を図った、圧電
ＢＡＷフィルタに用いるための、圧電結合を強化した、
新規で改良された薄膜圧電共振器を提供することであ
る。
【０００９】本発明の他の目的は、剛性係数を低下させ
ることによって圧電結合定数を増大させた、新規で改良
された薄膜圧電共振器を提供することである。
ることによって圧電結合定数を増大させた、新規で改良
された薄膜圧電共振器を提供することである。
【００１０】本発明の他の目的は、実現可能な帯域が従
来技術の構造のそれよりも２倍以上である、新規で改良
された薄膜圧電共振器を提供することである。
来技術の構造のそれよりも２倍以上である、新規で改良
された薄膜圧電共振器を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述のおよびその他の問
題の少なくとも部分的な解決、ならびに上述のおよびそ
の他の目的の実現は、基板上に形成され、並列に接続さ
れて、圧電結合を強化した単一圧電共振器を形成する、
薄膜圧電共振器アレイによって達成される。このアレイ
は、基板上に配置され第１電極を規定する第１導電層
と、この導電層上に配置され各々別個の圧電共振器を規
定する複数の圧電物質列と、複数の列上に配置され第２
電極を規定する第２導電層とを含む。列は、選択的に堆
積されるか、あるいは単一層として堆積されエッチング
によって列として形成される。
題の少なくとも部分的な解決、ならびに上述のおよびそ
の他の目的の実現は、基板上に形成され、並列に接続さ
れて、圧電結合を強化した単一圧電共振器を形成する、
薄膜圧電共振器アレイによって達成される。このアレイ
は、基板上に配置され第１電極を規定する第１導電層
と、この導電層上に配置され各々別個の圧電共振器を規
定する複数の圧電物質列と、複数の列上に配置され第２
電極を規定する第２導電層とを含む。列は、選択的に堆
積されるか、あるいは単一層として堆積されエッチング
によって列として形成される。
【００１２】
【発明の実施の形態】これより図面を参照して本発明の
実施例について説明する。尚、図面では、同様の参照番
号は、図の形式が異なっても同様の部分を示す。図１な
いし図４は、本発明による圧電結合を強化した薄膜圧電
共振器アレイの種々の製造工程を示す簡略断面図であ
る。具体的に図１を参照すると、平面１１を有する支持
基板１０が示されている。基板１０は、半導体ウエハま
たはその部分のような、いずれかの好都合な物質で形成
することができる。
実施例について説明する。尚、図面では、同様の参照番
号は、図の形式が異なっても同様の部分を示す。図１な
いし図４は、本発明による圧電結合を強化した薄膜圧電
共振器アレイの種々の製造工程を示す簡略断面図であ
る。具体的に図１を参照すると、平面１１を有する支持
基板１０が示されている。基板１０は、半導体ウエハま
たはその部分のような、いずれかの好都合な物質で形成
することができる。
【００１３】基板１０の表面１１上に第１導電層１３を
配置し、アレイ１５内の複数の薄膜圧電共振器の各々の
ために第２電極１４を規定する。この特定実施例では、
導電層１３は、第１電極１４が単に層１３内の領域とな
るように、基板１０の表面１１を覆うが、特定用途によ
っては、基板１１上に個々の電極をパターニングし、パ
ターニングしたリード等でそれらを接続するほうが望ま
しい場合もある。これは、アレイ１５が二次元アレイで
はなく、代わりに、例えば、圧電共振器の長い行のよう
な別の形状を取る場合に、特に言えることである。
配置し、アレイ１５内の複数の薄膜圧電共振器の各々の
ために第２電極１４を規定する。この特定実施例では、
導電層１３は、第１電極１４が単に層１３内の領域とな
るように、基板１０の表面１１を覆うが、特定用途によ
っては、基板１１上に個々の電極をパターニングし、パ
ターニングしたリード等でそれらを接続するほうが望ま
しい場合もある。これは、アレイ１５が二次元アレイで
はなく、代わりに、例えば、圧電共振器の長い行のよう
な別の形状を取る場合に、特に言えることである。
【００１４】複数の圧電物質列２０を導電層１３上に配
置し、指定された各第１電極１４のの上を１本の列が覆
い、各々の列が別個の圧電共振器を規定する構造とす
る。列２０を形成するプロセスは種々あり、そのいくつ
かについてここで説明するが、この特定実施例において
用いるプロセスでは、いずれかの好都合な方法で圧電物
質のブランケット層２２を堆積し、この層２２にパター
ニングを行い列２０を形成する。具体的には、ブランケ
ット層２２の上面上でフォトレジスト層２３にパターニ
ングを行って、列２０を覆う、即ち、規定する。次い
で、図２に示すように、ブランケット層２２をエッチン
グし、層２３を除去する。
置し、指定された各第１電極１４のの上を１本の列が覆
い、各々の列が別個の圧電共振器を規定する構造とす
る。列２０を形成するプロセスは種々あり、そのいくつ
かについてここで説明するが、この特定実施例において
用いるプロセスでは、いずれかの好都合な方法で圧電物
質のブランケット層２２を堆積し、この層２２にパター
ニングを行い列２０を形成する。具体的には、ブランケ
ット層２２の上面上でフォトレジスト層２３にパターニ
ングを行って、列２０を覆う、即ち、規定する。次い
で、図２に示すように、ブランケット層２２をエッチン
グし、層２３を除去する。
【００１５】多少異なる方法では、フォトレジスト層を
導電層１３に直接配置し、パターニングすることによっ
て、列２０を規定する開口を設けることができる。次
に、導電層１３上でフォトレジストを貫通する開口内に
圧電物質を堆積して、列を形成する。その後、列の間か
らフォトレジストを除去する。先の両プロセスにおいて
フォトレジストについて述べたのは、これは使用が簡単
であり、半導体業界において一般的に用いられているか
らであるが、他の物質が望ましくかつ好都合であれば、
マスキングの目的にそれを用いても構わないことは、勿
論理解されよう。
導電層１３に直接配置し、パターニングすることによっ
て、列２０を規定する開口を設けることができる。次
に、導電層１３上でフォトレジストを貫通する開口内に
圧電物質を堆積して、列を形成する。その後、列の間か
らフォトレジストを除去する。先の両プロセスにおいて
フォトレジストについて述べたのは、これは使用が簡単
であり、半導体業界において一般的に用いられているか
らであるが、他の物質が望ましくかつ好都合であれば、
マスキングの目的にそれを用いても構わないことは、勿
論理解されよう。
【００１６】次に図３を参照する。ある可溶性物質の層
２５を堆積することによって、構造全体を平面化する。
この可溶性物質は、列２０の間に容易に配置され、後続
の処理の後に容易に除去できるものである。ここでも、
層２５に用いる好都合な可溶性物質は、フォトレジスト
または他の同様に可溶性のある物質である。図３に示す
ように、層２５を列２０間に導入し、次にエッチングを
するか、さもなければ部分的に除去して、各列２０の上
端を露出させる。この時点で、列２０の上端と層２５の
上面とは、共通面を形成する。
２５を堆積することによって、構造全体を平面化する。
この可溶性物質は、列２０の間に容易に配置され、後続
の処理の後に容易に除去できるものである。ここでも、
層２５に用いる好都合な可溶性物質は、フォトレジスト
または他の同様に可溶性のある物質である。図３に示す
ように、層２５を列２０間に導入し、次にエッチングを
するか、さもなければ部分的に除去して、各列２０の上
端を露出させる。この時点で、列２０の上端と層２５の
上面とは、共通面を形成する。
【００１７】先の構造の平面上に第２導電層３０を配置
し、各列２０の上面と接触させ、アレイ１５内の各圧電
共振器のために第２電極３１を規定する。再び、この特
定実施例では、導電層３０は、第２電極が単に層３０内
の領域となるように、平面を覆うが、特定の用途によっ
ては、平面上に個々の電極をパターニングし、パターニ
ングしたリード等でそれらを接続するほうが望ましい場
合もある。これは、アレイ１５が二次元アレイではな
く、代わりに、例えば、圧電共振器の長い行のような別
の形状を取る場合に、特に言えることである。
し、各列２０の上面と接触させ、アレイ１５内の各圧電
共振器のために第２電極３１を規定する。再び、この特
定実施例では、導電層３０は、第２電極が単に層３０内
の領域となるように、平面を覆うが、特定の用途によっ
ては、平面上に個々の電極をパターニングし、パターニ
ングしたリード等でそれらを接続するほうが望ましい場
合もある。これは、アレイ１５が二次元アレイではな
く、代わりに、例えば、圧電共振器の長い行のような別
の形状を取る場合に、特に言えることである。
【００１８】場合によっては、特に、単一の二次元アレ
イ内に比較的多数（例えば、千個単位）の圧電素子を形
成している場合は、溶剤が縁部からアレイの中央領域に
確実に浸透するのが難しい場合がある。この問題を克服
するために、図５に示すように、列２０のあるものをエ
ッチングで除去する。これは、例えば、圧電層２２のエ
ッチングの間、単にエッチング・マスクを形成し、通常
列が形成される空間を周辺領域と共にエッチングするこ
とによって達成される。比較的大きなアレイにおいて
は、１％程度の列を除去すれば、可溶性物質２５を後に
排出する際にしやすくなると考えられる。次に、図５に
示すように、導電層３０の列を除去した位置において、
アクセス開口３５をエッチングによって形成する。この
ようにして、アクセス開口３５を通じて、そしてアレイ
１５の縁に沿って溶剤を導入すれば、層２５全てを確実
的かつ効率的に除去することができる。
イ内に比較的多数（例えば、千個単位）の圧電素子を形
成している場合は、溶剤が縁部からアレイの中央領域に
確実に浸透するのが難しい場合がある。この問題を克服
するために、図５に示すように、列２０のあるものをエ
ッチングで除去する。これは、例えば、圧電層２２のエ
ッチングの間、単にエッチング・マスクを形成し、通常
列が形成される空間を周辺領域と共にエッチングするこ
とによって達成される。比較的大きなアレイにおいて
は、１％程度の列を除去すれば、可溶性物質２５を後に
排出する際にしやすくなると考えられる。次に、図５に
示すように、導電層３０の列を除去した位置において、
アクセス開口３５をエッチングによって形成する。この
ようにして、アクセス開口３５を通じて、そしてアレイ
１５の縁に沿って溶剤を導入すれば、層２５全てを確実
的かつ効率的に除去することができる。
【００１９】こうして、小さな圧電共振器のアレイ１５
には、第１および第２電極１４，３１によって並列に接
続された圧電共振器が全て形成されたことになる。各列
２０は周囲の物質からは自由なので、各列２０を圧縮す
ると、横方向に膨張することができる。列２０の側壁が
もはや固着されておらず自由に移動可能なため、列２０
の軸方向における結合定数は、従来技術の物質板よりも
大きい。このように移動が自由であるということは、共
振器内の圧電層の剛度を低下させることと同等であり、
そのために剛性係数が小さくなる。圧電層の剛性係数が
小さくなることによって、圧電共振器の結合定数は飛躍
的に改善される。
には、第１および第２電極１４，３１によって並列に接
続された圧電共振器が全て形成されたことになる。各列
２０は周囲の物質からは自由なので、各列２０を圧縮す
ると、横方向に膨張することができる。列２０の側壁が
もはや固着されておらず自由に移動可能なため、列２０
の軸方向における結合定数は、従来技術の物質板よりも
大きい。このように移動が自由であるということは、共
振器内の圧電層の剛度を低下させることと同等であり、
そのために剛性係数が小さくなる。圧電層の剛性係数が
小さくなることによって、圧電共振器の結合定数は飛躍
的に改善される。
【００２０】従来技術の共振器では、ＺｎＯやＡｌＮの
ような圧電物質は、数パーセントの圧電結合定数を有す
るに過ぎず、これは、２％ないし３％の帯域の圧電フィ
ルタに直接換算される。通常、列の高さ対直径の比率が
２より大きい場合に、結合定数の改善は観察可能である
が、それより低い比率では結合定数の改善量も少なくな
る。また、ここで対象としている周波数は、圧電層２２
の厚さが１ミクロン程度であることを必要とする。本発
明にしたがって剛性係数を小さくし、結合定数を改善す
ることによって、ＺｎＯまたはＡｌＮといった既知の圧
電物質を利用して、本発明の新規な圧電共振器または共
振器群で形成される圧電フィルタの実現可能な帯域は２
倍以上となる。基本的に、この新規な圧電共振器および
製造方法は、より大きな電気機械的結合係数を有する新
たな薄膜材料を探す必要性をなくするものである。
ような圧電物質は、数パーセントの圧電結合定数を有す
るに過ぎず、これは、２％ないし３％の帯域の圧電フィ
ルタに直接換算される。通常、列の高さ対直径の比率が
２より大きい場合に、結合定数の改善は観察可能である
が、それより低い比率では結合定数の改善量も少なくな
る。また、ここで対象としている周波数は、圧電層２２
の厚さが１ミクロン程度であることを必要とする。本発
明にしたがって剛性係数を小さくし、結合定数を改善す
ることによって、ＺｎＯまたはＡｌＮといった既知の圧
電物質を利用して、本発明の新規な圧電共振器または共
振器群で形成される圧電フィルタの実現可能な帯域は２
倍以上となる。基本的に、この新規な圧電共振器および
製造方法は、より大きな電気機械的結合係数を有する新
たな薄膜材料を探す必要性をなくするものである。
【００２１】次に、図６および図７ないし図１０に移る
と、本発明による圧電結合を強化した薄膜圧電共振器ア
レイの他の実施例が示されている。具体的に図６および
図７を参照すると、製造プロセスの中間工程における薄
膜圧電共振器の上面図および簡略断面図がそれぞれ示さ
れている。本実施例では、基板４０および導電層４１
は、ほぼ上述と同様に形成されている。次に、いくつか
のプロセスの１つを利用して、圧電物質層を選択的に堆
積して複数の列を形成する。以下に具体的なプロセスの
１つを説明する。
と、本発明による圧電結合を強化した薄膜圧電共振器ア
レイの他の実施例が示されている。具体的に図６および
図７を参照すると、製造プロセスの中間工程における薄
膜圧電共振器の上面図および簡略断面図がそれぞれ示さ
れている。本実施例では、基板４０および導電層４１
は、ほぼ上述と同様に形成されている。次に、いくつか
のプロセスの１つを利用して、圧電物質層を選択的に堆
積して複数の列を形成する。以下に具体的なプロセスの
１つを説明する。
【００２２】この具体例では、シード物質(seed materi
al) 上に圧電物質(ZnO,AlN等）をスパッタリングする既
知の技法を利用する。スパッタされた物質は、それが成
長する種々のシード物質に関して、異なった態様で堆積
する。例えば、あるシードは０００１の成長を促進し、
他のシード物質よりも高密度に詰め込まれる。したがっ
て、図６に示すように適切なシード物質４５を選択し、
それを表面上でパターニングすることによって、スパッ
タリング・プロセスのための基礎が形成される。シード
は非常に薄いので、フォトリソグラフィ等を含む既知の
プロセスのいずれかで、パターニングを行うことができ
る。次に、図８に示すように、非常に薄いブランケット
層４６を、シード物質４５を含む構造の表面上にスパッ
タリングする。ブランケット層４６の詰め込み密度(pac
king density) は多少ばらつき、パターニングされたシ
ード物質４５上では、密度の高い詰め込みが生じる。
al) 上に圧電物質(ZnO,AlN等）をスパッタリングする既
知の技法を利用する。スパッタされた物質は、それが成
長する種々のシード物質に関して、異なった態様で堆積
する。例えば、あるシードは０００１の成長を促進し、
他のシード物質よりも高密度に詰め込まれる。したがっ
て、図６に示すように適切なシード物質４５を選択し、
それを表面上でパターニングすることによって、スパッ
タリング・プロセスのための基礎が形成される。シード
は非常に薄いので、フォトリソグラフィ等を含む既知の
プロセスのいずれかで、パターニングを行うことができ
る。次に、図８に示すように、非常に薄いブランケット
層４６を、シード物質４５を含む構造の表面上にスパッ
タリングする。ブランケット層４６の詰め込み密度(pac
king density) は多少ばらつき、パターニングされたシ
ード物質４５上では、密度の高い詰め込みが生じる。
【００２３】当業者には理解されようが、スパッタリン
グ・システムは、スパッタによる堆積が可能であり、ま
た逆にスパッタ・エッチングを行うこともできる。本プ
ロセスでは、一旦ブランケット層４６を適正に堆積した
なら、スパッタ・システムを逆にして、シード層４５の
パターニングされた部分の間にある圧電物質を除去す
る。このように、図９に示すように、ブランケット層４
６は、シード物質４５を覆う部分のみが残る。このプロ
セスを多数回繰り返すことによって、パターニングされ
たシード物質４５上に、より厚い圧電物質層が蓄積さ
れ、個々の圧電共振器を規定する別個の列が形成され
る。したがって、接触しないが所望の共振器領域内に密
集して詰め込まれた個々の圧電物質の列を堆積する逆転
可能な堆積システムを用いて、自己パターニング・プロ
セスが行われる。
グ・システムは、スパッタによる堆積が可能であり、ま
た逆にスパッタ・エッチングを行うこともできる。本プ
ロセスでは、一旦ブランケット層４６を適正に堆積した
なら、スパッタ・システムを逆にして、シード層４５の
パターニングされた部分の間にある圧電物質を除去す
る。このように、図９に示すように、ブランケット層４
６は、シード物質４５を覆う部分のみが残る。このプロ
セスを多数回繰り返すことによって、パターニングされ
たシード物質４５上に、より厚い圧電物質層が蓄積さ
れ、個々の圧電共振器を規定する別個の列が形成され
る。したがって、接触しないが所望の共振器領域内に密
集して詰め込まれた個々の圧電物質の列を堆積する逆転
可能な堆積システムを用いて、自己パターニング・プロ
セスが行われる。
【００２４】ＺｎＯの場合、特に、種々の不純物が混入
するあるいは混入し得る標準的なパターニングおよびエ
ッチング・プロセスを使用するとき、その不純物の汚染
に関する問題がある。一方、上述の選択的圧電膜堆積プ
ロセスは、パターニングおよびエッチング・プロセスを
不要とするので、汚染という問題が回避される。ＡｌＮ
の場合、この物質のブランケット膜に応力がかなり蓄積
され、その後パターニングおよびエッチングによってこ
の応力を放出する。共振器領域上の小さな島にＡｌＮを
選択的に堆積することによって、この応力の蓄積および
その後の放出は回避され、膜質は向上する。
するあるいは混入し得る標準的なパターニングおよびエ
ッチング・プロセスを使用するとき、その不純物の汚染
に関する問題がある。一方、上述の選択的圧電膜堆積プ
ロセスは、パターニングおよびエッチング・プロセスを
不要とするので、汚染という問題が回避される。ＡｌＮ
の場合、この物質のブランケット膜に応力がかなり蓄積
され、その後パターニングおよびエッチングによってこ
の応力を放出する。共振器領域上の小さな島にＡｌＮを
選択的に堆積することによって、この応力の蓄積および
その後の放出は回避され、膜質は向上する。
【００２５】本実施例では、列を形成するのと同時に、
共振器アレイ周囲に保護リング４８を形成する。列の上
端および保護リング４８上に、上側電極即ち第２電極を
視射角(glancing angle)で蒸着して構造を密閉し、異物
が列間の空間に侵入するのを防止する。
共振器アレイ周囲に保護リング４８を形成する。列の上
端および保護リング４８上に、上側電極即ち第２電極を
視射角(glancing angle)で蒸着して構造を密閉し、異物
が列間の空間に侵入するのを防止する。
【００２６】以上述べたように、帯域を拡大した圧電Ｂ
ＡＷフィルタに用いるための、圧電結合を強化した、新
規で改良された薄膜圧電共振器を、改良された製造プロ
セスと共に開示した。上述の改善された製造プロセスを
用いれば、改善された薄膜圧電共振器を提供し、許容度
の緩和による製造コストの低減を図ることができる。ま
た、新規で改善された薄膜圧電共振器では、剛性係数を
低下させたことによって圧電結合定数が大きくなり、そ
の結果従来技術の構造よりも実現可能な帯域を２倍以上
に拡大することができる。
ＡＷフィルタに用いるための、圧電結合を強化した、新
規で改良された薄膜圧電共振器を、改良された製造プロ
セスと共に開示した。上述の改善された製造プロセスを
用いれば、改善された薄膜圧電共振器を提供し、許容度
の緩和による製造コストの低減を図ることができる。ま
た、新規で改善された薄膜圧電共振器では、剛性係数を
低下させたことによって圧電結合定数が大きくなり、そ
の結果従来技術の構造よりも実現可能な帯域を２倍以上
に拡大することができる。
【００２７】以上本発明の特定実施例について示しかつ
説明したが、更に他の変更や改善も当業者には想起しよ
う。したがって、本発明はここに示した特定形態には限
定されないと理解されることを望み、本発明の精神およ
び範囲から逸脱しない全ての変更は、特許請求の範囲に
包含されることを意図するものである。
説明したが、更に他の変更や改善も当業者には想起しよ
う。したがって、本発明はここに示した特定形態には限
定されないと理解されることを望み、本発明の精神およ
び範囲から逸脱しない全ての変更は、特許請求の範囲に
包含されることを意図するものである。
【図１】本発明による圧電結合を強化した薄膜圧電共振
器アレイの一製造工程を示す簡略断面図。
器アレイの一製造工程を示す簡略断面図。
【図２】本発明による圧電結合を強化した薄膜圧電共振
器アレイの一製造工程を示す簡略断面図。
器アレイの一製造工程を示す簡略断面図。
【図３】本発明による圧電結合を強化した薄膜圧電共振
器アレイの一製造工程を示す簡略断面図。
器アレイの一製造工程を示す簡略断面図。
【図４】本発明による圧電結合を強化した薄膜圧電共振
器アレイの一製造工程を示す簡略断面図。
器アレイの一製造工程を示す簡略断面図。
【図５】製造プロセスにおける細部を追加して示す、図
４の構造の斜視図。
４の構造の斜視図。
【図６】本発明による圧電結合を強化した薄膜圧電共振
器アレイの他の実施例において、他の製造プロセスの一
工程を示す平面図。
器アレイの他の実施例において、他の製造プロセスの一
工程を示す平面図。
【図７】製造プロセスの一工程を示す、図６のアレイの
簡略断面図。
簡略断面図。
【図８】製造プロセスの一工程を示す、図６のアレイの
簡略断面図。
簡略断面図。
【図９】製造プロセスの一工程を示す、図６のアレイの
簡略断面図。
簡略断面図。
【図１０】製造プロセスの一工程を示す、図６のアレイ
の簡略断面図。
の簡略断面図。
１０ 支持基板 １１ 平面 １３ 第１導電層 １４ 第２電極 １５ アレイ ２０ 圧電物質列 ２２ ブランケット層 ２３ フォトレジスト層 ２５ 可溶性物質層 ３０ 第２導電層 ３１ 第２電極 ３５ アクセス開口 ４０ 基板 ４１ 導電層 ４５ シード物質 ４６ ブランケット層 ４８ 保護リング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｈ 9/17 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ａ // Ｃ２３Ｃ 14/06 41/08 Ｃ 14/08 41/22 Ｚ (72)発明者 ディーン・バーカー アメリカ合衆国アリゾナ州チャンドラー、 ウェスト・ビクトリア・レーン4159
Claims (3)
- 【請求項１】圧電結合を強化した薄膜圧電共振器アレイ
であって：平面（１１）を有する基板（１０）；前記基
板（１０）の平面（１１）上に配置され、第１電極を規
定する第１導電層（１３）；前記導電層（１３）上に配
置され、各々別個の圧電共振器を規定する複数の圧電物
質の列（２０）；および前記複数の列（２０）上に配置
され、第２電極を規定する第２導電層（３０）；から成
ることを特徴とする薄膜圧電共振器アレイ。 - 【請求項２】圧電結合を強化した薄膜圧電共振器アレイ
であって：平面（１１）を有する基板（１０）；前記基
板（１０）の平面（１１）上に配置され、各１つが複数
の共振器の各々に対応する複数の第１電極（１４）を規
定する第１導電層（１３）であって、前記複数の第１電
極（１４）が電気的に共に接続された構造を有する前記
第１導電層；前記導電層（１３）の第１電極（１４）の
各々の上に各１つが配置された、複数の圧電物質列（２
０）であって、各々別個の圧電共振器を規定する前記複
数の圧電物質列（２０）；および前記複数の列（２０）
上に配置され、各１つが前記複数の列（２０）の各々の
上に配置された複数の第２電極（３１）を規定する第２
導電層（３０）であって、前記複数の第２電極（３１）
が共に電気的に接続され、前記複数の共振器を並列に接
続する構造を有する前記第２導電層（３０）；から成る
ことを特徴とする薄膜圧電共振器アレイ。 - 【請求項３】圧電結合を強化した薄膜圧電共振器アレイ
の製造方法であって：平面を有する基板を用意する段
階；前記基板の平面上に第１導電層を配置し、第１電極
を規定する段階；前記第１導電層上に複数の圧電物質の
列を形成し、各列が別個の圧電共振器を規定する段階；
および前記複数の列の上に第２導電層を配置し、第２電
極を規定する段階；から成ることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US516221 | 1995-08-17 | ||
| US08/516,221 US5698928A (en) | 1995-08-17 | 1995-08-17 | Thin film piezoelectric arrays with enhanced coupling and fabrication methods |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0955998A true JPH0955998A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=24054633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21810796A Pending JPH0955998A (ja) | 1995-08-17 | 1996-08-01 | 結合強化薄膜圧電アレイおよび製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5698928A (ja) |
| JP (1) | JPH0955998A (ja) |
| KR (1) | KR100415871B1 (ja) |
| CN (1) | CN1110862C (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001223410A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-17 | Lucent Technol Inc | 音響共振デバイス用の分離方法 |
| JP2002175081A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-06-21 | Agere Systems Guardian Corp | 円柱構造を有する増加帯域幅薄膜共振器 |
| KR20020050894A (ko) * | 2000-12-22 | 2002-06-28 | 윤종용 | 피에조 어레이의 균일한 표면 및 최대 변위 구현방법 |
| JP2012503394A (ja) * | 2008-09-18 | 2012-02-02 | フランス国 | 界面音響波デバイス |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5935641A (en) * | 1996-10-23 | 1999-08-10 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming a piezoelectric layer with improved texture |
| KR100306718B1 (ko) * | 1998-05-02 | 2001-12-17 | 장광현 | 교각을이용한공기막형박막공진기및그제조방법 |
| US6339276B1 (en) * | 1999-11-01 | 2002-01-15 | Agere Systems Guardian Corp. | Incremental tuning process for electrical resonators based on mechanical motion |
| US6746577B1 (en) | 1999-12-16 | 2004-06-08 | Agere Systems, Inc. | Method and apparatus for thickness control and reproducibility of dielectric film deposition |
| US6524971B1 (en) | 1999-12-17 | 2003-02-25 | Agere Systems, Inc. | Method of deposition of films |
| US6306313B1 (en) | 2000-02-04 | 2001-10-23 | Agere Systems Guardian Corp. | Selective etching of thin films |
| US6437667B1 (en) | 2000-02-04 | 2002-08-20 | Agere Systems Guardian Corp. | Method of tuning thin film resonator filters by removing or adding piezoelectric material |
| US6323744B1 (en) | 2000-02-04 | 2001-11-27 | Agere Systems Guardian Corp. | Grounding of TFR ladder filters |
| US6377136B1 (en) | 2000-02-04 | 2002-04-23 | Agere Systems Guardian Corporation | Thin film resonator filter having at least one component with different resonant frequency sets or electrode capacitance |
| US6603241B1 (en) | 2000-05-23 | 2003-08-05 | Agere Systems, Inc. | Acoustic mirror materials for acoustic devices |
| US6355498B1 (en) | 2000-08-11 | 2002-03-12 | Agere Systems Guartian Corp. | Thin film resonators fabricated on membranes created by front side releasing |
| US6674291B1 (en) | 2000-10-30 | 2004-01-06 | Agere Systems Guardian Corp. | Method and apparatus for determining and/or improving high power reliability in thin film resonator devices, and a thin film resonator device resultant therefrom |
| US6587212B1 (en) | 2000-10-31 | 2003-07-01 | Agere Systems Inc. | Method and apparatus for studying vibrational modes of an electro-acoustic device |
| US6743731B1 (en) * | 2000-11-17 | 2004-06-01 | Agere Systems Inc. | Method for making a radio frequency component and component produced thereby |
| US6518860B2 (en) * | 2001-01-05 | 2003-02-11 | Nokia Mobile Phones Ltd | BAW filters having different center frequencies on a single substrate and a method for providing same |
| US7435613B2 (en) * | 2001-02-12 | 2008-10-14 | Agere Systems Inc. | Methods of fabricating a membrane with improved mechanical integrity |
| US6787048B2 (en) * | 2001-03-05 | 2004-09-07 | Agilent Technologies, Inc. | Method for producing thin bulk acoustic resonators (FBARs) with different frequencies on the same substrate by subtracting method and apparatus embodying the method |
| US6635519B2 (en) | 2002-01-10 | 2003-10-21 | Agere Systems, Inc. | Structurally supported thin film resonator and method of fabrication |
| DE60209671T2 (de) * | 2002-07-29 | 2006-10-19 | Alcatel | Mikrowellen-Bandpassfilter mit kanonischer allgemeiner Filterkurve |
| US6828713B2 (en) * | 2002-07-30 | 2004-12-07 | Agilent Technologies, Inc | Resonator with seed layer |
| US6894360B2 (en) * | 2002-07-30 | 2005-05-17 | Agilent Technologies, Inc. | Electrostatic discharge protection of thin-film resonators |
| US7382082B2 (en) * | 2002-08-14 | 2008-06-03 | Bhardwaj Mahesh C | Piezoelectric transducer with gas matrix |
| JP4609027B2 (ja) * | 2004-10-07 | 2011-01-12 | ソニー株式会社 | 微小共振器およびその製造方法、ならびに電子機器 |
| US8981876B2 (en) | 2004-11-15 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
| JP4581658B2 (ja) * | 2004-12-01 | 2010-11-17 | ソニー株式会社 | 微小共振器、周波数フィルタ及び通信装置 |
| US8279557B2 (en) * | 2009-08-04 | 2012-10-02 | Seagate Technology Llc | Commonly-poled piezoelectric device |
| US9243316B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation |
| US8796904B2 (en) | 2011-10-31 | 2014-08-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer |
| US8962443B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
| US9490418B2 (en) | 2011-03-29 | 2016-11-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising collar and acoustic reflector with temperature compensating layer |
| US9490771B2 (en) | 2012-10-29 | 2016-11-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising collar and frame |
| US9401692B2 (en) | 2012-10-29 | 2016-07-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator having collar structure |
| US9385684B2 (en) | 2012-10-23 | 2016-07-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator having guard ring |
| CN115342901B (zh) * | 2022-10-19 | 2023-03-24 | 哈尔滨工业大学（威海） | 一种压电器件及其制备方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2406792A (en) * | 1940-07-08 | 1946-09-03 | Submarine Signal Co | Piezoelectric oscillator |
| EP0019267B1 (en) * | 1979-05-16 | 1984-08-22 | Toray Industries, Inc. | Piezoelectric vibration transducer |
| FR2485858B1 (fr) * | 1980-06-25 | 1986-04-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de transducteurs ultrasonores de formes complexes et application a l'obtention de transducteurs annulaires |
| JPS5767399A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of ultrasonic probe |
| JPS5911239B2 (ja) * | 1980-11-18 | 1984-03-14 | 松下電器産業株式会社 | 超音波探触子の製造方法 |
| JPS60201800A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超音波送受波器 |
| EP0379229B1 (en) * | 1985-05-20 | 1994-07-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ultrasonic probe |
| JP2794720B2 (ja) * | 1988-08-23 | 1998-09-10 | 松下電器産業株式会社 | 複合圧電振動子 |
| US4890268A (en) * | 1988-12-27 | 1989-12-26 | General Electric Company | Two-dimensional phased array of ultrasonic transducers |
| EP0383972B1 (de) * | 1989-02-22 | 1993-12-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Ultraschall-Array mit trapezförmigen Schwingerelementen sowie Verfahren und Vorrichtung zu seiner Herstellung |
| US5311095A (en) * | 1992-05-14 | 1994-05-10 | Duke University | Ultrasonic transducer array |
| JP3243047B2 (ja) * | 1993-03-12 | 2002-01-07 | 呉羽化学工業株式会社 | 受波型圧電素子 |
-
1995
- 1995-08-17 US US08/516,221 patent/US5698928A/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-06-25 KR KR1019960023401A patent/KR100415871B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-08-01 JP JP21810796A patent/JPH0955998A/ja active Pending
- 1996-08-12 CN CN96111661A patent/CN1110862C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001223410A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-17 | Lucent Technol Inc | 音響共振デバイス用の分離方法 |
| JP2014017881A (ja) * | 2000-02-04 | 2014-01-30 | Alcatel-Lucent Usa Inc | 音響共振デバイス用の分離方法 |
| JP2002175081A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-06-21 | Agere Systems Guardian Corp | 円柱構造を有する増加帯域幅薄膜共振器 |
| KR20020050894A (ko) * | 2000-12-22 | 2002-06-28 | 윤종용 | 피에조 어레이의 균일한 표면 및 최대 변위 구현방법 |
| JP2012503394A (ja) * | 2008-09-18 | 2012-02-02 | フランス国 | 界面音響波デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5698928A (en) | 1997-12-16 |
| CN1110862C (zh) | 2003-06-04 |
| CN1148275A (zh) | 1997-04-23 |
| KR970013665A (ko) | 1997-03-29 |
| KR100415871B1 (ko) | 2004-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0955998A (ja) | 結合強化薄膜圧電アレイおよび製造方法 | |
| JP4426748B2 (ja) | 単一の基板上で異なった中心周波数を有するバルク音響波フィルタ、およびそれを提供する方法 | |
| US6107721A (en) | Piezoelectric resonators on a differentially offset reflector | |
| US6842089B2 (en) | Film bulk acoustic resonator (FBAR) device | |
| EP1751858B1 (en) | Forming integrated film bulk acoustic resonators having different frequencies | |
| JP5559411B2 (ja) | 音響共振デバイス用の分離方法 | |
| US8522411B1 (en) | Method to control BAW resonator top electrode edge during patterning | |
| JP2002100953A (ja) | 前面放出により作成した膜上に加工した薄膜共振器 | |
| US20220376672A1 (en) | Bulk acoustic wave filter and method of manufacturing bulk acoustic wave filter | |
| JP2010063142A (ja) | 薄膜バルク音響共鳴器フィルタの製造方法および薄膜バルク音響共鳴器フィルタを用いた回路 | |
| US7657983B2 (en) | Method of producing a topology-optimized electrode for a resonator in thin-film technology | |
| CN116318029B (zh) | 体声波谐振器、用于制作体声波谐振器的方法 | |
| US20230011477A1 (en) | Structure and manufacturing method of surface acoustic wave filter with back electrode of piezoelectric layer | |
| CN114884480A (zh) | 声表面波谐振装置的形成方法 | |
| US7119638B2 (en) | Film bulk acoustic resonator having an air gap and a method for manufacturing the same | |
| CN115987244A (zh) | 体声波谐振器及其制造方法 | |
| CN116208117A (zh) | 体声波baw谐振器 | |
| US6794958B2 (en) | Method of fabricating a semiconductor device and an apparatus embodying the method | |
| WO2024105604A1 (en) | Surface acoustic wave filter wafer-level packaging structure and method | |
| JP3189719B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| US11611328B2 (en) | Fin bulk acoustic resonator technology for UHF and SHF signal processing | |
| US7737612B1 (en) | BAW resonator bi-layer top electrode with zero etch undercut | |
| US7600303B1 (en) | BAW resonator bi-layer top electrode with zero etch undercut | |
| WO2002084732A2 (en) | Method of manufacturing an electronic device | |
| US12088271B2 (en) | Structure and manufacturing method of surface acoustic wave filter with back electrode of piezoelectric layer |