TW494042B - Laser processing apparatus and method - Google Patents
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Description
494042 A7 B7 五、發明説明(1 ) 【發明所屬技術領域】 本發明係關於雷射加工裝置及加工方法、特別是關於 將紫外線領域波長之脈衝雷射束照射於加工件予以開孔之 雷射加工裝置及加工方法。 【習知技術】 以多層配線基板之開孔方法爲例、就習知之雷射加工 方法予以說明。將由一氧化碳雷射振盪器所發射紅外線脈 衝雷射束聚光於多層配線基板之樹脂層。雷射束乃熱分解 其照射部分之有機物,在該位置穿孔。藉此方法、即可在 厚度40〜80// m左右樹脂層形成直徑1〇〇〜200 // m之貫通 孔。二氧化碳雷射振盪器由於能輸出每一脈衝能量高之脈 衝雷射束,故例如以三衝擊即可形成貫通孔。 【發明欲解決之課題】 隨半導體積體電路之高密度組裝化、多層配線基板所 形成開孔亦被盼望細微化。所形成開孔之直徑下限値則爲 所用雷射束之波長5倍左右。因此,使用二氧化碳瓦斯雷射 時之開孔直徑下限値爲5 0 // m左右、實質上,使用二氧化 碳瓦斯雷射欲形成50〜60 // m未滿之開孔相當困難。 藉使用紫外線領域波長之雷射束乃可形成細微之開孔 。只是欲獲得具紫外線領域波長之大功率雷射束較難。且 如以功率低之雷射束進行多層配線基板加工時、加工時間 較長致會招惹生產性之降低。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •項再填 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 -4- 494042 A7 B7 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 五、發明説明(2 ) 本發明之目的即在提供一種使用紫外線領域波長之雷 射束、而可縮短加工時間之雷射加工裝置及加工方法。 【課題之解決手段】 依據本發明之一觀點、係被提供一種具有:可輸出具 週期性波形之第1契機信號及具同步與該第1契機信號之週 期性波形之第2契機信號的控制手段、與同步上述第1契機 信號可射出具紫外線領域波長之第1脈衝雷射束之第1雷射 光源、與同步上述第2契機信號可射出具紫外線領域波長之 第2脈衝雷射束之第2雷射光源、與將上述第1脈衝雷射束及 上述第2脈衝雷射束聚光於同一點之聚光光學系統、以及將 加工件保持於上述聚光光學系統所聚光之脈衝雷射束照如 射位置之保持手段的雷射加工裝置。 依據本發明之其他觀點、乃被提供一種具有:自第1雷 射光源射出紫外線領域波長之第1脈衝雷射束之工程、與同 步上述第1脈衝雷射束自第2雷射光源射出紫外線領域波長 之第2脈衝雷射束之工程、以及將上述第1及第2脈衝雷射束 照射於被照射物之同一加工部位,在照射部位形成開孔之 工程的雷射加工方法。 當第1脈衝雷射束之脈衝與第2脈衝雷射束之脈衝輪流 到達加工件之同一點時,可使加工速度提高至約兩倍。又 、將第2脈衝雷射束之脈衝重疊於第1脈衝雷射束之脈衝時 ,可使每一脈衝能量予以增大。藉此可進行加工對開孔需 要較大能量之材料。 張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 7^ '~"~ (請先閱讀背面之注意事 岭 項再填· 裝-- :寫本頁) 訂 494042 A7
五、發明説明(3 ) 依據本發明之更其他觀點、係被提供一種具:準備含 有藉照射每一脈衝能量爲第丨能量之紫外線脈衝雷射束可形 成開孔之第1層、及被配置於該第丨層下,藉照射每一脈衝 能量爲上述第1能量之紫外線脈衝雷射束無法形成開孔,卻 藉照射每一脈衝能量比該第1能量爲高之第2能量之紫外線 脈衝雷射束可形成開孔之第2層之加工件的工程、與將第1 雷射光源所射出具紫外線領域波長之第1脈衝雷射束及第2 雷射光源所射出具紫外線領域波長之第2脈衝雷射束、以第 1及第2脈衝雷射束之脈衝輪流照射第1層之時序條件予以照 射方< 上述弟1層之加工部位、而在該第1層穿設第1開孔促使 其下面之第2層露出一部分之工程、與將第丨雷射光源所射 出具紫外線領域波長之第1脈衝雷射束及第2雷射光源所射 出具紫外線領域波長之第2脈衝雷射束、以第1及第2脈衝雷 射束之脈衝至少一部分重疊之條件照射露出於上述第1開孔 底之第2層、在該第2層穿設第2開孔之工程的雷射加工方法 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 藉改變第1脈衝雷射束及第2脈衝雷射束之時序條件、 而可連續性加工第1層與第2層。 依據本發明之更其他觀點、則被提供一種具有:可輸 出具週期性波形之第1契機信號及具同步與該第1契機信號 之週期性波形之第2契機信號的控制手段、與同步上述第1 契機信號可射出具紅外線或可見領域波長之第1脈衝雷射束 之第1雷射光源、與同步上述第2契機信號可射出具紅外線 或可見領域波長之第2脈衝雷射束之第2雷射光源、與使上 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) _ 6 - 494042 A7 B7 五、發明説明(4 ) 述第1脈衝雷射束及上述第2脈衝雷射束可沿同一光軸傳播 地’將至少一方脈衝雷射束光軸予以變化之聚光光學系統 、與可產生在上述傳播光學系統光軸經一致之上述第1及第 2脈衝雷射束之紫外線領域高次諧波之非線形光學元件、與 將上述高次諧波予以聚光之聚光光學系統、以及將加工件 保持於上述聚光光學系統所聚光高次諧波照射位置之保持 手段的雷射加工裝置。 當第1脈衝雷射束之脈衝及第2脈衝雷射束之脈衝輪流 到達非線形光學元件時、即發生具所射入脈衝雷射束之各 自重複頻率兩倍重複頻率之高次諧波。藉此,可謀求提昇 加工速度。又,將第1脈衝雷射束之脈衝及第2脈衝雷射束 之脈衝予以重疊照射於非線形光學元件時、高次諧波之每 一脈衝能量即增大。且藉此,可加工對開孔需較大能量之 材料。 【發明之實施形態】 圖1爲顯示本發明實施例之雷射加工裝置方塊圖。第1 雷射光源1及第2雷射光源2係分別同步與契機信號8121及 s i g 2射出具紫外線領域波長之脈衝雷射束p 1,及p 12。第1及第 2雷射光源1,2乃例如含Nd : YAG雷射振盪器與非線形光 學元件所構成。脈衝雷射束?1!及ph則爲例如自Nd : YAG 雷射振盪器所發射之脈衝雷射束之第3高次諧波(波長 3 5 5 n m )、分別被線偏振光於垂直方向及水平方向。 自第1雷射光源1射出之脈衝雷射束pM系在反射鏡5反射 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494042 A7 B7 五、發明説明(5 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、以入射角45°射入於偏光板6表側面。自第2雷射光源2射 出之脈衝雷射束p h乃以入射角4 5 °射入於偏光板6背側面。 偏光板6則將垂直方向線偏振光之脈衝雷射束pi!予以反射、 使水平方向線偏振光之脈衝雷射束pi 2予以通過。 藉偏光板6可將脈衝雷射束ph* ph重疊於同一光軸上 以獲得脈衝雷射束ph。該脈衝雷射束ph即在反射鏡9反射 。所反射脈衝雷射束pM系射入於電流掃瞄器1 〇。電流掃瞄 器10乃根據控制信號S1g。之指令,使脈衝雷射束之光軸掃瞄 於二次元方向。 將通過電流掃猫器1 0之脈衝雷射束、由聚光透鏡1 1予 以聚光而可得脈衝雷射束ph。該聚光透鏡11卻例如由f 0 透鏡予以構成。保持台1 2即將加工件20保持於脈衝雷射束 P 1 5之聚光位置。 經濟部智葸財產局員工消費合作社印製 控制手段1 3係向第1雷射光源1及第2雷射光源2分別輸 送具週期性波形之契機信號8121及Slg2。該控制手段13可自 第1控制模式及第2控制模式選擇一個模式以各控制模式所 決疋之相位差將契機信號s i g 1及s i g 2予以送出。且該控制手 段13尙將控制信號Slg。送出至電流掃瞄器1〇。 其次,參照圖2及圖3就圖1所示雷射加工裝置之脈衝雷 射束時序加以說明、 圖2爲顯示第1控制模式時之時序圖。契機信號51。及 s i g 2爲頻率相问’互相同步之電氣脈衝信號。契機信號$丨g 2 之相位乃比契機信號s i g i延遲1 8 〇度。且脈衝雷射束p 1,同步 與契機信號sig!、脈衝雷射束ρι2同步與契機信號Slg2。因此 8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 494042 A7 __B7 五、發明説明(6 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,脈衝雷射束pl:之相位比脈衝雷射束ph延遲180° 。而脈 衝雷射束p 11及p 12重疊之脈衝雷射束p 13〜p 15脈衝反射頻率 則呈契機信號slgl及Sig!之頻率之兩倍。 在圖4顯示使用Nd : YAG雷射振盪器之雷射光源1,2 之第3高次諧波輸出特性一例示。橫軸以單位「kHz」表示 脈衝之反射頻率、縱軸以單位「W」表示雷射輸出。反射 頻率約5 kHz時雷射輸出顯示最大値、在反射頻率5 kHz以 上範圍,隨反射頻率變高,雷射輸出即徐徐減低。又、此 傾向不限於Nd : YAG雷射振盪器、利用其他固體雷射時亦 略相同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一般,欲在樹脂膜穿設開孔時、係需將進行照射之脈 衝雷射束之每一脈衝能量密度保持於某閾値以上。例如欲 在環氧樹脂開孔時、需將每一脈衝之能量密度保持於約1 J / cm2以上。自應加工之開孔面積可求取所需之每一脈衝 之能量。設脈衝雷射束之輸出爲P 〔 W〕、脈衝之反射頻 率爲f〔 Hz〕時、每一脈衝之輸出能以P / f〔 J〕賦予。 自圖4所示輸出特性則可求出每一脈衝之能量P / f呈所需 閾値以上之領域。而藉在該領域促使雷射光源1,2動作、 乃可在樹脂膜開孔。 照射於加工件20之脈衝雷射束ph之反射頻率爲契機信 號sigi,sig2之頻率兩倍之1 0 kHz。因此、比起使用一台雷 射振盪器、可縮短開孔時間約1/ 2。 圖3爲顯示第2控制模式時之時序圖。在圖2所示第1控 制模式,雖契機信號Slg2之相位比契機信號sig!之相位延遲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 7〇Ζ ~ 494042 A7 B7 五、發明説明(7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 180° 、惟在第2控制模式時、相位延遲量卻較小。因此, 在脈衝雷射束pl·,ph重疊之脈衝雷射束Pi3〜Ph、脈衝雷 射束pli之脈衝與脈衝雷射束ph之脈衝即呈部分性重疊。於 是’脈衝幅度變寬同時、每一脈衝之能量則變成兩倍。又 、將契機信號Slgi與Slg:2相位予以一致、使脈衝雷射束ph 之脈衝與脈衝雷射束ph之脈衝完全重疊亦可。此時、脈衝 幅度不擴寬、最大功率變約兩倍。 一般,欲在銅箔進行開孔時、係需將每一脈衝之能量 密度設定於約10 J / cm2以上。即開孔直徑爲100 // m時、 非將每一脈衝之能量設定於約7.9 X 1(Γ4〗以上不可。然,在 圖2所示第1控制模式時,欲將每一脈衝之能量保持於約7.9 X 10 41以上實爲困難。如圖3所示、藉將兩個脈衝雷射束 之脈衝予以部分性重疊、乃可獲得銅箔進行開孔所需之每 一脈衝之能量。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又、每一脈衝之能量不充分時、則藉收歛雷射束以縮 小光束直徑、而可確保所需之每一脈衝之能量密度。惟, 由於光束直徑小,致爲穿設所盼大小之開孔卻需要移動雷 射束之照射位置。例如需進行鑽孔加工,或螺旋狀加工。 如本實施例,藉提高每一脈衝之能量、乃可不必進行鑽孔 等即能穿設直徑1 00 // m左右之開孔。 如欲以反射頻率10kHz予以動作時、自圖4能求出一台 雷射光源之輸出約爲4W。因此,圖3所示脈衝雷射束pis〜 pi5之功率爲8W。此時,每一脈衝之能量即爲8 X 1 0 4]。以 一台雷射光源欲在銅箔穿孔雖然困難、惟利用兩台雷射光 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -1〇 _ 494042 A7 B7 五、發明説明(8 ) 源、藉脈衝互相重疊、卻能將每一脈衝之能量提高至在銅 箔穿孔所需之足夠大。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖3所示脈衝雷射束pl3〜ph之脈衝幅度及最大強度係 依存於脈衝雷射束P 1 !與P 12之相位偏移量。藉調節契機信號 Slg2之對於契機信號Slgl之相位延遲量、而能容易進行控制 脈衝雷射束Ph〜ph之脈衝幅度及最大強度。 圖5爲多層配線基板之剖面示意圖。係在母板2 1表面上 組裝有封裝板22。該封裝板22又組裝有半導體集體電路晶 片2 3 °母板2 1與封裝板2 2則由含玻璃布之還氧樹脂所形成 〇 母板2 1上被埋設有銅配線層2 5。通孔2 6即自母板2 1表 面達至銅配線25。又,貫穿孔27貫通於母板21。通孔26與 貫穿孔2 7內乃埋設有銅。且封裝板2 2亦同樣形成有銅配線 28及通孔29。通孔26,29及貫穿孔27卻由圖1所示雷射加工 裝置予以形成。又、對將封裝板22組裝於母板21前之單體 母板2 1及單體封裝板2 2進行雷射加工。 經濟部智慈財產笱員工消費合作社印製 通孔26,29之形成係在圖2所示之第1控制模式進行。 此時,脈衝雷射束ph之每一脈衝能量爲可在樹脂開孔之充 分之大。惟,欲在銅箔開孔並不足夠、致能在通孔底面留 存銅配線25。 欲形成貫穿孔27時、則在第1控制模式形成樹脂層之貫 通孔後、再於圖3所示第2控制模式在銅配線層形成開孔。 此時,脈衝雷射束ph之每一脈衝能量爲可在樹脂開孔之充 分之大。而藉交錯反覆實施第1控制模式之雷射加工及第2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -11 - 494042 A7 B7 五、發明説明(9 ) 控制模式之雷射加工、即可形成貫穿孔2 7。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 欲在表面上形成有銅箔之樹脂基板開設銅箔之貫通孔 時、最初乃在第2控制模式於銅箔開孔。對應銅箔厚度預先 设疋所需照射之脈衝數時、即能在貫穿銅箔時停止加工。 當穿開銅箔之貫通孔後、接著切換爲第丨控制模式、在樹脂 層進行開孔。第1控制模式之雷射加工時所照射脈衝數亦被 預先予以設定。 在上述實施例、雖以具紫外線領域波長之脈衝雷射束 而使用Nd : YAG雷射之第3高次諧波、惟亦可使用其他雷 射。例如,使用Nd : YAG雷射之第4或第5高次諧波亦可、 替代Nd : YAG雷射使用YLF雷射或YV〇4雷射亦可。又, 使用KrF激兀雷射或XeCl激元雷射之基波亦可。 又、上述實施例、雖將自第1雷射光源1射出之脈衝雷 射束pl·及自第2雷射光源2射出之脈衝雷射束Ph沿同一光軸 傳播、予以聚光於加工件之被加工位置、然不一定需將兩 者設於同一光軸。例如,使脈衝雷射束ph及脈衝雷射束pl2 沿不同光軸傳播、於被加工位置令兩者之光軸交叉亦可。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 其次,參照圖6說明本發明之其他實施例。在上述實施 例 '雖將兩台Nd : YAG雷射之第3高次諧波予以互相重疊 、惟圖6所示實施例、卻使基波互相重疊,然後予以產生第 3高次諧波。圖6所示雷射加工裝置之基本構成由於與圖1之 雷射加工裝置之構成相同、在此,即就兩者之不同點進行 說明。 如圖6所示、第1雷射光源1及第2雷射光源2分別射出紅 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -12 - 494042 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ______B7五、發明説明(1〇 ) 夕線或可見領域波長之脈衝雷射束pll與ph。兩個脈衝雷射 束P11與p h重疊之脈衝雷射束p h光軸上係配置有非線形光 學元:件15。非線形光學元件15可發生脈衝雷射束ph之高次 諧波’例如第3高次諧波。又、非線形光學元件1 5乃能予以 配置於偏光板6與加工件20間之脈衝雷射束光程上之任何位 置。 雖沿以上實施例加以說明本發明、但本發明並非被限 定於該等。例如,可進行種種變更,改良,組合等、對於 同業者而言,當然是屬於自明之範圍。 【發明之效果】 如上說明、依據本發明、藉將自兩個雷射光源所射出 脈衝雷射束以所定相位差予以重疊、係可縮短開孔時間。 又’藉脈衝互相重疊、可增大每一脈衝之能量。因此,僅 由一個雷射光源無法確保每一脈衝之充分能量時、藉使用 兩個雷射光源乃可確保充足之能量。且,藉此能在開孔所 需每一脈衝之能量較大之材料進行穿孔。 【圖示之簡單說明】 圖1爲本發明實施例之雷射加工裝置方塊圖。 圖2爲實施例之雷射加工裝置第1控制模式時之時序圖 圖形顯示。 圖3爲實施例之雷射加工裝置第2控制模式時之時序圖 圖形顯示。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公爱) _ 13 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494042 A7 B7 五、發明説明(11 ) 圖4爲Nd : YAG雷射之第3高次諧波輸出特性之一例示 圖形。 圖5爲多層配線基板之剖面圖。 圖6爲本發明其他實施例之雷射加工裝置方塊圖。 【符號說明】 批衣 ^ 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1,2 雷射光源 5,9 反射鏡 6 偏光板 10 掃瞄器 11 聚光透鏡 12 保持台 13 控制手段 15 線形光學元件 20 力口工件 21 母板 22 封裝板 23 半導體積體電路裝置 25,28 銅配線 26,29 通孔 27 貫通孔 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -14-
Claims (1)
- 494042 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 . 一種雷射加工裝置、係具有:可輸出具週期性波形 之第1契機信號及具同步與該第1契機信號之週期性波形之 第2契機信號的控制手段、與 同步上述第1契機信號可射出具紫外線領域波長之第1 脈衝雷射束之第1雷射光源、與 同步上述第2契機信號可射出具紫外線領域波長之第2 脈衝雷射束之第2雷射光源、與 將上述第1脈衝雷射束及上述第2脈衝雷射束聚光於同 一點之聚光光學系統、以及將加工件保持於上述聚光光學 系統所聚光之脈衝雷射束照射位置之保持手段。 2 ·如申請專利範圍第1項之雷射加工裝置、其中上述聚 光光學系統係使上述第1脈衝雷射束及上述第2脈衝雷射束 可沿同一光軸傳播地,將至少一方脈衝雷射束之光軸予以 變化、之後再促使第1及第2脈衝雷射束聚光。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 ·如申請專利範圍第1或第2項之雷射加工裝置、其中上 述控制手段係具有第1控制模式及第2控制模式、且在該第1 控制模式、爲使上述第1脈衝雷射束之脈衝及上述第2脈衝 雷射束之脈衝可輪流到達加工件之被加工位置、而輸出上 述第1及第2契機信號、又在該第2控制模式、爲使該第2脈 衝雷射束之脈衝至少一部分可重疊於該第1脈衝雷射束之脈 衝到達被加工位置、而輸出上述第1及第2契機信號。 4·如申請專利範圍第3項之雷射加工裝置、其中上述控 制手段在上述第2控制模式時、係可調節上述第1脈衝雷射 束之脈衝與上述第2脈衝雷射束之脈衝之重疊程度。 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) M規格(210X297公釐) •15- 494042 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ~、申請專利範圍 5. —種雷射加工方法、係具有:自第1雷射光源射出紫 外線領域波長之第1脈衝雷射束之工程、與 同步上述第1脈衝雷射束、自第2雷射光源射出紫外線 領域波長之第2脈衝雷射束之工程、以及 將上述第1及第2脈衝雷射束照射於被照射物之同一加 工部位,且在照射部位形成開孔之工程。 6. 如申請專利範圍第5項之雷射加工方法、其中係在上 述形成開孔之工程、爲使上述第1脈衝雷射束之脈衝及第2 脈衝雷射束之脈衝可輪流到達被照射物、而將上述第1及第 2脈衝雷射束之同步狀態予以控制者。 7. 如申請專利範圍第5項之雷射加工方法、其中係在上 述形成開孔之工程、爲使上述第1脈衝雷射束之脈衝及第2 脈衝雷射束之脈衝可在被加工部位至少呈部分重疊、而將 上述第1及第2脈衝雷射束之同步狀態予以控制者。 8. —種雷射加工方法、係具有:準備含有藉照射每一 脈衝能量爲第1能量之紫外線脈衝雷射束可形成開孔之第1 層、及被配置於該第1層下,藉照射每一脈衝能量爲上述第 1能量之紫外線脈衝雷射束無法形成開孔,卻藉照射每一脈 衝能量比該第1能量爲高之第2能量之紫外線脈衝雷射束可 形成開孔之第2層之加工件的工程、與 將第1雷射光源所射出具紫外線領域波長之第丨脈衝雷 射束及第2雷射光源所射出具紫外線領域波長之第2脈衝雷 射束、以第1及第2脈衝雷射束之脈衝輪流照射第1層之時序 條件予以照射於上述第1層之加工部位、而在該第1層穿設 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) i 、vd Γ 16- 494042 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第1開孔促使其下面之第2層露出一部分之工程、與 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將第1雷射光源所射出具紫外線領域波長之第1脈衝雷 射束及第2雷射光源所射出具紫外線領域波長之第2脈衝雷 射束、以第1及第2脈衝雷射束之脈衝至少一部分重疊之條 件照射露出於上述第1開孔底之第2層、在該第2層穿設第2 開孔之工程。 9 · 一種雷射加工裝置、係具有:可輸出具週期性波形 之第1契機信號及具同步與該第1契機信號之週期性波形之 第2契機信號的控制手段、與 同步上述第1契機信號可射出具紅外線或可見領域波長 之第1脈衝雷射束之第1雷射光源、與 同步上述第2契機信號可射出具紅外線或可見領域波長 之第2脈衝雷射束之第2雷射光源、與 使上述第1脈衝雷射束及上述第2脈衝雷射束可沿同一 光軸傳播地,將至少一方脈衝雷射束光軸予以變化之聚光 光學系統、與 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可產生在上述傳播光學系統光軸經一致之上述第1及第 2脈衝雷射束之紫外線領域高次諧波之非線形光學元件、與 將上述高次諧波予以聚光之聚光光學系統、以及 將加工件保持於上述聚光光學系統所聚光高次諧波照 射位置之保持手段。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8969752B2 (en) | 2003-03-12 | 2015-03-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
Families Citing this family (73)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6281471B1 (en) | 1999-12-28 | 2001-08-28 | Gsi Lumonics, Inc. | Energy-efficient, laser-based method and system for processing target material |
US7838794B2 (en) | 1999-12-28 | 2010-11-23 | Gsi Group Corporation | Laser-based method and system for removing one or more target link structures |
US20030222324A1 (en) * | 2000-01-10 | 2003-12-04 | Yunlong Sun | Laser systems for passivation or link processing with a set of laser pulses |
US6887804B2 (en) | 2000-01-10 | 2005-05-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Passivation processing over a memory link |
US7671295B2 (en) * | 2000-01-10 | 2010-03-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Processing a memory link with a set of at least two laser pulses |
US20060141681A1 (en) * | 2000-01-10 | 2006-06-29 | Yunlong Sun | Processing a memory link with a set of at least two laser pulses |
US6639177B2 (en) | 2001-03-29 | 2003-10-28 | Gsi Lumonics Corporation | Method and system for processing one or more microstructures of a multi-material device |
US7167499B2 (en) * | 2001-04-18 | 2007-01-23 | Tcz Pte. Ltd. | Very high energy, high stability gas discharge laser surface treatment system |
JP4397571B2 (ja) | 2001-09-25 | 2010-01-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法 |
US6750423B2 (en) | 2001-10-25 | 2004-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device |
DE10217678A1 (de) * | 2002-04-19 | 2003-11-06 | Fraunhofer Ges Forschung | Laser-Materialbearbeitung mit hybriden Prozessen |
DE10307309B4 (de) * | 2003-02-20 | 2007-06-14 | Hitachi Via Mechanics, Ltd., Ebina | Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von elektrischen Schaltungssubstraten mittels Laser |
EP1473107A1 (en) * | 2003-05-02 | 2004-11-03 | Kba-Giori S.A. | Machine and process for cutting openings in a substrate |
US7361171B2 (en) | 2003-05-20 | 2008-04-22 | Raydiance, Inc. | Man-portable optical ablation system |
US6947454B2 (en) * | 2003-06-30 | 2005-09-20 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser pulse picking employing controlled AOM loading |
US8173929B1 (en) | 2003-08-11 | 2012-05-08 | Raydiance, Inc. | Methods and systems for trimming circuits |
US8921733B2 (en) | 2003-08-11 | 2014-12-30 | Raydiance, Inc. | Methods and systems for trimming circuits |
US9022037B2 (en) | 2003-08-11 | 2015-05-05 | Raydiance, Inc. | Laser ablation method and apparatus having a feedback loop and control unit |
KR101123911B1 (ko) * | 2003-08-19 | 2012-03-23 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | 특별히 맞추어진 전력 프로파일을 구비한 레이저 펄스를 사용하여 링크 처리를 하는 방법 및 레이저 시스템 |
US7486705B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-02-03 | Imra America, Inc. | Femtosecond laser processing system with process parameters, controls and feedback |
US7491909B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-02-17 | Imra America, Inc. | Pulsed laser processing with controlled thermal and physical alterations |
KR100626554B1 (ko) * | 2004-05-11 | 2006-09-21 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 비금속재 절단장치 및 비금속재 절단시의 절단깊이 제어방법 |
US7885311B2 (en) * | 2007-03-27 | 2011-02-08 | Imra America, Inc. | Beam stabilized fiber laser |
US7935941B2 (en) * | 2004-06-18 | 2011-05-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis on non-adjacent structures |
US7633034B2 (en) * | 2004-06-18 | 2009-12-15 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure |
US8148211B2 (en) * | 2004-06-18 | 2012-04-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis delivered simultaneously |
US8383982B2 (en) * | 2004-06-18 | 2013-02-26 | Electro Scientific Industries, Inc. | Methods and systems for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots |
US7687740B2 (en) * | 2004-06-18 | 2010-03-30 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows |
US7923306B2 (en) * | 2004-06-18 | 2011-04-12 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots |
US7629234B2 (en) * | 2004-06-18 | 2009-12-08 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots with joint velocity profiling |
US7435927B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-10-14 | Electron Scientific Industries, Inc. | Semiconductor link processing using multiple laterally spaced laser beam spots with on-axis offset |
US20060114948A1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Lo Ho W | Workpiece processing system using a common imaged optical assembly to shape the spatial distributions of light energy of multiple laser beams |
US7289549B2 (en) * | 2004-12-09 | 2007-10-30 | Electro Scientific Industries, Inc. | Lasers for synchronized pulse shape tailoring |
US20060128073A1 (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Yunlong Sun | Multiple-wavelength laser micromachining of semiconductor devices |
US20060191884A1 (en) * | 2005-01-21 | 2006-08-31 | Johnson Shepard D | High-speed, precise, laser-based material processing method and system |
US7336691B2 (en) * | 2005-03-24 | 2008-02-26 | Coherent, Inc. | Apparatus for combining beams from repetitively pulsed lasers along a common path |
JP4822737B2 (ja) * | 2005-04-22 | 2011-11-24 | ミヤチテクノス株式会社 | レーザ溶接方法及びレーザ溶接装置 |
US8135050B1 (en) | 2005-07-19 | 2012-03-13 | Raydiance, Inc. | Automated polarization correction |
JP2007029952A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2007110064A (ja) | 2005-09-14 | 2007-04-26 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | レーザアニール方法及び装置 |
US7679029B2 (en) | 2005-10-28 | 2010-03-16 | Cymer, Inc. | Systems and methods to shape laser light as a line beam for interaction with a substrate having surface variations |
US9130344B2 (en) | 2006-01-23 | 2015-09-08 | Raydiance, Inc. | Automated laser tuning |
US7444049B1 (en) | 2006-01-23 | 2008-10-28 | Raydiance, Inc. | Pulse stretcher and compressor including a multi-pass Bragg grating |
US8232687B2 (en) | 2006-04-26 | 2012-07-31 | Raydiance, Inc. | Intelligent laser interlock system |
US8189971B1 (en) | 2006-01-23 | 2012-05-29 | Raydiance, Inc. | Dispersion compensation in a chirped pulse amplification system |
US7822347B1 (en) | 2006-03-28 | 2010-10-26 | Raydiance, Inc. | Active tuning of temporal dispersion in an ultrashort pulse laser system |
KR100699899B1 (ko) * | 2006-05-08 | 2007-03-28 | 삼성전자주식회사 | 집적회로 장치 제조용 마스크 검사 장치 및 그 검사 방법 |
US8084706B2 (en) * | 2006-07-20 | 2011-12-27 | Gsi Group Corporation | System and method for laser processing at non-constant velocities |
US8068674B2 (en) * | 2007-09-04 | 2011-11-29 | Evolution Robotics Retail, Inc. | UPC substitution fraud prevention |
US7903326B2 (en) | 2007-11-30 | 2011-03-08 | Radiance, Inc. | Static phase mask for high-order spectral phase control in a hybrid chirped pulse amplifier system |
US8125704B2 (en) * | 2008-08-18 | 2012-02-28 | Raydiance, Inc. | Systems and methods for controlling a pulsed laser by combining laser signals |
KR101057458B1 (ko) | 2008-11-03 | 2011-08-17 | 주식회사 이오테크닉스 | 드릴링 장치 및 드릴링 방법 |
US8498538B2 (en) | 2008-11-14 | 2013-07-30 | Raydiance, Inc. | Compact monolithic dispersion compensator |
RU2526681C2 (ru) * | 2009-01-28 | 2014-08-27 | Олбани Интернешнл Корп. | Ткань для бумагоделательной машины, предназначенная для производства бумажных салфеток и бумажных полотенец, и способ ее изготовления |
JP5178622B2 (ja) * | 2009-05-07 | 2013-04-10 | 住友重機械工業株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
EP2465634B1 (en) * | 2009-08-11 | 2021-11-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser machining device and laser machining method |
US20110278767A1 (en) * | 2010-05-17 | 2011-11-17 | David Aviel | Direct engraving of flexographic printing plates |
WO2012021748A1 (en) | 2010-08-12 | 2012-02-16 | Raydiance, Inc. | Polymer tubing laser micromachining |
WO2012037468A1 (en) | 2010-09-16 | 2012-03-22 | Raydiance, Inc. | Singulation of layered materials using selectively variable laser output |
KR20130026805A (ko) * | 2011-09-06 | 2013-03-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지의 와이어 본딩 시스템 |
US10239160B2 (en) | 2011-09-21 | 2019-03-26 | Coherent, Inc. | Systems and processes that singulate materials |
FR2980586A1 (fr) * | 2011-09-22 | 2013-03-29 | St Microelectronics Grenoble 2 | Dispositif et procede de determination de la distance a un objet |
JP5865671B2 (ja) * | 2011-10-25 | 2016-02-17 | 東芝機械株式会社 | パルスレーザ加工装置 |
DE102012201194A1 (de) * | 2012-01-20 | 2013-07-25 | Rofin-Baasel Lasertech Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zum Laserbearbeiten eines Werkstückes |
KR101602780B1 (ko) * | 2014-01-20 | 2016-03-11 | 주식회사 이오테크닉스 | 레이저 빔 형성 방법 및 이를 적용하는 레이저 시스템 |
US10239155B1 (en) * | 2014-04-30 | 2019-03-26 | The Boeing Company | Multiple laser beam processing |
CN104043906B (zh) * | 2014-06-09 | 2016-03-02 | 江苏大学 | 一种双激光系统打孔方法 |
CN105397314B (zh) * | 2015-12-31 | 2017-03-08 | 中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所 | 复合脉冲激光打孔方法及装置 |
CN105555038B (zh) * | 2016-02-02 | 2018-07-31 | 深圳光韵达光电科技股份有限公司 | 在非金属基材上形成电路的方法 |
CN106346141B (zh) * | 2016-09-07 | 2019-04-12 | 华中科技大学 | 一种基于复合激光束的金属切割装置 |
HUE064074T2 (hu) * | 2016-11-18 | 2024-02-28 | Ipg Photonics Corp | Összeállítás és eljárás anyagok lézeres feldolgozására |
DE102019106562A1 (de) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | Sick Ag | Leiterplatteneinheit |
DE202019101463U1 (de) | 2019-03-14 | 2020-06-18 | Sick Ag | Leiterplatteneinheit |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58147690A (ja) | 1982-02-26 | 1983-09-02 | 株式会社東芝 | 放射線遮蔽装置 |
US4789770A (en) * | 1987-07-15 | 1988-12-06 | Westinghouse Electric Corp. | Controlled depth laser drilling system |
US4839497A (en) * | 1987-09-03 | 1989-06-13 | Digital Equipment Corporation | Drilling apparatus and method |
GB8811532D0 (en) * | 1988-05-16 | 1988-06-22 | Lumonics Ltd | Beam combining unit |
JPH01302881A (ja) | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Yoshiaki Arata | 大出力エキシマレーザービーム造出法 |
US4870244A (en) * | 1988-10-07 | 1989-09-26 | Copley John A | Method and device for stand-off laser drilling and cutting |
DE68919328T2 (de) * | 1988-10-28 | 1995-05-24 | Ibm | Ultraviolette Laserablation und Ätzen von organischen Feststoffen. |
US5126532A (en) * | 1989-01-10 | 1992-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method of boring using laser |
US5202004A (en) * | 1989-12-20 | 1993-04-13 | Digital Instruments, Inc. | Scanning electrochemical microscopy |
JPH04190988A (ja) | 1990-11-27 | 1992-07-09 | Nec Corp | レーザ加工装置 |
US5841099A (en) * | 1994-07-18 | 1998-11-24 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method employing UV laser pulses of varied energy density to form depthwise self-limiting blind vias in multilayered targets |
JP3138954B2 (ja) | 1995-06-09 | 2001-02-26 | 住友重機械工業株式会社 | バイアホール形成方法 |
DE19544502C1 (de) * | 1995-11-29 | 1997-05-15 | Baasel Scheel Lasergraphics Gm | Lasergravuranlage |
US7462801B1 (en) * | 1996-11-20 | 2008-12-09 | Ibiden Co., Ltd. | Laser machining apparatus, and apparatus and method for manufacturing a multilayered printed wiring board |
EP1210850A1 (de) * | 1999-09-06 | 2002-06-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum bearbeiten von mehrschichtsubstraten |
CN1433350A (zh) * | 1999-11-29 | 2003-07-30 | 西门子公司 | 基板加工装置和采用这样的装置加工基板的方法 |
US6300630B1 (en) * | 1999-12-09 | 2001-10-09 | Etec Systems, Inc. | Annular differential seal for electron beam apparatus using isolation valve and additional differential pumping |
-
2000
- 2000-06-09 JP JP2000173244A patent/JP3522654B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-05-31 EP EP01113267A patent/EP1166948B1/en not_active Expired - Lifetime
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- 2001-06-08 TW TW090113912A patent/TW494042B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-06-09 CN CNB01124917XA patent/CN1145541C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-11 US US09/877,030 patent/US6580055B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-07-17 HK HK02105298.6A patent/HK1043559A1/zh unknown
-
2003
- 2003-04-18 US US10/418,282 patent/US6710289B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8969752B2 (en) | 2003-03-12 | 2015-03-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1145541C (zh) | 2004-04-14 |
CN1332054A (zh) | 2002-01-23 |
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US6580055B2 (en) | 2003-06-17 |
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EP1166948A3 (en) | 2002-07-10 |
KR20010111016A (ko) | 2001-12-15 |
DE60130068T2 (de) | 2008-05-15 |
US20010050931A1 (en) | 2001-12-13 |
JP2001347388A (ja) | 2001-12-18 |
EP1166948B1 (en) | 2007-08-22 |
US6710289B2 (en) | 2004-03-23 |
HK1043559A1 (zh) | 2002-09-20 |
DE60130068D1 (de) | 2007-10-04 |
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