KR20010107624A

KR20010107624A - 기판처리장치 및 기판처리방법

Info

Publication number: KR20010107624A
Application number: KR1020010027946A
Authority: KR
Inventors: 오타요시하루
Original assignee: 히가시 데쓰로; 동경 엘렉트론 주식회사
Priority date: 2000-05-25
Filing date: 2001-05-22
Publication date: 2001-12-07
Also published as: TW495842B; JP3593654B2; JP2001332488A; KR100729906B1

Abstract

자외선조사유니트(UV)에 있어서, 램프실(66)내에 복수(n)개의 자외선램프 [64(1)]∼[64(n)]의 발광상태를 개별적으로 감시하기 위한 동일수의 광 센서 [72(1)]∼[72(n)]가 설치된다. 램프실(66)의 아래에 인접한 세정처리실(68)내에는, 기판(G)을 얹어지지하기 위한 수평이동 및 승강가능한 스테이지(76)가 설치된다. 복수개의 자외선램프[64(1)]∼[64(n)]중, 예를들면 램프[64(1)]가 발광불량이 되었을 때는, 이 불량 램프[64(1)]의 점등사용을 멈춘다. 그리고, 스테이지(76)상의 기판(G)에 대하여, 정상상태에 있는 나머지의 자외선램프[64(2)]∼[64(n)]에 의한 자외선의 조사량이 처리품질을 보증할 수 있는 소정의 하한치보다도 저하하지않도록 자외선조사처리에 있어서의 주사속도(Y방향의 스테이지 이동속도)를 전체 램프가 정상일 때의 기준속도보다도 소정의 비율만큼 느린 속도로 보정한다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD}

본 발명은, 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.

반도체디바이스나 액정표시장치(LCD)의 제조에 있어서는, 피처리기판(예를들면 반도체웨이퍼, LCD 기판등)의 표면이 청정화된 상태에 있는 것을 전제로하여 각종의 미세가공이 행하여진다. 따라서, 각 가공처리에 앞서 또는 각 가공처리 사이에 피처리기판표면의 세정이 행하여지고, 예를들면 포토리소그래피공정에서는, 레지스트도포에 앞서 피처리기판의 표면이 세정된다.

종래로부터 피처리기판 표면의 유기물을 제거하기 위한 세정방법으로서, 자외선조사에 의한 건식세정기술이 알려지고 있다. 이 자외선조사 세정기술은, 소정파장(자외선광원으로서 저압수은램프를 사용할 때는 185nm, 254nm, 유전체 베리어방전램프로서는 172nm)의 자외선을 사용하여 산소를 여기시키고, 생성되는 오존이나 발생기의 산소에 의하여 기판 표면상의 유기물을 산화·기화시켜 제거하는 것이다.

종래의 전형적인 자외선조사 세정장치는, 상기와 같은 자외선광원으로 이루어지는 램프를 석영유리의 창을 갖는 램프실내에 복수개 배치하여 수용하고, 상기 석영유리창을 통해 램프실에 인접한 세정처리실내에 피처리기판을 배치하며, 램프실내의 램프로부터 발생하는 자외선을 석영유리창을 통해서 피처리기판의 표면에 일정시간 조사하도록 되어 있다. 최근에는 피처리기판의 표면과 평행하게 램프를 상대이동, 다시말하면 주사시키는 기구에 의해 장치의 콤팩트화(램프수의 삭감이나 석영유리창의 소형화등)도 시도되고 있다.

상기와 같은 자외선조사 세정장치에 있어서, 소기의 세정효과를 얻기위해서는, 자외선램프로부터 피처리기판에 조사되는 자외선의 조도 및 광량을 각각 소정치이상 확보할 필요가 있고, 그러한 자외선조사 조건을 만족하도록 장치각부의 수단이 구비되어 있다. 그렇지만 자외선램프가 시간 경과에 따라 열화되거나, 그 밖의 원인으로 매우 어둡게 되거나 혹은 발광하지 않게 되면, 피처리기판에 대한 자외선의 조도 내지 광량이 부족하여, 세정불량을 초래하는 문제가 있다.

종래의 자외선조사 세정장치에서는, 램프실내에서 자외선램프중 한 개라도 상기와 같은 결함을 일으킬 때는, 즉시 세정처리의 운전을 정지하고, 램프교환의 필요를 알리는 경보를 울리도록 되어 있다. 그러나, 그와 같은 안전조치는 세정불량품을 내지않고서 끝나지만, 프로세스의 라인을 멈추게되므로 디바이스제조의 생산수율을 현저히 저하시키는 원인이 되고 있다.

본 발명은, 이러한 종래기술의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 자외선램프에 발광불량등의 이상이 발생하더라도 정상적인 자외선조사처리를 속행할 수 있도록 한 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 다른 목적은, 자외선램프의 이상에 의해 피처리기판에 대한 자외선의 조사량이 원하지 않는 시기에 부족함이 없도록 하여, 계획적인 보수관리를 할 수 있도록 한 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것에 있다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 기판처리장치에 있어서, 상기 피처리기판을 지지하는 지지수단과, 전력 공급을 받아 자외선을 발하는 램프를 복수개 구비하고, 상기 램프로부터 나온 자외선을 상기 피처리기판을 향하여 조사하는 자외선조사수단과, 상기 복수개의 램프 각각의 발광상태를 개별적으로 감시하는 램프감시수단과, 상기 램프감시수단으로부터의 감시정보에 따라서 상기 자외선조사처리의 소정의 파라미터 (parameter)를 제어하는 제어수단을 가지는 기판처리장치를 제공한다.

이러한 구성의 기판처리장치에서는, 램프감시수단의 램프감시기능에 의해 점등사용되는 복수개의 램프 발광상태가 모두 정상인지 그렇지 않으면 일부 발광불량인지 항상 또는 소정의 시점에서, 예를들면 각 1회의 자외선조사처리에 앞서 판정된다. 이 판정결과에 따라서 자외선조사처리를 규정 또는 좌우하는 소정의 파라미터가 제어수단에 의해 제어 또는 조절됨으로써 자외선조사수단에 있어서의 램프발광상태가 시간 경과적으로 변화하더라도 피처리기판에 대하여 항상 안정한 처리결과를 얻을 수 있다.

상기 기판처리장치에 있어서, 상기 자외선조사수단으로부터의 자외선이 상기 지지수단에 지지되어 있는 상기 피처리기판의 피처리면을 주사하도록 상기 지지수단 및 상기 램프중 어느 한쪽 또는 양쪽을 소정방향을 따라서 이동시키는 구동수단을 가지는 구성으로 할 수 있다. 이러한 구성에 있어서는 상기 제어수단은 상기 램프감시수단으로부터의 감시정보에 따라서 상기 주사속도를 상기 파라미터로서 가변제어하는 주사속도 제한기능을 가지는 것으로 할 수가 있다. 이 경우, 상기 제어수단은 어느 하나의 상기 램프 발광상태가 이상이라는 것의 감시정보가 상기 램프감시수단에 의해 나올 때, 해당 이상램프의 점등을 중지하도록 상기 자외선조사수단을 제어함과 동시에, 그 상기 주사속도 제한기능에 의해 상기 주사속도를 소정의 기준치보다도 소정의 비율만큼 느린값이 되게 설정하도록 구성하는 것이 좋다.

이와 같이, 실질적으로 관리불능인 이상램프의 점등사용을 멈추고 정상램프에 의한 관리가능한 자외선을 기준치보다도 느린 주사속도로 주사시키는 것에 의해 피처리기판에 대하여 필요하고 또한 충분한 자외선조사량을 보증하여, 정상적인 처리결과를 얻을 수 있다.

혹은, 상기 제어수단이, 상기 램프감시수단으로부터의 감시정보에 따라서 상기 자외선의 조사시간을 가변제어하는 자외선조사시간 제어기능을 가지는 구성이여도 좋다. 이 경우 상기 제어수단은, 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상이라는 감시정보가 상기 램프감시수단으로부터 나올 때, 해당 이상램프의 점등을 중지하도록 상기 자외선조사수단을 제어함과 동시에, 그 상기 자외선조사시간제어기능에 의해 상기 자외선조사시간을 소정의 기준치보다도 소정 비율만큼 긴 값이 되도록 설정할 수 있고, 이 방식에 의해서도 상기와 마찬가지로 정상적인 처리결과를 얻을 수 있다.

혹은 상기 제어수단이, 상기 램프감시수단으로부터의 감시정보에 따라서 상기 램프의 휘도를 개별적으로 제어하는 램프휘도제어기능을 가지는 구성이여도 좋다. 이 경우 상기 제어수단은, 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상이라는 감시정보가 상기 램프감시수단으로부터 나올 때, 해당 이상램프의 점등을 중지하도록 상기 자외선조사수단을 제어함과 동시에, 그 상기 램프휘도제어기능에 의해 정상상태에 있는 상기 램프의 휘도를 소정의 기준치보다도 소정의 비율만큼 높은 값이 되도록 설정할 수 있고, 이 방식에 의해서도 상기와 마찬가지로 정상적인 처리결과를 얻을 수 있다.

또한, 상기 본 발명의 기판처리장치에 있어서, 상기 자외선조사수단의 상기 복수개의 램프중 일부를 예비램프로서 비점등 사용상태로 유지하고, 다른 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상이라는 감시정보가 상기 램프감시수단에 의해 나올 때, 상기 제어수단이 그 이상램프 대신에 상기 예비램프를 점등사용하도록 상기 자외선조사수단을 제어하는 구성으로도 좋다. 이와 같이, 자외선조사수단에 있어서 점등사용에 제공되는 자외선램프의 조합을 상기의 파라미터로서 적절히 변경할 수 있다.

또한 본 발명은, 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 행하는 기판처리장치로서, 상기 피처리기판을 지지하는 지지수단과, 전력 공급을 받아 자외선을 발하는 램프를 구비하여 상기 램프로부터 나온 자외선을 상기 피처리기판을 향하여 조사하는 자외선조사수단과, 상기 램프의 발광상태를 개별적으로 감시하는 램프감시수단과, 상기 램프감시수단으로부터의 감시정보에 따라서 상기 자외선조사처리의 소정의 파라미터를 제어하는 제어수단을 가지는 기판처리장치를 제공한다.

이러한 기판처리장치로서는, 램프감시수단의 램프감시기능에 의해 점등사용램프의 발광상태가 항상 또는 소정의 시점에서, 예를들면 각 1회의 자외선조사처리에 앞서 판정되고, 이 판정결과에 따라서 자외선조사처리를 규정 또는 좌우하는 소정의 파라미터가 제어수단에 의해 제어 또는 조절됨으로써 자외선조사수단에 있어서의 램프발광상태가 시간이 경과로 변화하더라도 피처리기판에 대하여 항상 안정한 처리결과를 얻을 수 있다. 구체적으로는, 예를들면 상기 램프의 휘도를 상기 램프감시수단에 의해서 감시하고, 그 휘도가 저하한 경우에 램프의 조사시간을 연장하도록 제어하는 등의 것을 들수 있다.

또한 본 발명은, 복수의 램프로부터 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 기판처리방법으로서, 상기 복수의 램프 발광상태를 개별적으로 감시하는 공정과, 상기 감시하는 공정의 감시정보에 따라서 자외선조사처리의 소정의 파라미터를 제어하는 공정을 구비하는 기판처리방법을 제공한다.

또한 본 발명은, 복수의 램프로부터 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 기판처리방법으로서, 상기 복수의 램프 발광상태를 개별적으로 감시하는 공정과, 상기 감시하는 공정에서 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상인 것이 확인되었을 때에, 그 이상램프의 점등사용을 멈추고 나머지의 램프에 의해 정상적인 조사가 행해지도록 자외선조사처리의 소정의 파라미터를 제어하는 공정을 구비하는 기판처리방법을 제공한다.

도 1은 본 발명의 기판처리장치가 적용가능한 도포현상처리시스템의 구성을 나타내는 평면도.

도 2는 본 실시형태의 도포현상처리시스템에서의 처리순서를 나타내는 플로우챠트.

도 3은 본 실시형태의 자외선조사유니트의 구성을 나타내는 사시도.

도 4는 본 실시형태의 자외선조사유니트의 주요 제어계의 구성을 나타내는 블록도.

도 5는 본 실시형태의 자외선조사유니트에서 램프전원부 및 램프모니터부의 일구성예를 도시한 도면.

도 6은 본 실시형태의 자외선조사유니트에서 주요 동작순서를 나타내는 플로우챠트.

도 7은 본 실시형태의 자외선조사유니트에서 파라미터 회복 처리의 상세순서를 나타내는 플로우챠트.

<주요부분에 대한 부호의 설명>

UV : 자외선조사유니트 38 : 주반송장치

62 : 석영유리창 64(1),64(2), ····,64(n) : 자외선램프

66 : 램프실 68 : 세정처리실

72(1),72(2), ····,72(n) : 광 센서

76 : 스테이지 78 : 볼나사

80 : 스테이지구동부 82 : 가이드

84 : 고정 리프트핀 86 : 셔터

88 : 제어부 92 : 스테이지승강구동부

94 : 주사구동부 96 : 램프전원부

98 : 램프모니터부 100 : 상용교류전원

102(1),102(2), ····,102(n) : 개폐기

104 : 광측정회로

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 관해서 상세하게 설명한다.

도 1은, 본 발명의 일실시형태에 관한 기판처리장치가 탑재된 레지스트도포현상처리시스템을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 이 도포현상처리시스템은, 클린룸내에 설치되고, 예를들면 LCD 기판을 피처리기판으로 하는 LCD 제조프로세스에서 포토리소그래피공정중의 세정, 레지스트도포, 프리베이크, 현상 및 포스트베이크의 각 처리를 행하는 것이다. 노광처리는, 이 시스템에 인접하여 설치되는 외부의 노광장치(도시하지 않음)로 행하여진다.

이 도포현상처리시스템은, 크게 나누어 카세트스테이션(C/S)(10)과, 프로세스스테이션(P/S)(12)과, 인터페이스부(I/F)(14)로 구성된다.

시스템의 일끝단부에 설치되는 카세트스테이션(C/S)(10)은, 복수의 기판(G)을 수용하는 카세트(C)를 소정수, 예를들면 4개까지 얹어놓기 가능한 카세트스테이지(16)와, 이 스테이지(16)상의 카세트(C)에 대하여 기판(G)의 출입을 행하는 반송기구(20)를 구비하고 있다. 이 반송기구(20)는, 기판(G)을 유지할 수 있는 수단, 예를들면 반송아암을 가지고 X, Y, Z, θ의 4축으로 동작가능하고, 후술하는 프로세스스테이션(P/S)(12)측의 주반송장치(38)와 기판(G)의 주고 받음을 행하도록 되어 있다.

프로세스스테이션(P/S)(12)은, 상기 카세트스테이션(C/S)(10)측에서 순차로 세정프로세스부(22)와, 도포프로세스부(24)와, 현상프로세스부(26)를 기판중계부 (23), 약액공급유니트(25) 및 스페이스(27)를 통해(끼워서) 횡방향 일렬로 설치하고 있다.

세정프로세스부(22)는, 2개의 스크러버세정유니트(SCR)(28)와, 상하 2단의 자외선조사/냉각유니트(UV/COL)(30)와, 가열유니트(HP)(32)와, 냉각유니트 (COL) (34)를 포함하고 있다.

도포프로세스부(24)는, 레지스트도포유니트(CT)(40)와, 감압건조유니트(VD) (42)와, 에지리무버·유니트(ER)(44)와, 상하 2단형 어드히전/냉각유니트(AD/COL) (46)와, 상하 2단형 가열/냉각유니트(HP/COL)(48)과, 가열유니트(HP)(50)를 포함하고 있다.

현상프로세스부(26)는, 3가지의 현상유니트(DEV)(52)와, 2개의 상하 2단형 가열/냉각유니트(HP/COL)(55)와, 가열유니트(HP)(53)를 포함하고 있다.

각 프로세스부(22,24,26)의 중앙부에는 길이 방향으로 반송로(36,52,58)가 설치되고, 주반송장치(38,54,60)가 각 반송로를 따라 이동하여 각 프로세스부내의 각 유니트에 억세스하여, 기판(G)의 반입/반출 또는 반송을 하게 되고 있다. 또, 이 시스템으로서는 각 프로세스부(22,24,26)에 있어서, 반송로(36,52,58)의 일방향 쪽에 스피너계의 유니트(SCR, CT, DEV 등)가 배치되고, 다른 방향 쪽에 열처리 또는 조사처리계의 유니트(HP, COL, UV 등)가 배치되어 있다.

시스템의 다른 끝단부에 설치되는 인터페이스부(I/F)(14)는, 프로세스 스테이션(12)과 인접하는 측에 익스텐션(기판 주고 받음부)(57) 및 버퍼 스테이지(56)를 설치하고, 노광장치와 인접하는 쪽에 반송기구(59)를 설치하고 있다.

도 2에 이 도포현상처리시스템에 있어서의 처리 순서를 나타낸다. 우선, 카세트스테이션(C/S)(10)에 있어서, 반송기구(20)가, 스테이지(16)상의 소정의 카세트(C)내로부터 1개의 기판(G)을 꺼내어 프로세스 스테이션(P/S)(12)의 세정프로세스부(22)의 주반송장치(38)로 건네 준다(스텝S1).

세정프로세스부(22)에 있어서, 기판(G)은, 먼저 자외선조사/냉각유니트 (UV/COL)(30)에 순차 반입되고, 상단의 자외선조사유니트(UV)에서는 자외선조사에 의한 건식세정이 실시되며, 다음에 하단의 냉각유니트(COL)에서는 소정온도까지 냉각된다(스텝S2). 이 자외선조사세정으로서는 기판표면의 유기물이 제거된다. 이에의하여 기판(G)의 젖음성이 향상하여, 다음공정의 스크러빙세정에 있어서의 세정효과를 높일 수 있다.

다음에, 기판(G)은 스크러버세정유니트(SCR)(28)의 1개로 스크러빙 세정처리를 받아 기판표면으로부터 입자형상의 이물질이 제거된다(스텝S3). 스크러빙 세정후, 기판(G)은 가열유니트(HP)(32)의 가열에 의한 탈수처리를 받고(스텝S4), 이어서 냉각유니트(COL)(34)로 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝S5). 이것으로 세정프로세스부(22)에 있어서의 전처리가 종료하고, 기판(G)은, 주반송장치(38)에 의해 기판주고받음부(23)를 통해 도포프로세스부(24)로 반송된다.

도포프로세스부(24)에 있어서, 기판(G)은 먼저 어드히전/냉각유니트(AD/COL) (46)에 순차 반입되어, 최초의 어드히전유니트(AD)에서는 소수화처리(HMDS)를 받고 (스텝S6), 이어서 냉각유니트(COL)에서 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝S7).

그 후, 기판(G)은 레지스트도포유니트(CT)(40)에서 레지스트액이 도포되고, 이어서 감압건조유니트(VD)(42)에서 감압에 의한 건조처리를 받으며, 이어서 에지리무버·유니트(ER)(44)에서 기판둘레가장자리부의 여분(불필요)인 레지스트를 제거한다(스텝S8).

다음에, 기판(G)은 가열/냉각유니트(HP/COL)(48)에 순차 반입되고, 최초의 가열유니트(HP)에서는 도포후의 베이킹(프리베이크)이 행해지며(스텝S9), 이어서 냉각유니트(COL)에서 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝S10). 또 이 도포후의 베이킹으로 가열유니트(HP)(50)를 사용할 수도 있다.

상기 도포처리 후, 기판(G)은 도포프로세스부(24)의 주반송장치(54)와 현상프로세스부(26)의 주반송장치(60)에 의하여 인터페이스부(I/F)(14)로 반송되고, 거기에서 노광장치로 넘겨진다(스텝S11). 노광장치에서는 기판(G) 상의 레지스트에 소정의 회로패턴을 노광한다. 그리고, 패턴노광을 끝낸 기판(G)은, 노광장치로부터 인터페이스부(I/F)(14)에 복귀된다. 인터페이스부(I/F)(14)의 반송기구(59)는 노광장치로부터 받아들인 기판(G)을 익스텐션(57)을 통해 프로세스 스테이션(P/S)(12)의 현상프로세스부(26)에 건네 준다(스텝S11).

현상프로세스부(26)에 있어서, 기판(G)은, 현상유니트(DEV)(52)중 어느 하나에서 현상처리를 받고(스텝S12), 이어서 가열/냉각유니트(HP/COL)(55)중 하나에 순차 반입되며, 최초의 가열유니트(HP)에서는 포스트베이킹이 행해지고(스텝S13), 이어서 냉각유니트(C0L)에서 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝S14). 이 포스트베이킹에 가열유니트(HP)(53)를 사용할 수도 있다.

현상프로세스부(26)에서의 일련의 처리가 끝난 기판(G)은, 프로세스 스테이션(P/S)(12)내의 반송장치(60,54,38)에 의해 카세트스테이션(C/S)(10)까지 복귀되고, 거기서 반송기구(20)에 의해 어느 하나의 카세트(C)에 수용된다(스텝S1).

다음에, 이상과 같은 도포현상처리 시스템에 탑재된 본 발명의 일실시형태에 관한 자외선조사유니트(UV)에 대하여 도 3∼도 7을 참조하면서 설명한다.

도 3에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태의 자외선조사유니트(UV)는 아래면에 석영유리창(62)을 부착하고, 실내에 복수개(도시의 예는 3개)의 원통형 자외선램프 [64(1)], [64(2)]····,[64(n)]를 램프의 길이방향과 수직인 수평방향으로 배열 수용하여 이루어지는 램프실(66)과, 이 램프실(66)의 아래에 인접하여 설치된 세정처리실(68)을 가진다.

램프실(66)내에 있어서, 각 자외선램프[64(i)](i=1, 2, ····, n)는 예를들면 유전체 베리어방전램프이면 좋고, 후술하는 램프전원부(96)로부터 상용교류전력의 공급을 받아 발광하며, 유기오염의 세정에 호적인 파장172 nm의 자외선(자외 엑시머광)을 방사한다. 각 자외선램프[64(i)]의 배후 또는 위에는 횡단면원호형상의 오목면반사경(70)이 배치되어 있고, 각 램프[64(i)]로부터 윗쪽 내지 옆쪽으로 방사된 자외선은 바로위의 반사경 오목면부에서 반사하여 석영유리창(62)측을 향하도록 되어 있다.

이 실시형태에서는, 램프[64(1)]∼[64(n)]의 발광상태를 개별적으로 감시하기 위한 상기 파장 172 nm의 자외선을 광전변환가능한 복수(n)개의 광 센서[72(1)]∼[72(n)]가 램프실(66)내의 적당한 위치, 예를들면 각 램프[64(1)]∼[64(n)]의 바로 위에 설치된다.

램프실(66)내에는, 램프[64(1)]∼[64(n)]를 예를들면 수냉방식으로 냉각하는 냉각자켓(도시하지 않음)이나, 자외선을 흡수하는(따라서 램프발광효율을 악화시킨다) 산소가 실내로 진입하는 것을 방지하기 위한 불활성가스 예를들면 N₂가스를 도입하고 또한 충만시키는 가스유통기구(도시하지 않음)등이 설치되어도 좋다.

램프실(66)의 양측에는, 이 자외선조사유니트(UV)내의 각부에 필요한 용력(用力) 또는 제어신호를 공급하기 위한 용력공급부 및 제어부를 수용하는 유틸리티·유니트(74)가 설치된다. 램프실(66)내의 각종 센서 예를들면 광 센서[72(1)]∼[72(n)]로부터 출력되는 전기신호를 입력하여 필요한 신호처리를 하는 각종 측정 또는 감시회로등이 유틸리티·유니트(74)내에 설치되어도 좋다.

세정처리실(68)내에는, 기판(G)을 재치하여 지지하기 위한 수평이동 및 승강 가능한 스테이지(76)가 설치된다. 본 실시형태에서는 볼나사(78)를 사용하는 자주식(自走式)의 스테이지구동부(80)의 위에 스테이지(76)를 수직방향(그림의 Z 방향)으로 승강가능하게 탑재하고, 스테이지구동부(80)가 볼나사(78) 및 이것과 평행하게 연이어 있는 가이드(82)를 따라 소정의 수평방향(그림의 Y 방향)으로, 요컨대 램프실(66)의 바로 아래를 램프배열방향과 평행하게 가로질러 왕복이동할 수 있도록 구성되어 있다. 이 때의 이동속도는 가변제어가능한 속도로 한다.

스테이지(76)에는 기판(G)의 반입/반출시에 기판(G)을 수평자세로 유지하기 위한 복수개(예를들면 6개)의 리프트핀(84)이 수직으로 관통하고 있다. 본 실시형태에서는, 각 리프트핀(84)이 기판 주고받음용의 소정높이 위치로 고정되고, 이들 고정 리프트핀(84)에 대하여 스테이지(76)가 기판(G)의 반입/반출을 방해하지 않는 퇴피용의 하한높이위치(Hb)와 스테이지(76) 스스로 기판(G)을 재치하여 지지하기 위한 일점쇄선으로 나타내는 상한높이위치(Ha)와의 사이에서 승강기구(도시하지 않음)에 의해 승강가능하게 되어 있다. 스테이지(76)의 윗면에는, 기판(G)을 지지하기 위한 다수의 지지핀(도시하지 않음)이나 기판(G)을 흡인 유지하기 위한 진공척 흡인입구(도시하지 않음)등이 설치된다.

스테이지(76)의 Y방향원점위치에 인접한 세정처리실(68)의 측벽에는, 고정 리프트핀(84)의 상단부에 가까운 높이위치에서 기판(G)을 반입/반출하기 위한 개폐가능한 셔터(문)(86)이 부착되어 있다. 이 셔터(86)는 세정프로세스부(22)의 반송로(36)(도 1)에 마주하고 있으며, 반송로(36) 위에서 주반송장치(38)가 열린 상태의 셔터(86)를 통해 세정처리실(68)내로의 기판(G)의 반입 및 세정처리실(68)로부터의 기판(G)의 반출을 행할 수 있도록 되어 있다.

다음에, 이 자외선조사유니트(UV)에 있어서의 제어계의 구성에 대하여 도 4를 참조하여 설명한다. 제어부(88)는, 마이크로컴퓨터로 구성할 수 있고, 그 내장의 메모리에는 본 유니트내의 각부 및 전체를 제어하기 위해 필요한 프로그램을 저장하고 있으며, 적당한 인터페이스를 통하여 본 도포현상처리 시스템의 전체적인 처리순서를 통괄하는 메인컨트롤러(도시하지 않음)이나 본 자외선조사유니트(UV)내의 제어계의 각부에 접속되어 있다.

이 실시형태에 있어서, 제어부(88)와 관계하는 본 자외선조사유니트(UV)내의 주요한 부분은, 셔터(86)를 구동하기 위한 셔터구동부(90), 스테이지(76)를 Z방향으로 승강구동하기 위한 스테이지승강구동부(92), 스테이지(76)를 Y방향으로 수평구동 또는 주사구동하기 위한 주사구동부(94), 램프실(66)내의 자외선램프[64(1)]∼[64(n)]를 개별적으로 점등구동하기 위한 램프전원부(96), 그들의 자외선램프 [64(1)]∼[64(n)]의 점등상태를 개별적을 감시하기 위한 램프모니터부(98)등이다. 스테이지승강구동부(92) 및 주사구동부(94)는 각각 구동원으로서 예를들면 서보모터를 가지고, 스테이지구동부(80)내에 설치된다. 램프전원부(96) 및 램프모니터부 (98)는 제어부(88)와 함께 유틸리티·유니트(74)내에 설치된다.

도 5는 램프전원부(96) 및 램프모니터부(98)의 일구성예를 모식적으로 도시한 도면이다. 램프전원부(96)는 상용교류전원(100)와, 이 교류전원(100)의 전원단자와 램프실(66)내의 각 자외선램프[64(1)]∼[64(n)]의 전극단자와의 사이에 전기적으로 접속된 개폐기[102(1)]∼[102(n)]를 가지고 있다. 각 개폐기[102(1)∼ [102(n)]는, 제어부(88)로부터의 제어신호(G1)∼(Gn)에 의하여 각각 개별적으로 온·오프제어된다. 이와 같이 제어부(88)는 램프전원부(96)를 통하여 램프실(66)내의 전체 자외선램프[64(1)]∼[64(n)]의 점등·소등을 개별적으로 제어할 수 있도록 되어 있다.

램프모니터부(98)는, 램프실(66)내에서 각 자외선램프[64(1)]∼[64(n)]로부터의 자외선을 수광하여 전기신호로 변환하는 상기 광 센서[72(1)]∼[72(n)]와, 각 광 센서[72(1)]∼[72(n)]의 출력신호(L1)∼(Ln)을 기초로 각 자외선램프[64(1)]∼ [64(n)]의 휘도 또는 밝기의 정도를 측정 또는 추정하여 발광상태를 판정하는 광측정회로(104)를 가진다. 램프실(66)내에는 각 광 센서[72(i)]가 각각 대응하는 자외선램프[64(i)]로부터의 자외선을 다른 자외선램프로부터의 자외선보다도 선택적 또는 중점적으로 수광할 수 있도록 각 광 센서[72(i)]의 주위에 적당한 차광부(106)가 설치된다.

다음에, 이 자외선조사유니트(UV)에 있어서의 주요한 동작순서를 도 6을 참조하여 설명한다. 먼저, 상기 메인컨트롤러로부터의 지시를 받아 제어부(88)를 포함해서 유니트내의 각부를 초기화한다(스텝 Al). 이 초기화중에 스테이지(76)는, Y방향으로는 셔터(86)에 근접하는 소정의 원점위치에 위치결정되고, Z방향으로는 퇴피용의 높이위치(Hb)에 있다. 또한 제어부(88)는 스테이지(76)를 Y방향으로 이동시키는 속도 요컨대 주사속도의 초기값으로서, 자외선램프[64(1)]∼[64(n)] 전체가 정상일 때에 채용하는 주사속도를 기준속도(Fs)로서 소정의 레지스터로 세트하는 것이 좋다.

주반송장치(38)(도 1)가 카세트스테이션(C/S)(10)으로부터 처리전의 기판(G)을 본 자외선조사유니트(UV) 앞까지 반송하여 오면, 제어부(88)는 주반송장치(38)와 기판(G)의 주고 받음을 하도록 해당의 각부를 제어한다(스텝 A2).

보다 상세하게는, 제어부(88)는 먼저 셔터구동부(90)에 셔터(86)를 여는 제어신호를 출력하여 셔터(86)를 열게 한다. 주반송장치(38)는 한 쌍의 반송아암을 가지고 있으며, 한 쪽의 반송아암에 세정전의 기판(G)을 올려놓고, 다른쪽의 반송아암을 빈(기판 없슴) 상태로 본 자외선조사유니트(UV)를 향하여 이동된다. 본 자외선조사유니트(UV)내에 세정을 끝낸 기판(G)이 없을 때는, 세정전의 기판(G)을 지지하는 쪽의 반송아암을 그대로 열린 상태의 셔터(86)를 통해 세정처리실(68)내로 연장시켜 그 세정전 기판(G)을 고정 리프트핀(84)의 위에 옮겨놓는다. 본 자외선조사유니트(UV)내에 세정을 끝낸 기판(G)이 있을 때는, 최초에 빈 반송아암으로 그 세정을 끝낸 기판(G)을 반출하고 나서, 세정전의 기판(G)을 상기와 같이 하여 반입한다. 상기한바와 같이 하여 본 자외선조사유니트(UV)에서 자외선세정처리를 받아야 할 기판(G)이 주반송장치(38)에 의해 고정 리프트핀(84)의 위에 반입되어 재치되면, 셔터(86)를 닫는다.

이어서, 제어부(88)는 스테이지승강구동부(92)를 제어하여 스테이지(76)를 기판재치용의 높이위치(Ha)까지 상승시킨다(스텝 A3). 이 때 스테이지(76)가 상승하는 사이에 진공척부의 흡인을 개시시켜, 스테이지(76)가 기판재치용의 높이위치 (Ha)에 도달함과 동시에 기판(G)을 흡인유지할 수 있도록 하는 것이 좋다.

다음에, 제어부(88)는 램프전원부(96)의 모든 개폐기[102(1)]∼[102(n)]를 접속(온)하여, 모든 자외선램프[64(1)]∼[64(n)]를 점등시킨다(스텝 A4). 그리고, 램프모니터부(98)의 광측정회로(104)로부터의 광측정 또는 감시정보를 기초로 자외선램프[64(1)]∼[64(n)] 각각의 발광상태를 개별적으로 검사하고, 그 검사결과에 따라서 본 자외선조사유니트(UV)에 있어서의 자외선세정처리용의 소정의 파라미터(예를들면 주사속도, 조사시간등)의 재검토를 행한다(스텝 A5).

도 7에 본 실시형태에 있어서의 파라미터 재검토처리(스텝 A5)의 상세한 순서를 나타낸다. 먼저, 램프실(66)내에서 각 광 센서[72(1)]∼[72(n)]에 입사하는 자외선의 조도를 측정한다(스텝 B1). 각 광 센서[72(1)]∼[72(n)]는 각 대응하는 자외선램프[64(1)]∼[64(n)]로부터의 자외선을 선택적 또는 중점적으로 수광하기 때문에, 각 광 센서[72(1)]∼[72(n)]의 수광하는 자외선의 조도는 각 대응하는 자외선램프[64(1)]∼[64(n)]의 휘도에 비례하고 있다. 따라서 각 광 센서[72(1)]∼ [72(n)]의 출력신호(L1)∼(Ln)로부터 각 자외선램프[64(1)]∼[64(n)]의 휘도를 절대치 또는 상대치로서 산출하고(스텝 B2), 사용상의 하한치를 하회하고 있는지 아닌지, 요컨대 점등사용상의 적정여부를 판정한다(스텝 B3).

상기의 램프모니터검사(스텝 B1∼B3)에서 휘도가 일정한 하한치를 하회하고 있는(점등하지 않은 상태를 포함한다) 자외선램프[64(i)]가 발견되었을 때는, 그 자외선램프[64(i)]를 발광불량의 이상램프라고 간주하고, 램프전원부(66)내의 해당하는 개폐기[102(i)]를 오프로 전환하여, 그 이상램프[64(i)]의 점등사용을 중지하도록 제어부(88)에 의해 제어한다(스텝 B4). 그리고 그와 같은 일부의 자외선램프 [64(i)]를 점등사용하지 않게 되더라도, 다음공정의 자외선조사처리(스텝 A6)에 있어서 기판(G)에 충분한 자외선조사량(적산광량)을 주어지도록 소정의 파라미터(주사속도등)을 보정한다(스텝 B5).

예를들면, 3개의 자외선램프[64(1)]∼[64(3)]를 구비하는 구성에 있어서 1개의 자외선램프[64(1)]가 발광불량으로 되어 있다는 모니터 검사결과가 나왔을 때는 제어부(88)가 램프전원부(96)의 개폐기[102(1)]를 오프(차단)하여 자외선램프 [64(1)]에 대한 전력의 공급을 멈추도록 제어한다. 그리고, 스테이지(76)상의 기판 (G)에 대하여, 정상상태인 남은 2개의 자외선램프[64(2)],[6 4(3)]에 의한 자외선의 조사량이 세정처리 품질을 보증할 수 있는 소정의 하한치를 하회하지 않도록, 자외선조사처리에 있어서의 주사속도를 모든 램프가 정상일 때의 기준속도(Fs)보다도 소정의 비율만큼 느린 속도(Fk)로 보정한다. 개략적으로는 점등사용하는 램프가 모두 정상일 때의 3개로부터 2개로 감소하는 것이니까 자외선조사시간을 3/2배가 되도록 기준속도(Fs)의 2/3배의 속도를 보정주사속도(Fk)로 할 수 있다. 보다 정밀하게는, 정상램프[64(2)],[64(3)]의 현시점의 휘도도 감안하여 제어할 수가 있다. 예를들면, 정상램프[64(2)],[64(3)]의 휘도가 사용개시 때의 초기값보다도 상당히 저하된 경우는, 그 휘도저하분을 보상하는 바와 같은 속도저감보정을 가미하여 보정주사속도(Fk)를 구할 수 있다. 이렇게 해서 구해진 보정주사속도(Fk)는, 초기화(스텝 A1)에서 세트되어 있던 기준주사속도(Fs)로 치환되어 세트된다.

상기의 램프모니터검사(스텝 B1∼B3)에서 이상인 램프가 한개도 발견되지 않을 때는, 상기의 초기화(스텝 A1)에서 세트하고 있는 기준주사속도(Fs)를 그대로 채용(유지)한다(스텝 B6).

다시 도 6에 있어서, 상기와 같은 파라미터 재검토처리(스텝 A5)를 끝내고 나서, 기판(G)에 대한 자외선세정처리를 실행한다(스텝 A6). 이 자외선세정처리를 하기 위하여 제어부(88)는 스테이지구동부(80)의 주사구동부(94)에 의해 스테이지 (76)를 원점위치와 점선(76')으로 나타내는 이동위치 사이에서 Y방향으로 편도이동 또는 왕복이동시킨다. 이 스테이지(76)의 Y방향이동에 의해 스테이지상의 기판(G)이 램프실(66)의 바로 아래를 소정의 높이 위치(Ha)에서[요컨대 석영유리창(62)에 대하여 소정의 간격을 두고] Y방향으로 가로지르는 것이고, 램프실(66)의 석영유리창(62)으로부터 거의 수직아래쪽을 향하여 방사되는 파장 172 nm의 자외선이 기판 (G)을 Y방향으로 일끝단으로부터 다른 끝단까지 주사하여 기판표면의 전면을 조사한다.

이와 같이 기판(G)에 대하여 파장 172 nm의 자외선이 조사되는 것에 의해 기판표면부근에 존재하고 있는 산소가 이 자외선에 의해 오존(O₃)으로 변하고, 또 이 오존(O₃)이 자외선에 의하여 여기되어 산소원자 라디컬(radical)(O^*)이 생성된다. 이 산소 라디컬에 의해 기판(G)의 표면에 부착하고 있는 유기물이 이산화탄소와 물로 분해되어 기판표면에서 제거된다.

이러한 주사방식의 자외선세정처리에 있어서, 기판(G)에 대한 자외선의 조사량 또는 광량은 스테이지(76)의 이동속도(주사속도)(F)에 반비례한다. 요컨대, 주사속도(F)를 빠르게 할수록 기판(G)에 대한 자외선조사시간이 짧아지므로 자외선조사량은 적어지게 되고, 반대로 주사속도(F)를 느리게 할수록 기판(G)에 대한 자외선조사시간이 길어지므로 자외선조사량은 많아진다.

본 실시형태에서는, 램프실(66)내의 자외선램프[64(1)]∼[64(n)]의 발광상태가 모두 정상인 경우는 물론, 일부가 발광불량이 되더라도, 상기한 바와 같은 파라미터 재검토처리(스텝 A5)에 의해 현시점의 정상인 램프의 발광상태에 적합한 최적의 주사속도(F)가 설정되기 때문에, 기판(G)에 대하여 필요하고 또한 충분한 광량의 자외선을 조사하여 소기의 세정효과를 보증할 수 있다. 따라서, 본 자외선조사유니트(UV)에 있어서는, 운전을 중지하는 일 없이 적정한 자외선세정처리를 계속하여 실시할 수가 있다.

다만, 발광불량의 이상램프[64(i)]를 1개라도 검출한 경우, 제어부(88)는 디스플레이나 부저등(도시하지 않음)을 통하여 그 이상 또는 고장사태를 알리는 알람정보 또는 신호를 내도록 하여도 좋다.

상기와 같이 기판(G)에 대한 자외선세정처리가 종료되면, 제어부(88)는 램프전원부(96)내의 모든 개폐기[102(1)]∼[102(n)]를 열어(오프) 모든 자외선램프 [64(1)]∼[64(n)]를 소등시킨다(스텝 A7). 이어서 Y방향 원점위치에서 진공척을 오프로 하고 나서 스테이지승강구동부(92)에 의해 스테이지(76)를 퇴피용의 높이 위치(Hb)까지 내리고(스텝 A8), 기판(G)을 고정 리프트핀(84)에 지지시킨다. 이렇게 하여 1매의 기판(G)에 대한 본 자외선세정유니트(UV)내의 모든 공정이 종료되고,주반송장치(38)(도 1)가 오는 것을 기다린다.

상기와 같은 본 실시형태에서는, 램프실(66)내에서 일부의 자외선램프(64)가 발광불량으로 되어도 적정한 자외선세정처리의 동작을 계속하여 실시할 수 있기 때문에, 이 자외선조사유니트(UV)에 요구되는 생산수율을 안정하게 유지할 수 있다. 따라서, 세정프로세스부(22)의 생산수율 나아가서는 본 도포현상처리시스템의 생산수율을 보증할 수 있다. 또한 발광불량의 램프는 정기적인 유지관리시에 정상램프와 교환하면 되기 때문에, 계획적인 보수관리가 가능하다.

상기 실시형태에서는, 램프전원부(96)가 일정한 교류전력을 각 자외선램프 [64(1)]∼[64(n)]에 공급하는 구성이지만, 각 자외선램프[64(1)]∼[64(n)]에 공급하는 전력을 가변제어할 수 있는 램프전원장치(도시하지 않음)를 사용하여도 좋고, 그 경우에는 상기한 파라미터 재검토처리(스텝 A5)에 의해 재설정가능한 파라미터로서 램프투입전력 또는 램프휘도를 채용할 수도 있다. 즉, 상술한 바와 같이 스텝 B1∼B3의 램프모니터검사에서 발광불량의 이상램프가 발견되었을 때에, 그 이상램프의 점등사용을 중지하도록 제어부(88)에 의해 제어하고, 자외선조사처리에 있어서 기판(G)에 충분한 자외선조사량(적산광량)이 주어지도록 램프투입전력 또는 램프휘도를 보정함으로써도 같은 효과를 얻을 수 있다.

또한, 상기의 실시형태에서는 자외선조사처리에 있어서 파라미터 재검토처리 (스텝 A5)에 의해 재설정가능한 파라미터로서 자외선조사시간을 채용할 수도 있다. 즉, 상술한 바와 같이 스텝 B1∼B3의 램프모니터검사에서 발광불량의 이상램프가 발견되었을 때에, 그 이상램프의 점등사용을 중지하도록 제어부(88)에 의해 제어하고, 자외선조사처리에 있어서 기판(G)에 충분한 자외선조사량(적산광량)이 주어지도록 자외선조사시간을 보정함으로써도 같은 효과를 얻을 수 있다.

또한 상기 실시형태에서는, 자외선램프[64(1)]∼[64(n)]쪽을 고정하고, 기판 (G)쪽을 램프배열방향으로 평행이동시키는 주사방식을 채용한 예를 나타내었지만, 기판(G)쪽을 소정위치에 고정하고, 자외선램프[64(1)]∼[64(n)]쪽을 기판면과 평행하게 이동시키는 주사방식도 가능하다. 주사구동수단은, 상기한 바와 같은 볼나사기구에 한정되는 것은 아니고, 벨트식이나 로울러식등으로도 좋다.

또한, 주사방식이 아니고, 자외선램프[64(1)]∼[64(n)] 및 기판(G)의 쌍방을 고정하여 대향배치하는 정지방식도 가능하다. 이 경우는, 상기한 바와 같은 파라미터 재검토처리에 의해 재설정가능한 파라미터로서 상술한 자외선조사시간이나 램프투입전력등을 채용할 수가 있다.

또한, 램프실(66)내에 설치되는 자외선램프[64(1)]∼[64(n)]의 일부를 예비램프로서 정상상태 그대로 점등사용하지 않은 상태로 두고, 다른 램프가 발광불량으로 되는 시점에서 그 발광불량램프의 점등사용을 멈추고, 대신에 해당 예비램프를 점등사용하는 것도 가능하다. 이 경우는, 점등사용에 제공되는 자외선램프의 조합을 일종의 파라미터로서 가변조정하는 것이 된다.

또, 상기한 바와 같은 파라미터 재검토처리에 의해 재설정가능한 파라미터는, 단독으로 채용하여도 좋지만, 이상과 같이 파라미터를 2이상 조합시켜 채용하여도 좋다. 예를들면, 주사속도와 자외선조사시간의 양쪽을 재설정하도록 하여도 좋다.

상기한 실시형태에서는, 발광불량이 된 램프에 있어서는 그 점등사용을 멈추도록 하였다. 즉, 그와 같은 이상램프는 실질적으로 제어불능이며, 기판(G)에 대한 램프실(66)로부터의 자외선조사량을 설정한 대로 관리할 수 없게 되므로 점등사용하는 램프군으로부터 빼는 것이 바람직하다. 그러나, 안전면에서 특별한 문제가 없다면, 상기와 같은 파라미터 재검토를 한 뒤에, 그와 같은 이상램프의 점등사용을 필요에 따라서 계속하여도 좋다.

이상에 도달하지 않았어도 램프의 휘도가 저하한 것 등이 확인된 시점에서 파라미터의 보정을 행할 수 있다. 이러한 제어는 램프가 복수로 설치되는 경우에 한정하지 않고 하나의 경우에도 행할 수 있고, 또한 복수의 램프가 있어도 발광상태를 개별로 감시하지 않은 경우에서도 행할 수 있다.

또한 본 자외선조사유니트(UV) 운전의 계속성을 최대한으로 도모하는 의미로서는, 램프실(66)에 있어서 각 자외선램프[64(1)]∼[64(n)]의 부착·떼기를 개별적으로 행할 수 있는 구성, 예를들면 모듈형의 램프유니트 또는 하우징(도시하지 않음)도 바람직하다.

또한, 이상램프의 점등사용을 멈춘 경우, 나머지 정상램프를 전부 최대투입전력으로 점등하여도 기판(G)에 대한 자외선의 조도가 원하는 세정효과를 보증할 수 있는 소정의 하한치를 하회하는 것도 있을 수 있다. 그와 같은 파라미터의 보정이 이미 듣지 않는 경우는, 필요의 알람정보를 발생하여, 본 자외선조사유니트(UV)의 운전을 멈추어도 좋다.

상기한 실시형태에 있어서의 램프실(66)내나 세정처리실(68)내의 구성, 특히자외선램프[64(1)]∼[64(n)], 스테이지(76), 스테이지구동부(80)등의 구성은 일례이고, 각부에 대하여 여러가지의 변형이 가능하다.

상기 실시형태는, 자외선조사세정장치(UV)에 관계되는 것이었다. 그러나 본 발명의 기판처리장치는, 유기오염의 제거 이외의 목적으로 피처리기판에 자외선을 조사하는 처리에도 적용가능하다. 예를들면, 상기한 바와 같은 도포현상처리시스템에 있어서, 포스트베이킹(스텝 S13)후에 레지스트를 경화시킬 목적으로 기판(G)에 자외선을 조사하는 공정에 상기 실시형태와 같은 자외선조사장치를 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서의 피처리기판은 LCD 기판에 한정하지 않고, 반도체웨이퍼, CD기판, 유리기판, 포토마스크, 프린트기판등도 가능하다.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 자외선램프에 발광불량등의 이상이 발생하여도 정상적인 자외선조사처리를 계속하여 실시하는 것이 가능하고, 생산수율의 저하를 회피할 수 있다. 또한, 자외선램프의 일부가 발광불량으로 되어도 즉시 운전을 멈출 필요가 없기 때문에 계획적인 보수관리가 가능해진다.

Claims

피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 행하는 기판처리장치로서,

상기 피처리기판을 지지하는 지지수단과,

전력 공급을 받아 자외선을 발하는 램프를 복수개 구비하여, 상기 램프로부터 나온 자외선을 상기 피처리기판을 향하여 조사하는 자외선조사수단과,

상기 복수개의 램프 각각의 발광상태를 개별적으로 감시하는 램프감시수단과,

상기 램프감시수단으로부터의 감시정보에 따라서 상기 자외선조사처리의 소정의 파라미터를 제어하는 제어수단을 가지는 기판처리장치.
제 1 항에 있어서, 상기 자외선조사수단으로부터의 자외선이 상기 지지수단에 지지되어 있는 상기 피처리기판의 피처리면을 주사하도록 상기 지지수단 및 상기 램프중 어느 한쪽 또는 양쪽을 소정방향으로 이동시키는 구동수단을 가지는 기판처리장치.
제 2 항에 있어서, 상기 제어수단은, 상기 램프감시수단으로부터의 감시정보에 따라서, 상기 주사 속도를 가변제어하는 주사속도제한기능을 가지는 기판처리장치.
제 3 항에 있어서, 상기 제어수단은, 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상이라는 감시정보가 상기 램프감시수단으로부터 나올 때에, 해당 이상램프의 점등을 중지하도록 상기 자외선조사수단을 제어함과 동시에, 그 상기 주사속도제한기능에 의해 상기 주사속도를 소정의 기준치보다도 소정의 비율만큼 느린 값이 되도록 설정하는 기판처리장치.
제 1 항에 있어서, 상기 제어수단은, 상기 램프감시수단으로부터의 감시정보에 따라서 상기 자외선의 조사시간을 가변제어하는 자외선조사시간제어기능을 가지는 기판처리장치.
제 5 항에 있어서, 상기 제어수단은, 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상이라는 감시정보가 상기 램프감시수단으로부터 나올 때에, 해당 이상램프의 점등을 중지하도록 상기 자외선조사수단을 제어함과 동시에, 그 상기 자외선조사시간제어기능에 의해 상기 자외선조사시간을 소정의 기준치보다도 소정의 비율만큼 긴 값이 되도록 설정하는 기판처리장치.
제 1 항에 있어서, 상기 제어수단은, 상기 램프감시수단으로부터의 감시정보에 따라서 상기 램프의 휘도를 개별적으로 제어하는 램프휘도제어기능을 가지는 기판처리장치.
제 7 항에 있어서, 상기 제어수단은, 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상이라는 감시정보가 상기 램프감시수단에 의해 나올 때에, 해당 이상램프의 점등을 중지하도록 상기 자외선조사수단을 제어함과 동시에, 그 상기 램프휘도제어기능에 의해 정상상태에 있는 상기 램프의 휘도를 소정의 기준치보다도 소정의 비율만큼 높은 값이 되도록 설정하는 기판처리장치.
제 1 항에 있어서, 상기 제어수단은, 상기 램프감시수단으로부터의 감시정보에 따라서 상기 램프로의 투입전력을 개별적으로 제어하는 투입전력제어기능을 가지는 기판처리장치.
제 9 항에 있어서, 상기 제어수단은, 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상이라는 감시정보가 상기 램프감시수단으로부터 나올 때에, 해당 이상램프의 점등을 중지하도록 상기 자외선조사수단을 제어함과 동시에, 그 상기 투입전력제어기능에 의해 정상상태에 있는 상기 램프로의 투입전력을 소정의 기준치보다도 소정의 비율만큼 높은 값이 되도록 설정하는 기판처리장치.
제 1 항에 있어서, 상기 자외선조사수단의 상기 복수개의 램프중의 일부를 예비램프로서 비점등사용상태로 유지하고, 다른 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상이라는 감시정보가 상기 램프감시수단에 의해 나올 때에, 상기 제어수단이 그 이상램프대신에 상기 예비램프를 점등사용하도록 상기자외선조사수단을 제어하는 기판처리장치.
피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 기판처리장치으로서,

상기 피처리기판을 지지하는 지지수단과,

전력 공급을 받아 자외선을 발하는 램프를 구비하여, 상기 램프로부터 나온 자외선을 상기 피처리기판을 향하여 조사하는 자외선조사수단과,

상기 램프의 발광상태를 개별적으로 감시하는 램프감시수단과,

상기 램프감시수단으로부터의 감시정보에 따라서 상기 자외선조사처리의 소정의 파라미터를 제어하는 제어수단을 가지는 기판처리장치.
복수의 램프로부터 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 기판처리방법으로서,

상기 복수의 램프 발광상태를 개별적으로 감시하는 공정과,

상기 감시하는 공정의 감시정보에 따라서 자외선조사처리의 소정의 파라미터를 제어하는 공정을 구비하는 기판처리방법.
복수의 램프로부터 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 기판처리방법으로서,

상기 복수의 램프 발광상태를 개별적으로 감시하는 공정과,

상기 감시하는 공정에서, 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상인 것으로 확인될 때에, 그 이상램프의 점등사용을 멈추고, 나머지의 램프에 의해 정상적인 조사가 행해지도록 자외선조사처리의 소정의 파라미터를 제어하는 공정을 구비하는 기판처리방법.