KR20010106782A - 메모리 카드 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 메모리 카드에 관한 것으로서, 메모리 카드의 크기를 축소하여 디지털 기기의 소형화에 적합하도록 하는 한편, 사용상 취급이 간편하고 신뢰성이 우수한 초소형 메모리 카드를 제공하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 메모리 카드는 그 크기가 패키지 수준으로 축소되며, 막대형의 외부 접촉 패드들이 일렬로 메모리 카드의 한쪽 끝에 치우쳐 형성된다. 본 발명의 실시예에 따른 메모리 카드의 크기는 22㎜×30㎜이고 두께는 약 1.2㎜이며, 외부 접촉 패드 각각의 폭은 0.85㎜이고 핀 피치는 1.10㎜로 외부 접촉 패드들은 카드 전체 면적의 약 15% 이하를 점유한다. 메모리 카드는 플라스틱 카드 몸체와 반도체 패키지로 구성되며, 카드 몸체의 제 1 면에 형성된 캐버티에는 반도체 패키지가 물리적으로 결합된다. 패키지는 기판과 메모리 칩과 몰딩 수지층으로 구성되며, 기판의 양쪽 면에는 회로 배선과 외부 접촉 패드들이 형성되어 서로 전기적으로 연결된다. 메모리 칩은 기판에 탑재되어 회로 배선과 전기적으로 연결되며, 몰딩 수지층에 의하여 밀봉된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 몰딩 수지층은 금형 주입구 쪽에 해당하는 부분에 오목부가 형성되어, 수지 잔여물의 제거 후 잔여물의 일부가 남아 있더라도 카드 몸체와 패키지 사이의 결합에 영향을 받지 않는다. 본 발명의 메모리 카드는 MP3 폰, MP3 플레이어, 디지털 카메라 등의 디지털 기기에 데이터 저장 및 재생의 용도로 사용된다.

Description

메모리 카드 {Memory Card}
본 발명은 메모리 카드에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 디지털 기기에서 데이터 저장 및 재생의 용도로 사용되는 초소형 메모리 카드에 관한 것이다.
MP3 폰(phone), MP3 플레이어(player), 디지털 카메라 등과 같이 최근 개발되어 그 사용이 점차 확산되고 있는 각종 디지털 기기들은 데이터 저장과 재생용으로 메모리 카드를 사용한다. 이 메모리 카드는 새로운 기억매체로 자리잡고 있는 플래쉬 메모리 칩(flash memory chip)을 채용하는 것이 특징이다.
도 1, 도 2에 종래기술에 따른 메모리 카드(10)가 도시되어 있다. 도시된 바와 같이, 메모리 카드(10)는 반도체 패키지(20)가 베이스 카드(base card)로 불리는 플라스틱 카드 몸체(30) 안에 결합되는 구성을 가진다. 반도체 패키지(20)는 기판(22) 위에 메모리 칩(도 3의 28)이 탑재되고 몰딩 수지층(24)이 메모리 칩을 감싸고 있는 소위 칩 온 보드 패키지(chip on board package)이다. 패키지(20)와 카드 몸체(30)는 양면 접착 테이프(32)에 의하여 물리적으로 결합된다.
메모리 카드(10)는 디지털 기기(도시되지 않음) 안에 삽입하여 사용하게 된다. 이 때 메모리 카드(10)의 표면에 노출되는 외부 접촉 패드(26)들이 디지털 기기에 기계적으로 접촉하여, 메모리 칩과 디지털 기기 사이에 전기신호의 경로를 제공하게 된다. 그런데 외부 접촉 패드(26)들은 메모리 카드(10)의 외부로 노출되어 있기 때문에 사용자의 취급에 의하여 오염되거나 이물질이 묻기 쉽다. 따라서, 메모리 카드(10)에는 외부 접촉 패드(26)들이 형성되지 않은 영역(12; 즉, 사용자가 손으로 메모리 카드를 잡을 수 있는 카드 몸체의 영역)이 필요하게 되며, 그만큼 메모리 카드(10)의 크기는 커질 수 밖에 없다.
실제로 종래기술에 따른 메모리 카드(10)에서 카드 전체의 면적은 외부 접촉 패드(26)들의 면적에 비해 약 2배 정도 크다. 예를 들어, 현재 상용화되고 있는 메모리 카드(10)의 크기는 37㎜×45㎜이다. 이러한 수준의 카드 크기는 메모리 카드(10)를 사용하는 디지털 기기의 소형화를 곤란하게 만드는 요인이 되고 있으며, 핸드-헬드 컴퓨터(hand-held computer) 또는 휴대폰(cellular phone) 등의 신제품을 개발하는데 있어서도 장애 요인으로 작용하고 있다.
한편, 종래의 메모리 카드(10)는 그 두께가 너무 얇기 때문에(현행 상용화 제품의 경우 약 0.76㎜), 패키지(20) 내부에 메모리 칩을 탑재하는데 어려움이 있고, 휨에 대한 강도도 약하며, 패키지(20) 안에 내장된 메모리 칩에 대한 손상도 우려된다. 또한, 기존의 메모리 카드(10)는 디지털 기기 안에 삽입하거나 꺼낼때 불편함이 있고, 카드 몸체(30)의 내열성이 떨어져서 사용 장소의 제약을 받는 단점도 있다.
다른 한편, 종래의 메모리 카드(10)는 패키지(20)의 몰딩 수지층(24) 형성과 관련하여 또 다른 문제점을 안고 있다. 일반적으로, 메모리 칩(28)을 밀봉하여 보호하는 몰딩 수지층(24)은 도 3a에 도시된 바와 같이 금형(40)을 사용한 몰딩 방법에 의하여 형성된다. 즉, 메모리 칩(28)이 탑재된 기판(22)을 금형(40) 안에 넣은 상태에서 금형(40) 내부로 액상 몰딩 수지(42)를 주입한 후 경화시키면, 도 3b에 도시된 바와 같이 몰딩 수지층(24)이 형성되는 것이다. 몰딩 수지층(24)의 형성 후에는 금형 주입구(44) 쪽에 남아있는 몰딩 수지 잔여물(46)을 제거해야 하는데, 몰딩 수지(42)와 기판(22)의 결합력이 좋기 때문에 몰딩 수지 잔여물(46)의 제거가 쉽지 않다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 미국 특허 제5,780,933호 또는 미국 특허 제6,022,763호에서는 도 3c에 도시된 바와 같이 기판(22) 위에 도금층(48)을 형성하는 방식을 사용하고 있다. 이러한 방식에 의하면 수지 잔여물(46)과 기판(22)의 분리는 도금층(48) 때문에 쉽게 이루어질 수 있다. 그러나, 이 경우에도 몰딩 수지층(24)과 수지 잔여물(46)의 분리는 여전히 말끔하게 이루어지지 않으며, 따라서 도 3d에 도시된 바와 같이 수지 잔여물을 분리한 후에도 몰딩 수지층(24)에는 여전히 수지 잔여물(46)이 남아 있어 카드 몸체(30)와 패키지(20) 사이의 결합을 방해하게 된다.
본 발명은 이상 설명한 종래기술의 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 디지털 기기의 소형화에 적합한 초소형 메모리 카드를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 메모리 카드가 초소형임에도 불구하고 사용자 취급에 따른 오염을 억제할 수 있는 새로운 형태의 외부 접촉 패드가 형성된 메모리 카드를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 초소형임에도 불구하고 취급이 간편하고 신뢰성이 우수한 메모리 카드를 제공하고자 하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 몰딩 수지층에 수지 잔여물이 남아 있더라도 카드 몸체와 패키지 사이의 결합에 영향을 미치지 않는 형태의 패키지 몰딩 수지층을 포함하는 메모리 카드를 제공하는 것이다.
도 1은 종래기술에 따른 메모리 카드의 한 예를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 메모리 카드의 분해 사시도이다.
도 3a, 도 3b, 도 3c, 도 3d는 종래기술의 메모리 카드에 사용되는 칩 온 보드 패키지를 나타내는 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 메모리 카드의 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 메모리 카드의 저면 사시도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 메모리 카드의 단면도이다.
도 7a, 7b는 본 발명의 메모리 카드에 사용되는 칩 온 보드 패키지를 나타내는 사시도들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10, 50: 메모리 카드(memory card)
20, 60: 반도체 패키지(semiconductor package)
22, 62: 기판(substrate)
24, 64: 몰딩 수지층(molding resin layer)
26, 66, 66a, 66b: 외부 접촉 패드(external contact pad)
28, 68: 메모리 칩(memory chip)
30, 70: 플라스틱 카드 몸체(plastic card base)
32, 82: 접착 테이프(adhesive tape)
40: 금형(mold)
44: 주입구(gate)
46, 86, 86a: 몰딩 수지 잔여물(molding resin remainder)
48, 88: 도금층(plating layer)
76: 슬롯(slot)
80: 라벨(label)
84: 오목부
이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 메모리 카드의 크기가 패키지 수준으로 축소되고 막대형의 외부 접촉 패드들이 일렬로 메모리 카드의 한쪽 끝으로 치우쳐 형성된 초소형 메모리 카드를 제공한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 메모리 카드의 크기는 22㎜×30㎜이고 두께는 약 1.2㎜이며, 반도체 패키지의 크기는 20㎜×28㎜이다. 또한, 각각의 폭이 0.85㎜이고 핀 피치가 1.10㎜인 18개의 막대형 외부 접촉 패드들이 형성된다. 외부 접촉 패드들은 메모리 카드의 전체 면적의 약 15% 이하를 점유한다.
본 발명에 따른 메모리 카드는 플라스틱 카드 몸체와 반도체 패키지로 구성된다. 메모리 카드의 외형을 결정짓는 카드 몸체는 제 1 면과 제 2 면을 포함하며, 제 1 면에는 패키지를 수용하기 위한 캐버티가 형성된다. 외부 접촉 패드들이 외부로 노출되도록 캐버티 안에 물리적으로 결합되는 반도체 패키지는 기판과 메모리 칩과 몰딩 수지층으로 구성된다. 기판의 한쪽 면에는 회로 배선이 형성되고 다른쪽 면에는 외부 접촉 패드들이 형성되어 회로 배선과 전기적으로 연결된다. 메모리 칩은 기판에 탑재되며, 메모리 칩과 회로 배선이 연결수단에 의하여 전기적으로 연결된다. 몰딩 수지층은 메모리 칩과 연결수단을 밀봉한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 카드 몸체의 제 2 면에는 사용상의 편의를 위하여 슬롯이 형성되며, 반도체 패키지와 캐버티는 액상 접착제 또는 양면 접착 테이프에 의하여 물리적으로 결합된다. 본 발명의 메모리 카드에 사용되는 메모리 칩은 NAND 타입 또는 NOR 타입의 플래쉬 메모리이며, 메모리 칩과 회로 배선의 전기적 연결수단으로는 금속 세선, 탭, 이방성 전도막 중의 어느 하나가 사용된다. 또한, 본 발명에 따른 메모리 카드의 몰딩 수지층은 외부 접촉 패드들이 형성된 반대쪽으로 치우쳐 비대칭으로 형성되는 것이 바람직하며, 몰딩 수지층의 금형 주입구 쪽에 해당하는 부분에는 몰딩 수지층의 안쪽으로 움푹 들어간 오목부가 형성되는 것이 바람직하다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면을 통틀어 동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 4, 도 5, 도 6에 본 발명의 실시예에 따른 메모리 카드(50)가 도시되어 있다. 도면에 도시된 바와 같이, 메모리 카드(50)는 플라스틱 카드 몸체(70)와 반도체 패키지(60)의 결합으로 이루어진다. 메모리 카드(50)의 외형을 결정짓는 카드 몸체(70)는 패키지(60)가 결합하여 외부 접촉 패드(66)들이 노출되는 제 1 면(71)과, 라벨(80; label)이 부착되는 제 2 면(72)으로 이루어진다. 도 4는 패키지(60)가 결합된 카드 몸체(70)의 제 1 면(71)을, 도 5는 라벨(80)이 부착된 카드 몸체(70)의 제 2 면(72)을 보여주며, 도 6은 메모리 카드(50)의 단면을 나타낸다.
도 4를 참조하면, 패키지(60)는 카드 몸체(70)의 제 1 면(71)에 결합된다. 따라서, 제 1 면(71)에는 패키지(60)를 수용하기 위한 캐버티(도 6의 74; cavity)가 형성되는데 이에 대해서는 후술한다. 패키지(60)는 거의 카드 몸체(70)와 동일한 크기를 갖는다. 즉, 메모리 카드(50)의 크기는 패키지(60) 수준으로 축소된다. 본 실시예에서 메모리 카드(50)의 크기는 22㎜×30㎜이고 두께는 약 1.2㎜이며, 패키지(60)의 크기는 20㎜×28㎜이다. 이처럼 메모리 카드(50)의 크기를 패키지(60) 수준으로 축소할 수 있는 이유는 외부 접촉 패드(66)들을 종래와 다르게 구성하기 때문이다. 본 발명의 외부 접촉 패드(66)들은 일렬로 메모리 카드(50)의 한쪽 끝에 치우쳐 배치되며 막대형으로 이루어진다.
도 1에 도시된 종래의 메모리 카드(10)의 경우 외부 접촉 패드(26)들은 모두 22핀이고, 11핀씩 2열로 배치된다. 외부 접촉 패드(26) 한 개의 폭은 약 2㎜이며, 이웃하는 외부 접촉 패드(26) 간의 핀 피치(pin pitch)는 약 2.5㎜이다. 따라서, 외부 접촉 패드(26)들이 패키지(20)의 전면을 차지하게 되므로, 전술했다시피 사용자의 취급에 의하여 외부 접촉 패드(26)들이 오염되는 것을 방지하기 위하여 외부 접촉 패드(26)들의 점유 면적이 메모리 카드(10) 전체 면적의 약 50%가 되도록 패키지(20) 크기의 2배만큼 메모리 카드(10)를 크게 형성하는 것이다.
이에 비하여, 도 4에 도시된 본 실시예의 막대형 외부 접촉 패드(66)들은 Vcc핀과 Vss핀을 각각 하나로 통합하여 모두 18핀으로 구성된다. 외부 접촉 패드(66) 한 개의 폭은 0.85㎜이고, 이웃하는 외부 접촉 패드(66) 간의 핀 피치는 1.10㎜이다. 또한, 양쪽 최외곽에 위치한 외부 접촉 패드(66a)의 길이는 약 0.5㎜이고, 나머지 외부 접촉 패드(66b)들의 길이는 약 0.32㎜이다. 따라서, 외부 접촉 패드(66)들을 패키지(60)의 한쪽 끝으로 치우치게 일렬로 형성할 수 있으며, 패키지(60) 자체에서 사용자가 메모리 카드(50)를 취급할 수 있는 영역(52)을 확보할 수 있다. 이러한 이유로, 본 발명의 메모리 카드(50)는 패키지(60)의 수준으로 크기가 축소될 수 있으며, 메모리 카드(50) 전체 면적에 대하여 외부 접촉 패드(66)들이 점유하고 있는 면적의 비율은 15% 이하이다. 한편, 최외곽 외부 접촉 패드(66a)와 나머지 외부 접촉 패드(66b)들의 배치 형태가 다른 이유는 메모리 카드(50)를 디지털 기기(도시되지 않음)에 넣거나 빼낼 때 전압 가압 순서를 달리하여 데이터 손실을 방지하기 위함이다.
도 5를 참조하면, 카드 몸체(70)의 제 2 면(72)에는 라벨(80)이 부착되며 한쪽 끝에 슬롯(76; slot)이 형성된다. 본 발명의 메모리 카드(50)는 종래의 메모리 카드(도 1의 10)에 비해 그 크기가 절반에도 미치지 못하는 초소형 메모리 카드이다. 따라서, 메모리 카드(50)를 디지털 기기에 넣거나 빼낼 때 사용자가 불편함을느낄 수도 있다. 슬롯(76)은 이를 방지하기 위하여 형성한 것으로서, 사용자가 손쉽게 메모리 카드(50)를 사용할 수 있도록 해 준다. 라벨(80)은 제품명과 메모리 용량 등을 표시하기 위한 것이다.
도 6을 참조하면, 카드 몸체(70)의 제 1 면(71)에는 패키지(60)가 결합될 수 있도록 캐버티(74)가 형성되며 캐버티(74) 안에 패키지(60)가 수용된다. 카드 몸체(70)와 패키지(60)의 물리적 결합은 액상 접착제(82)에 의하여 이루어진다. 패키지(60)는 칩 온 보드 패키지로서, 기판(62) 위에 메모리 칩(68)이 탑재되고 몰딩 수지층(64)이 메모리 칩(68)을 감싸는 구성을 가진다. 메모리 칩(68)은 기판(62)에 형성된 회로 배선(도시되지 않음)들과 금속 세선(69)에 의하여 전기적으로 연결되며, 메모리 칩(68)과 회로 배선과 금속 세선(69)은 몰딩 수지층(64)에 의하여 밀봉된다. 회로 배선은 기판(62) 반대쪽 면의 외부 접촉 패드(66)들과 매개 구멍(도시되지 않음)을 통하여 전기적으로 연결된다.
카드 몸체(70)는 내열성이 우수한 폴리카보네이트(polycarbonate; PC) 재질이며, 패키지(60)의 기판(62)은 비티 수지(BT resin) 또는 글래스-에폭시 수지(glass-epoxy resin)와 같은 절연물질이고, 몰딩 수지층(64)은 에폭시 계열의 화합물이다. 회로 배선과 외부 접촉 패드(66)는 구리 패턴으로 형성되고 니켈 또는 금 도금이 된다. 메모리 칩(68)은 NAND 타입 또는 NOR 타입의 플래쉬 메모리이며, 한 개 또는 두 개의 메모리 칩(68)이 한 패키지(60) 안에 내장된다. 필요에 따라서는 커패시터(capacitor) 또는 컨트롤러(controller) 등과 같은 소자들도 탑재할 수 있다.
카드 몸체(70)와 패키지(60) 사이의 물리적 결합에는 종래와 같이 양면 접착 테이프(도 2의 32)를 사용할 수도 있으나, 본 실시예에서는 액상의 접착제(82)를 사용한다. 이 경우 캐버티(74) 내부의 전면에 액상 접착제를 인가하여 패키지(60)를 접착할 수 있기 때문에 접착 면적이 증가하여 접착력을 크게 향상시킬 수 있다. 메모리 칩(68)과 기판(62)의 전기적 연결 방법으로는 금속 세선(69)을 이용한 와이어 본딩(wire bonding) 방법 외에도, 절연 테이프에 구리 배선이 형성된 테이프 배선 기판을 이용하는 소위 탭(TAB; tape automated bonding) 방식과, 수지 내부에 전도성 미립자들이 분산된 이방성 전도막(ACF; anisotropic conductive film)을 이용하는 방식 등도 사용가능하다.
한편, 본 실시예의 메모리 카드(50)는 비대칭 몰드(un-center mold) 방식을 채택한다. 이 방식은 몰딩 수지층(64)이 기판(62)의 중앙을 기준으로 대칭되게 형성되는 것이 아니라, 외부 접촉 패드(66)들이 형성된 반대쪽으로(즉, 도 6에서 오른쪽으로) 몰딩 수지층(64)이 치우쳐 형성된다. 이 방식은 몰딩 수지층(64)을 형성할 때 외부 접촉 패드(66)에 영향을 주지 않는다는 이점이 있고, 제조 공정 도중에 기판(62)의 상하좌우를 쉽게 인식할 수 있어서 예기치 못한 정렬 불량을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 몰딩 수지층(64)은 다음과 같은 특징을 갖는다. 앞서 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 종래기술을 설명하면서 지적한 바와 같이, 일반적으로 몰딩 수지층(24)의 형성 후에는 몰딩 수지 잔여물(46)을 제거하기가 곤란하고, 몰딩 수지층(24)에 남아 있는 몰딩 수지 잔여물(46)이 카드 몸체(30)와 패키지(20) 사이의결합에 악영향을 미치게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 몰딩 수지층(64)에는 도 7a에 도시된 바와 같이 오목부(84)가 형성된다. 오목부(84)는 금형 주입구(도 3a의 44) 쪽에 해당하는 부분이며, 몰딩 수지층(64) 안쪽으로 움푹 들어간 형태를 갖는다. 몰딩 수지 잔여물(86)은 오목부(84) 쪽에 붙어 있게 된다. 따라서, 몰딩 수지 잔여물(86)을 제거한 후, 도 7b에 도시된 바와 같이 잔여물의 일부(86a)가 몰딩 수지층(64)에 여전히 남아 있더라도 오목부(84) 내부에 있게 되므로 카드 몸체와 패키지 사이의 결합에 아무런 지장도 주지 않는다. 도 7b에서 도면부호 88번은 기판(62) 위에 형성된 도금층을 나타낸다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 외부 접촉 패드의 구성을 변경함으로써 메모리 카드의 크기를 패키지 수준으로 축소시킬 수 있으며, 디지털 기기의 소형화에 적합한 초소형 메모리 카드를 제공할 수 있다. 또한, 외부 접촉 패드의 크기가 종전에 비하여 대폭 줄어들기 때문에 사용자 취급에 따른 오염을 최대한 방지할 수 있으며, 슬롯이 형성되기 때문에 메모리 카드의 크기가 초소형임에도 불구하고 취급이 간편한 장점이 있다. 아울러, 메모리 카드의 두께가 충분하기 때문에 메모리 칩을 탑재하여 패키지를 구성하는데 어려움이 없고, 휨에 대한 강도가 충분히 보장되며, 메모리 카드의 신뢰성이 향상된다.
또한, 본 발명에 따른 메모리 카드는 몰딩 수지층에 오목부가 형성된 패키지를 사용하기 때문에, 몰딩 수지층에 수지 잔여물이 남아 있더라도 카드 몸체와 패키지 사이의 결합에 지장을 주지 않는다는 장점이 있다. 아울러, 몰딩 수지층은 비대칭형으로 형성되므로 외부 접촉 패드는 몰딩 수지층에 의하여 영향을 받지 않으며, 제조 공정 도중에 기판의 상하좌우를 쉽게 인식할 수 있으므로 예기치 못한 정렬 불량을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.
본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 독자의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다. 본 발명의 범위는 다음의 특허청구범위에 나타난다.

Claims (11)

  1. 복수개의 외부 접촉 패드들을 포함하는 메모리 카드에 있어서,
    상기 메모리 카드의 외형을 결정지으며, 제 1 면과 제 2 면을 포함하고, 상기 제 1 면에 캐버티가 형성되는 카드 몸체와;
    한쪽 면에 회로 배선이 형성되고 다른쪽 면에 상기 회로 배선과 전기적으로 연결되는 상기 외부 접촉 패드들이 형성된 기판과, 상기 기판에 탑재되는 메모리 칩과, 상기 메모리 칩과 상기 회로 배선을 전기적으로 연결하는 연결수단과, 상기 메모리 칩과 상기 연결수단을 밀봉하는 몰딩 수지층을 구비하며, 상기 외부 접촉 패드들이 외부로 노출되도록 상기 캐버티 안에 물리적으로 결합되는 반도체 패키지를 포함하며;
    상기 외부 접촉 패드들은 막대형으로 이루어지고 상기 메모리 카드의 한쪽 끝에 일렬로 배치되며, 상기 카드 몸체는 상기 반도체 패키지와 동일한 수준의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 외부 접촉 패드들은 상기 메모리 카드의 전체 면적의 약 15% 이하를 점유하는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 외부 접촉 패드들은 각각의 폭이 0.85㎜이고 핀 피치가 1.10㎜인 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 메모리 카드는 크기가 22㎜×30㎜이고 두께가 약 1.2㎜인 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 반도체 패키지는 크기가 20㎜×28㎜인 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 카드 몸체의 제 2 면에는 슬롯이 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 메모리 칩은 NAND 타입 또는 NOR 타입의 플래쉬 메모리인 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 패키지와 상기 캐버티는 액상 접착제에 의하여 물리적으로 결합되는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 메모리 칩과 상기 회로 배선의 전기적 연결수단은 금속 세선, 탭, 이방성 전도막 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 몰딩 수지층은 상기 외부 접촉 패드들이 형성된 반대쪽으로 치우쳐 비대칭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 몰딩 수지층은 금형 주입구 쪽에 해당하는 부분에 상기 몰딩 수지층의 안쪽으로 움푹 들어간 오목부를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
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