KR20010107524A - 2파장 레이져 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20010107524A
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
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Abstract

본 발명은 2파장 레이져 다이오드에 관한 것으로서 이는 특히, 장파장을 발생토록 형성되는 레이져 다이오드와 단파장을 발생토록 형성되는 레이져 다이오드를 서브마운트의 상측에 순차로 적층함으로써, 발광점의 간격및 위치오차를 최소화 할 수 있는 것이다.

Description

2파장 레이져 다이오드 및 그 제조방법{TWO-WAVELENGHT LASER DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF}
본 발명은 2파장의 빛을 방출하는 레이져 다이오드에 관한 것으로서 이는 특히, 장파장의 빛을 방출하는 레이져 다이오드(LD : Laser Diode)와 단파장의 빛을 방출하는 레이져 다이오드를 서브마운트의 상측에 순차로 적층하여 레이져 다이오드의 빛이 방출되는 발광점의 간격과 위치오차를 최소화 할 수 있도록한 2파장 레이져 다이오드에 관한 것이다.
일반적으로 CD(Compact Disk)에서 사용되는 레이져 빛(光)은, 적외선인 약 780nm정도의 파장을 갖는 빛이 사용되며, DVD(Digital Video Disk)에 사용하는 레이져 빛은 적색을 나타내는 가시광선으로써, 650nm정도의 파장을 갖는다.
이와같은 레이져 빛을 사용하는 레이져 다이오드중, DVD-ROM 및 CD-ROM 디스크를 재생하기 위한 레이져 다이오드에 있어서는 도1 A 및 B에 도시한 바와같이, 각각 하나의 파장을 갖는 반도체 레이져를 사용하는 방식과, 2개의 파장을 동시에 갖는 반도체 레이져를 사용하는 방식이 채용되있다.
즉, 도1 A에서와 같이 하나의 파장을 갖는 레이져를 사용하는 경우, 각각 파장이 상이한 2개의 레이져 다이오드(10)(20)에서 방출되는 레이져를 하나의 대물렌즈(30)에 빛을 합류시키기 위하여 프리즘(40)이 추가로 사용되며, 상기 프리즘(40)에 의해 모아지는 레이져 빛이 디스크(60)를 판독한 후 반사되고, 상기 디스크(60)에서 반사되는 신호를 포토 다이오드(70)로서 다시 판독하는 구성으로 이루어 진다.
또한, 도1 B에서와 같이, 2개의 파장을 갖는 레이져를 사용하는 경우에는, 각각 상이한 2개의 파장을 각각 갖는 반도체 레이져(10A)를 일체화시킴으로써 별도의 프리즘(40) 설치가 불필요하게 되는 구성으로 이루어 진다.
상기와 같은 하나의 파장을 갖는 레이져 다이오드는 도 2에서와 같이, 접점전극(1)이 저면에 형성되는 n형 GaAs 기판(2)의 상측에 n형 AlGaInP 클래드층(Cladding Layer)(3)이 적층되고, 상기 n형 AlGaInP 클래드층(3)의 상측으로 발광점을 갖는 InGaP 활성층(4)이 적층되며, 상기 InGaP 활성층(4)의 상측으로 접점전극(6)을 갖는 p형 InAlP 클래드층(5)이 적층됨으로써 p-n접합에 의한 레이져를 형성하게 된다.
한편, 상기 2파장의 레이져 다이오드가 일체화 되는 구성은 도3 A 및 B에서와 같이, 크게 모놀리식과 하이브리드형으로 분리된다.
이와같은 기술과 관련된 모놀리식(Monolithic Type) 레이져 다이오드는, 미국특허번호 5,999,553호에 기재되어 있다.
상기 모놀리식 레이져 다이오드는 도 3A에 도시한 바와같이, 서브마운트(5)의 상측에 부착되는 상이한 파장의 레이져 다이오드(15)(25)를 기판(4)의 상측에집적화 하여 원칩화 됨으로써, 발광점(15A)(25A) 간격의 오차범위를 최소화 할수 있도록 한다.
상기 발광점의 간격이 충분히 작으면 두개의 레이져광 위치가 수광부(PDIC)에 하나로 집약될수 있으므로 광 픽업의 원가대 제품비가 내려가며, 이에따라 발광점 간격의 오차 범위는 제작의 중요한 파라미터중의 하나가 되는 것이다.
상기 발광점 간격의 오차 범위가 작은 것은 발광점의 위치가 반도체 포토리소그래피 프로세스 가공오차로서 결정되며, 발광점(15A)(25A)의 높이는 결정의 성장시 막 두께로 결정되며, 상기 발광점의 수평방향 위치는 반도체 레이져의 릿지(ridge)(A)를 만들어 넣는 위치로 결정된다.
그러나, 상기와 같은 모놀리식은, 두 개의 레이져 다이오드(15)(25)를 동일한 기판(4)상에 형성하여 에칭공정에 의해 전기적으로 분리시킴으로써, 한개의 레이져 소자에 결함이 발생되면 2파장의 레이져 다이오드 전체가 불량이 되며, 두 레이져 소자를 한 조건하에 두 번 성장시켜야 됨으로써 특성저하가 발생할 확률이 크게되게 되고, 원가대 제품비가 상승되는 단점이 있는 것이다.
한편, 하이브리드형은 도 3B에서와 같이, 기판의 상측에 상이한 파장을 갖는 레이져 다이오드(15)(25)를 이격하여 각각 형성함으로써, 원가대 제품비를 곱하지 않아도 되며, 각 발진파장의 레이져 다이오드는 각각 독립되어 구성되고, 이것을 서브마운트(5)에 각각 실장하여 2파장 레이져를 구성한다.
그러나, 상기와같은 하이브리드형 레이져 다이오드는, 양측의 레이져 다이오드가 이격되는 거리와 각각의 발광점이 릿지부로 부터 일정간격 이격되어야 하는레이져 다이오드(15)(25)의 특성상, 발광점(15A)(25A)의 간격이 최소 150㎚이상(독립적인 작용으로 인한 레이져 다이오드의 이격거리 + 각각의 레이져 다이오드에서 특성저하 방지를 위한 발광점의 릿지부터 부터의 이격거리)이 되어 분산이 커지기 쉽고, 반도체의 가공크기 오차가 분산되는 것을 억제할 수 있는 모놀리식에 비해 발광점 사이의 간격이 커지며, 서브마운트(Submount)의 상측에 다이오드의 실장시 기계적인 오차로 분산이 생기게 되고, 발광점 간격의 분산이 크면 두 개의 포토 다이오드가 요구되므로 광픽업의 원가대 제품비가 상승되며, 수광 소자측에서도 별도의 조정부품등이 필요하게 되는 문제점들이 있었던 것이다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 여러 문제점들을 개선시키기 위한 것으로서 그 목적은, 반도체 레이져 패키지가 하나로 집약되어 하나의 광로를 형성하고, 두개의 레이져에 각각 형성되는 발광점 간격을 줄임은 물론 위치오차를 최소화 하는 2파장 레이져 다이오드를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 별도의 에칭 공정이 필요없이 2개의 레이져 다이오드를 적층하는 간단한 구성으로 제작이 손쉽게 이루어 지는 2파장 레이져 다이오드를 제공하는데 있다.
도1A,B는 일반적인 반도체 레이져의 작동상태를 도시한 개략도
도2는 일반적인 레이져의 적층상태를 도시한 개략도
도3A,B는 종래의 2파장 레이져 다이오드를 도시한 측면 구조도
도4는 본 발명의 일실시예에 따른 2파장 레이져 다이오드를 도시한 측면 구조도
도5는 본 발명에 따른 2파장 레이져 다이오드의 전극형성 상태를 도시한 평면 구조도
도6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 2파장 레이져 다이오드를 도시한 측면 구조도
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100...서브마운트 110...제1 레이져 다이오드
120...제2 레이져 다이오드 140a,140b,140c...접합층
150...히트싱크(heat sink)
160,170...제1 및 제2 발광점(emitting light)
240,330...제1 및 제2 활성층(fiast and second active region)
440...기판
상기 목적을 달성하기 위한 기술적인 수단으로서 본 발명은, 서브마운트;
상기 서브마운트 상측으로 형성되며, 제1파장의 빛을 방출하는 제1레이져 다이오드; 및
상기 제1레이져 다이오드 상측에 형성되며, 제2파장의 빛을 방출하는 제2레이져 다이오드를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 2파장 레이져 다이오드를 마련함에 의한다.
또한 본 발명은, 서브 마운트;
a)n형 제1기판, b)상기 n형 제1기판의 상측에 형성된 n형 제1클래드층, c)상기 n형 제1클래드층의 상측에 형성되고, 제1 발광점을 갖는 제1활성층, d)상기 제1활성층의 상측에 순차적으로 형성된 p형 제2 클래드층 및 n형 제1 전류정지층, 및 e)상기 제1 전류 정지층의 상측에 형성되는 p형 제1캡층을 포함하며, 상기 서브 마운트 상측에 형성되어 단파장의 빛을 방출하는 제1레이져 다이오드;
a)n형 제2기판, b)상기 n형 제2기판의 상측에 형성된 n형 제3클래드층, c)상기 n형 제3클래드층의 상측에 형성되고, 제2 발광점을 갖는 제2활성층, d)상기 제2활성층의 상측에 순차적으로 형성된 p형 제4 클래드층 및 n형 제2 전류정지층, 및 e)상기 제2 전류 정지층의 상측에 형성되는 p형 제2캡층을 포함하며, 상기 제1레이져 다이오드 상측에 형성되어 장파장의 빛을 방출하는 제2레이져 다이오드;
상기 제1활성층에 전류를 공급토록 상기 제1기판의 저면과 상기 제1캡층의 상측에 각각 형성되는 제1 및 제2 전극;
상기 제2활성층에 전류를 공급토록 상기 제2기판의 저면과 상기 제2캡층의상측에 각각 형성되는 제3 및 제4 전극; 및
상기 서브 마운트의 하부에 형성된 히트싱크를 포함하는 2파장 레이져 다이오드를 마련함에 의한다.
또한, 본 발명은, i)서브 마운트를 제공하는 단계;
ii)단파장의 빛을 방출하는 제1 레이져 다이오드를 형성하는 단계;
iii)장파장의 빛을 방출하는 제2 레이져 다이오드를 형성하는 단계;
iv)상기 서브 마운트의 상측에 제1 레이져 다이오드를 접합하는 단계;
v)상기 제1 레이져 다이오드의 상측에 제1 레이져 다이오드를 접합하는 단계; 및
vi)상기 서브 마운트의 하부에 히트 싱크를 접합하는 단계를 포함하는 2파장 레이져 다이오드의 제조방법을 마련함에 의한다.
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 2파장 레이져 다이오드를 도시한 측면 구조도이고, 도5는 본 발명에 따른 2파장 레이져 다이오드의 장착상태를 도시한 평면 구조도이다.
즉, 본 발명에 따른 2파장 레이져 다이오드는 단파장의 빛을 방출하도록 형성되는 제1레이져 다이오드(110)와, 장파장의 빛을 방출토록 형성되는 제2레이져다이오드(120)를 서브마운트(100)의 상측에 복수의 접합수단(140a)(140b)에 의해 순차로 적층하는 구성으로 이루어 진다.
단파장인 650nm 파장의 빛을 방출토록 형성되는 제1레이져 다이오드(110)는, N형 GaAs 제1기판(440)의 상측에 n형 AlGaInP제1클래드층(250)이 적층되고, 상기 n형 제1클래드층(250)의 상측에는 InGaP 제1활성층(240)이 적층되며, 상기 제1활성층(240)의 상측에 AlGaInP 제2클래드층(220)및 n-GaAs 제1 전류정지층(230)이 적층된다. 또한 상기 제1 전류정지층(230)의 상측에는 p형 GaAs 캡층(210)이 적층되며, 상기 적층구조에 의해 제1활성층(240)에 단파장의 빛을 방출하는 제1 발광점(160)이 형성된다.
또한, 장파장인 780nm 파장의 빛을 방출토록 형성되는 제2레이져 다이오드(120)는, N형 GaAs 제2기판(300)의 상측에 n형 AlGaAs 제3클래드층(310)이 적층되며, 상기 n형 제3클래드층(310)의 상측에는 AlGaAs 제2활성층(330)이 순차로 적층된다.
상기 제2활성층(330)의 상측에는 p형 AlGaAs 제3클래드층(340) 및 n-GaAs 제2 전류정지층(320)이 적층되며, 상기 제2 전류정지층(320)에 p형 GaAs 제2캡층(350)이 일체로 적층되고, 상기 적층구조에 의해 제2활성층(330)에 장파장의 빛을 방출하는 발광점(170)이 형성된다.
또한, 단파장의 빛이 방출하는 제1활성층(240)에 전류를 공급토록 설치되는 제1,2전극(400)(410)은, 상기 제1캡층(210)의 상측과 제1기판(440)의 저면에 각각적층된다.
또한, 장파장의 빛을 방출하는 제2활성층(330)에 전류를 공급토록 설치되는 제3,4전극(420)(430)은, 상기 제2기판(300)의 저면과 제2캡층(350)의 상측에 각각 적층된다.
그리고, 상기 서브마운트(100)의 상측으로 형성되는 DVD-ROM 디스크 재생에 일반적으로 사용되는 단파장인 650㎚의 제1레이져 다이오드(110)와, CD-ROM 디스크의 재생에 사용되는 장파장인 780㎚의 제2레이져 다이오드(120)를 메탈(AU-SN, SN, IN)이나 에폭시(EPOXY)수지로 이루어진 접합수단(140a)(140b)에 의해 접착되며, 이 경우 상기 제1 및 제2 발광점(160)(170)이 실질적으로 상기 서브마운트(100)의 평면에 대하여 수직인 축상에 위치토록 적층 접합한다.
이때, 상기 제1 및 제2 발광점(160)(170)의 이격범위는 약 50∼150㎛정도이며, 이에따라 종래의 제1 및 제2 발광점(160)(170)의 간격을 줄이지 못함에따라 요구되는 두 개의 포토 다이오드와 같은 별도의 조정부품들이 불필요하게 된다.
상기 서브마운트(100)의 하부면에는 상기 제1레이져 다이오드(110)로 부터 발생되는 열을 제거하기 위한 히트싱크(150)가 형성될 수 있다.
상기 히트싱크(150)는, 열전달 특성을 향상토록 메탈 또는 에폭시등으로 이루어진 제3접합층(140c)에 의해 상기 서브마운트에 접합되어 밀착된다.
따라서, 상기 서브마운트(100)의 상측으로는 상대적으로 짧은 파장을 갖으면서 열이 많이 발생하는 비교적 낮은 온도특성을 갖는 650㎚ 파장의 제1레이져 다이오드(110)가 형성됨으로써, 상기 제1 레이져 다이오드(110)의 동작시 발생되는 열을 효과적으로 제거할 수 있다.
이때, 상기 제1 레이져 다이오드(110)로부터 발생되는 열을 더 효과적으로 제거하기 위하여, 상기 제1 레이져 다이오드(110)의 제1캡층(210)이 상기 서브마운트(100)에 인접하도록 형성된다.
즉, 상기 제1 발광점(160)으로 부터 상기 제1캡층(210)까지의 거리가, 상기 제1 발광점(160)으로 부터 제1기판(440)까지의 거리보다 짧기 때문에, 상술한 바와같이 상기 서브마운트(100) 상측에 형성되는 제1 레이져 다이오드(110)의 구성을 상기 제1캡층(210) 하부면에 히트싱크(150)가 형성된 서브마운트(100)의 상측에 인접하도록 형성함으로써, 상기 제1 발광점(160)으로 부터 발생되는 열을 용이하게 제거할 수 있는 것이다.
상기와같은 경우, 상기 제1발광점(160)과 서브마운트(100)간의 거리는 약 3∼50㎛정도가 된다.
또한, 상기 제1레이져 다이오드(110)와 상기 제2레이져 다이오드(120) 사이에는, 상기 제1레이져 다이오드(110)와 상기 제2레이져 다이오드(120)를 전기적으로 분리시키기 위하여 절연막(200)이 형성되며, 이와같은 절연막(200)에 의해 상기 제1 및 제2 레이져 다이오드(110)(120)는 전기적으로 분리되어 각각 구동될 수 있다.
한편, 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 2파장 레이져 다이오드를 도시한 측면 구조도이다.
도 6을 참조하여 설명하면, 상기 제1레이져 다이오드(110)의 p형층, 즉 p형GaAs 제1캡층(210)이 상기 제2 레이져 다이오드(120)의 p형 GaAs 제2캡층(350)에 인접하고, 상기 제1 레이져 다이오드(110)의 n형 GaAs 제1기판(440)이 상기 서브마운트(100)에 인접되는 구조를 제외하면, 상술한 일실시예와 동일한 구성을 갖는다.
이와같은 구조에 있어서, 상기 일실시예에서 제1 레이져 다이오드(110)의 제1 발광점(160)과 상기 제1 캡층(210)과의 거리가, 상기 제1 발광점(160)과 제1 기판(440)과의 거리보다 짧고, 상기 제2 레이져 다이오드(120)의 제2 발광점(170)과 제2 캡층(350)과의 거리가, 상기 제2 발광점(170)과 제2 기판(300)과의 거리보다 짧기 때문에, 상기 제1 발광점(160)과 제2 발광점(170)간의 거리를 최소화할 수 있다.
또한, 상기 제1 발광점(160) 및 제2 발광점(170)은, 서브마운트의 표면에 대하여 수직인 동일한 축성상에 위치하는 것이 상기 발광점 사이의 거리를 가장 최소화할 수 있다는 점에서 바람직하다.
이때, 상기 제1 및 제2 발광점(160)(170)의 이격범위는 약 50∼150㎛정도이며, 상기 본 발명의 일실시예에 전술한 구조보다 상기 제1 및 제2 발광점(160)(170)간의 거리를 더 최소화할 수 있다.
따라서, 종래의 제1 및 제2 발광점(160)(170)의간격을 줄이지 못해 요구되는 두 개의 포토 다이오드와 같은 별도의 조정부품들이 불필요하게 된다.
상기 제1 및 제2 레이져 다이오드(110)(120)는 상기 일실시예와 동일한 방법으로 에폭시 수지로 구성되는 제1 접합층(140a)에 의해 접합되며, 상기 제1 레이져 다이오드(110)와, 상기 제2 레이져 다이오드(120) 사이에는 상기 제1 레이져 다이오드(110)와 제2 레이져 다이오드(120)를 전기적으로 분리시키기 위하여 절연막(200)이 형성된다.
이와같은 구성으로 이루어진 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 같다.
도4 내지 도6에 도시한 바와같이, 본 발명에 따른 2파장 레이져 다이오드가 탑재된 장치는 DVD-ROM디스크 재생에 사용되는 650㎚ 파장의 레이져 다이오드(110)와 CD-ROM디스크 재생을 위하여 사용되는 780㎚ 파장의 레이져 다이오드(120)를 동시에 사용하여 재생토록 한다.
상기 각각의 레이져 다이오드(110)(120)는, 제1 및 제2 활성층(240)(330)의 양측에 클래드층이 적층되는 p-n접합에 순방향으로 전압을 인가하면 전류가 흐르게 되고, 이때 n영역의 전자와 p영역의 정공(전자 결합공간 : hole)이 각각 상대 영역으로 이동하여 p-n접합 부근이 활성층에서 재결합하여 빛의 유도방출이 일어나고, 상기 유도방출에 의해 제1 및 제2 활성층(240)(330)의 제1 및 제2 발광점(160)(170)에서 각 파장을 빛이 방출된다.
즉, 상기 제1 발광점(160)에서는 650㎚의 파장의 빛이 발생되며, 상기 제2 발광점(170)에서는 780㎚의 파장의 빛이 발생된다.
이때, 상기 650㎚파장의 레이져 다이오드(110)는, 상대적으로 파장이 짧아 레이져 다이오드의 동작시 상대적으로 고열이 발생되며, 상기 제1 레이져 다이오드(110)가 히트싱크(150)에 인접하여 설치되고 그 거리를 최소화 함으로써, 상기 제1레이져 다이오드(110)로 부터 히트싱크(150)로의 열 전달이 용이하게 된다.
또한, 상기 650㎚ 파장의 레이져 다이오드(110) 상측으로 적층 접합되는 780㎚ 파장의 레이져 다이오드(120)는, 에폭시(EPOXY) 수지가 도포되는 제1 접합층(140a)에 의해 일체로 부착되며, 상기 제1 및 제2 레이져 다이오드(110)(120)에는 절연막(200)에 의해 전기적으로 분리되어지고, 접점전극이 각각 연결되어 외부에서 전원이 공급된다.
이때, 상기 전원의 공급시 각각의제1 및 제2 레이져 다이오드(110)(120)에서 제1 및 제2 발광점(160)(170)이 위치오차가 최소화 되는 2파장의 빛을 방출토록 하여 별도의 수광용 소자가 필요없이 DVD-ROM디스크및 CD-ROM디스크를 판독하여 재생토록 한다.
이상과 같이 본 발명에 따른 2파장 레이져 다이오드에 의하면, 하나의 서브마운트의 상측에 2개의 상이한 파장, 즉 단파장을 갖는 레이져 다이오드와 장파장을 갖는 레이져 다이오드를 순차적으로 적층 형성함으로써, 각각의 레이져 다이오드의 발광점들간의 거리를 최소화할 수 있으므로, 2개의 포토 다이오드 요구되는것과 같은 별도의 광학부품들이 추가로 필요하게 되지 않게 되어, 광축 조정이 간단하게 되며, 이에따라 수율을 향상시킬 수 있게되고, 또한 조립비용을 절감할 수 있는 잇점이 있다.
또한, 상기 단파장을 갖는 레이져 다이오드에 인접하여 히트싱크를 설치하고, 상기 단파장을 갖는 레이져 다이오드의 p형층이 상기 히트싱크에 인접하도록 설치함으로써, 상기 단파장을 갖는 레이져 다이오드의 발광점과 상기 히트싱크 사이의 거리를 최소화할 수 있으므로, 파장이 짧아 고열이 발생되는 단파장을 갖는 레이져 다이오드로 부터 상기 히트싱크로 열전달이 용이하게 이루어지게 되어, 제품의 열화를 최소화 하며, 제품의 수명을 연장시킬 수 있는 등의 우수한 효과가 있다.
본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명 하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 제공되는 본 발명의 정신이나 분야를 벗어나지 않는 한도내에서 본 발명이 다양하게 개량 및 변화될수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진자는 용이하게 알수 있음을 밝혀 두고자 한다.

Claims (16)

  1. 서브마운트;
    상기 서브마운트 상측으로 형성되며, 제1파장의 빛을 방출하는 제1레이져 다이오드; 및
    상기 제1레이져 다이오드 상측에 형성되며, 제2파장의 빛을 방출하는 제2레이져 다이오드를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 2파장 레이져 다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 레이져 다이오드는,
    a)n형 제1기판,
    b)상기 n형 제1기판의 상측에 형성된 n형 제1클래드층,
    c)상기 n형 제1클래드층의 상측에 형성되고, 제1 발광점을 갖는 제1활성층
    d)상기 제1활성층의 상측에 순차적으로 형성된 p형 제2 클래드층 및 n형 제1 전류정지층, 및
    e)상기 제1 전류 정지층의 상측에 형성되는 p형 제1캡층을 포함하는 것을 특징으로 하는 2파장 레이져 다이오드.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 레이져 다이오드는,
    a)n형 제2기판,
    b)상기 n형 제2기판의 상측에 형성된 n형 제3클래드층,
    c)상기 n형 제3클래드층의 상측에 형성되고, 제2 발광점을 갖는 제2활성층,
    d)상기 제2활성층의 상측에 순차적으로 형성된 p형 제4 클래드층 및 n형 제2 전류정지층, 및
    e)상기 제2 전류 정지층의 상측에 형성되는 p형 제2캡층을 포함하는 것을 특징으로 하는 2파장 레이져 다이오드.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 파장은 650nm이며, 상기 제2 파장은 780nm인 것을 특징으로 하는 2파장 레이져 다이오드.
  5. 서브 마운트;
    a)n형 제1기판, b)상기 n형 제1기판의 상측에 형성된 n형 제1클래드층, c)상기 n형 제1클래드층의 상측에 형성되고, 제1 발광점을 갖는 제1활성층, d)상기 제1활성층의 상측에 순차적으로 형성된 p형 제2 클래드층 및 n형 제1 전류정지층, 및 e)상기 제1 전류 정지층의 상측에 형성되는 p형 제1캡층을 포함하며, 상기 서브 마운트 상측에 형성되어 단파장의 빛을 방출하는 제1레이져 다이오드;
    a)n형 제2기판, b)상기 n형 제2기판의 상측에 형성된 n형 제3클래드층, c)상기 n형 제3클래드층의 상측에 형성되고, 제2 발광점을 갖는 제2활성층, d)상기 제2활성층의 상측에 순차적으로 형성된 p형 제4 클래드층 및 n형 제2 전류정지층, 및 e)상기 제2 전류 정지층의 상측에 형성되는 p형 제2캡층을 포함하며, 상기 제1레이져 다이오드 상측에 형성되어 장파장의 빛을 방출하는 제2레이져 다이오드;
    상기 제1활성층에 전류를 공급토록 상기 제1기판의 저면과 상기 제1캡층의 상측에 각각 형성되는 제1 및 제2 전극;
    상기 제2활성층에 전류를 공급토록 상기 제2기판의 저면과 상기 제2캡층의 상측에 각각 형성되는 제3 및 제4 전극; 및
    상기 서브 마운트의 하부에 형성된 히트싱크를 포함하는 2파장 레이져 다이오드.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2레이져 다이오드의 상기 n형 제2기판은, 상기 제1 레이져 다이오드의 제1캡층의 상측에 형성되는 것을 특징으로 하는 2파장 레이져 다이오드.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제2레이져 다이오드의 상기 제2캡층은, 상기 제1 레이져 다이오드의 제1캡층의 상측에 형성되는 것을 특징으로 하는 2파장 레이져 다이오드.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제1발광점과, 상기 제2발광점 사이의 거리는 50∼150㎛인 것을 특징으로 하는 2파장 레이져 다이오드.
  9. 제5항에 있어서, 상기 제1발광점과 상기 서브마운트 사이의 거리는 3∼50㎛인 것을 특징으로 하는 2파장 레이져 다이오드.
  10. 제5항에 있어서, 상기 2파장 레이져 다이오드는 상기 제2 레이져 다이오드, 상기 서브 마운트 및 히트싱크 사이에 각각 형성된 복수개의 접합수단들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2파장 레이져 다이오드.
  11. 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레이져 다이오드 사이에는, 상기 제1 및 제2 레이져 다이오드를 전기적으로 분리하여 각각 구동시키기 위한 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2파장 레이져 다이오드.
  12. 제5항에 있어서, 상기 제1 발광점 및 제2 발광점은, 상기 서브마운트 명면에 대하여 수직인 동일한 축상에 위치하는 것을 특징으로 하는 2파장 레이져 다이오드.
  13. i)서브 마운트를 제공하는 단계;
    ii)단파장의 빛을 방출하는 제1 레이져 다이오드를 형성하는 단계;
    iii)장파장의 빛을 방출하는 제2 레이져 다이오드를 형성하는 단계;
    iv)상기 서브 마운트의 상측에 제1 레이져 다이오드를 접합하는 단계;
    v)상기 제1 레이져 다이오드의 상측에 제1 레이져 다이오드를 접합하는 단계; 및
    vi)상기 서브 마운트의 하부에 히트 싱크를 접합하는 단계를 포함하는 2파장 레이져 다이오드의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 서브 마운트의 상측에 제1 레이져 다이오드를 접합하는 단계, 상기 제1 레이져 다이오드의 상측에 제1 레이져 다이오드를 접합하는 단계 및 상기 서브 마운트의 하부에 히트 싱크를 접합하는 단계는 메탈을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 2파장 레이져 다이오드의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 iv)서브 마운트의 상측에 제1 레이져 다이오드를 접합하는 단계, v)제1 레이져 다이오드의 상측에 제1 레이져 다이오드를 접합하는 단계 및 vi)서브마운트의 하부에 히트 싱크를 접합하는 단계는 에폭시 수지를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 2파장 레이져 다이오드의 제조방법.
  16. 제 13항에 있어서, 상기 iii)장파장의 빛을 방출하는 제2 레이져 다이오드를 형성하는 단계는, 상기 레이져 다이오드의 상측에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2파장 레이져 다이오드의 제조방법.
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