KR20020033525A

KR20020033525A - ＳｉＣ질 열처리용 지그

Info

Publication number: KR20020033525A
Application number: KR1020010065592A
Authority: KR
Inventors: 기노시타도시하루; 오구라시게루
Original assignee: 시바타 마사하루; 니뽄 가이시 가부시키가이샤
Priority date: 2000-10-31
Filing date: 2001-10-24
Publication date: 2002-05-07
Also published as: TW587995B; CN1203026C; US20020076560A1; DE10153556A1; US6649270B2; CN1350997A; JP2002137929A; JP3980262B2; KR100441823B1; DE10153556B4

Abstract

지그 자체의 시간이 경과함에 따른 휨이나 열처리중의 마찰에 의한 유리질판의 변형을 억제할 수 있는 적절한 열팽창계수를 갖는 동시에, 유리질판의 균일한 열처리를 비교적 단시간에 효율적으로 행할 수 있는 우수한 열전도성을 가지며, 추가로 유리질판의 적재나 분리시의 취급성이 개선된 열처리용 지그를 제공하는 것을 목적으로 한다.

표면에 소정의 기능을 일으키는 막이 형성된 유리질판을 열처리할 때에, 이 유리질판을 얹어 놓기 위해서 이용하는 열처리용 지그이다. 이 지그는 SiC로 이루어진 상을 50 중량% 이상 함유하고, 열전도율이 10 W/mK 이상, 겉보기 기공율이 0.2∼25%, 열팽창계수가 3.8×10^-6/℃∼5.5×10^-6/℃이다.

Description

ＳｉＣ질 열처리용 지그{SiC-BASED JIG FOR HEAT TREATMENT}

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널용 유리 기판과 같이, 표면에 소정의 기능을 일으키는 막이 형성된 유리질판을 열처리할 때에, 이 유리질판을 얹어 놓기 위해서 사용되는 열처리용 지그에 관한 것이다.

최근, 벽걸이 텔레비젼이나 멀티미디어용 디스플레이로서 이용할 수 있는 대화면 플랫 패널 디스플레이(이하, "FPD"라 함)의 실용화가 착착 진행되고 있다. 이러한 대화면 FPD로서는, 자체발광형으로 넓은 시야각을 지니며 품질 표시가 좋다고 하는 품질면의 장점과, 제작 프로세스가 간단하고 대형화가 용이하다고 하는 제조면에서의 장점을 겸비한 플라즈마 디스플레이 패널(이하, "PDP"라고 함)을 유력 후보의 하나로서 들 수 있다.

PDP의 제조는 전면 유리, 배면 유리라 칭하는 대형 유리 기판의 표면에 인쇄, 건조, 소성(燒成) 공정을 복수 회 반복하는 후막법에 의해 전극, 유도체, 형광체 등의 소정 기능을 일으키는 막을 순차 형성해 나가고, 최종적으로 전면 유리와 배면 유리를 밀봉 부착함으로써 행해진다.

이 PDP용 유리 기판과 같은 표면에 소정의 기능을 일으키는 막이 형성된 유리질판은 막 제조, 유리의 왜곡 제거, 유리끼리의 밀봉 부착 등을 위해 500∼900℃로 열처리가 행해지지만, 그 열처리시에는 이 유리질판을 적재하여 열처리로 내에서 반송하기 위한 세터(setter)라고 불리는 열처리용 지그가 필요하게 된다. 종래, 이러한 열처리용 지그로서, 일반적으로는 알루미나질의 것이나 결정화 유리질의 것이 사용되어 왔다.

그러나, 알루미나질의 열처리용 지그는 그 열팽창계수가 약 8×10^-6/℃로 크기 때문에, 열처리시의 가열·냉각의 반복에 의해 시간이 경과함에 따라 지그 자체에 휨이 발생하여 평탄도를 잃게 되고, 그 결과, 피열처리체인 유리질판의 휨이나 유리질판의 표면에 형성된 막에 결함이 발생한다고 하는 문제가 있었다. 이 문제는 유리질판의 대형화에 따라 보다 큰 문제가 되고 있다. 예컨대 전술한 PDP는 종래의 브라운관 등의 표시 매체와의 차별화를 위해 42∼60 인치 정도의 보다 큰 사이즈의 제품이 제품화되고 있기 때문에, 이러한 지그 자체의 휨에 기인하는 결함이 발생하기 쉽다.

또한, 결정화 유리질의 열처리용 지그는, 열팽창계수는 -0.4×10^-6/℃로 작고, 지그 자체의 휨은 쉽게 발생하지 않지만, 상기 PDP용 유리 기판과 같은 FPD에 이용되는 유리질판은 약 8×10^-6/℃라는 큰 열팽창계수를 갖기 때문에, 양자의 열팽창차로부터 열처리중에 마찰이 발생하여, 균일 가열을 충분히 행하지 않으면, 열처리로의 진행 방향을 향해 유리질판이 사다리꼴 형상으로 변형되어 버린다고 하는문제가 있었다. 더욱이, 결정화 유리질의 열처리용 지그는 열전도율이 약 1 W/mK로 작기 때문에, 이 지그상에 적재된 유리질판에 균일한 열처리를 행하기 위해서는 승온 및 냉각 시간을 충분히 취할 필요가 있어 비효율적이었다.

또한, 결정화 유리질의 열처리용 지그는 겉보기 기공율이 극히 0에 가깝고, 상기 PDP용 유리 기판과 같은 FPD에 이용되는 유리질판을 실은 경우, 유리질판이 지그상을 미끄러지는 위치가 정해지는 데 시간이 걸리는 동시에, 열처리후, 유리질판을 결정화 유리질의 열처리용 지그로부터 제거할 때에는 흡착 작용에 의해 작업을 용이하게 행할 수 없고, 이것을 해결하기 위해서는 열처리용 지그에 예컨대 공기를 유입시키기 위한 미세한 구멍을 형성해 둘 필요가 있었다. 이 문제도 유리질판의 대형화에 따라 보다 큰 문제가 되고 있다.

본 발명은 이러한 종래의 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는 42∼60 인치 정도의 대형화하는 유리질판의 열처리에 있어서, 지그 자체의 시간이 경과함에 따른 휨이나 열처리중의 마찰에 의한 유리질판의 변형을 억제할 수 있는 적절한 열팽창계수를 갖는 동시에, 유리질판의 균일한 열처리를 비교적 단시간에 효율적으로 행할 수 있는 우수한 열전도성을 가지며, 더욱이 유리질판의 적재나 분리시의 취급성이 개선된 열처리용 지그를 제공하는 것에 있다.

본 발명에 따르면, 표면에 소정의 기능을 일으키는 막이 형성된 유리질판을 열처리할 때에, 이 유리질판을 얹어 놓기 위해서 이용하는 열처리용 지그로서, SiC로 이루어진 상을 50 중량% 이상 함유하고, 열전도율이 10 W/mK 이상, 겉보기 기공율이 0.2∼25%, 열팽창계수가 3.8×10^-6/℃∼5.5×10^-6/℃인 것을 특징으로 하는 SiC질 열처리용 지그(제1 열처리용 지그)가 제공된다.

또한, 본 발명에 따르면, 표면에 소정의 기능을 일으키는 막이 형성된 유리질판을 열처리할 때에, 이 유리질판을 얹어 놓기 위해서 이용하는 열처리용 지그로서, 입자 직경이 3.5 ㎜ 이하의 SiC 입자를 50 중량% 이상 함유하고, 열전도율이 10 W/mK 이상, 겉보기 기공율이 0.2∼25%, 열팽창계수가 3.8×10^-6/℃∼5.5×10^-6/℃인 것을 특징으로 하는 SiC질 열처리용 지그(제2 열처리용 지그)가 제공된다.

더욱이, 본 발명에 따르면, 표면에 소정의 기능을 일으키는 막이 형성된 유리질판을 열처리할 때에, 이 유리질판을 얹어 놓기 위해서 이용하는 열처리용 지그로서, SiC로 이루어진 상을 50 중량% 이상 함유하고, 열전도율이 10 W/mK 이상, 겉보기 기공율이 3∼25%, 열팽창계수가 3.8×10^-6/℃∼5.5×10^-6/℃인 것을 특징으로 하는 SiC질 열처리용 지그(제3 열처리용 지그)가 제공된다.

게다가, 본 발명에 따르면, 표면에 소정의 기능을 일으키는 막이 형성된 유리질판을 열처리할 때에, 이 유리질판을 얹어 놓기 위해서 이용하는 열처리용 지그로서, 입자 직경이 3.5 ㎜ 이하의 SiC 입자를 50 중량% 이상 함유하고, 열전도율이 10 W/mK 이상, 겉보기 기공율이 3∼25%, 열팽창계수가 3.8×10^-6/℃∼5.5×10^-6/℃인 것을 특징으로 하는 SiC질 열처리용 지그(제4 열처리용 지그)가 제공된다.

본 발명에 관한 상기 제1∼제4 열처리용 지그는 모두 열팽창계수를 5.5×10^-6/℃ 이하로 제어함으로써, 열처리시의 가열·냉각에 의한 시간이 경과함에 따른 지그 자체의 휨을 억제할 수 있다. 또한, 열팽창계수를 3.8×10^-6/℃ 이상으로 제어함으로써, 종래의 결정화 유리질의 지그에 비하여 FPD에 이용되는 유리질판과의 열팽창차가 작아지고, 이 때문에 이 유리질판과 지그와의 열팽창차에 기인하는 열처리중의 마찰로 유리질판이 사다리꼴 형상으로 변형하는 것을 억제할 수 있다. 더욱이, 열전도율을 10 W/mK 이상으로 함으로써, 지그 자체가 균일하게 가열되기 쉽게 되기 때문에, 유리질판에 균일한 열처리를 행하기 위한 승온 시간 및 냉각 시간을 단축할 수 있어 생산 효율이 향상된다.

또한, 제1 및 제2 열처리용 지그에 대해서는 겉보기 기공율을 0.2∼25%로 제어하고, 제3 및 제4 열처리용 지그에 대해서는 겉보기 기공율을 3∼25%로 제어함으로써, 상기 작용 효과에 덧붙여 유리질판을 적재했을 때의 공기를 기공으로부터 신속하게 배출하여 위치를 신속히 결정할 수 있는 동시에, 유리질판을 분리할 때에는 기공으로부터 공기를 공급할 수 있기 때문에 분리가 용이해진다고 하는 작용 효과를 얻을 수 있다. 게다가, 제3 및 제4 열처리용 지그에 대해서는 겉보기 기공율을 3∼25%로 제어함으로써, 절삭시의 숫돌의 법선 방향의 절삭 저항이 감소하고, 결과적으로 가공 시간을 단축할 수 있기 때문에, 생산성을 향상시킬 수 있다.

제1 및 제3 열처리용 지그는 SiC로 이루어진 상을 50 중량% 이상 함유하는 것으로, 이와 같이 SiC를 주요 구성 성분으로 함으로써, 전술한 바와 같은 유리질판의 열처리에 적합한 열팽창계수와 열전도율을 갖는 지그를 얻을 수 있다. SiC로이루어진 상은 그물코와 같이 구성된 연속한 다공질 구조로 SiC 입자 자체의 재결정 반응에 의해 자기 결합한 상태로 되어 있어도 좋고, C와 Si의 반응에 의해 구성된 것이어도 좋다.

또, SiC 이외의 구성 성분으로서는, 이차적인 상으로서 금속 Si를 함유하는 것이 바람직하다. 이차적인 상으로서 금속 Si를 함유함으로써, 기공을 금속 Si로 매립할 수 있고, 열전도율을 개선할 수 있다. 또한, 기공에의 금속 Si의 충전량을 제어함으로써 겉보기 기공율을 소정의 값으로 제어할 수 있다.

제2 및 제4 열처리용 지그는 입자 직경이 3.5 ㎜ 이하의 SiC 입자를 50 중량% 이상 함유하는 것으로, 상기 제1 및 제3 열처리용 지그와 마찬가지로 SiC를 주요 구성 성분으로 함으로써, 유리질판의 열처리에 적합한 열팽창계수와 열전도율을 갖는 지그를 얻을 수 있다. 또한, 입자 직경이 3.5 ㎜ 이하의 SiC 입자를 사용함으로써, 소결체의 강도를 유지하고, 4∼7 ㎜가 표준적인 두께가 얇은 열처리용 지그의 제조가 가능하다.

상기 SiC 입자는 산화물이나 질화물이나 산질화물, 혹은 금속 Si로 이루어진 이차적인 상에 의해 SiC 입자간이 결합된 상태로 되어 있어도 좋다. 예컨대, 이차적인 상으로서 SiO₂질을 함유한 것이나 Si₃N₄질 및 Si₂ON₂질을 함유한 것은, 제조시에 있어서, 상기 제1 또는 제3 열처리용 지그와 같은 SiC 입자 자체의 재결정 반응에 의해 자기 결합한 상태로 된 것, 또는 C와 금속 Si의 반응에 의해 구성된 것에 비하여 저온도로 SiC 입자끼리의 결합을 발생시킬 수 있고, 제조 비용이나 수율면에서 유리하다.

또한, 상기 제1 및 제3 열처리용 지그에, 이차적인 상으로서 SiO₂질이나 Si₃N₄질 및 Si₂ON₂질을 함유시켜, 그 SiO₂질상의 존재량이나 Si₃N₄질상 및 Si₂ON₂질상의 존재량을 제어함으로써 설계치까지 기공을 이차적인 상으로 매립할 수 있고, 겉보기 기공율의 제어를 행할 수 있다.

SiC 입자끼리가 재결정 반응에 의해 자기 결합한 열처리용 지그는 예컨대 SiC 분말을 소정의 지그 형상으로 성형하고, 얻어진 성형체를 Ar 등의 불활성 분위기중에서 2000∼2400℃의 고온으로 소성함으로써 제조할 수 있다. 즉, 이러한 고온으로 소성을 행하면, SiC 입자 표면으로부터 SiC 성분이 증발하고, 이것이 입자간의 접촉부(네크부)에서 재결정화함으로써, 네크부가 성장하여 결합 상태를 얻을 수 있다.

이차적인 상으로서 SiO₂질을 함유한 열처리용 지그는 예컨대 SiC 분말에 점토 등의 SiO₂원과 필요에 따라 첨가제를 첨가하고 혼합하여 얻은 성형 원료를 소정의 지그 형상으로 성형하고, 얻어진 성형체를 대기중에서 1300∼1500℃로 소성함으로써 제조할 수 있다.

또한, 이차적인 상으로서 Si₃N₄질 및 Si₂ON₂질을 함유한 열처리용 지그는 예컨대 SiC 분말에 Si와, 필요에 따라 각종 조제를 첨가하고 혼합하여 얻은 성형 원료를 소정의 지그 형상으로 성형하고, 얻어진 성형체를 N₂분위기중에서 1300∼1500℃로 소성함으로써 제조할 수 있다. 즉, 성형체내의 Si는 그 대부분이 질화되어Si₃N₄를 생성하는 동시에, 일부는 성형체에 함유되는 O₂에 의해 Si₂ON₂가 되며, 이들에 의해 골재(骨材)가 되는 SiC 입자가 결합된다.

이차적인 상으로서 금속 Si를 함유한 열처리용 지그는 예컨대 SiC 분말을 소정의 지그 형상으로 성형하고, 얻어진 성형체를 금속 Si가 존재하는 감압의 불활성 가스 분위기 또는 진공중에서, 1450∼1800℃로 금속 Si를 함침시키면서 소성함으로써 제조할 수 있다. 소성중에 용융하여 성형체내에 함침된 금속 Si는 기공중에 충전되어 골재로 되는 SiC 입자를 결합시키는 동시에, 성형체를 치밀화 한다. 또한, 충전량의 제어에 의해 겉보기 기공율을 제어할 수 있다.

또한, 이차적인 상으로서 금속 Si를 함유한 열처리용 지그의 다른 제조 방법으로서, 미리 SiC 입자를 재결정 반응에 의해 자기 결합한 것을 금속 Si가 존재하는 감압의 불활성 가스 분위기 또는 진공중에서 소성함으로써, 상기와 같은 재결정 SiC의 기공중에 금속 Si를 충전하는 방법도 들 수 있다.

이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않는다.

(실시예 1)

평균 입자 직경 100 ㎛의 SiC 입자 50 중량%와 평균 입자 직경 1 ㎛의 SiC 입자 50 중량%를 혼합한 분말에 폴리카르복실산계 분산제, 아크릴계 에멀젼 및 이온 교환수를 첨가하여 소정의 지그 형상으로 성형한 성형체를 40℃의 건조기 속에서 하룻밤 건조시킨 후, Ar 분위기에서 2200℃로 1시간 소성하여 실시예 1의 열처리용 지그를 얻었다.

(실시예 2 내지 실시예 4)

상기 실시예 1의 열처리용 지그를 금속 Si가 존재하는 절대 압력 50 mBar의 진공 분위기에서, 1500℃로 1시간 가열하여 기공에 금속 Si를 함침시켜, 각각 표 1에 나타낸 바와 같이 겉보기 기공율을 제어한 실시예 2 내지 실시예 4의 열처리용 지그를 얻었다.

(실시예 5)

입자 직경 5∼20 ㎜의 SiC 덩어리를 분쇄하여 최대 입자 직경을 3.5 ㎜ 이하로 체에 걸러 분류한 SiC 입자 45 중량%와, 평균 입자 직경 10 ㎛의 SiC 입자 45 중량%와, 와목점토(蛙目粘土: gairome clay) 10 중량%를 혼합한 분말에 메틸크시셀룰로오스와 이온 교환수를 첨가하여 소정의 지그 형상으로 성형한 성형체를 40℃의 건조기 속에서 하룻밤 건조시킨 후, 대기 분위기에서 1400℃로 1시간 소성하여 실시예 5의 열처리용 지그를 얻었다.

(실시예 6)

입자 직경 5∼20 ㎜의 SiC 덩어리를 분쇄하여 최대 입자 직경을 3.5 ㎜ 이하로 체에 걸러 분류한 SiC 입자 40 중량%와, 평균 입자 직경 10 ㎛의 SiC 입자 40 중량%와, 와목점토 10 중량%와, 금속 Si 10 중량%를 혼합한 분말에 메틸크시셀룰로오스와 이온 교환수를 첨가하여 소정의 지그 형상으로 성형한 성형체를 40℃의 건조기 속에서 하룻밤 건조시킨 후, N₂분위기에서 1400℃로 1시간 소성하여 실시예 6의 열처리용 지그를 얻었다.

(실시예 7)

평균 입자 직경 100 ㎛의 SiC 입자 50 중량%와, 평균 입자 직경 1 ㎛의 SiC 입자 49 중량%와, 평균 입자 직경 1 ㎛의 카본 분말 1 중량%를 혼합한 분말에 폴리카르복실산계 분산제, 아크릴계 에멀젼 및 이온 교환수를 첨가하여 소정의 지그 형상으로 성형한 성형체를 40℃의 건조기 속에서 하룻밤 건조시킨 후, 기공을 매립하기에 충분한 Si 분말을 성형체상에 실어 Ar 분위기에서 1800℃로 1시간 소성하여 실시예 7의 열처리용 지그를 얻었다.

(실시예 8)

입자 직경 5∼20 ㎜의 SiC 덩어리를 분쇄하여 최대 입자 직경을 3.5 ㎜ 이하로 체에 걸러 분류한 SiC 입자 25 중량%와, 평균 입자 직경 10 ㎛의 SiC 입자 25 중량%와, 와목점토 20 중량%와, 평균 입자 직경 10 ㎛의 알루미나 분말 30 중량%를 혼합한 분말에 메틸크시셀룰로오스와 이온 교환수를 첨가하여 소정의 지그 형상으로 성형한 성형체를 40℃의 건조기 속에서 하룻밤 건조시킨 후, 대기 분위기에서 1400℃로 1시간 소성하여 실시예 8의 열처리용 지그를 얻었다.

(실시예 9)

입자 직경 5∼20 ㎜의 SiC 덩어리를 분쇄하여 최대 입자 직경을 3.5 ㎜ 이하로 체에 걸러 분류한 SiC 입자 25 중량%와, 평균 입자 직경 10 ㎛의 SiC 입자 25 중량%와, 금속 Si 50 중량%를 혼합한 분말에 메틸크시셀룰로오스와 이온 교환수를 첨가하여 소정의 지그 형상으로 성형한 성형체를 40℃의 건조기 속에서 하룻밤 건조시킨 후, N₂분위기에서 1400℃로 1시간 소성하여 실시예 9의 열처리용 지그를 얻었다.

(실시예 10)

평균 입자 직경 70 ㎛의 SiC 입자 40 중량%와, 평균 입자 직경 1 ㎛의 SiC 입자 40 중량%와, 와목점토 5 중량%와, 금속 Si 15 중량%를 혼합한 분말에 메틸크시셀룰로오스와 이온 교환수를 첨가하여 소정의 지그 형상으로 성형한 성형체를 40℃의 건조기 속에서 하룻밤 건조시킨 후, N₂분위기에서 1400℃로 1시간 소성하고, 대기 분위기에서 1300℃로 1시간 열처리하여 실시예 10의 열처리용 지그를 얻었다.

(열처리용 지그의 특성)

상기 실시예 1 내지 실시예 l0의 각 열처리용 지그의 특성을 측정한 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 비교예로서 종래 사용되고 있는 알루미나질 재료의 열처리용 지그(비교예 1)와, 결정화질 재료의 열처리용 지그(비교예 2)의 특성을 측정한 결과에 대해서도 동 표에 나타낸다.

	재질	실온 강도(MPa)	겉보기기공율(%)	열팽창계수(×10^-6/℃)	열전도율(W/mK)	법선방향절삭저항(N)
실시예1	SiC질	90	25	3.9	20	10
실시예2	SiC질	250	0.2	3.8	160	40
실시예3	SiC질	150	3	3.9	120	25
실시예4	SiC질	100	15	3.9	100	17
실시예5	SiC질	70	8	4.2	15	12
실시예6	SiC질	75	7	4.1	13	15
실시예7	SiC질	200	0.5	3.8	150	40
실시예8	SiC질	50	10	5.5	10	11
실시예9	SiC질	60	9	4.2	16	10
실시예10	SiC질	120	0.7	4.0	15	20
비교예1	알루미나질	280	2	7.9	21	-
비교예2	결정화유리질	140	0	-0.4	1	-

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 열처리용 지그는 지그 자체의 시간이 경과함에 따른 휨이나 열처리중의 마찰에 의한 유리질판의 변형을 억제할 수 있는 적절한 열팽창계수를 갖는다. 또한, 열전도가 우수하고, 유리질판의 균일한 열처리를 비교적 단시간에 효율적으로 행할 수 있다. 더욱이, 겉보기 기공율을 소정의 값으로 제어함으로써, 지그에 구멍을 형성하지 않아도 지그상에서의 유리질판의 위치 결정이나 지그로부터의 유리질판의 분리를 용이하게 행할 수 있다.

Claims

표면에 소정의 기능을 일으키는 막이 형성된 유리질판을 열처리할 때에, 이 유리질판을 얹어 놓기 위해서 이용하는 열처리용 지그로서,

SiC로 이루어진 상을 50 중량% 이상 함유하고, 열전도율이 10 W/mK 이상, 겉보기 기공율이 0.2∼25%, 열팽창계수가 3.8×10^-6/℃∼5.5×10^-6/℃인 것을 특징으로 하는 SiC질 열처리용 지그.
제1항에 있어서, 이차적인 상으로서 금속 Si를 함유하는 것을 특징으로 하는 SiC질 열처리용 지그.
표면에 소정의 기능을 일으키는 막이 형성된 유리질판을 열처리할 때에, 이 유리질판을 얹어 놓기 위해서 이용하는 열처리용 지그로서,

입자 직경이 3.5 ㎜ 이하의 SiC 입자를 50 중량% 이상 함유하고, 열전도율이 10 W/mK 이상, 겉보기 기공율이 0.2∼25%, 열팽창계수가 3.8×10^-6/℃∼5.5×10^-6/℃인 것을 특징으로 하는 SiC질 열처리용 지그.
제3항에 있어서, 이차적인 상으로서 SiO₂질을 함유하는 것을 특징으로 하는 SiC질 열처리용 지그.
제3항에 있어서, 이차적인 상으로서 Si₃N₄질 및 Si₂ON₂질을 함유하는 것을 특징으로 하는 SiC질 열처리용 지그.
제3항에 있어서, 이차적인 상으로서 금속 Si를 함유하는 것을 특징으로 하는 SiC질 열처리용 지그.
표면에 소정의 기능을 일으키는 막이 형성된 유리질판을 열처리할 때에, 이 유리질판을 얹어 놓기 위해서 이용하는 열처리용 지그로서,

SiC로 이루어진 상을 50 중량% 이상 함유하고, 열전도율이 10 W/mK 이상, 겉보기 기공율이 3∼25%, 열팽창계수가 3.8×10^-6/℃∼5.5×10^-6/℃인 것을 특징으로 하는 SiC질 열처리용 지그.
제7항에 있어서, 이차적인 상으로서 금속 Si를 함유하는 것을 특징으로 하는 SiC질 열처리용 지그.
표면에 소정의 기능을 일으키는 막이 형성된 유리질판을 열처리할 때에, 이 유리질판을 얹어 놓기 위해서 이용하는 열처리용 지그로서,

입자 직경이 3.5 ㎜ 이하의 SiC 입자를 50 중량% 이상 함유하고, 열전도율이10 W/mK 이상, 겉보기 기공율이 3∼25%, 열팽창계수가 3.8×10^-6/℃∼5.5×10^-6/℃인 것을 특징으로 하는 SiC질 열처리용 지그.
제9항에 있어서, 이차적인 상으로서 SiO₂질을 함유하는 것을 특징으로 하는 SiC질 열처리용 지그.
제9항에 있어서, 이차적인 상으로서 Si₃N₄질 및 Si₂ON₂질을 함유하는 것을 특징으로 하는 SiC질 열처리용 지그.
제9항에 있어서, 이차적인 상으로서 금속 Si를 함유하는 것을 특징으로 하는 SiC질 열처리용 지그.