KR20010111016A - 레이저 가공장치 및 가공방법 - Google Patents

레이저 가공장치 및 가공방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010111016A
KR20010111016A KR1020010031657A KR20010031657A KR20010111016A KR 20010111016 A KR20010111016 A KR 20010111016A KR 1020010031657 A KR1020010031657 A KR 1020010031657A KR 20010031657 A KR20010031657 A KR 20010031657A KR 20010111016 A KR20010111016 A KR 20010111016A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser beam
pulsed laser
pulse
wavelength
light source
Prior art date
Application number
KR1020010031657A
Other languages
English (en)
Inventor
이소게이지
Original Assignee
오자와 미토시
스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오자와 미토시, 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 filed Critical 오자와 미토시
Publication of KR20010111016A publication Critical patent/KR20010111016A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
    • H05K3/0032—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material
    • H05K3/0038—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material combined with laser drilling through a metal layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
    • B23K26/042—Automatically aligning the laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B23K26/0613—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams having a common axis
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0643—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising mirrors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0648—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light
    • H05K2203/108—Using a plurality of lasers or laser light with a plurality of wavelengths

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Laser Surgery Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

본 발명은 레이저 가공장치 및 가공방법에 관한 것으로서,
자외선영역의 파장의 레이저빔을 사용하여, 가공시간을 단축시키는 것이 가능한 레이저 가공장치 및 가공방법을 제공하는 것을 목적으로 하며,
제어수단이 주기적인 파형을 가지는 제1계기신호와, 제1계기신호에 동기(同期)된 주기적인 파형을 가지는 제2계기신호를 출력하며, 제1레이저광원이 제1계기신호에 동기되어, 자외선영역의 파장을 가지는 제1펄스레이저빔을 출사하고, 제2레이저광원이 제2계기신호에 동기되어, 자외선영역의 파장을 가지는 제2펄스레이저빔을 출사하며, 집광광학계가 제1펄스레이저빔과 제2펄스레이저빔을 동일점에 집광하고, 집광광학계에서 집광된 펄스레이저빔이 조사되는 위치로 유지수단이 피가공물을 유지하는 것을 구성상의 특징으로 한다.

Description

레이저 가공장치 및 가공방법{Laser processing apparatus and method}
본 발명은 레이저 가공장치 및 가공방법에 관한 것으로, 특히 자외선영역의 파장의 펄스레이저빔을 조사하여 피가공물에 구멍을 뚫는 레이저 가공장치 및 가공방법에 관한 것이다.
다층(多層) 배선기판에 구멍을 뚫는 방법을 예로 들어, 종래의 레이저 가공방법에 관하여 설명한다. 탄산가스 레이저 발진기로부터 방사된 적외선 펄스레이저빔을 다층 배선기판의 수지층에 집광한다. 레이저빔이 조사된 부분의 유기물이 열분해되어, 그 위치에 구멍이 뚫린다. 이 방법에 의하여, 두께 40∼80㎛ 정도의 수지층에 직경 100∼200㎛의 관통공(貫通孔)을 형성할 수 있다. 탄산가스 레이저 발진기는 1펄스당 에너지가 높은 펄스레이저빔을 출력할 수 있기 때문에, 예를 들면 3샷(shot)으로 관통공을 형성하는 것이 가능하다.
반도체집적회로장치의 고밀도 실장화(實裝化)에 따라, 다층 배선기판에 형성되는 구멍의 미세화가 요구되고 있다. 형성할 구멍의 직경의 하한치(下限値)는 사용하는 레이저빔의 파장의 5배 정도이다. 따라서, 탄산가스 레이저를 사용하는 경우 구멍의 직경의 하한치는 50㎛ 정도이며, 실용적으로는 탄산가스 레이저를 사용하여 50∼60㎛ 미만의 구멍을 형성하는 것은 어렵다.
자외선영역의 파장의 레이저빔을 사용함으로써, 미세한 구멍을 형성하는 것이 가능하다. 하지만, 자외선영역의 파장을 가지면서, 또한 파워가 큰 레이저빔을 얻는 것은 어렵다. 파워가 작은 레이저빔으로 다층 배선기판의 가공을 행하면, 가공시간이 길어져서 생산성의 저하를 초래한다.
본 발명의 목적은, 자외선영역의 파장의 레이저빔을 사용하여, 가공시간을 단축시키는 것이 가능한 레이저 가공장치 및 가공방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 레이저 가공장치의 블럭도이다.
도 2는 실시예에 의한 레이저 가공장치의 제1제어모드시의 타이밍차트를 나타낸 그래프이다.
도 3은 실시예에 의한 레이저 가공장치의 제2제어모드시의 타이밍차트를 나타낸 그래프이다.
도 4는 Nd : YAG 레이저의 제3고조파의 출력특성의 일례를 나타낸 그래프이다.
도 5는 다층(多層) 배선기판의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 레이저 가공장치의 블럭도이다.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
1, 2 : 제1, 제2레이저광원
5, 9 : 반사경
6 : 편광판
10 : 갈바노 스캐너(galvano scanner)
11 : 집광렌즈
12 : 유지대
13 : 제어수단
15 : 비선형(非線形) 광학소자
20 : 피가공물
21 : 마더보드(motherboard)
22 : 팩키지보드(packageboard)
23 : 반도체집적회로장치
25, 28 : 동(銅)배선
26, 29 : 비어홀(via hole)
27 : 스루홀(through hole)
본 발명의 하나의 관점에 의하면, 주기적인 파형을 가지는 제1계기신호와, 이 제1계기신호에 동기(同期)된 주기적인 파형을 가지는 제2계기신호를 출력하는 제어수단과, 상기 제1계기신호에 동기되어, 자외선영역의 파장을 가지는 제1펄스레이저빔을 출사하는 제1레이저광원과, 상기 제2계기신호에 동기되어, 자외선영역의 파장을 가지는 제2펄스레이저빔을 출사하는 제2레이저광원과, 상기 제1펄스레이저빔과 상기 제2펄스레이저빔을 동일점에 집광하는 집광광학계와, 상기 집광광학계에서 집광된 펄스레이저빔이 조사되는 위치로 피가공물을 유지하는 유지수단을 가지는 레이저 가공장치가 제공된다.
본 발명의 다른 관점에 의하면, 제1레이저광원으로부터 자외선영역의 파장의 제1펄스레이저빔을 출사하는 공정과, 상기 제1펄스레이저빔에 동기시켜 제2레이저광원으로부터 자외선영역의 파장의 제2펄스레이저빔을 출사하는 공정과, 상기 제1 및 제2펄스레이저빔을 피조사물의 동일한 피가공 개소에 조사하여, 조사된 부분에 구멍을 형성하는 공정을 가지는 레이저 가공방법이 제공된다.
제1펄스레이저빔의 펄스와 제2펄스레이저빔의 펄스가 번갈아 피가공물의 동일점에 도달하면, 가공속도를 약 2배로 할 수 있다. 또, 제1펄스레이저빔의 펄스에 제2펄스레이저빔의 펄스를 겹쳐지게 하면, 1펄스당 에너지를 크게 할 수 있다. 이에 따라, 구멍뚫기에 큰 에너지를 필요로 하는 재료를 가공하는 것이 가능하게 된다.
본 발명의 또 다른 관점에 의하면, 1펄스당 에너지가 제1에너지인 자외선 펄스레이저빔의 조사에 의하여 구멍이 형성되는 제1층과, 이 제1층의 아래에 배치되며, 1펄스당 에너지가 상기 제1에너지인 자외선 펄스레이저빔의 조사에 의해서는 구멍이 형성되지 않고, 1펄스당 에너지가 이 제1에너지보다도 높은 제2에너지인 자외선 펄스레이저빔의 조사에 의하여 구멍이 형성되는 제2층을 포함하는 피가공물을 준비하는 공정과, 제1레이저광원으로부터 출사된 자외선영역의 파장을 가지는 제1펄스레이저빔과 제2레이저광원으로부터 출사된 자외선영역의 파장을 가지는 제2펄스레이저빔을, 제1 및 제2펄스레이저빔의 펄스가 번갈아 제1층을 조사하는 타이밍조건에서 상기 제1층의 피가공 개소에 조사하여, 이 제1층에 제1구멍을 뚫어 그 아래의 제2층의 일부를 노출시키는 공정과, 제1레이저광원으로부터 출사된 자외선영역의 파장을 가지는 제1펄스레이저빔과 제2레이저광원으로부터 출사된 자외선영역의 파장을 가지는 제2펄스레이저빔을, 제1 및 제2펄스레이저빔의 펄스가 적어도 부분적으로 겹쳐지는 타이밍조건에서 상기 제1구멍의 바닥에 노출된 제2층에 조사하여, 이 제2층에 제2구멍을 뚫는 공정을 가지는 레이저 가공방법이 제공된다.
제1펄스레이저빔과 제2펄스레이저빔의 타이밍조건을 변경함으로써, 제1층과 제2층을 연속적으로 가공할 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점에 의하면, 주기적인 파형을 가지는 제1계기신호와, 이 제1계기신호에 동기된 주기적인 파형을 가지는 제2계기신호를 출력하는 제어수단과, 상기 제1계기신호에 동기되어, 적외 또는 가시영역의 파장을 가지는 제1펄스레이저빔을 출사하는 제1레이저광원과, 상기 제2계기신호에 동기되어, 적외 또는 가시영역의 파장을 가지는 제2펄스레이저빔을 출사하는 제2레이저광원과, 상기 제1펄스레이저빔과 상기 제2펄스레이저빔이 동일 광축을 따라서 전파(propagation)되도록, 적어도 한 쪽 펄스레이저빔의 광축을 변화시키는 전파광학계와, 상기 전파광학계에서 광축이 일치된 상기 제1 및 제2펄스레이저빔의 자외영역의 고조파를 발생시키는 비선형(非線形) 광학소자와, 상기 고조파를 집광시키는 집광광학계와, 상기 집광광학계에서 집광된 고조파가 조사되는 위치로 피가공물을 유지하는 유지수단을 가지는 레이저 가공장치가 제공된다.
제1펄스레이저빔의 펄스와 제2펄스레이저빔의 펄스가 번갈아 비선형 광학소자에 도달하면, 입사하는 펄스레이저빔의 각각의 반복주파수의 2배의 반복주파수를 가지는 고조파가 발생한다. 이에 따라, 가공속도의 향상을 도모할 수 있다. 또, 제1펄스레이저빔의 펄스와 제2펄스레이저빔의 펄스가 겹쳐져서 비선형 광학소자에 입사되면, 고조파의 1펄스당 에너지가 커진다. 이에 따라, 구멍뚫기에 큰 에너지를 필요로 하는 재료를 가공하는 것이 가능하게 된다.
<발명의 실시형태>
도 1에 본 발명의 실시예에 의한 레이저 가공장치의 블럭도를 나타내었다. 제1레이저광원(1) 및 제2레이저광원(2)이 각각 계기신호(sig1및 sig2)에 동기되어, 자외선영역의 파장을 가지는 펄스레이저빔(p11및 p12)을 출사한다. 제1 및 제2레이저광원(1 및 2)은 예를 들면 Nd : YAG 레이저 발진기와 비선형 광학소자를 포함하여 구성된다. 펄스레이저빔(p11및 p12)은 예를 들면 Nd : YAG 레이저 발진기로부터 출사된 펄스레이저빔인 제3고조파(파장 355㎚)이며, 각각 연직방향 및 수평방향으로 직선편광되어 있다.
제1레이저광원(1)으로부터 출사된 펄스레이저빔(p11)은 반사경(5)에 의하여 반사되어, 편광판(6)의 겉쪽 면에 입사각 45°로 입사된다. 제2레이저광원(2)으로부터 출사된 펄스레이저빔(p12)은 편광판(6)의 안쪽 면에 입사각 45°로 입사된다. 편광판(6)은 연직방향으로 직선편광된 펄스레이저빔(p11)을 반사하고, 수평방향으로직선편광된 펄스레이저빔(p12)을 투과시킨다.
편광판(6)에 의하여 펄스레이저빔(p11및 p12)이 동일 광축상에 중첩되어 펄스레이저빔(p13)이 얻어진다. 펄스레이저빔(p13)은 반사경(9)에 의하여 반사된다. 반사된 펄스레이저빔(p14)은 갈바노 스캐너(galvano scanner; 10)에 입사된다. 갈바노 스캐너(10)는 제어신호(sig0)의 지령에 의하여, 펄스레이저빔의 광축을 2차원 방향으로 주사한다.
갈바노 스캐너(10)를 통과한 펄스레이저빔을 집광렌즈(11)가 집광하여 펄스레이저빔(p15)이 얻어진다. 집광렌즈(11)는 예를 들면 fθ렌즈로 구성된다. 유지대(12)가 펄스레이저빔(p15)의 집광위치로 피가공물(20)을 유지한다.
제어수단(13)이 제1레이저광원(1) 및 제2레이저광원(2)에 각각 주기적인 파형을 가지는 계기신호(sig1및 sig2)를 송출한다. 제어수단(13)은 제1제어모드와 제2제어모드 중에서 하나의 모드를 선택하여, 각 제어모드마다 정해져 있는 위상차로 계기신호(sig1및 sig2)를 송출할 수 있다. 또한, 제어수단(13)은 갈바노 스캐너(10)에 제어신호(sig0)를 송출한다.
다음에, 도 2 및 도 3을 참조하여 도 1에 나타낸 레이저 가공장치의 펄스레이저빔의 타이밍에 관하여 설명한다.
도 2는 제1제어모드시의 타이밍차트를 나타낸다. 계기신호(sig1및 sig2)는주파수가 같게 상호 동기된 전기펄스신호이다. 계기신호(sig2)의 위상이 계기신호(sig1)의 위상보다도 180° 지연되어 있다. 펄스레이저빔(p11)은 계기신호(sig1)에 동기되며, 펄스레이저빔(p12)은 계기신호(sig2)에 동기된다. 이로 인하여, 펄스레이저빔(p12)은 펄스레이저빔(p11)보다도 위상이 180° 지연된다. 펄스레이저빔(p11및 p12)이 중첩된 펄스레이저빔(p13∼p15)의 펄스의 반복주파수는 계기신호(sig1및 sig2)의 주파수의 2배가 된다.
도 4에 Nd : YAG 레이저 발진기를 사용한 레이저광원(1 및 2)의 제3고조파의 출력특성의 일례를 나타내었다. 횡축은 펄스의 반복주파수를 단위 「㎑」로 표시하였고, 종축은 레이저출력을 단위 「W」로 표시하였다. 반복주파수가 약 5㎑일 때 레이저출력이 최대치를 나타내며, 반복주파수가 5㎑ 이상의 범위에서는 반복주파수가 높아짐에 따라 레이저출력이 서서히 저하한다. 또한, 이러한 경향은 Nd : YAG 레이저 발진기에 한하지 않고, 다른 고체 레이저를 사용한 경우에도 거의 동일하다.
일반적으로 수지막에 구멍을 뚫는 경우, 조사하는 펄스레이저빔의 1펄스당 에너지 밀도를 어느 문턱값 이상으로 해야 한다. 예를 들면, 에폭시 수지(epoxy resin)에 구멍을 뚫는 경우에는, 1펄스당 에너지 밀도를 약 1J/㎠ 이상으로 할 필요가 있다. 가공할 구멍의 면적으로부터 필요로 하는 1펄스당 에너지가 구해진다. 펄스레이저빔의 출력을 P[W], 펄스의 반복주파수를 f[㎐]라고 하면, 1펄스당 에너지는 P/f[J]로 주어진다. 도 4에 나타낸 출력특성으로부터, 1펄스당 에너지(P/f)가 필요로 하는 문턱값 이상이 되는 영역을 구할 수 있다. 이 영역에서 레이저광원(1 및 2)을 동작시킴으로써, 수지막에 구멍을 뚫을 수 있다.
피가공물(20)에 조사되는 펄스레이저빔(p15)의 반복주파수는 계기신호(sig1및 sig2)의 주파수의 2배인 10㎑이다. 이로 인하여, 1대의 레이저 발진기를 사용하는 경우에 비하여, 구멍을 뚫는 시간을 약 1/2로 단축할 수 있다.
도 3은 제2제어모드시의 타이밍차트를 나타낸다. 도 2에 나타낸 제1제어모드시에는 계기신호(sig2)의 위상이 계기신호(sig1)의 위상보다도 180° 지연되어 있지만, 제2제어모드시에는 위상 지연량이 작다. 이로 인하여, 펄스레이저빔(p11및 p12)이 중첩된 펄스레이저빔(p13∼p15)에 있어서, 펄스레이저빔(p11)의 펄스와 펄스레이저빔(p12)의 펄스가 부분적으로 겹쳐진다. 이로 인하여, 펄스 폭이 넓어짐과 동시에 1펄스당 에너지가 2배가 된다. 또한, 계기신호(sig1및 sig2)의 위상을 일치시켜, 펄스레이저빔(p11)의 펄스와 펄스레이저빔(p12)의 펄스를 완전히 서로 겹쳐지게 해도 된다. 이 경우에는 펄스 폭은 넓어지지 않고, 피크 파워가 약 2배가 된다.
일반적으로, 동박(銅箔)에 구멍을 뚫기 위해서는, 1펄스당 에너지 밀도를 약 10J/㎠ 이상으로 해야 한다. 구멍의 직경이 100㎛인 경우에는, 1펄스당 에너지를 약 7.9 ×10-4J 이상으로 해야 한다. 하지만, 도 2에 나타낸 제1제어모드시에 1펄스당 에너지를 약 7.9 ×10-4J 이상으로 하는 것은 어렵다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 2개의 펄스레이저빔의 펄스를 부분적으로 겹쳐지게 함으로써, 동박의 구멍뚫기에 필요한 1펄스당 에너지를 얻을 수 있다.
또한, 1펄스당 에너지가 충분하지 않은 경우, 레이저빔을 수렴(收斂)시켜 빔 직경을 작게 함으로써, 필요한 1펄스당 에너지 밀도를 확보하는 것은 가능하다. 하지만, 빔 직경이 작기 때문에, 원하는 크기의 구멍을 뚫기 위해서는 레이저빔의 조사부위를 이동시킬 필요가 있다. 예를 들면, 트리패닝(trepaning)가공, 또는 나선형가공을 할 필요가 있다. 본 실시예와 같이, 1펄스당 에너지를 크게 함으로써, 트리패닝 등을 하지 않고 직경 100㎛ 정도의 구멍을 뚫는 것이 가능하게 된다.
예를 들면, 반복주파수 10㎑로 동작시키는 경우, 도 4에서 1대의 레이저광원의 출력이 약 4W로 구해진다. 따라서, 도 3에 나타낸 펄스레이저빔(p13∼p15)의 파워는 8W가 된다. 이 때, 1펄스당 에너지는 8 ×10-4J가 된다. 1대의 레이저광원에서는 동박에 구멍을 뚫는 것이 어렵지만, 2대의 레이저광원을 사용하여 펄스끼리 서로 겹쳐지게 함으로써, 1펄스당 에너지를 동박에 구멍을 뚫기에 충분한 크기로 할 수 있다.
도 3에 나타낸 펄스레이저빔(p13∼p15)의 펄스 폭 및 피크 강도는, 펄스레이저빔(p11및 p12)의 위상의 어긋나는 양에 의존한다. 계기신호(sig1)에 대한 계기신호(sig2)의 위상의 어긋나는 양을 조절함으로써, 펄스레이저빔(p13∼p15)의 펄스 폭및 피크 강도를 용이하게 제어할 수 있다.
도 5에 다층 배선기판의 단면도를 나타내었다. 마더보드(motherboard; 21)의 표면상에 팩키지보드(packageboard; 22)가 실장(實裝)되어 있다. 팩키지보드(22)에 반도체집적회로장치(23)이 실장되어 있다. 마더보드(21)나 팩키지보드(22)는 글래스크로스(glass cross)를 포함한 에폭시 수지로 형성된다.
마더보드(21) 내에 동(銅)배선(25)이 매설되어 있다. 비어홀(via hole; 26)이 마더보드(21)의 표면에서부터 동배선(25)에까지 이른다. 또, 스루홀(through hole; 27)이 마더보드(21)를 관통한다. 비어홀(26) 및 스루홀(27) 내에 동(銅)이 매설되어 있다. 팩키지보드(22)에도 마찬가지로 동배선(28) 및 비어홀(29)이 형성되어 있다. 비어홀(26, 29) 및 스루홀(27)은 도 1에 나타낸 레이저 가공장치에 의하여 형성된다. 또한, 팩키지보드(22)가 마더보드(21)에 실장되기 전의 단체(單體)인 마더보드(21)나 팩키지보드(22)에 대하여 레이저가공이 행해진다.
비어홀(26이나 29)의 형성은 도 2에 나타낸 제1제어모드로 행해진다. 이 때의 펄스레이저빔(p15)의 1펄스당 에너지는 수지에 구멍을 뚫기에 충분한 크기이다. 다만, 동박에 구멍을 뚫기에는 충분하지 않기 때문에, 비어홀의 바닥면에 동배선(25)을 남길 수 있다.
스루홀(27)을 형성하는 경우에는, 제1제어모드로 수지층을 관통하는 구멍을 형성한 후, 도 3에 나타낸 제2제어모드로 동배선에 구멍을 형성한다. 이 때의 펄스레이저빔(p15)의 1펄스당 에너지는 동박에 구멍을 뚫기에 충분한 크기이다. 제1제어모드에 의한 레이저가공과 제2제어모드에 의한 레이저가공을 번갈아 반복실시함으로써, 스루홀(27)을 형성할 수 있다.
표면상에 동박이 형성된 수지기판에 동박을 관통시켜 구멍을 뚫는 경우에는, 최초에 제2제어모드로 동박에 구멍을 뚫는다. 동박의 두께에 따라서 조사하는 펄스 수를 미리 설정해 두면, 동박을 관통한 시점에서 가공을 정지시킬 수 있다. 동박을 관통하는 구멍이 뚫리면, 다음으로 제1제어모드로 전환하여 수지부에 구멍을 뚫는다. 제1제어모드에 의한 레이저가공시에 조사하는 펄스 수도 미리 설정되어 있다.
상기 실시예에서는 자외선영역의 파장을 가지는 펄스레이저빔으로서 Nd : YAG 레이저의 제3고조파를 사용하였지만, 그 외의 레이저를 사용해도 된다. 예를 들면, Nd : YAG 레이저의 제4 또는 제5고조파를 사용해도 되며, Nd : YAG 레이저 대신에 YLF 레이저나 YVO4레이저를 사용해도 된다. 또, KrF 엑시머레이저나 XeCl 엑시머레이저의 기본파를 사용해도 된다.
또, 상기 실시예에서는, 제1레이저광원(1)으로부터 출사된 펄스레이저빔(p11)과 제2레이저광원(2)으로부터 출사된 펄스레이저빔(p12)을 동일 광축을 따라 전파시켜 피가공물의 피가공위치에 집광시켰지만, 반드시 양자(兩者)의 광축을 동일하게 할 필요는 없다. 예를 들면, 펄스레이저빔(p11및 p12)을 다른 광축을 따라 전파시켜, 피가공위치에서 양자의 광축이 교차하도록 해도 된다.
다음에, 도 6을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 관하여 설명한다. 상기 실시예에서는 2대의 Nd : YAG 레이저의 제3고조파끼리를 중첩시켰지만, 도 6에 나타낸 실시예에서는 기본파끼리를 중첩킨 후, 제3고조파를 발생시킨다. 도 6에 나타낸 레이저 가공장치의 기본적인 구성은 도 1의 레이저 가공장치의 구성과 동일하므로, 여기에서는 양자의 상이점에 관하여 설명한다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 제1 및 제2레이저광원(1 및 2)이 각각 적외 또는 가시영역의 파장을 가지는 펄스레이저빔(p11및 p12)을 출사한다. 2개의 펄스레이저빔(p11및 p12)이 중첩된 펄스레이저빔(p13)의 광축상에 비선형 광학소자(15)가 배치되어 있다. 비선형 광학소자(15)는 펄스레이저빔(p13)의 고조파, 예를 들면 제3고조파를 발생시킨다. 또한, 비선형 광학소자(15)는 편광판(6)과 피가공물(20) 사이의 광로(光路) 상의 어디에 배치하여도 된다.
이상 실시예를 따라 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 이들로 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 다양한 변경, 개량, 조합 등이 가능한 것은 당업자로서 자명한 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 2개의 레이저광원으로부터 방사된 펄스레이저빔을 소정의 위상차로 중첩시킴으로써, 구멍을 뚫는 시간을 단축하는 것이 가능하게 된다. 또, 펄스끼리를 겹쳐지게 함으로써 1펄스당 에너지를 크게 할 수 있다. 이로 인하여, 1개의 레이저광원만으로는 충분한 1펄스당 에너지를 확보할 수 없는 경우에도, 2개의 레이저광원을 사용함으로써 충분한 에너지를 확보할 수 있다. 이에 따라, 구멍을 뚫기 위하여 필요로 하는 1펄스당 에너지가 큰 재료에 구멍을 뚫는 것이 가능하게 된다.

Claims (9)

  1. 주기적인 파형을 가지는 제1계기신호와, 이 제1계기신호에 동기(同期)된 주기적인 파형을 가지는 제2계기신호를 출력하는 제어수단과,
    상기 제1계기신호에 동기되어, 자외선영역의 파장을 가지는 제1펄스레이저빔을 출사하는 제1레이저광원과,
    상기 제2계기신호에 동기되어, 자외선영역의 파장을 가지는 제2펄스레이저빔을 출사하는 제2레이저광원과,
    상기 제1펄스레이저빔과 상기 제2펄스레이저빔을 동일점에 집광하는 집광광학계와,
    상기 집광광학계에서 집광된 펄스레이저빔이 조사되는 위치로 피가공물을 유지하는 유지수단을 가지는 레이저 가공장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 집광광학계가 상기 제1펄스레이저빔과 상기 제2펄스레이저빔이 동일 광축을 따라서 전파(propagation)되도록, 적어도 한 쪽 펄스레이저빔의 광축을 변화시킨 후, 제1 및 제2펄스레이저빔을 집광하는 레이저 가공장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제어수단이 제1제어모드와 제2제어모드를 가지며, 이 제1제어모드에 있어서는, 상기 제1펄스레이저빔의 펄스와 상기 제2펄스레이저빔의 펄스가 피가공물의 피가공위치에 번갈아 도달하도록 상기 제1 및 제2계기신호가 출력되고, 이 제2제어모드에 있어서는, 상기 제2펄스레이저빔의 펄스가 상기 제1펄스레이저빔의 펄스에 적어도 부분적으로 겹쳐져서 피가공위치에 도달하도록 상기 제1 및 제2계기신호가 출력되는 레이저 가공장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제어수단이 상기 제2제어모드시에, 상기 제1펄스레이저빔의 펄스와 상기 제2펄스레이저빔의 펄스의 겹쳐지는 정도를 조절할 수 있는 레이저 가공장치.
  5. 제1레이저광원으로부터 자외선영역의 파장의 제1펄스레이저빔을 출사하는 공정과,
    상기 제1펄스레이저빔에 동기시켜 제2레이저광원으로부터 자외선영역의 파장의 제2펄스레이저빔을 출사하는 공정과,
    상기 제1 및 제2펄스레이저빔을 피조사물의 동일한 피가공 개소에 조사하여, 조사된 부분에 구멍을 형성하는 공정을 가지는 레이저 가공방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 구멍을 형성하는 공정에 있어서, 상기 제1펄스레이저빔의 펄스와 제2펄스레이저빔의 펄스가 피조사물에 번갈아 도달하도록, 상기 제1 및 제2펄스레이저빔의 동기상태가 제어되어 있는 레이저 가공방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 구멍을 형성하는 공정에 있어서, 상기 제1펄스레이저빔의 펄스와 상기 제2펄스레이저빔의 펄스가 피가공 개소에서 적어도 부분적으로 겹쳐지도록, 상기 제1 및 제2펄스레이저빔의 동기상태가 제어되어 있는 레이저 가공방법.
  8. 1펄스당 에너지가 제1에너지인 자외선 펄스레이저빔의 조사에 의하여 구멍이 형성되는 제1층과, 이 제1층의 아래에 배치되며, 1펄스당 에너지가 상기 제1에너지인 자외선 펄스레이저빔의 조사에 의해서는 구멍이 형성되지 않고, 1펄스당 에너지가 이 제1에너지보다도 높은 제2에너지인 자외선 펄스레이저빔의 조사에 의하여 구멍이 형성되는 제2층을 포함하는 피가공물을 준비하는 공정과,
    제1레이저광원으로부터 출사된 자외선영역의 파장을 가지는 제1펄스레이저빔과 제2레이저광원으로부터 출사된 자외선영역의 파장을 가지는 제2펄스레이저빔을, 제1 및 제2펄스레이저빔의 펄스가 번갈아 제1층을 조사하는 타이밍조건에서 상기 제1층의 피가공 개소에 조사하여, 이 제1층에 제1구멍을 뚫어 그 아래의 제2층의 일부를 노출시키는 공정과,
    제1레이저광원으로부터 출사된 자외선영역의 파장을 가지는 제1펄스레이저빔과 제2레이저광원으로부터 출사된 자외선영역의 파장을 가지는 제2펄스레이저빔을, 제1 및 제2펄스레이저빔의 펄스가 적어도 부분적으로 겹쳐지는 타이밍조건에서 상기 제1구멍의 바닥에 노출된 제2층에 조사하여, 이 제2층에 제2구멍을 뚫는 공정을 가지는 레이저 가공방법.
  9. 주기적인 파형을 가지는 제1계기신호와, 이 제1계기신호에 동기된 주기적인 파형을 가지는 제2계기신호를 출력하는 제어수단과,
    상기 제1계기신호에 동기되어, 적외 또는 가시영역의 파장을 가지는 제1펄스레이저빔을 출사하는 제1레이저광원과,
    상기 제2계기신호에 동기되어, 적외 또는 가시영역의 파장을 가지는 제2펄스레이저빔을 출사하는 제2레이저광원과,
    상기 제1펄스레이저빔과 상기 제2펄스레이저빔이 동일 광축을 따라서 전파(propagation)되도록, 적어도 한 쪽 펄스레이저빔의 광축을 변화시키는 전파광학계와,
    상기 전파광학계에서 광축이 일치된 상기 제1 및 제2펄스레이저빔의 자외영역의 고조파를 발생시키는 비선형(非線形) 광학소자와,
    상기 고조파를 집광시키는 집광광학계와,
    상기 집광광학계에서 집광된 고조파가 조사되는 위치로 피가공물을 유지하는 유지수단을 가지는 레이저 가공장치.
KR1020010031657A 2000-06-09 2001-06-07 레이저 가공장치 및 가공방법 KR20010111016A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000173244A JP3522654B2 (ja) 2000-06-09 2000-06-09 レーザ加工装置及び加工方法
JP2000-173244 2000-06-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010111016A true KR20010111016A (ko) 2001-12-15

Family

ID=18675518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010031657A KR20010111016A (ko) 2000-06-09 2001-06-07 레이저 가공장치 및 가공방법

Country Status (9)

Country Link
US (2) US6580055B2 (ko)
EP (1) EP1166948B1 (ko)
JP (1) JP3522654B2 (ko)
KR (1) KR20010111016A (ko)
CN (1) CN1145541C (ko)
AT (1) ATE370812T1 (ko)
DE (1) DE60130068T2 (ko)
HK (1) HK1043559A1 (ko)
TW (1) TW494042B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150086719A (ko) * 2014-01-20 2015-07-29 주식회사 이오테크닉스 레이저 빔 형성 방법 및 이를 적용하는 레이저 시스템

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7838794B2 (en) 1999-12-28 2010-11-23 Gsi Group Corporation Laser-based method and system for removing one or more target link structures
US6281471B1 (en) 1999-12-28 2001-08-28 Gsi Lumonics, Inc. Energy-efficient, laser-based method and system for processing target material
US7671295B2 (en) * 2000-01-10 2010-03-02 Electro Scientific Industries, Inc. Processing a memory link with a set of at least two laser pulses
US6887804B2 (en) 2000-01-10 2005-05-03 Electro Scientific Industries, Inc. Passivation processing over a memory link
US20030222324A1 (en) * 2000-01-10 2003-12-04 Yunlong Sun Laser systems for passivation or link processing with a set of laser pulses
US20060141681A1 (en) * 2000-01-10 2006-06-29 Yunlong Sun Processing a memory link with a set of at least two laser pulses
US6777645B2 (en) * 2001-03-29 2004-08-17 Gsi Lumonics Corporation High-speed, precision, laser-based method and system for processing material of one or more targets within a field
US7167499B2 (en) * 2001-04-18 2007-01-23 Tcz Pte. Ltd. Very high energy, high stability gas discharge laser surface treatment system
JP4397571B2 (ja) 2001-09-25 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法
US6750423B2 (en) 2001-10-25 2004-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
DE10217678A1 (de) * 2002-04-19 2003-11-06 Fraunhofer Ges Forschung Laser-Materialbearbeitung mit hybriden Prozessen
DE10307309B4 (de) * 2003-02-20 2007-06-14 Hitachi Via Mechanics, Ltd., Ebina Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von elektrischen Schaltungssubstraten mittels Laser
EP1473107A1 (en) * 2003-05-02 2004-11-03 Kba-Giori S.A. Machine and process for cutting openings in a substrate
US7361171B2 (en) 2003-05-20 2008-04-22 Raydiance, Inc. Man-portable optical ablation system
US6947454B2 (en) * 2003-06-30 2005-09-20 Electro Scientific Industries, Inc. Laser pulse picking employing controlled AOM loading
US8173929B1 (en) 2003-08-11 2012-05-08 Raydiance, Inc. Methods and systems for trimming circuits
US9022037B2 (en) 2003-08-11 2015-05-05 Raydiance, Inc. Laser ablation method and apparatus having a feedback loop and control unit
US8921733B2 (en) 2003-08-11 2014-12-30 Raydiance, Inc. Methods and systems for trimming circuits
KR100804253B1 (ko) * 2003-08-19 2008-02-18 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 레이저 섬유 증폭기의 증폭기 출력 제어 방법
US7491909B2 (en) * 2004-03-31 2009-02-17 Imra America, Inc. Pulsed laser processing with controlled thermal and physical alterations
US7486705B2 (en) 2004-03-31 2009-02-03 Imra America, Inc. Femtosecond laser processing system with process parameters, controls and feedback
KR100626554B1 (ko) * 2004-05-11 2006-09-21 주식회사 탑 엔지니어링 비금속재 절단장치 및 비금속재 절단시의 절단깊이 제어방법
US7885311B2 (en) * 2007-03-27 2011-02-08 Imra America, Inc. Beam stabilized fiber laser
US8148211B2 (en) * 2004-06-18 2012-04-03 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis delivered simultaneously
US7629234B2 (en) * 2004-06-18 2009-12-08 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots with joint velocity profiling
US7633034B2 (en) * 2004-06-18 2009-12-15 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure
US7923306B2 (en) * 2004-06-18 2011-04-12 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots
US7435927B2 (en) * 2004-06-18 2008-10-14 Electron Scientific Industries, Inc. Semiconductor link processing using multiple laterally spaced laser beam spots with on-axis offset
US7687740B2 (en) * 2004-06-18 2010-03-30 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows
US7935941B2 (en) * 2004-06-18 2011-05-03 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis on non-adjacent structures
US8383982B2 (en) * 2004-06-18 2013-02-26 Electro Scientific Industries, Inc. Methods and systems for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots
US20060114948A1 (en) * 2004-11-29 2006-06-01 Lo Ho W Workpiece processing system using a common imaged optical assembly to shape the spatial distributions of light energy of multiple laser beams
US7396706B2 (en) * 2004-12-09 2008-07-08 Electro Scientific Industries, Inc. Synchronization technique for forming a substantially stable laser output pulse profile having different wavelength peaks
US7289549B2 (en) * 2004-12-09 2007-10-30 Electro Scientific Industries, Inc. Lasers for synchronized pulse shape tailoring
US20060191884A1 (en) * 2005-01-21 2006-08-31 Johnson Shepard D High-speed, precise, laser-based material processing method and system
US7336691B2 (en) * 2005-03-24 2008-02-26 Coherent, Inc. Apparatus for combining beams from repetitively pulsed lasers along a common path
JP4822737B2 (ja) * 2005-04-22 2011-11-24 ミヤチテクノス株式会社 レーザ溶接方法及びレーザ溶接装置
US8135050B1 (en) 2005-07-19 2012-03-13 Raydiance, Inc. Automated polarization correction
JP2007029952A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2007110064A (ja) 2005-09-14 2007-04-26 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd レーザアニール方法及び装置
US7679029B2 (en) 2005-10-28 2010-03-16 Cymer, Inc. Systems and methods to shape laser light as a line beam for interaction with a substrate having surface variations
US7444049B1 (en) 2006-01-23 2008-10-28 Raydiance, Inc. Pulse stretcher and compressor including a multi-pass Bragg grating
US9130344B2 (en) 2006-01-23 2015-09-08 Raydiance, Inc. Automated laser tuning
US8189971B1 (en) 2006-01-23 2012-05-29 Raydiance, Inc. Dispersion compensation in a chirped pulse amplification system
US8232687B2 (en) 2006-04-26 2012-07-31 Raydiance, Inc. Intelligent laser interlock system
US7822347B1 (en) 2006-03-28 2010-10-26 Raydiance, Inc. Active tuning of temporal dispersion in an ultrashort pulse laser system
KR100699899B1 (ko) * 2006-05-08 2007-03-28 삼성전자주식회사 집적회로 장치 제조용 마스크 검사 장치 및 그 검사 방법
US8084706B2 (en) * 2006-07-20 2011-12-27 Gsi Group Corporation System and method for laser processing at non-constant velocities
US8068674B2 (en) * 2007-09-04 2011-11-29 Evolution Robotics Retail, Inc. UPC substitution fraud prevention
US7903326B2 (en) 2007-11-30 2011-03-08 Radiance, Inc. Static phase mask for high-order spectral phase control in a hybrid chirped pulse amplifier system
US8125704B2 (en) * 2008-08-18 2012-02-28 Raydiance, Inc. Systems and methods for controlling a pulsed laser by combining laser signals
KR101057458B1 (ko) 2008-11-03 2011-08-17 주식회사 이오테크닉스 드릴링 장치 및 드릴링 방법
US8498538B2 (en) 2008-11-14 2013-07-30 Raydiance, Inc. Compact monolithic dispersion compensator
ES2582007T3 (es) * 2009-01-28 2016-09-08 Albany International Corp. Tela industrial para la producción de productos no tejidos y método para su fabricación
JP5178622B2 (ja) * 2009-05-07 2013-04-10 住友重機械工業株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
US20120061356A1 (en) * 2009-08-11 2012-03-15 Hamamatsu Photonics K.K. Laser machining device and laser machining method
US20110278767A1 (en) * 2010-05-17 2011-11-17 David Aviel Direct engraving of flexographic printing plates
WO2012021748A1 (en) 2010-08-12 2012-02-16 Raydiance, Inc. Polymer tubing laser micromachining
US9120181B2 (en) 2010-09-16 2015-09-01 Coherent, Inc. Singulation of layered materials using selectively variable laser output
KR20130026805A (ko) * 2011-09-06 2013-03-14 삼성전자주식회사 반도체 패키지의 와이어 본딩 시스템
US10239160B2 (en) 2011-09-21 2019-03-26 Coherent, Inc. Systems and processes that singulate materials
FR2980586A1 (fr) * 2011-09-22 2013-03-29 St Microelectronics Grenoble 2 Dispositif et procede de determination de la distance a un objet
JP5865671B2 (ja) * 2011-10-25 2016-02-17 東芝機械株式会社 パルスレーザ加工装置
DE102012201194A1 (de) * 2012-01-20 2013-07-25 Rofin-Baasel Lasertech Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zum Laserbearbeiten eines Werkstückes
US10239155B1 (en) * 2014-04-30 2019-03-26 The Boeing Company Multiple laser beam processing
CN104043906B (zh) * 2014-06-09 2016-03-02 江苏大学 一种双激光系统打孔方法
CN105397314B (zh) * 2015-12-31 2017-03-08 中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所 复合脉冲激光打孔方法及装置
CN105555038B (zh) * 2016-02-02 2018-07-31 深圳光韵达光电科技股份有限公司 在非金属基材上形成电路的方法
CN106346141B (zh) * 2016-09-07 2019-04-12 华中科技大学 一种基于复合激光束的金属切割装置
PL3523083T3 (pl) * 2016-11-18 2024-02-05 Ipg Photonics Corporation System i sposób laserowej obróbki materiałów
EP3685954B1 (en) * 2019-01-22 2024-01-24 Synova S.A. Method for cutting a workpiece with a complex fluid-jet-guided laser beam
DE202019101463U1 (de) 2019-03-14 2020-06-18 Sick Ag Leiterplatteneinheit
DE102019106562A1 (de) * 2019-03-14 2020-09-17 Sick Ag Leiterplatteneinheit

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58147690A (ja) 1982-02-26 1983-09-02 株式会社東芝 放射線遮蔽装置
US4789770A (en) * 1987-07-15 1988-12-06 Westinghouse Electric Corp. Controlled depth laser drilling system
US4839497A (en) * 1987-09-03 1989-06-13 Digital Equipment Corporation Drilling apparatus and method
GB8811532D0 (en) * 1988-05-16 1988-06-22 Lumonics Ltd Beam combining unit
JPH01302881A (ja) 1988-05-31 1989-12-06 Yoshiaki Arata 大出力エキシマレーザービーム造出法
US4870244A (en) * 1988-10-07 1989-09-26 Copley John A Method and device for stand-off laser drilling and cutting
EP0365754B1 (en) * 1988-10-28 1994-11-09 International Business Machines Corporation Enhandement of ultraviolet laser ablation and etching of organic solids
US5126532A (en) * 1989-01-10 1992-06-30 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus and method of boring using laser
US5202004A (en) * 1989-12-20 1993-04-13 Digital Instruments, Inc. Scanning electrochemical microscopy
JPH04190988A (ja) 1990-11-27 1992-07-09 Nec Corp レーザ加工装置
US5841099A (en) * 1994-07-18 1998-11-24 Electro Scientific Industries, Inc. Method employing UV laser pulses of varied energy density to form depthwise self-limiting blind vias in multilayered targets
JP3138954B2 (ja) 1995-06-09 2001-02-26 住友重機械工業株式会社 バイアホール形成方法
DE19544502C1 (de) * 1995-11-29 1997-05-15 Baasel Scheel Lasergraphics Gm Lasergravuranlage
US7462801B1 (en) * 1996-11-20 2008-12-09 Ibiden Co., Ltd. Laser machining apparatus, and apparatus and method for manufacturing a multilayered printed wiring board
WO2001019146A1 (de) * 1999-09-06 2001-03-15 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum bearbeiten von mehrschichtsubstraten
CN1433350A (zh) * 1999-11-29 2003-07-30 西门子公司 基板加工装置和采用这样的装置加工基板的方法
US6300630B1 (en) * 1999-12-09 2001-10-09 Etec Systems, Inc. Annular differential seal for electron beam apparatus using isolation valve and additional differential pumping

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150086719A (ko) * 2014-01-20 2015-07-29 주식회사 이오테크닉스 레이저 빔 형성 방법 및 이를 적용하는 레이저 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
ATE370812T1 (de) 2007-09-15
EP1166948A2 (en) 2002-01-02
CN1145541C (zh) 2004-04-14
JP2001347388A (ja) 2001-12-18
US6580055B2 (en) 2003-06-17
JP3522654B2 (ja) 2004-04-26
US20010050931A1 (en) 2001-12-13
US6710289B2 (en) 2004-03-23
HK1043559A1 (zh) 2002-09-20
DE60130068D1 (de) 2007-10-04
CN1332054A (zh) 2002-01-23
EP1166948B1 (en) 2007-08-22
DE60130068T2 (de) 2008-05-15
TW494042B (en) 2002-07-11
US20030205561A1 (en) 2003-11-06
EP1166948A3 (en) 2002-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20010111016A (ko) 레이저 가공장치 및 가공방법
JP3194250B2 (ja) ２軸レーザ加工機
WO1989001842A1 (en) Drilling apparatus and method
US20040112881A1 (en) Circle laser trepanning
JP4320926B2 (ja) レーザ穴加工方法及び装置
JP2002517315A (ja) 電気回路配線パッケージにマイクロビアホールを穿孔するための装置及び方法
JP2002011588A (ja) レーザドリル加工機及びレーザを用いた加工方法
JP3463281B2 (ja) 多軸レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP3485868B2 (ja) 紫外レーザを用いた孔開け方法
JP2002543984A (ja) レーザを用いた工作物の除去装置
JP2006247665A (ja) レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JPH11309594A (ja) レーザ加工装置およびその加工部品
KR100504234B1 (ko) 레이저천공 가공방법
JPH06277863A (ja) 積層基板の加工方法
JPH0327885A (ja) レーザーによる加工方法
JP2004167545A (ja) 多軸レーザ加工装置及び加工方法
JP3738539B2 (ja) 積層部材のレーザ加工方法
WO2002083355A1 (en) Circle laser trepanning
JP2002103079A (ja) レーザ加工装置
JP3356681B2 (ja) レーザ加工方法及び装置
JP2005021917A (ja) 樹脂層への穴あけ方法
JP2002144059A (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2003211276A (ja) レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JPH0445593A (ja) プリント配線板の孔明けにおける確認方法
JPH0441091A (ja) レーザーによるプリント板の加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee