KR20020018866A - 반도체 소자의 내부 전원 전압 보상 회로 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 센스 앰프 동작 신호(sg)를 래치하여 내부 전원전압 레벨의 제 1 버퍼 출력(sg1)과 외부전원전압 레벨의 제 2 버퍼 출력(sg2)를 발생시키는 센스 앰프 동작 신호 감지부;상기 제 1,2 버퍼 출력(sg1)(sg2)를 입력으로 받아 센스 앰프의 동작 시간에 동기된 일정한 시간의 폭을 가지는 펄스 신호(sgp)를 출력하는 펄스 발생부;상기 펄스 신호(sgp)에 의해 센스 앰프 동작시의 내부 전원 전압단(Vint)으로부터 전원 기준전압(Vss)으로의 드레인 전류와 동일한 파형을 가지는 전류를 외부 전원 전압단(Vext)으로 부터 내부 전원 전압단(Vint)으로 인가하는 전류 구동부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 내부 전원 전압 보상 회로.
- 제 1 항에 있어서, 전류 구동부는 외부전원전압단과 내부전원전압단 사이에 일정 간격마다 정해진 길이동안 센스 앰프 동작시의 내부 전원 전압단(Vint)으로부터 전원 기준전압(Vss)으로의 드레인 전류와 동일한 파형을 가지는 전류를 구동하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 내부 전원 보상 회로.
- 제 1 항에 있어서, 센스 앰프 동작 신호 감지부는 각각 센스 앰프 동작 신호(sg)와 반전된 센스 앰프 동작 신호가 인가되어 각각 내부 전원전압 수준의 버퍼 출력(sg1)과 외부전원전압 수준의 버퍼 출력(sg2)를 발생시키는 제 1,2 래치부로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 내부 전원 보상 회로.
- 제 1 항에 있어서, 펄스 발생부는 포화 모드에서 동작하는 풀다운 트랜지스터들(N1)(N3)을 포함하는 NAND 게이트로 구성되어 외부 전원 전압단(Vext)과 관계없이 전류 구동 트랜지스터(P0)가 동일한 크기의 전류 구동 능력을 갖도록 하는 것을 반도체 소자의 내부 전원 보상 회로.
- 제 4 항에 있어서, 풀다운 트랜지스터(N1)(N3)의 크기와 전류 구동 트랜지스터(P0)의 게이트 축전용량(Cgs0)의 비율(Rpd) 및 풀업 트랜지스터(P2)(P4)의 크기와 전류 구동 트랜지스터(P0)의 게이트 축전용량(Cgs0)의 비율(Rpu)에 의해 전류 구동 트랜지스터(P0)의 게이트-소오스 전압의 상승/하강 슬로프가 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 내부 전원 보상 회로.
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Country Status (1)
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KR (1) | KR100351457B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7315198B2 (en) | 2004-10-20 | 2008-01-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Voltage regulator |
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2000
- 2000-09-04 KR KR1020000052164A patent/KR100351457B1/ko active IP Right Grant
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