KR20020030726A - 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 92
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 38
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 24
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 24
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 9
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 108010036050 human cationic antimicrobial protein 57 Proteins 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- ZBZXYUYUUDZCNB-UHFFFAOYSA-N N-cyclohexa-1,3-dien-1-yl-N-phenyl-4-[4-(N-[4-[4-(N-[4-[4-(N-phenylanilino)phenyl]phenyl]anilino)phenyl]phenyl]anilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CCCC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 ZBZXYUYUUDZCNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
Claims (14)
- 유기 전계 발광 소자에 있어서,양극;적어도 1 개의 유기 발광층을 포함하는 유기층;음극; 및절연 기판 상에 적층된 주요 구성 요소들인 상기 양극, 상기 유기층, 및 상기 음극을 밀봉시키기 위해 사용되는 캡을 포함하고,상기 유기층과 상기 음극 간의 계면에 산소가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 유기 전계 발광 소자에 있어서,양극;적어도 1 개의 유기 발광층을 포함하는 유기층;음극; 및절연 기판 상에 적층된 주요 구성 요소들인 상기 양극, 상기 유기층, 및 상기 음극을 밀봉시키기 위해 사용되는 캡을 포함하고,상기 음극은 제1 음극과 제2 음극을 갖고 상기 유기층과 상기 제1 음극 간의 계면에 산소가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 유기 전계 발광 소자에 있어서,양극;적어도 1 개의 유기 발광층을 포함하는 유기층;음극; 및절연 기판 상에 적층된 주요 구성 요소들인 상기 양극, 상기 유기층, 및 상기 음극을 밀봉시키기 위해 사용되는 캡을 포함하고,상기 음극은 복수의 층을 갖고, 상기 복수의 층에 포함되고 상기 유기층과 접촉하는 제1 음극내의 산소 함량이, 제2 음극상에 형성되고 이후 상기 유기층과 접촉하지 않는 임의의 음극내의 산소 함량보다 더 많은 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제1항에 있어서,상기 음극의 막 두께는 20㎚ 내지 100㎚인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제2항에 있어서,상기 제1 음극의 막 두께는 20㎚ 내지 100㎚인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제3항에 있어서,상기 제1 음극의 막 두께는 20㎚ 내지 100㎚인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 절연 기판 상에 형성된 주요 구성 요소들인 양극, 적어도 하나의 유기 발광층을 포함하는 유기층, 및 음극을 캡을 사용하여 밀봉시키기 위한 유기 전계 발광 소자 제조 방법에 있어서,밀봉 이전에, 상기 장치 주요 구성 요소들이 상부에 형성된 상기 절연 기판을 진공 장치에 놓아두고, 감소된 대기압에서 상기 유기층과 상기 음극간의 계면에 산소가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
- 절연 기판 상에 형성된 주요 구성 요소들인 양극, 적어도 1 개의 유기 발광층을 포함하는 유기층, 복수의 층들로 구성된 음극을 캡을 사용하여 밀봉시키기 위한 유기 전계 발광 소자 제조 방법에 있어서,상기 절연 기판상에 도전막을 형성한 후 상기 양극을 형성하기 위해 도전막 상에 원하는 형상으로 패터닝 동작을 행하는 공정;상부에 상기 양극이 형성된 상기 절연 기판을 진공 장치에 놓고 감소된 대기압에서 상기 유기층과 상기 양극상에 복수의 층을 갖는 음극에 포함된 제1 음극을 순차 적층하는 공정;상기 감소된 대기압을 유지하는 상기 진공 장치 내에 산소 가스를 도입하여 상기 산소 가스를 상기 제1 음극과 접촉하게 하는 공정;상기 장치 주요 구성 요소들을 형성하기 위해, 상기 감소된 대기압에서 상기 제1 음극상에 제2 음극을 형성한 후 형성될 음극을 적층하는 공정; 및상기 장치 주요 구성 요소들을 상기 캡을 사용하여 밀봉하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항에 있어서,상기 제1 음극의 막 두께는 20㎚ 내지 100㎚인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제8항에 있어서,상기 제1 음극의 막 두께는 20㎚ 내지 100㎚인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제8항에 있어서,상기 진공 장치 내의 산소의 부분 압력이 2 x 10-4내지 1 x 10-1파스칼이 되도록 상기 산소 가스가 도입되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제9항에 있어서,상기 진공 장치 내의 산소의 부분 압력이 2 x 10-4내지 1 x 10-1파스칼이 되도록 상기 산소 가스가 도입되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제10항에 있어서,상기 진공 장치 내의 산소의 부분 압력이 2 x 10-4내지 1 x 10-1파스칼이 되도록 상기 산소 가스가 도입되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항에 있어서,상기 진공 장치로서 진공 증착 장치를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000317165 | 2000-10-17 | ||
JPJP-P-2000-00317165 | 2000-10-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020030726A true KR20020030726A (ko) | 2002-04-25 |
KR100552955B1 KR100552955B1 (ko) | 2006-02-15 |
Family
ID=18796000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020010063886A KR100552955B1 (ko) | 2000-10-17 | 2001-10-17 | 유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7042152B2 (ko) |
KR (1) | KR100552955B1 (ko) |
DE (1) | DE10152655B4 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7271535B2 (en) | 2002-12-05 | 2007-09-18 | Seiko Epson Corporation | Electroluminescent display device, method for manufacturing the same, and electronic equipment |
KR100916385B1 (ko) * | 2002-12-23 | 2009-09-07 | 사천홍시현시기건유한공사 | 유기 전계발광 표시소자 |
KR101528663B1 (ko) * | 2012-11-14 | 2015-06-15 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7301279B2 (en) * | 2001-03-19 | 2007-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same |
US6710542B2 (en) * | 2002-08-03 | 2004-03-23 | Agilent Technologies, Inc. | Organic light emitting device with improved moisture seal |
JP4216572B2 (ja) * | 2002-11-20 | 2009-01-28 | 株式会社東芝 | 有機el素子及び有機el表示装置 |
DE102004041854B4 (de) * | 2004-04-27 | 2008-11-13 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Vakuumbeschichtung |
JP2006344423A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Showa Denko Kk | 有機el発光装置とその製造方法 |
JP4844867B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2011-12-28 | 住友電気工業株式会社 | 真空蒸着装置の運転方法および真空蒸着装置 |
KR20070069314A (ko) * | 2005-12-28 | 2007-07-03 | 전자부품연구원 | Oled 소자 |
KR102449804B1 (ko) * | 2015-03-02 | 2022-10-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0541284A (ja) * | 1991-08-07 | 1993-02-19 | Ricoh Co Ltd | El素子 |
JPH0923207A (ja) * | 1995-07-07 | 1997-01-21 | Toshiba Corp | 情報多重化方式 |
JPH09232079A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el素子 |
US5776622A (en) * | 1996-07-29 | 1998-07-07 | Eastman Kodak Company | Bilayer eletron-injeting electrode for use in an electroluminescent device |
WO1998010473A1 (en) * | 1996-09-04 | 1998-03-12 | Cambridge Display Technology Limited | Electrode deposition for organic light-emitting devices |
US5739545A (en) * | 1997-02-04 | 1998-04-14 | International Business Machines Corporation | Organic light emitting diodes having transparent cathode structures |
JP3774897B2 (ja) * | 1997-06-03 | 2006-05-17 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子 |
JPH11121176A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 注入形電場発光デバイスとその製造方法 |
JP3353699B2 (ja) * | 1998-04-28 | 2002-12-03 | 株式会社豊田中央研究所 | 有機電界発光素子 |
JP2000012237A (ja) | 1998-06-25 | 2000-01-14 | Nec Corp | 有機電界発光表示素子の製造方法 |
JP3776600B2 (ja) * | 1998-08-13 | 2006-05-17 | Tdk株式会社 | 有機el素子 |
JP2000123976A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-28 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP2000200681A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-07-18 | Rohm Co Ltd | 微細発光素子およびこれを用いた有機el素子 |
JP4505067B2 (ja) * | 1998-12-16 | 2010-07-14 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP3492535B2 (ja) * | 1998-12-22 | 2004-02-03 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜el素子とその製造方法 |
US6166488A (en) * | 1998-12-29 | 2000-12-26 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent device |
EP1144197B1 (en) * | 1999-01-15 | 2003-06-11 | 3M Innovative Properties Company | Thermal Transfer Method. |
US6114088A (en) * | 1999-01-15 | 2000-09-05 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element for forming multilayer devices |
JP2000252058A (ja) * | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Stanley Electric Co Ltd | 有機el表示装置素子およびその封止方法 |
AU3056301A (en) * | 2000-02-02 | 2001-08-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | Organic electroluminescent element and method of manufacture thereof |
-
2001
- 2001-10-16 US US09/981,161 patent/US7042152B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-16 DE DE10152655A patent/DE10152655B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-17 KR KR1020010063886A patent/KR100552955B1/ko active IP Right Grant
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7271535B2 (en) | 2002-12-05 | 2007-09-18 | Seiko Epson Corporation | Electroluminescent display device, method for manufacturing the same, and electronic equipment |
US7641533B2 (en) | 2002-12-05 | 2010-01-05 | Seiko Epson Corporation | Electroluminescent display device, method for manufacturing the same, and electronic equipment |
KR100916385B1 (ko) * | 2002-12-23 | 2009-09-07 | 사천홍시현시기건유한공사 | 유기 전계발광 표시소자 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10152655B4 (de) | 2013-10-02 |
KR100552955B1 (ko) | 2006-02-15 |
US20020043934A1 (en) | 2002-04-18 |
US7042152B2 (en) | 2006-05-09 |
DE10152655A1 (de) | 2002-07-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
B601 | Maintenance of original decision after re-examination before a trial | ||
J801 | Dismissal of trial |
Free format text: REJECTION OF TRIAL FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20040908 Effective date: 20050315 Free format text: TRIAL NUMBER: 2004101004024; REJECTION OF TRIAL FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20040908 Effective date: 20050315 |
|
J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20040908 Effective date: 20060102 Free format text: TRIAL NUMBER: 2004101004025; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20040908 Effective date: 20060102 |
|
S901 | Examination by remand of revocation | ||
GRNO | Decision to grant (after opposition) | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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