KR20010078323A - 노광방법 및 노광장치, 및 디바이스 제조방법 - Google Patents

노광방법 및 노광장치, 및 디바이스 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010078323A
KR20010078323A KR1020010005239A KR20010005239A KR20010078323A KR 20010078323 A KR20010078323 A KR 20010078323A KR 1020010005239 A KR1020010005239 A KR 1020010005239A KR 20010005239 A KR20010005239 A KR 20010005239A KR 20010078323 A KR20010078323 A KR 20010078323A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exposure
substrate
pattern
control
control system
Prior art date
Application number
KR1020010005239A
Other languages
English (en)
Inventor
오꾸노히로끼
Original Assignee
오노 시게오
가부시키가이샤 니콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오노 시게오, 가부시키가이샤 니콘 filed Critical 오노 시게오
Publication of KR20010078323A publication Critical patent/KR20010078323A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G03F7/70725—Stages control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

제어시스템이 동일기판에 대하여 복수회의 노광을 반복하여 행할 때, 각 회의 노광에 요구되는 노광정밀도에 따라 스루풋에 기여하는 노광시스템의 제어팩터를 변경한다. 예컨대, 요구되는 노광정밀도가 좋은 노광에 대해서는 스루풋보다 해상력을 중시한 상태 (또는 값) 가 되고, 요구되는 노광정밀도가 그다지 높지 않은 노광에 대해서는 이 반대가 되도록 상기 제어팩터가 변경된다. 따라서, 매회 동일한 제어팩터에 기초하여 노광시스템을 제어하는 경우에 비교하여 명확하게 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또, 요구되는 노광정밀도가 그다지 높지 않은 경우에만 스루풋을 보다 중시한 상태 (또는 값) 가 되도록 상기 제어팩터가 변경되므로, 노광정밀도를 충분한 정밀도로 유지할 수 있다.

Description

노광방법 및 노광장치, 및 디바이스 제조방법{METHOD AND APPARATUS FOR EXPOSURE, AND METHOD OF MANUFACTURING DEVICE}
본 발명은 노광방법 및 노광장치, 및 디바이스 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체소자, 액정표시소자 등을 제조할 때 리소그래피 공정에서 사용되는 노광방법 및 노광장치, 및 이 노광장치를 사용하는 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
종래부터, 반도체소자 또는 액정표시소자 등을 리소그래피 공정으로 제조하는 경우, 여러 가지의 노광장치가 사용되고 있는데, 현재는 포토마스크 또는 레티클 (이하, 「레티클」이라고 총칭) 의 패턴을, 투영광학계를 통해 표면에 포토레지스트 등의 감광제가 도포된 웨이퍼 또는 유리플레이트 등의 기판 (이하, 적당히 「웨이퍼」라고 총칭) 상에 전사하는 투영노광장치가 일반적으로 사용되고 있다.
이 종류의 투영노광장치로서, 최근에는 스텝ㆍ앤드ㆍ리피트 방식의 축소투영노광장치 (소위 스테퍼) 나 이 스테퍼에 개량을 가한 스텝ㆍ앤드ㆍ스캔 방식의 투영노광장치, 즉 소위 스캐닝ㆍ스테퍼가 많이 사용되고 있다. 스캐닝ㆍ스테퍼는 스테퍼에 비교하면 대(大)필드를 보다 작은 광학계로 노광할 수 있기 때문에, 투영광학계의 제조가 용이하고, 또 투영광학계에 대하여 레티클 및 웨이퍼를 상대주사함으로써 평균화 효과가 있으며, 디스토션이나 초점심도의 향상을 기대할 수 있는 등의 이점이 있다. 그 때문에, 앞으로는 이 스캐닝ㆍ스테퍼가 주류가 될 것으로 여겨지고 있다.
그런데, 최근의 집적회로의 고집적화에 따라 디바이스 룰 (실용최소선폭) 이 점점 미세화하여, 투영노광장치에는 스루풋의 향상과 함께 중요한 조건으로서 한계해상도, 초점심도, 선폭제어정밀도 등의 향상이 요청되어 왔다.
상기 한계해상도를 향상시키는 방법으로서 이중노광법이 재검토되고 있으며, 이 이중노광법을 KrF 엑시머 레이저 노광장치 또는 ArF 엑시머 레이저 노광장치에 사용하여 0.1 ㎛ 라인 앤드 스페이스 (L/S) 까지 노광하려고 하는 시도가 검토되고 있다. 이러한 이중노광법은 해상도 향상, 초점심도 향상의 2 개의 효과가 기대된다.
상술한 이중노광 등의 다중노광은 주로 해상력을 향상시킬 목적으로 행해지고 있었기 때문에, 해상력의 향상에 기여하는 조건, 예컨대 조명조건 등을 제 1 회째의 노광시와 제 2 회째의 노광시에 변경하는 제안은 과거에도 몇 개인가 이루어져 있다 (예컨대, 일본 공개특허공보 평4-273245 호 등 참조).
그러나, 그 외의 조건, 특히 해상력의 향상에 관계 없는 스루풋의 향상에 기여하는 조건에 대해서는 매회 동일한 조건하에서 노광이 행해지고 있었다. 즉, 프로세스 프로그램 파일이라고 불리우는 노광조건 설정용 1 종의 데이터베이스에는 각종 제어파라미터를 대강 설정하도록 되어 있었다. 그 때문에, 예컨대 스캐닝ㆍ스테퍼의 경우에는 레티클과 웨이퍼의 동기이동시 각각의 스테이지의 주사속도 (스캔속도), 쇼트간의 스테핑속도, 위치결정정정(整定)시의 허용위치오차, 또는 동기정정의 판단의 기준이 되는 허용위치오차 등도 제 1 회째의 노광과 제 2 회째의 노광에서 동일조건으로 행해지고 있었다. 또, 예컨대 스테퍼의 경우, 웨이퍼 스테이지의 쇼트간 스테핑속도, 위치결정정정시의 허용위치오차 등에 대해서는 제 1 회째의 노광과 제 2 회째의 노광에서 동일조건으로 행해지고 있었다.
한편, 이중노광의 경우, 제 1 회째의 노광과 제 2 회째의 노광에서는 각각의 회의 노광에 요구되는 노광정밀도는 반드시 동일하지는 않다.
그럼에도 불구하고, 종래의 투영노광장치에서는 상술한 바와 같이, 요구정밀도의 여하에 관계 없이 거의 동일한 노광조건하에서 노광이 행해지고 있었기 때문에, 요구정밀도가 낮아 스루풋을 보다 중시해야 하는 노광시에도, 요구정밀도가 높아 해상력을 중시해야 하는 노광의 경우와 동일한 제어치를 사용하여 노광이 행해지고 있었다.
이와 같이, 이제까지는 이중노광에 대해서는 해상력을 중시한 나머지, 스루풋을 향상시키고자 하는 발상이 존재하지 않았기 때문에, 이중노광의 경우의 스루풋을 필요 이상으로 저하시키고 있었다.
상기와 동일한 문제는 동일 웨이퍼에 대한 다른 레이어 (층) 의 노광시에도생기고 있다. 즉, 스캔속도, 쇼트간의 스테핑속도, 위치결정정정시의 허용위치오차, 또는 동기정정의 판단의 기준이 되는 허용위치오차 등은 통상 각 레이어의 노광에서 동일제어치가 사용되고 있기 때문이다. 또, 예컨대 동일 레이어상에서 주변부가 부분적으로 겹치는 복수의 영역을 각각 노광하는 스티칭 방식에서도 상술한 바와 동일한 문제가 생긴다.
본 발명은 이러한 사정하에 이루어진 것으로, 그 제 1 목적은 노광정밀도를 충분한 정밀도로 유지하면서, 스루풋을 향상시킬 수 있는 노광방법 및 노광장치를 제공하는 것에 있다.
또, 본 발명의 제 2 목적은 고집적도의 마이크로 디바이스의 생산성을 향상시킬 수 있는 디바이스 제조방법을 제공하는 것에 있다.
도 1 은 1 실시 형태에 관계되는 노광장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면.
도 2 는 쇼트간 스테핑시의 웨이퍼 스테이지의 속도변화를, 저속스테핑시의 경우 (a) 와, 고속스테핑의 경우 (b) 를 대비하여 나타내는 도면.
도 3A 는 도 2 중의 (a) 의 경우에 대응하는 감속종료후의 목표치에 대한 위치오차를 나타내는 도면.
도 3B 는 도 2 중의 (b) 의 경우에 대응하는 감속종료후의 목표치에 대한 위치오차를 나타내는 도면.
도 4 는 본 발명에 관계되는 디바이스를 제조하는 제조방법의 실시 형태를 설명하기 위한 플로차트.
도 5 는 도 4 의 스텝 (204) 에서의 처리를 나타내는 플로차트.
※ 도면의 주요부분에 대한 부분의 설명
1 : 광원 2 : 광학계
3, 6 : 릴레이 렌즈 5 : 레티클 블라인드
7 : 절곡미러 8 : 콘덴서 렌즈
10 : 챔버 11 : 레티클 구동부
13 : 조사 광학계 14 : 수평 광학계
15, 27 : 이동경 16 : 레티클 레이저 간섭계
19 : 스테이지 제어계 20 : 주제어 장치
21 : 웨이퍼 구동부 25 : 웨이퍼 홀더
30 : 입출력 장치 31 : 웨이퍼 레이저 간섭계
100 : 노광장치 102 : 노광시스템
본 발명의 제 1 실시 형태에 따르면, 요구되는 제 1 노광정밀도에 대응하여 제 1 제어정밀도로 기판에 대한 제 1 노광을 행하는 공정, 요구되는 상기 제 1 노광정밀도와 다른 제 2 노광정밀도에 대응하여 제 2 제어정밀도로 상기 기판에 대한 제 2 노광을 행하는 공정을 구비하는 동일기판에 대하여 적어도 2 회의 노광을 반복하여 행하는 노광방법을 제공한다.
이것에 의하면, 예컨대 요구되는 노광정밀도가 좋은 노광 (제 1 노광 및 제 2 노광의 일측) 에 대해서는 통상의 제어정밀도로 하고, 요구되는 노광정밀도가 그다지 높지 않은 노광 (제 1 노광 및 제 2 노광의 타측) 에 대해서는 통상보다 좋지않은 제어정밀도로 하는 바와 같이, 각 회의 노광에 요구되는 노광정밀도에 따라 제어정밀도가 변경된다. 따라서, 동일기판에 대하여 복수회의 노광을 반복하여 행할 때, 매회 동일한 제어정밀도로 노광을 행하는 경우에 비교하여 스루풋을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또, 노광정밀도에 대해서는 충분한 정밀도를 유지할 수 있다.
이 경우에 있어서, 상기 제 1 노광과 제 2 노광 (상기 적어도 2 회의 노광) 은 상기 기판에 대한 다른 층 (레이어) 의 노광인 것으로 할 수 있고, 상기 기판에 대한 동일층의 노광인 것으로 할 수도 있다.
후자의 경우, 상기 제 1 노광과 제 2 노광은 상기 기판상의 인접하는 구획영역에 패턴을 연결하여 전사하는 연결노광 (스티칭노광) 인 것으로 할 수 있고, 상기 제 1 노광과 제 2 노광은 상기 기판상의 동일영역에 패턴을 겹쳐 전사하는 다중노광인 것으로 할 수도 있다.
본 발명의 노광방법에서는, 상기 제 1 노광은 상기 기판에 대하여 행해지는 패턴사이즈를 규정하기 위한 노광이고, 상기 제 2 노광은 상기 기판에 대하여 행해지는 패턴형상을 규정하기 위한 노광인 것으로 할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 「패턴사이즈를 규정한다」란, 보다 미세한 라인패턴을 요구되는 정밀도로 해상함으로써 패턴선폭을 규정하는 경우 외에, 보다 작은 홀 패턴, 직사각형 패턴 등을 요구되는 정밀도로 해상함으로써 그들의 패턴사이즈를 요구되는 사이즈로 규정하는 경우의 양자를 포함하는 개념이다.
이 경우에 있어서, 상기 제 2 제어정밀도를 상기 제 1 제어정밀도보다 좋지않게 설정하는 것으로 할 수 있다. 이러한 경우에는 일반적으로 해상력이 요구되는 패턴사이즈를 규정하기 위한 제 1 노광시의 제 1 제어정밀도에 비교하여, 그다지 높은 해상력이 요구되지 않는 패턴형상을 규정하기 위한 제 2 노광시의 제 2 제어정밀도가 좋지 않게 설정된다. 이 때문에, 동일기판에 대하여 상기 제 1, 제 2 노광을 포함하는 복수회의 노광을 반복하여 행할 때, 매회 동일한 제어정밀도로 노광을 행하는 경우에 비교하여 스루풋을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또, 노광정밀도에 대해서는 충분한 정밀도를 유지할 수 있다.
본 발명의 노광방법에 있어서, 상기 제 1 노광이 상기 기판에 대하여 행해지는 패턴사이즈를 규정하기 위한 노광이고, 상기 제 2 노광이 상기 기판에 대하여 행해지는 패턴형상을 규정하기 위한 노광인 경우, 제 1 노광과 제 2 노광은 동일기판에 대한 다른 층 (레이어) 의 노광인 것으로 할 수 있고, 상기 제 1 노광과 상기 제 2 노광은 상기 기판에 대한 동일층의 노광인 것으로 할 수도 있다.
후자의 경우에 있어서, 상기 제 1 노광과 제 2 노광은 상기 기판상의 인접하는 구획영역에 패턴을 연결하여 전사하는 연결노광인 것으로 할 수 있고, 상기 제 1 노광과 상기 제 2 노광은 상기 기판상의 동일영역에 패턴을 겹쳐 전사하는 다중노광인 것으로 할 수도 있다.
본 발명의 노광방법에서는, 상기 제어정밀도는 상기 기판상의 복수의 구획영역을 소정의 기준위치에 위치결정할 때의 상기 기판의 이동상태, 상기 위치결정시의 위치오차의 허용치, 상기 기판에 전사되는 패턴이 형성된 마스크와 상기 기판의 상대위치맞춤 정밀도, 상기 마스크와 기판을 소정방향으로 동기이동할 때의 이동상태, 및 상기 동기이동시의 정정을 결정하기 위한 허용치중의 적어도 하나를 포함하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 제 2 실시 형태에 따르면, 에너지빔을 패턴이 형성된 마스크에 조사하여 상기 마스크의 패턴을 기판 스테이지에 지지된 기판에 전사하는 노광시스템, 상기 노광시스템을 전체적으로 제어함과 동시에, 동일기판에 대하여 적어도 2 회의 노광을 반복하여 행할 때, 각 회의 노광에 요구되는 노광정밀도에 따라 스루풋에 기여하는 상기 노광시스템의 제어팩터를 변경하는 제어시스템을 구비하는 노광장치를 제공한다.
이것에 의하면, 제어시스템이 동일기판에 대하여 적어도 2 회의 노광을 반복하여 행할 때, 각 회의 노광에 요구되는 노광정밀도에 따라 스루풋에 기여하는 노광시스템의 제어팩터 (이하, 적당히 「스루풋 제어팩터」라고 칭함) 를 변경하므로, 예컨대 요구되는 노광정밀도가 좋은 노광에 대해서는 스루풋보다 해상력을 중시한 상태 (또는 값) 가 되고, 요구되는 노광정밀도가 그다지 높지 않은 노광에 대해서는 반대로 해상력보다 스루풋을 중시한 상태 (또는 값) 가 되도록 스루풋 제어팩터가 변경된다. 따라서, 동일기판에 대하여 복수회의 노광을 반복하여 행할 때, 매회 동일한 스루풋 제어팩터에 기초하여 노광시스템을 제어하는 경우에 비교하여 명확하게 스루풋을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또, 이 경우, 요구되는 노광정밀도가 그다지 높지 않은 노광, 환언하면 어느정도의 노광정밀도의 저하를 허용할 수 있는 경우에만 스루풋을 보다 중시한 상태 (또는 값) 가 되도록 스루풋 제어팩터가 변경되므로, 결과적으로 노광정밀도에 대해서는 충분한 정밀도를 유지할 수 있다.
이 경우에 있어서, 제어시스템은 동일기판에 대한 다른 층 (레이어) 의 노광을 행할 때, 각 층의 노광에 요구되는 노광정밀도에 따라 스루풋에 기여하는 상기 노광시스템의 제어팩터 (스루풋 제어팩터) 를 변경할 수 있고, 상기 제어시스템은 동일기판에 대한 동일층의 적어도 2 회의 노광을 행할 때, 각 회의 노광에 요구되는 노광정밀도에 따라 스루풋 제어팩터를 변경하는 것으로 할 수도 있다.
후자의 경우에 있어서, 제어시스템은 동일기판에 대한 동일층의 적어도 2 회의 노광으로서 기판상의 인접하는 구획영역에 패턴을 연결하여 전사하는 연결노광 (스티칭노광) 을 행하기 위해, 노광시스템을 제어하는 것으로 할 수 있고, 상기 제어시스템은 상기 노광시스템을 제어하여 상기 동일기판에 대한 동일층의 적어도 2 회의 노광으로서 상기 기판상의 동일영역에 패턴을 겹쳐 전사하는 다중노광을 행하는 것으로 할 수도 있다.
후자의 경우에 있어서, 상기 제어시스템은 동일기판에 대하여 패턴사이즈를 규정하기 위한 제 1 회째의 노광과 패턴형상을 규정하기 위한 제 2 회째의 노광을 적어도 포함하는 상기 다중노광을 위해 상기 노광시스템의 제어를 행하는 것으로 할 수 있다.
일반적으로, 패턴사이즈를 규정하기 위한 제 1 회째의 노광에서는 요구되는 노광정밀도는 좋고, 패턴형상을 규정하기 위한 제 2 회째의 노광에서는 요구되는 노광정밀도는 그다지 좋지 않다. 그 때문에, 이 경우, 제어시스템에서는, 제 1 회째의 노광에서는 스루풋보다 해상력을 중시한 상태가 되고, 제 2 회째의 노광에서는 해상력보다 스루풋을 중시한 상태가 되도록 스루풋 제어팩터를 변경하게 된다. 그리고, 본 발명에서 제 1 노광과 제 2 노광은 그 순서가 반대여도 된다. 즉, 제 1 노광으로 패턴형상을 규정하고, 제 2 노광으로 패턴사이즈를 규정해도 된다.
본 발명의 노광장치에서는, 상기 제어시스템에 의해 변경되는 상기 제어팩터에는 소정의 기준위치에 상기 기판상의 복수의 구획영역을 순차적으로 위치결정할 때의 상기 기판 스테이지의 이동상태와 상기 위치결정시의 위치오차의 허용치의 적어도 일측이 포함되는 것으로 할 수 있다.
여기에서, 「소정의 기준위치에 기판상의 복수의 구획영역을 순차적으로 위치결정하는 경우」는 스텝ㆍ앤드ㆍ리피트 방식의 노광장치에서의 쇼트간 스테핑의 경우 노광위치로의 각 쇼트의 위치결정, 스텝ㆍ앤드ㆍ스캔 방식의 노광장치에서의 각 쇼트의 노광을 위한 주사개시위치로의 각 쇼트의 위치결정의 경우 양자를 포함한다. 또, 「기판 스테이지의 이동상태」에는 속도, 가속도의 양자가 포함된다.
상기 소정의 기준위치로 기판상의 복수의 구획영역을 순차적으로 위치결정할 때의 기판 스테이지의 이동속도, 즉 쇼트간 스테핑속도를 빠르게 하면, 그 만큼 기판의 노광처리에 요하는 시간 (노광처리시간) 의 단축이 가능하다. 단, 스테핑속도를 향상시키는 경우에는 한정된 거리 (쇼트간 거리) 를 보다 고속으로 이동하는 것이므로, 가감속도의 절대치가 커져 위치결정시의 진동이 커진다. 그 때문에, 그 위치결정이 정정될 때까지의 시간 (위치결정 정정시간) 이 필연적으로 길어진다. 이 때문에, 스테핑속도의 향상에 의한 노광처리시간의 단축과 위치결정 정정시간의 증가를 고려하여, 전체적으로 스루풋이 향상될 정도로 기판 스테이지의 이동상태를 변경하는 것이 중요하다.
또, 위치결정시의 위치오차의 허용치를 크게 하면, 보다 단시간에 위치결정상태가 되고, 그 만큼 빨리 다음의 동작 (예컨대, 노광동작) 을 개시할 수 있기 때문에, 전체적인 노광처리시간의 단축에 의해 스루풋의 향상이 가능하게 된다.
또한, 스테핑속도를 향상시키면, 위치결정시의 진동이 커지는데, 스테핑속도의 향상에 따라 위치결정 허용치를 크게 함으로써 위치결정 정정시간을 증가시키지 않고, 노광처리시간을 단축할 수 있다.
본 발명의 노광장치에서는 상기 노광시스템이 상기 마스크로부터 출사된 상기 에너지빔을 상기 기판에 투사하는 투영광학계를 구비하는 경우에는 상기 제어시스템에 의해 변경되는 상기 제어팩터에는 상기 각 회의 노광시의 초점어긋남의 허용치가 포함되는 것으로 할 수 있다.
예컨대, 요구되는 노광정밀도가 좋은 경우에는 노광시에 허용되는 초점어긋남량은 매우 작아지고, 요구되는 노광정밀도가 좋지 않으면 노광시에 허용되는 초점어긋남량은 다소 커도 영향은 거의 없다. 따라서, 제어시스템에서는 요구되는 노광정밀도가 좋은 경우에는 그에 따라 노광시의 초점어긋남의 허용치를 작게 하고, 요구되는 노광정밀도가 그다지 좋지 않은 경우에는 노광시의 초점어긋남의 허용치를 다소 크게 설정한다. 이 결과, 전자에 비교하여 후자의 경우 포커스를 맞추는 시간이 짧아지고, 요구되는 노광정밀도에 관계 없이 노광시의 초점어긋남의 허용치를 일률적으로 설정하는 경우에 비교하여 노광처리시간의 단축이 가능하게 된다. 이 경우, 노광정밀도를 충분히 유지할 수 있다.
본 발명의 노광장치에서는, 상기 노광시스템은 상기 에너지빔을 출사하는 에너지빔원으로서 펄스레이저 광원을 구비하는 경우, 상기 제어시스템에 의해 변경되는 상기 제어팩터에는 상기 각 회의 노광시에 상기 펄스레이저 광원으로부터 출사되고 상기 기판에 조사되는 펄스광의 에너지강도 및 반복주파수의 적어도 일측이 포함되는 것으로 할 수 있다.
여기에서, 「에너지강도」에는 기판상에 단위시간에 단위면적당 조사되는 에너지량 및 1 펄스당의 에너지량의 양자를 포함한다. 따라서, 에너지강도의 변경에는 기판상의 조도(照度)의 변경, 및 펄스에너지강도 편차의 허용치의 변경 양자가 포함된다.
기판에 조사되는 에너지빔의 강도 (기판상의 조도) 를 강하게 하면, 그 만큼 기판에 대한 노광시간을 단축할 수 있기 때문에, 노광처리시간의 단축에 의해 스루풋의 향상이 가능하다. 이러한 기판에 조사되는 에너지빔 강도의 증가는 에너지빔원으로부터의 1 펄스당의 에너지값의 증가, 또는 에너지빔원과 기판 사이의 광로중의 감광소자의 감광율 변경 등 외에, 예컨대 윤대(輪帶)조명, 변형조명 등에서 통상조명으로의 조명조건의 변경에 의해서도 용이하게 실현할 수 있다. 단, 해상력이 요구되는 노광의 경우에는 변형조명 등의 마스크에 조사되는 에너지빔의 강도가 통상조명에 비교하여 약해지는 조명조건하에서 노광을 행하는 것이 바람직하다.
또, 요구되는 노광정밀도에 따라 펄스광의 에너지강도 편차의 허용치가 다르다. 펄스광의 에너지강도 편차의 허용치가 크면, 조정시간을 그 만큼 단축할 수 있다. 또한, 반복주파수가 높아지면, 그에 따라 파워가 증대하고, 재계측이 필요하게 되는데, 요구되는 노광정밀도가 좋지 않으면, 상기 재계측을 생략해도 지장은 없다. 따라서, 재계측의 생략과 반복주파수를 높게 하는 것에 의한 파워의 증대에 의해 노광시간의 단축이 가능하게 된다.
본 발명의 노광장치에서는, 상기 제어시스템에 의해 변경되는 상기 제어팩터에는 상기 마스크와 상기 기판의 상대위치맞춤 정밀도가 포함되는 것으로 할 수 있다. 이러한 경우에는, 제어시스템에서는 요구되는 노광정밀도가 좋은 경우에는 그에 따라 마스크와 기판의 상대위치맞춤 정밀도를 좋게 하고, 요구되는 노광정밀도가 그다지 좋지 않은 경우에는 그에 따라 마스크와 기판의 상대위치맞춤 정밀도를 좋지 않게 한다. 그 때문에, 항상 마스크와 기판의 상대위치맞춤 정밀도를 좋게 하는 경우에 비교하여, 마스크와 기판의 상대위치맞춤을 포함하는 노광처리전체에 요하는 시간을 단축할 수 있다.
여기에서, 마스크와 기판의 상대위치맞춤 정밀도의 변경에는 마스크의 얼라인먼트에 기인하는 것, 기판의 얼라인먼트에 기인하는 것 등, 최종적으로 마스크와 기판의 상대위치맞춤 정밀도를 변경하는 것이면, 어떠한 방법에 의한 것도 포함된다.
이 경우에 있어서, 상기 제어시스템에 의해 변경되는 상기 제어팩터는 레티클 얼라인먼트 또는 기판 얼라인먼트의 모드인 것으로 할 수 있다. 또는, 상기제어시스템에 의해 변경되는 상기 제어팩터는 상기 기판의 얼라인먼트시의 샘플쇼트수 또는 샘플마크수인 것으로 할 수 있다. 또는, 상기 제어시스템에 의해 변경되는 상기 제어팩터는 상기 마스크의 얼라인먼트시의 샘플마크수인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 노광장치에서는 상기 노광시스템이 상기 마스크를 지지하는 마스크 스테이지와, 상기 각 회의 노광시마다 상기 마스크 스테이지와 상기 기판 스테이지를 동기하여 상기 에너지빔에 대하여 소정방향으로 구동하는 동기구동장치를 구비하는 경우, 상기 제어시스템에 의해 변경되는 상기 제어팩터에는 상기 각 회의 노광시의 상기 양(兩) 스테이지의 이동상태 및 이 이동상태에 따른 상기 기판에 조사되는 상기 에너지빔의 강도와, 상기 양 스테이지의 동기정정을 결정하는 위치오차의 허용치의 적어도 일측이 포함되는 것으로 할 수 있다.
노광시의 마스크 스테이지와 기판 스테이지의 이동속도 (스캔속도) 를 증가시키면, 노광시간 (주사노광시간) 이 단축되는 것은 명확하다. 단, 이 경우, 기판면에서의 적산에너지량 (적산노광량) 을 목표치로 유지하도록 스캔속도의 증가에 따라 기판에 조사되는 에너지빔의 강도 (조도) 를 크게 할 필요가 있다. 이 때, 기판상에서의 에너지빔의 주사방향에 관한 폭을 넓게 하거나, 또는 에너지빔의 발진주파수 (반복주파수) 를 크게 해도 된다. 즉, 에너지빔의 강도, 폭 및 발진주파수의 적어도 하나를 변경하면 된다.
또, 마스크 스테이지와 기판 스테이지의 동기정정을 결정하는 위치오차의 허용치를 크게 하면, 보다 단시간에 동기정정상태가 되고, 그 만큼 빨리 다음의 노광동작을 개시할 수 있기 때문에, 전체적인 노광처리시간의 단축에 의해 스루풋의 향상이 가능하게 된다.
또한, 스캔속도를 증가시키는 경우에는 통상 마스크 스테이지의 이동 스트로크가 한정되어 있는 관계에서 스캔 전후의 가감속도를 크게 해야 하므로, 동기정정시간이 길어진다. 이 경우, 스캔속도를 증가시킴에 따라 동기정정을 결정하는 위치오차의 허용치를 크게 함으로써 동기정정시간을 증가시키지 않고, 노광처리시간을 단축할 수 있다.
본 발명의 노광장치에서는 상기 제어시스템에 요구되는 노광정밀도에 따라 노광시마다, 스스로의 판단으로 상기 제어팩터를 변경하는 판단 프로그램을 포함하는 복잡한 노광처리 프로그램 (소프트웨어) 을 작성하고, 이것을 제어시스템에 장치하도록 하는 것도 가능한데, 상기 제어시스템이 상기 노광시스템의 제어를 행하기 위한 각종 파라미터가 설정되는 프로세스 프로그램 파일을 갖는 경우, 상기 프로세스 프로그램 파일에는 상기 각 회의 노광을 위한 파라미터의 값이 개별적으로 설정 가능한 것으로 할 수 있다. 이러한 경우에는 오퍼레이터가 미리 프로세스 프로그램 파일에 각 회의 노광에서 사용되는 각종 파라미터의 값을 개별적으로 설정함으로써, 제어시스템이 그 프로세스 프로그램 파일에 따라 노광시스템의 제어를 행함으로써, 요구되는 노광정밀도에 따라 각 회의 노광시 상기 제어팩터의 변경이 행해지게 된다. 따라서, 상기와 같은 복잡한 노광처리 프로그램을 새로이 작성하지 않고, 종래의 프로세스 프로그램 파일의 간단한 변경으로 충분하다.
또, 리소그래피 공정에 있어서, 본 발명의 노광방법을 사용함으로써 노광정밀도를 충분히 유지하면서, 스루풋을 향상시켜 노광이 행해진다. 따라서, 미세패턴을 갖는 마이크로 디바이스의 수율을 저하시키지 않고, 그 스루풋을 향상시켜 생산성을 향상시킬 수 있다. 마찬가지로, 리소그래피 공정에 있어서, 본 발명의 노광장치를 사용하여 노광을 행함으로써 노광정밀도를 충분히 유지하면서, 스루풋을 향상시켜 노광이 행해진다. 따라서, 미세패턴을 갖는 마이크로 디바이스의 수율을 저하시키지 않고, 그 스루풋을 향상시켜 생산성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 관점에서는 본 발명의 노광방법 또는 노광장치의 어느 하나를 사용하는 디바이스 제조방법이 제공된다.
이하, 본 발명의 1 실시 형태를 도 1 ∼ 도 3 에 기초하여 설명한다.
도 1 에는 1 실시 형태에 관계되는 노광장치 (100) 의 개략구성이 나타나 있다. 이 노광장치 (100) 는 스텝ㆍ앤드ㆍ스캔 방식의 주사형 노광장치, 즉 소위 스캐닝ㆍ스테퍼이다.
이 노광장치 (100) 는 에너지빔 (IL) 을 패턴이 형성된 마스크로서의 레티클 (R) 에 조사하고, 이 레티클 (R) 의 패턴을 투영광학계 (PL) 를 통해 기판으로서의 웨이퍼 (W) 상에 전사하는 노광시스템 (102) 과, 이 노광시스템 (102) 을 전체적으로 제어하는 제어시스템으로서의 주제어장치 (20) 의 2 부분으로 구성되어 있다.
노광시스템 (102) 은 에너지빔원으로서의 ArF 엑시머 레이저 광원 (발진파장 193 ㎚), KrF 엑시머 레이저 광원 (발진파장 248 ㎚), 또는 F2레이저 광원 (발진파장 157 ㎚) 등의 펄스레이저 광원 (이하, 「광원」이라고 함) (1), 이 광원 (1) 과 함께 조명계를 구성하는 조명광학계 (2, 3, 5 ∼ 8), 조명계로부터의 에너지빔 (이하, 「노광광」이라고 함) (IL) 에 의해 조명되는 레티클 (R) 을 지지하는 마스크 스테이지로서의 레티클 스테이지 (RST), 레티클 (R) 로부터 사출된 노광광 (IL) 을 웨이퍼 (W) 상에 투사하는 투영광학계 (PL), 웨이퍼 (W) 를 지지하여 XY 2 차원 방향으로 이동하는 기판 스테이지로서의 웨이퍼 스테이지 (WST), 및 광원 (1) 을 제외한 상기 구성 각 부를 수납하는 챔버 (10) 등을 구비하고 있다.
상기 광원 (1) 은 실제로는 조명광학계의 각 구성요소 및 레티클 스테이지 (RST), 투영광학계 (PL) 및 웨이퍼 스테이지 (WST) 등으로 이루어지는 노광장치 본체를 수납하는 챔버 (10) 가 설치된 클린룸과는 별개의 클린도가 낮은 서비스룸에 배치되며, 이 챔버 (10) 에 도시하지 않은 순회광학계 (송광광학계) 를 통해 접속되어 있다. 그리고, 광원으로서 초고압 수은램프로부터의 자외역의 휘선 (g 선, i 선 등), 구리 증기레이저나 YAG 레이저의 고조파 발생장치 등을 사용해도 된다.
광원 (1) 은 레이저공진기, 에너지모니터, 에너지컨트롤러 및 고압전원 등 (모두 도시 생략) 을 갖는다. 에너지모니터는 레이저공진기로부터의 펄스광의 광학특성을 모니터한다. 에너지컨트롤러는 통상의 발광시에는 에너지모니터의 출력이 주제어장치 (20) 로부터 부여되는 1 펄스당의 에너지의 목표치에 대응한 값이 되도록 고압전원에서의 전원전압을 피드백 제어한다. 또, 에너지컨트롤러는 레이저공진기에 공급되는 에너지를 고압전원을 통해 제어함으로써 발진주파수 (반복주파수) 도 변경한다. 즉, 에너지컨트롤러는 주제어장치 (20) 로부터의 제어정보에 따라 광원 (1) 의 발진주파수를 주제어장치 (20) 로부터 지시된 주파수로설정함과 동시에, 광원 (1) 에서의 1 펄스당의 에너지강도가 주제어장치 (20) 로부터 지시된 값 (즉, 에너지강도의 편차 허용치의 범위내의 값) 이 되도록 고압전원의 전원전압의 피드백 제어를 행한다. 이러한 상세한 것은, 예컨대 일본 공개특허공보 평8-250402 호 및 이것에 대응하는 미국특허 제 5,728,495 호 등에 상세하게 개시되어 있다. 상기 미국특허에서의 개시를 원용하여 본 명세서의 기재의 일부로 한다.
또, 광원 (1) 내에는 주제어장치 (20) 로부터의 제어정보에 따라 노광광 (IL) 을 차광하기 위한 셔터도 배치되어 있다.
상기 조명광학계는 조도균일화 광학계 (2), 릴레이렌즈 (3), 레티클 블라인드 (5), 릴레이렌즈 (6), 절곡미러 (7) 및 콘덴서렌즈 (8) 등을 포함하여 구성되어 있다.
상기 조도균일화 광학계 (2) 는, 예컨대 노광광 (IL) 의 광로상에 순차적으로 배치된 빔정형광학계, 에너지 조조기(粗調器), 옵티컬 인테그레이터로서의 플라이아이렌즈 및 조명계 개구조리개판 등 (모두 도시하지 않음) 으로 구성된다. 이것을 더욱 상세하게 서술하면, 빔정형광학계는 광원 (1) 으로 펄스 발광되며, 입사한 노광광 (IL) 의 단면형상을 광로 후측에 설치된 플라이아이렌즈에 효율적으로 입사하도록 정형하는 것으로, 예컨대 실린더렌즈나 빔 익스팬더 등으로 구성된다.
또, 에너지 조조기는 빔정형광학계 후측의 노광광 (IL) 의 광로상에 배치되며, 예컨대 투과율 (= 1-감광율) 을 100 % 에서 등비급수적으로 복수 단계에서 전환할 수 있도록 되어 있다. 이 에너지 조조기의 투과율의 전환은 도시하지 않은 구동장치를 통해 주제어장치 (20) 에 의해 행해진다.
상기 플라이아이렌즈는 에너지 조조기로부터 나온 노광광 (IL) 의 광로상에 배치되며, 레티클 (R) 을 균일한 조도분포로 조명하기 위해 그 사출측 초점면에 다수의 점광원 (광원이미지) 으로 이루어지는 면광원, 즉 2 차 광원을 형성한다. 상기 조명계 개구조리개판은 플라이아이렌즈의 사출측 초점면의 근방에 배치되어 있다. 이 조명계 개구조리개판은 원판형 부재로 이루어지고, 거의 등각도 간격으로, 예컨대 통상의 원형 개구로 이루어지는 개구조리개, 작은 원형 개구로 이루어지며 코히어런스 팩터인 σ값을 작게 하기 위한 개구조리개, 윤대조명용 윤대형의 개구조리개, 및 변형광원법용에 복수의 개구를 편심시켜 배치하여 이루어지는 변형조명용 개구조리개 등이 배치되어 있다. 이 경우, 주제어장치 (20) 에 의해 도시하지 않은 구동계를 통해 조명계 개구조리개판이 구동되며, 어느 하나의 개구조리개를 노광광 (IL) 의 광로상에 선택적으로 설정할 수 있도록 되어 있다.
조명계 개구조리개판으로부터 나온 노광광 (IL) 의 광로상에 반사율이 작고 투과율이 큰 빔스플릿터가 배치되고, 또한 이 후측의 광로상에 고정레티클 블라인드 (5A) 및 가동레티클 블라인드 (5B) 로 이루어지는 레티클 블라인드 (5) 를 개재시켜 릴레이렌즈 (3 및 6) 로 이루어지는 릴레이광학계가 배치되어 있다.
고정레티클 블라인드 (5A) 는 레티클 (R) 의 패턴면에 대한 공액면으로부터 약간 디포커스한 면에 배치되며, 레티클 (R) 상의 조명영역 (IAR) 을 규정하는 직사각형 개구가 형성되어 있다. 또, 이 고정레티클 블라인드 (5A) 의 근방에 주사방향에 대응하는 방향의 위치 및 폭이 가변의 개구부를 갖는 가동레티클 블라인드 (5B) 가 배치되며, 주사노광의 개시시 및 종료시에 그 가동레티클 블라인드 (5B) 를 통해 조명영역 (IAR) 을 추가로 제한함으로써 불필요한 부분의 노광이 방지되도록 되어 있다.
릴레이광학계를 구성하는 릴레이렌즈 (6) 후측의 노광광 (IL) 의 광로상에는 당해 릴레이렌즈 (6) 를 통과한 노광광 (IL) 을 레티클 (R) 을 향하게 하여 반사하는 절곡미러 (7) 가 배치되며, 이 미러 (7) 후측의 노광광 (IL) 의 광로상에 콘덴서렌즈 (8) 가 배치되어 있다.
또한, 조도균일화 광학계 (2) 내의 상기 빔스플릿터의 반사광로상에는 광전변환소자로 이루어지는 도시하지 않은 인테그레이터센서가 배치되어 있다.
이와 같이 하여 구성된 조명광학계의 작용을 간단히 설명하면, 광원 (1) 으로부터 펄스 발광된 노광광 (IL) 은 조도균일화 광학계 (2) 내에 입사한다. 이 조도균일화 광학계 (2) 내에서는, 노광광 (IL) 은 먼저 빔정형광학계에 의해 후측의 플라이아이렌즈에 효율적으로 입사하도록 그 단면형상이 정형된 후, 에너지 조조기에 입사한다. 그리고, 이 에너지 조조기를 투과한 노광광 (IL) 은 플라이아이렌즈에 입사한다. 이에 의해, 플라이아이렌즈의 사출단에 다수의 점광원으로 이루어지는 2 차 광원이 형성된다. 이 다수의 점광원으로부터 사출된 노광광 (IL) 은 조명계 개구조리개판상의 어느 하나의 개구조리개를 통과한 후, 릴레이렌즈 (3) 를 거쳐 고정레티클 블라인드 (5A) 의 직사각형의 개구부 및 가동레티클 블라인드 (5B) 를 통과한 후, 릴레이렌즈 (6) 를 통과하여 미러 (7) 에 의해 광로가 수직 하측으로 절곡된 후, 콘덴서렌즈 (8) 를 거쳐 레티클 스테이지 (RST) 상에지지된 레티클 (R) 상의 직사각형의 조명영역 (IAR) 을 균일한 조도분포로 조명한다.
한편, 조도균일화 광학계 (2) 내의 상기 빔스플릿터 (도시 생략) 로 반사된 노광광 (IL) 은 인테그레이터센서로 수광되며, 그 인테그레이터센서의 광전변환신호가 도시하지 않은 피크홀드회로 및 A/D 변환기를 통해 주제어장치 (20) 에 공급된다.
그리고, 도 1 에서는 도시가 생략되어 있는데, 조명광학계 (2, 3, 5 ∼ 8) 의 각 구성부분은 조명 주물(鑄物)이라고 불리우는 내부가 외부에 대하여 격리되고, 그 내부에 산소 (공기) 의 함유농도가 수 ppb 이하 정도가 된 클린 질소 (N2) 또는 헬륨 (He) 등의 불활성가스가 충전된 하우징의 내측에 고정되며, 이 하우징은 도시하지 않은 메인프레임상에 설치된 서포트프레임에 지지되어 있다.
상기 레티클 스테이지 (RST) 상에는 레티클 (R) 이, 예컨대 진공흡착에 의해 고정되어 있다. 레티클 스테이지 (RST) 는 도시하지 않은 레티클 베이스상에 배치되며, 조명광학계의 광축 (IX) (후술하는 투영광학계 (PL) 의 광축 (AX) 에 일치) 에 수직인 평면 (XY 평면) 내에서 미소구동 가능함과 동시에, 레티클 구동부 (11) 에 의해 주사방향 (여기에서는 도 1 의 지면 좌우방향인 Y 방향으로 함) 으로 소정 스트로크 범위에서 주사되도록 되어 있다.
이 레티클 스테이지 (RST) 의 이동면내의 위치 (회전을 포함) 는 그 상면에 고정된 이동경 (15) 을 통해 레티클 레이저 간섭계 (16) 에 의해, 예컨대 0.5 ∼ 1 ㎚ 정도의 분해능으로 항상 검출된다. 레티클 레이저 간섭계 (16) 로부터의 레티클 스테이지 (RST) 의 위치정보는 스테이지 제어계 (19) 및 이것을 통해 주제어장치 (20) 에 보내진다. 스테이지 제어계 (19) 에서는 주제어장치 (20) 로부터의 지시에 따라 레티클 스테이지 (RST) 의 위치정보에 기초하여 레티클 구동부 (11) 를 통해 레티클 스테이지 (RST) 를 구동제어한다. 그리고, 도시는 생략되어 있지만, 레티클 베이스는 투영광학계 (PL) 를 지지하는 인바라고 불리우는 지지부재에 지지되고, 이 인바는 도시하지 않은 메인프레임상에 설치되어 있다.
그리고, 레티클 (R) 에 사용하는 재질은 사용하는 광원에 따라 구별해서 사용할 필요가 있다. 즉, ArF 엑시머 레이저 광원, KrF 엑시머 레이저 광원을 광원으로 하는 경우에는 형석, 합성석영의 어느것도 사용할 수 있는데, F2레이저 광원을 사용하는 경우에는 형석 등의 불화물 결정으로 형성할 필요가 있다.
상기 투영광학계 (PL) 는 레티클 스테이지 (RST) 의 도 1 에서의 하측에 배치되고, 그 광축 (AX) (조명광학계의 광축 (IX) 에 일치) 의 방향이 Z 축 방향이 되며, 여기에서는 양측 텔레센트릭한 축소광학계, 또한 광축 (AX) 방향을 따라 소정간격으로 배치된 복수장의 렌즈 엘리먼트로 이루어지는 굴절광학계가 사용되고 있다. 이 투영광학계 (PL) 의 투영배율 (β) 은, 예컨대 1/5 또는 1/4 이 되어 있다. 이 때문에, 상기와 같이 하여 노광광 (IL) 에 의해 레티클 (R) 상의 조명영역 (IAR) 이 조명되면, 그 레티클 (R) 에 형성된 패턴이 투영광학계 (PL) 에 의해 투영배율 (β) 로 축소된 이미지가 표면에 레지스트 (감광제) 가 도포된 웨이퍼 (W) 상의 슬릿형 노광영역 (IA) 에 투영노광된다.
투영광학계 (PL) 의 경통의 내부에도 산소 (공기) 의 함유농도가 수 ppb 이하 정도가 된 클린 질소 (N2) 또는 헬륨 (He) 등의 불활성가스가 충전되어 있다.
그리고, 노광광 (IL) 으로서 KrF 엑시머 레이저광, ArF 엑시머 레이저광을 사용하는 경우에는, 투영광학계 (PL) 를 구성하는 각 렌즈 엘리먼트로서는 형석, 합성석영의 어느것도 사용할 수 있는데, F2레이저광을 사용하는 경우에는, 이 투영광학계 (PL) 에 사용되는 렌즈의 재질은 모두 형석 등의 불화물 결정이 사용된다.
상기 웨이퍼 스테이지 (WST) 는, 예컨대 리니어모터 또는 평면모터 등으로 이루어지는 웨이퍼 구동부 (21) 를 통해 XY 2 차원 면내 (θz 회전 (Z 축 주위의 회전) 을 포함) 로 자유롭게 구동된다. 웨이퍼 스테이지 (WST) 상에는 웨이퍼홀더 (25) 가 설치되며, 이 웨이퍼홀더 (25) 에 의해 웨이퍼 (W) 가 예컨대 진공흡착에 의해 지지되어 있다. 이 웨이퍼홀더 (25) 는 실제로는 Z 방향 및 XY 면에 대한 경사방향 (X 축 주위의 회전방향인 θx 방향 및 Y 축 주위의 회전방향인 θy 방향) 으로 미소구동 가능한 Z 레벨링 테이블상에 탑재되어 있다. 따라서, 웨이퍼 (W) 는 X, Y, Z, θx, θy, θz 의 6 자유도 방향에 대하여 위치ㆍ자세제어가 가능하게 되어 있다. 또, 도시는 생략되어 있지만, 도시하지 않은 Z 레벨링 테이블상에는 그 표면이 웨이퍼 (W) 표면과 거의 동일높이가 되고, 또한 각종 기준마크가 형성된 기준마크판이 설치되어 있다.
또, 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 XY 면내에서의 위치는 이동경 (27) 을 통해 웨이퍼 레이저 간섭계 (31) 에 의해 예컨대 0.5 ∼ 1 ㎚ 정도의 분해능으로 항상 검출되고 있다. 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 위치정보 (또는 속도정보) 는 스테이지 제어계 (19) 및 이것을 통해 주제어장치 (20) 에 보내지며, 스테이지 제어계 (19) 에서는 주제어장치 (20) 로부터의 지시에 따라 상기 위치정보 (또는 속도정보) 에 기초하여 웨이퍼 구동부 (21) 를 통해 웨이퍼 스테이지 (WST) 를 구동제어한다.
상기 투영광학계 (PL) 의 경통의 측면에는 오프액시스 (off-axis) 방식의 마크검출계로서의 얼라인먼트광학계 (ALG) 가 설치되어 있다. 이 얼라인먼트광학계 (ALG) 로서는, 예컨대 할로겐램프 등의 브로드밴드 (광대역) 광으로 마크를 조명하고, 이 마크화상을 화상처리함으로써 마크위치를 계측하는 얼라인먼트센서, 소위 FIA (Field Image Alignment) 계가 사용되고 있다. 이 얼라인먼트광학계 (ALG) 는 웨이퍼 스테이지 (WST) 상에 설치된 도시하지 않은 기준마크판상의 기준마크 및 웨이퍼상의 얼라인먼트마크의 X, Y 2 차원 방향의 위치계측을 행하는 것이 가능하다.
이 얼라인먼트광학계 (ALG) 로부터의 정보는 도시하지 않은 얼라인먼트 제어장치에 보내진다. 그리고, 얼라인먼트 제어장치에 의해 그 정보가 A/D 변환되며, 그 디지털화된 파형신호를 연산처리하여 마크위치가 검출된다. 이 검출된 마크위치의 정보가 주제어장치 (20) 에 보내진다.
그리고, 얼라인먼트광학계로서, 예컨대 코히어런스한 검출광을 대상마크에 조사하고, 그 대상마크로부터 발생하는 산란광 또는 회절광을 검출하거나, 그 대상마크로부터 발생하는 2 개의 회절광 (예컨대, 동차수) 을 간섭시켜 검출하는 얼라인먼트센서를 단독으로 또는 적당히 조합하여 사용해도 된다. 예컨대, LSA(Laser Step Alignment) 계, LIA (Laser Interferometric Alignment) 계 등의 얼라인먼트센서를 사용할 수 있다.
또, 노광시스템 (102) 은 투영광학계 (PL) 를 지지하는 지지부재에 일체적으로 고정된 조사광학계 (13) 와 수광광학계 (14) 로 이루어지며, 웨이퍼 (W) 의 Z 방향위치를 계측하는 포커스센서를 구비하고 있다. 이 포커스센서 (13, 14) 로서는 여기에서는, 예컨대 일본 공개특허공보 평6-283403 호 및 이것에 대응하는 미국특허 제 5,448,332 호 등에 개시되는 다점초점위치 검출계가 사용되고 있다. 이 포커스센서 (13, 14) 의 출력이 주제어장치 (20) 에 공급되고, 주제어장치 (20) 에서는 스테이지 제어계 (19) 에 지시를 부여하여 웨이퍼홀더 (25) 의 Z 위치, 및 레벨링을 도시하지 않은 Z 레벨링 테이블을 통해 제어하여 소위 포커스 레벨링 제어를 행하도록 되어 있다. 그리고, 상기 미국특허의 개시내용을 원용하여 본 명세서의 기재의 일부로 한다.
또한, 도 1 에서는 도시가 생략되어 있지만, 레티클 (R) 의 상측에, 예컨대 일본 공개특허공보 평7-176468 호 및 이것에 대응하는 미국특허 제 5,646,413 호 등에 개시되는, 투영광학계 (PL) 를 통해 레티클 (R) 상의 레티클 마크 (도시 생략) 와 기준마크판상의 마크를 동시에 관찰하기 위한 노광파장을 사용한 TTR (Through The Reticle) 얼라인먼트광학계로 이루어지는 1 쌍의 레티클 얼라인먼트 현미경이 설치되어 있다. 이들 레티클 얼라인먼트 현미경의 검출신호는 도시하지 않은 얼라인먼트 제어장치를 통해 주제어장치 (20) 에 공급되도록 되어 있다.
상기 주제어장치 (20) 는 CPU (중앙연산처리장치), ROM (리드ㆍ온리ㆍ메모리), RAM (랜덤ㆍ액세스ㆍ메모리), I/O 인터페이스 등을 포함하는 마이크로 컴퓨터 (또는 워크스테이션) 에 의해 구성되며, 노광시스템 (102) 의 구성 각 부를 통괄적으로 제어한다.
이 주제어장치 (20) 에는 입출력장치 (30) 가 병설되어 있다. 이 입출력장치 (30) 는 키보드, 마우스 등의 포인팅 디바이스 및 디스플레이 등을 포함한다. 이 입출력장치 (30) 를 통해 오퍼레이터에 의해 각종 데이터입력이 행해지며, 노광조건의 설정을 위한 1 종의 데이터 베이스인 프로세스 프로그램이 작성된다. 이것에 대해서는 후술한다.
주제어장치 (20) 는 노광동작이 적확하게 행해지도록, 예컨대 레티클 (R) 과 웨이퍼 (W) 의 동기주사, 웨이퍼 (W) 의 스테핑, 노광타이밍 등을 통괄하여 제어한다.
구체적으로는 주제어장치 (20) 는, 예컨대 주사노광시에는 레이저 간섭계 (16, 31) 의 계측치에 기초하여 레티클 스테이지 (RST) 와 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 위치를 관리하면서, 스테이지 제어계 (19) 에 대하여 레티클 스테이지 (RST) 와 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 동기이동의 지시를 부여한다. 스테이지 제어계 (19) 에서는 이 지시에 따라 레티클 (R) 이 레티클 스테이지 (RST) 를 통해 조명영역 (IAR) 에 대하여 +Y 방향 (또는 -Y 방향) 으로 속도 (Vr=V) 로 주사되는 것에 동기하여, 웨이퍼 스테이지 (WST) 를 통해 웨이퍼 (W) 가 노광영역 (IA) 에 대하여 -Y 방향 (또는 +Y 방향) 으로 속도 (Vw=βㆍV) (β는 레티클 (R) 로부터 웨이퍼 (W) 에 대한 투영배율) 로 주사되도록, 레이저 간섭계 (16, 31) 의 계측치를 모니터하면서 레티클 구동부 (11), 웨이퍼 구동부 (21) 를 각각 통해 레티클 스테이지 (RST), 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 위치 및 속도를 각각 제어한다. 이와 같이, 본 실시 형태에서는 레티클 구동부 (11), 웨이퍼 구동부 (21) 및 스테이지 제어계 (19) 에 의해 노광시마다 레티클 스테이지 (RST) 와 웨이퍼 스테이지 (WST) 를 동기하여 노광광 (IL) 에 대하여 소정방향으로 구동하는 동기구동장치가 구성되어 있다.
또, 스테핑시에는, 주제어장치 (20) 에서는 레이저 간섭계 (31) 의 계측치에 기초하여 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 위치를 관리하면서, 스테이지 제어계 (19) 에 대하여 스테핑의 지시를 부여한다. 스테이지 제어계 (19) 에서는 이 지시에 따라 레이저 간섭계 (31) 의 계측치를 모니터하면서 웨이퍼 구동부 (21) 를 통해 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 위치를 제어한다.
또, 주제어장치 (20) 에서는, 상기 주사노광시에는 노광조건 및 레지스트감도에 따라 결정된 목표적산노광량을 웨이퍼 (W) 에 부여하므로, 상술한 인테그레이터센서의 출력을 모니터하면서 제어정보를 광원 (1) 에 공급함으로써 광원 (1) 의 발진주파수 (발광타이밍), 및 발광파워 등을 제어하거나, 또는 에너지 조조기를 제어함으로써 레티클 (R) 에 조사되는 광량의 조정을 행한다. 또한, 주제어장치 (20) 에서는 조명계 개구조리개판을 제어하고, 또한 스테이지계의 동작정보에 동기하여 가동레티클 블라인드 (5B) 의 개폐동작을 제어한다.
다음으로, 본 실시 형태에 관계되는 노광장치 (100) 에 있어서, 노광에 앞서 행해지는 프로세스 프로그램 작성을 위한 노광조건의 설정에 대하여 간단히 설명한다. 여기에서는, 일례로서 웨이퍼 (W) 상에 선폭이 매우 가는 고립선을 베이킹하기 위해 행해지는 이중노광시의 노광조건의 설정에 대하여 설명한다. 이 이중노광은 먼저 1 회째의 노광으로서 미세한 라인ㆍ앤드ㆍ스페이스 (L/S) 패턴이 형성된 위상시프트레티클 (이하, 편의상 「레티클 R1」이라고 칭함) 을 사용하여 고정밀도의 노광을 행한다. 다음으로, 2 회째의 노광으로서 그 L/S 패턴중, 최종적으로 남기고 싶은 (웨이퍼상에 베이킹하고 싶은) 패턴부분을 마스크하는 패턴이 형성된 레티클 (이하, 편의상 「레티클 R2」라고 칭함) 을 사용하여 노광을 행하고, L/S 패턴의 불필요한 부분을 없앨 목적으로 하는 고립선을 웨이퍼상에 베이킹하는 것이다. 이러한 상세한 것은, 예컨대 일본 공개특허공보 평4-273427 호 등에 개시되어 있다.
먼저, 오퍼레이터는 입출력장치 (30) 의 디스플레이상에 표시된 메인메뉴화면에서 이중노광을 예컨대 마우스를 사용하여 선택한다. 이 이중노광의 선택지령에 따라 주제어장치 (20) 는 이중노광용 레티클명의 지정화면을 디스플레이상에 표시한다. 그래서, 오퍼레이터는 키보드 등에 의해 제 1 회째의 노광, 제 2 회째의 노광에 각각 사용하는 레티클명으로서 「R1」, 「R2」를 각각 입력한다. 여기에서는, 이들 입력된 레티클 「R1」, 「R2」의 데이터는 RAM 의 제 1 데이터격납영역, 제 2 데이터격납영역에 각각 격납되는 것으로 한다.
상기와 같은 레티클명의 지정을 위한 입력이 종료하고, 오퍼레이터가 종료버튼을 마우스에 의해 클릭하면, 주제어장치 (20) 에 의해 디스플레이상의 화면이 다음의 입력지정화면, 예컨대 조명조건의 지정화면으로 전환된다. 그래서, 오퍼레이터는 키보드 등에 의해 제 1 회째의 노광, 제 2 회째의 노광에 각각 사용하는 조명조건의 데이터를 입력한다. 여기에서, 예컨대 제 1 회째의 노광, 제 2 회째의 노광에 각각 사용하는 조명조건으로서 변형조명, 통상조명을 각각 입력한 것으로 한다. 이들 입력된 변형조명, 통상조명의 데이터는 RAM 의 제 1 데이터격납영역, 제 2 데이터격납영역에 각각 격납된다.
그리고, 오퍼레이터가 종료버튼을 마우스에 의해 클릭함으로써 주제어장치 (20) 에서는 다음의 입력지정화면을 디스플레이상에 표시하고, 이후 동일하게 하여 조건데이터의 입력, 화면의 전환이 반복하여 행해지며, 모든 노광조건의 입력이 종료하면, 각 회의 노광시의 노광조건의 설정데이터를 포함하는 프로세스 프로그램이 RAM 내에 작성된다.
다음으로, 상기 프로세스 프로그램에 따라 행해지는 이중노광시의 동작에 대하여 설명한다.
전제로서 이 노광처리동작의 개시시에는 웨이퍼 스테이지 (WST) 상으로의 웨이퍼 (W) 의 로드, 얼라인먼트광학계 (ALG) 를 사용한 EGA (인핸스드ㆍ글로벌ㆍ얼라인먼트) 등의 웨이퍼 얼라인먼트 등의 웨이퍼 (W) 에 관련된 준비작업은 종료되어 있는 것으로 한다. 그리고, EGA 에 대해서는 일본 공개특허공보 소61-44429 호 및 이것에 대응하는 미국특허 제 4,780,617 호 등에 상세하게 개시되어 있으며, 이 미국특허에서의 개시를 원용하여 본 명세서의 기재의 일부로 한다.
그리고, 오퍼레이터에 의해 입출력장치 (30) 를 통해 노광개시의 지시가 입력되면, 노광처리동작이 개시된다.
먼저, 주제어장치 (20) 에서는 RAM 내의 제 1 데이터격납영역에 격납된 노광조건데이터 (프로세스 프로그램 파일의 일부) 를 판독하고, 이 판독한 노광조건데이터에 기초하여 노광조건을 설정한다. 구체적으로는 도시하지 않은 레티클 로더를 통해 레티클 (R1) 을 레티클 스테이지 (RST) 상에 로드한다. 그 외에, RAM 내의 제 1 데이터격납영역으로부터 판독한 데이터에 기초하여 제 1 회째의 노광시의 조명조건의 설정, 그 외의 노광조건의 설정을 행한다. 여기에서, 조명조건의 설정에는, 예컨대 조명계 개구조리개판상의 개구조리개의 선택설정이 포함된다. 이 경우, 변형조명용 개구조리개가 선택된다.
다음으로, 주제어장치 (20) 에서는 RAM 내의 제 1 데이터격납영역으로부터 판독한 노광정밀도에 관련된 데이터, 예컨대 레티클 (R1) 에 관한 정보 (구체적으로는 위상시프트레티클이고, 매우 가는 선폭의 L/S 패턴인 등) 에 기초하여, 일례로서 다음과 같이 하여 파인모드의 레티클 얼라인먼트를 행한다.
즉, 주제어장치 (20) 에서는 레이저 간섭계 (16, 31) 의 계측결과에 기초하여 스테이지 제어계 (19) 에 지시를 부여하고, 도시하지 않은 1 쌍의 레티클 얼라인먼트 현미경을 사용하여 웨이퍼 스테이지 (WST) 상의 기준마크판에 형성된 예컨대 4 쌍의 레티클 얼라인먼트용 기준마크 (이하, 「제 1 기준마크」라고 칭함) 중의 소정의 1 쌍의 제 1 기준마크와, 이것에 대응하는 레티클 (R1) 상의 레티클 마크의 이미지를 동시에 관찰 가능한 위치에 레티클 스테이지 (RST), 웨이퍼 스테이지 (WST) 를 이동한다.
다음으로, 주제어장치 (20) 에서는 1 쌍의 레티클 얼라인먼트 현미경을 사용하여 상기 소정의 1 쌍의 제 1 기준마크에 대응하는 1 쌍의 레티클 마크의 이미지의 위치어긋남량을 계측한다.
이어서, 주제어장치 (20) 에서는 스테이지 제어계 (19) 에 지시를 부여하고, 기준마크판과 레티클 (R1) 을 투영배율비로 Y 방향으로 동기하여 이동함으로써 순차적으로 다른 3 쌍의 기준마크에 대한 레티클 마크 이미지의 위치어긋남량을 계측한다.
그리고, 주제어장치 (20) 에서는 이들 4 쌍의 레티클 마크의 위치어긋남량으로부터 기준마크판 나아가서는 웨이퍼 스테이지 (WST) 에 대한 레티클 (R1) 의 투영이미지의 위치어긋남량의 오프셋, 회전각, 디스토션, 및 주사방향의 각도어긋남 등을 산출하고, 이 산출결과를 RAM 내의 일시기억영역에 기억한다. 또한, 이 레티클 얼라인먼트 동작은 일본 공개특허공보 평7-176468 호 및 이것에 대응하는 미국특허 제 5,646,413 호 등에 상세하게 개시되어 있고, 이 미국특허의 개시를 원용하여 본 명세서의 기재의 일부로 한다. 다음으로, 주제어장치 (20) 에서는 상기 디스토션이 최소가 되도록 도시하지 않은 결상특성보정 컨트롤러를 통해 투영광학계 (PL) 의 결상특성을 보정한다.
상기 레티클 얼라인먼트의 종료후, 주제어장치 (20) 에서는 얼라인먼트광학계 (ALG) 의 바로아래에 기준마크판이 배치되도록 웨이퍼 스테이지 (WST) 를 이동하여 기준마크판상의 제 2 기준마크의 얼라인먼트광학계 (ALG) 의 검출중심에 대한 위치어긋남량을 검출하고, 이 위치어긋남량의 검출결과와, 이 때의 레이저 간섭계 (31) 의 계측치와, 설계상의 베이스 라인량에 기초하여 소위 베이스 라인량을 산출한다.
이와 같이 하여 웨이퍼 (W) 의 노광을 위한 준비동작이 종료하면, 주제어장치 (20) 에서는 상술한 웨이퍼 얼라인먼트의 결과, 베이스 라인 계측결과 등에 기초하여 스테이지 제어계 (19) 에 대하여 웨이퍼 스테이지 (WST), 레티클 스테이지 (RST) 의 이동을 지시한다. 이에 의해, 스테이지 제어계 (19) 에서는 레이저 간섭계 (31) 의 계측치에 기초하여 웨이퍼 구동부 (21) 를 제어하여 웨이퍼 (W) 의 제 1 쇼트의 노광을 위한 주사개시위치로 웨이퍼 스테이지 (WST) 를 이동함과 동시에, 레이저 간섭계 (16) 의 계측치에 기초하여 레티클 구동부 (11) 를 제어하여 레티클 스테이지 (RST) 를 주사개시위치로 이동한다. 이 때, 주제어장치 (20) 로부터의 지시에 기초하여 스테이지 제어계 (19) 에서는 상술한 레티클 얼라인먼트시에 구해진 레티클 (R1) 의 위치어긋남량이 최소가 되도록 레티클 (R1) 의 위치를 보정한다.
이어서, 주제어장치 (20) 로부터의 지시에 기초하여 스테이지 제어계 (19) 에 의해 구동부 (11, 21) 를 통해 레티클 스테이지 (RST) 와 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 Y 방향의 주사가 개시된다. 그리고, 양 스테이지 (RST, WST) 가 각각의 목표주사속도 (스캔속도) 에 달하고, 주제어장치 (20) 가 양 스테이지 (RST, WST) 가 동기정정상태에 달했다고 판단한 시점에서 광원 (1) 으로부터의 좌외펄스광에 의해 레티클 (R) 의 패턴영역이 조명되기 시작하여 상술한 주사노광이 개시된다.
이 주사노광의 개시에 앞서 광원 (1) 의 발광은 개시되어 있는데, 주제어장치 (20) 에 의해 가동레티클 블라인드 (5B) 의 각 블레이드의 이동이 레티클 스테이지 (RST) 의 이동과 동기제어되어 있으므로, 레티클 (R1) 상의 패턴영역외로의 자외펄스광의 조사가 방지되는 것은 통상의 스캐닝ㆍ스테퍼와 동일하다.
그리고, 레티클 (R1) 의 패턴영역의 다른 영역이 자외펄스광으로 축차 조명되며, 패턴영역 전면에 대한 조명이 완료함으로써 웨이퍼 (W) 상의 제 1 쇼트의 주사노광이 종료한다. 이에 의해, 레티클 (R1) 의 패턴이 투영광학계 (PL) 를 통해 웨이퍼 (W) 상의 제 1 쇼트에 축소전사된다.
여기에서, 상기 주사노광시 주제어장치 (20) 로부터의 지시에 따라 스테이지 제어계 (19) 에 의해 상술한 레티클 얼라인먼트시에 구해진 레티클 (R1) 의 주사방향각도 오차가 보정된다.
이와 같이 하여 제 1 쇼트의 주사노광이 종료하면, 주제어장치 (20) 로부터의 지시에 기초하여 스테이지 제어계 (19) 에 의해 웨이퍼 구동부 (21) 를 통해 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 쇼트간 스테핑이 행해지며, 제 2 쇼트의 노광을 위한 주사개시위치로 이동된다.
이 스테핑시, 스테이지 제어계 (19) 에서는 주제어장치 (20) 로부터의 지시에 따라 레이저 간섭계 (31) 의 계측치에 기초하여 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 X, Y, θz 방향의 위치변위를 리얼타임으로 계측한다. 그리고, 스테이지 제어계 (19) 에서는 이 계측결과에 기초하여 웨이퍼 구동부 (21) 를 제어하여 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 XY 위치변위가 소정의 상태가 되도록 제어한다.
또, 스테이지 제어계 (19) 에서는 주제어장치 (20) 로부터의 지시에 따라 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 θz 방향의 변위의 정보에 기초하여 레티클 구동부 (11) 를 제어하고, 그 웨이퍼 (W) 측의 회전변위의 오차를 보상하도록 레티클 스테이지 (RST) 를 회전제어한다.
그리고, 주제어장치 (20) 가 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 제 2 쇼트의 노광을 위한 주사개시위치로의 위치결정이 정정되었다고 판단했을 때, 상술한 바와 동일하게 하여 웨이퍼 (W) 상의 제 2 쇼트에 대하여 상기와 동일한 주사노광이 행해진다.
이와 같이 하여 웨이퍼 (W) 상의 쇼트의 주사노광과 다음 쇼트노광을 위한 스테핑동작이 반복하여 행해지고, 웨이퍼 (W) 상의 노광대상쇼트의 모두에 레티클 (R1) 의 패턴이 순차적으로 전사되어 제 1 회째의 노광이 종료한다.
다음으로, 주제어장치 (20) 에서는 RAM 내의 제 2 데이터격납영역에 격납된 노광조건데이터 (프로세스 프로그램 파일의 일부) 를 판독하고, 이 판독한 노광조건데이터에 기초하여 노광조건을 설정한다. 구체적으로는 도시하지 않은 레티클 로더를 통해 레티클 (R2) 을 레티클 스테이지 (RST) 상에 로드한다. 그 외에, RAM 내의 제 2 데이터격납영역으로부터 판독한 데이터에 기초하여 제 2 회째의 노광시의 조명조건의 설정, 그 외의 노광조건의 설정을 행한다. 여기에서, 조명계 개구조리개판상의 개구조리개로서 통상 조명용 개구조리개가 선택된다.
다음으로, 주제어장치 (20) 에서는 RAM 내의 제 2 데이터격납영역으로부터 판독한 노광정밀도에 관련된 데이터, 예컨대 레티클 (R2) 에 관한 정보 (구체적으로는 통상 레티클이고, 일부분 이외 패턴이 존재하지 않는 불필요한 패턴 제거용 레티클인 등의 데이터) 에 기초하여 상술한 파인모드의 레티클 얼라인먼트를 간략화한 퀵모드의 레티클 얼라인먼트를 행한다.
즉, 주제어장치 (20) 에서는 레이저 간섭계 (16, 31) 의 계측결과에 기초하여 스테이지 제어계 (19) 에 지시를 부여하고, 도시하지 않은 1 쌍의 레티클 얼라인먼트 현미경을 사용하여 웨이퍼 스테이지 (WST) 상의 기준마크판에 형성된 예컨대 4 쌍의 제 1 기준마크중의 소정의 1 쌍의 제 1 기준마크와, 이것에 대응하는 레티클 (R2) 상의 레티클 마크의 이미지를 동시에 관찰 가능한 위치에 레티클 구동부 (11), 웨이퍼 구동부 (21) 를 각각 통해 레티클 스테이지 (RST), 웨이퍼 스테이지 (WST) 가 이동한다.
다음으로, 주제어장치 (20) 에서는 1 쌍의 레티클 얼라인먼트 현미경을 사용하여 상기 소정의 1 쌍의 제 1 기준마크에 대응하는 1 쌍의 레티클 마크의 이미지의 위치어긋남량을 계측한다.
그리고, 주제어장치 (20) 에서는 이 1 쌍의 레티클 마크의 위치어긋남량으로부터 기준마크판 나아가서는 웨이퍼 스테이지 (WST) 에 대한 레티클 (R2) 의 투영이미지의 위치어긋남량의 오프셋, 회전각을 산출하고, 이 산출결과를 RAM 내의 일시기억영역에 기억한다. 또한, 이 레티클 얼라인먼트 동작은 일본 공개특허공보 평7-176468 호 및 이것에 대응하는 미국특허 제 5,646,413 호 등에 의해 상세하게 개시되어 있다. 이 미국특허에서의 개시를 원용하여 본 명세서의 기재의 일부로 한다.
상기 레티클 얼라인먼트의 종료후, 베이스 라인 계측을 행하지 않고, 레티클 (R2) 을 사용하여 상술한 바와 동일하게 하여 스텝ㆍ앤드ㆍ스캔 방식으로 제 2 회째의 노광이 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼 (W) 상의 이미 레티클 (R1) 의 패턴이 정밀도 좋게 전사된 노광대상쇼트의 모두에 레티클 (R2) 의 패턴이 겹쳐 전사된다.
이상의 이중노광에 의해 웨이퍼 (W) 상의 각 쇼트영역에 선폭이 매우 가는 고립선의 이미지가 각각 형성되고, 이 웨이퍼 (W) 를 현상장치에 의해 현상함으로써 웨이퍼 (W) 상의 각 쇼트영역에 선폭이 매우 가는 고립선의 레지스트이미지가 형성된다.
여기에서, 상기의 설명에서는 번잡화를 피하기 위해 굳이 설명을 생략했지만, 본 실시 형태의 노광장치 (100) 에서는 주제어장치 (20) 에 의해 제 1 회째의 노광과 제 2 회째의 노광에서 쇼트간 스테핑시의 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 최고이동속도 (및 가감속도) 및 위치결정정정을 판단하는 위치오차의 허용치가 변경되고 있다.
이것에 대하여 더욱 상세하게 서술한다. 도 2 에는 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 제 1 회째 노광시의 쇼트간 스테핑시 속도의 시간변화 (a) 와, 제 2 회째 노광시의 쇼트간 스테핑시 속도의 시간변화 (b) 가 각각 개략적으로 나타나 있다. 또, 도 3A 에는 도 2 중의 (a) 의 경우에 대응하는 감속종료후의 목표치에 대한 위치오차의 시간변화가 나타나고, 도 3B 에는 도 2 중의 (b) 의 경우에 대응하는 감속종료후의 목표치에 대한 위치오차의 시간변화가 나타나 있다.
도 2 로부터 명확한 바와 같이, 쇼트간 스테핑시의 최고이동속도 (스테핑속도) 가 보다 빠른 제 2 회째의 노광시가 쇼트간 스테핑시간 그 자체는 명확하게 짧다. 따라서, 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 스테핑속도를 빠르게 하면, 그 만큼 웨이퍼 (W) 의 노광처리에 요하는 시간 (노광처리시간) 의 단축이 가능하다. 단, 스테핑속도를 높게 하면, 한정된 거리 (쇼트간 거리) 를 보다 고속으로 이동하기 때문에, 도 2 로부터도 명확한 바와 같이, 가감속도의 절대치가 커진다. 그 결과, 도 3A 와 도 3B 를 비교하면 알 수 있는 바와 같이, 위치결정시의 진동이 보다 커진다. 그 때문에, 예컨대 위치결정의 정정을 판단하는 목표치에 대한 위치오차 (err) 의 허용치 (통상 표준편차, 즉 RMS 치를 기준으로 하여 정해짐) 가 모두 동일한 값 (A) 이라고 하면, 스테핑속도가 고속인 경우가 그 위치결정이 정정되기까지의 시간 (위치결정 정정시간) 이 필연적으로 길어진다.
그래서, 주제어장치 (20) 에서는 요구되는 노광정밀도에 관한 데이터, 예컨대 레티클 (R1) 에 관한 정보와 레티클 (R2) 에 관한 정보에 기초하여 제 1 회째의 노광시와 제 2 회째의 노광시에 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 이동상태를 도 2 에 나타난 바와 같이 변경함과 동시에, 제 2 회째의 노광시의 상기 위치오차 (err) 의 허용치를 도 3B 에 나타난 값 (B) 으로 변경하고 있다. 이에 의해, 도 3B 에 나타난 바와 같이, 제 2 회째의 노광시의 위치결정의 완료가 T1 만큼 빠르게 이루어지게 된다. 이 결과, 도 3A 와 도 3B 를 비교하면 알 수 있는 바와 같이, 위치결정 정정시간을 증가시키지 않고, 제 2 회째의 노광시에 제 1 회째의 노광시보다 스테핑시간을 단축할 수 있도록 되어 있다.
또, 주제어장치 (20) 에서는 상기와 마찬가지로 요구되는 노광정밀도에 관한 데이터, 예컨대 레티클 (R1) 에 관한 정보와 레티클 (R2) 에 관한 정보에 기초하여제 1 회째의 노광시와 제 2 회째의 노광시에 노광을 위한 양 스테이지 (RST, WST) 의 이동상태 (스캔속도, 가감속도) 를 변경하고 있다. 물론, 제 1 회째보다 제 2 회째의 노광시의 스캔속도를 높게 하고 있다. 스캔속도를 증가시키면, 노광시간 (주사노광시간) 이 단축되는 것은 명확하다.
이 경우, 상술한 바와 같이, 조명조건으로서 제 1 회째의 노광시에 변형조명을 채택하고, 제 2 회째의 노광시에 통상조명을 채택하기 때문에, 제 2 회째가 웨이퍼면 (이미지면) 의 조도 (웨이퍼 (W) 에 조사되는 에너지빔의 강도) 가 높아진다. 그래서, 주제어장치 (20) 에서는 이 조도변화에 따라 2 회째의 노광시의 스캔속도를 높게 설정하고, 이에 의해 항상 원하는 적산노광량이 웨이퍼 (W) 상의 각 점에 부여되도록 하고 있다.
또, 스캔속도를 증가시키는 경우에는 레티클 스테이지 (RST) 의 이동 스트로크가 한정되어 있는 관계에서 스캔 (등속동기이동구간) 전후의 가감속도를 크게 해야 한다. 그 때문에, 양 스테이지 (RST, WST) 의 가속종료후의 목표속도에 대한 오차 (따라서, 목표위치에 대한 오차) 가 커지고, 그 결과, 동일한 위치오차의 허용치에 기초하여 동기정정의 완료를 판단하면, 양 스테이지 (RST, WST) 가 등속동기상태에 달하기까지의 시간 (동기정정시간) 이 길어진다. 그래서, 주제어장치 (20) 에서는 스캔속도를 증가시킴에 따라 동기정정을 결정하는 위치오차의 허용치를 크게 함으로써 제 1 회째의 노광시에 비교하여 제 2 회째의 노광시의 동기정정시간을 증가시키지 않도록 하고 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 관계되는 노광장치 (100) 에 의하면, 동일 웨이퍼 (W) 에 대하여 2 회의 노광을 반복하여 행하는 경우, 예컨대 웨이퍼 (W) 상에 선폭이 매우 가는 고립선을 베이킹하기 위해 웨이퍼 (W) 상의 각 쇼트영역에 상술한 레티클 (R1, R2) 을 사용하여 이중노광을 행하는 경우, 주제어장치 (20) 가 각 회의 노광에 요구되는 노광정밀도 (본 실시 형태에서는 일례로서 상술한 바와 같이 레티클 (R1, R2) 에 관한 정보에 기초하여 판단됨) 에 따라 a. 쇼트간 스테핑시의 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 이동상태 (스테핑속도, 가감속도) 및 다음 쇼트의 주사개시위치로의 위치결정의 정정을 판단하는 목표치에 대한 위치오차 (err) 의 허용치, b. 노광을 위한 양 스테이지 (RST, WST) 의 이동상태 (스캔속도, 가감속도) 및 스캔속도의 증가에 따른 동기정정을 결정하는 위치오차의 허용치, c. 레티클 얼라인먼트의 파인모드 또는 퀵모드의 설정 등을 변경한다. 이 경우, 주제어장치 (20) 에서는 어느 제어팩터에 대해서도 요구되는 노광정밀도가 좋은 제 1 회째의 노광에 대해서는 스루풋보다 해상력을 중시한 상태가 되고, 요구되는 노광정밀도가 그다지 높지 않은 노광에 대해서는 반대로 해상력보다 스루풋을 중시한 상태가 되도록 변경한다.
상기 a. 의 쇼트간 스테핑시의 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 이동상태 (스테핑속도, 가감속도) 및 다음 쇼트의 주사개시위치로의 위치결정의 정정을 판단하는 목표치에 대한 위치오차 (err) 의 허용치의 변경에 의해 상술한 바와 같이, 위치결정 정정시간을 증가시키지 않고, 제 1 회째의 노광시와 비교하여 제 2 회째의 노광시의 스테핑시간을 단축할 수 있기 때문에, 결과적으로 노광처리시간을 단축할 수 있다.
단, 반드시 이와 같이 할 필요는 없고, 스테핑속도의 향상에 의한 노광처리시간의 단축과 위치결정 정정시간의 증가를 고려하여, 전체적으로 스루풋이 향상될 정도로 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 스테핑시의 속도 및 가감속도 (이동상태) 를 변경하는 것이면, 상기 위치결정의 정정을 판단하는 목표치에 대한 위치오차 (err) 의 허용치로서 항상 동일한 값을 사용해도 된다.
또는, 제 1 회째의 노광시와 제 2 회째의 노광시에 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 스테핑시의 속도 및 가감속도 (이동상태) 를 변경하지 않고, 위치결정시의 위치오차의 허용치만을 변경해도 된다. 이 위치오차의 허용치를 크게 하면, 보다 단시간에 위치결정상태라고 판단하게 되므로, 그 만큼 빨리 다음의 동작 (예컨대, 노광을 위한 레티클 스테이지 (RST), 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 주사동작) 을 개시할 수 있기 때문에, 전체적인 노광처리시간의 단축이 가능하게 된다.
또, 상기 b. 의 노광을 위한 양 스테이지 (RST, WST) 의 이동상태 (스캔속도, 가감속도) 및 스캔속도의 증가에 따른 동기정정을 결정하는 위치오차의 허용치의 변경에 의해 상술한 바와 같이, 노광시의 동기정정시간을 증가시키지 않고, 제 1 회째의 노광시와 비교하여 제 2 회째의 노광시에 스캔속도의 증가에 의해 주사노광시간을 단축할 수 있다.
단, 이것에 한정되지 않고, 스캔속도의 향상에 의한 주사노광시간의 단축과 동기정정시간의 증가를 고려하여, 전체적으로 스루풋이 향상될 정도로 양 스테이지 (RST, WST) 의 주사시의 이동상태 (속도 및 가감속도) 를 변경하는 것이면, 상기 동기정정을 판단하는 위치오차의 허용치로서 항상 동일한 값을 사용해도 된다.
또는, 레티클 스테이지 (RST) 와 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 스캔속도 등을 변경하지 않고, 양 스테이지의 동기정정을 결정하는 위치오차의 허용치를 크게 해도 된다. 이 경우, 보다 단시간에 동기정정상태가 되므로, 그 만큼 빨리 다음의 노광동작 (노광광 (IL) 의 조사동작) 을 개시할 수 있고, 전체적인 노광처리시간의 단축이 가능하게 된다.
상기 c. 의 레티클 얼라인먼트의 모드의 변경에 의해 제 1 회째의 노광에 비교하여 제 2 회째의 레티클 얼라인먼트에 요하는 시간은 명확하게 단축되며, 각 회의 노광시에 파인모드의 레티클 얼라인먼트를 행하는 경우에 비교하여 스루풋의 향상이 가능하다. 이 레티클 얼라인먼트는 레티클과 웨이퍼의 상대위치맞춤 (겹침) 을 위해 행해지는 것이므로, 본 실시 형태에서는 주제어장치 (20) 가 레티클 얼라인먼트의 모드의 변경이라는 수단에 의해 결과적으로 노광시의 레티클 패턴과 웨이퍼의 상대위치맞춤 정밀도를 변경하고 있다.
본 실시 형태의 노광장치 (100) 에 의하면, 상기 a. ∼ c. 와 같은 여러 가지의 스루풋 제어 팩터가 주제어장치 (20) 에 의해 요구되는 노광정밀도에 따라 상술한 바와 같이 변경되기 때문에, 동일 웨이퍼에 대한 상기 이중노광시, 매회 동일한 스루풋 제어 팩터에 기초하여 노광시스템 (102) 이 제어되는 경우에 비교하여 명확하게 스루풋을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 한편, 요구되는 노광정밀도가 그다지 높지 않은 제 2 회째의 노광, 환언하면 어느 정도의 노광정밀도의 저하를 허용할 수 있는 경우에만 스루풋을 보다 중시한 상태가 되도록 스루풋 제어 팩터가 변경되기 때문에, 결과적으로 노광정밀도에 대해서는 충분한 정밀도를 유지할 수 있다. 그리고, 상기 a. ∼ c. 의 스루풋 제어 팩터중, 예컨대 상기 c. 의 팩터의 변경을 행하지 않아도 된다. 즉, 제 1 회째의 노광과 제 2 회째의 노광에서 얼라인먼트를 제외한 노광동작에 관련된 적어도 하나의 스루풋 제어 팩터를 변경하는 것만으로도 된다.
그리고, 상기에서는 선폭이 매우 가는 고립선의 패턴을 웨이퍼 (W) 상에 베이킹하기 위한 이중노광에 관하여 설명했는데, 이것에 한정되지 않고, 마찬가지로 패턴사이즈를 규정하기 위한 제 1 회째의 노광과 패턴형상을 규정하기 위한 제 2 회째의 노광을 포함하는 이중노광이면, 본 실시 형태의 노광장치 (100) 에 의해 상기와 거의 동일하게 하여 노광정밀도를 충분히 유지하고 또한 스루풋을 향상시킬 수 있다.
이러한 이중노광방법의 다른 예로서는, 예컨대 제 1 패턴으로서 설정치 (최종적으로 얻고 싶은 것) 보다도 길이가 긴 L/S 나 고립라인을 사용하고, 상기 제 1 패턴의 전사시, 변형조명 또는 위상시프트레티클을 사용하여 해상도와 초점심도 (DOF) 의 향상을 도모하고, 그들 라인패턴의 양단부의 가늘어지는 부분을 제거하기 위해, 제 2 패턴으로서 각 라인패턴에 대응하는 틀형 패턴을 통상조명 조건하에서 전사하는 노광방법이 있다. 이러한 노광방법은, 예컨대 일본 공개특허공보 평10-284377 호 및 이것에 대응하는 미국특허출원번호 제 055,949 (출원일 Apr. 7, 1998) 등에 개시되어 있고, 이 미국특허출원에서의 개시를 원용하여 본 명세서의 기재의 일부로 한다.
그 외의 예로서는, 예컨대 일본 공개특허공보 평2-166717 호 등에 상세하게개시되는, 웨이퍼상에 형상이 작은 네모진 패턴을 베이킹하기 위한 광근접장 보정 (OPC) 을 들 수 있다. 이 OPC 에서는 제 1 회째의 노광에서 필요한 회로패턴 뿐만 아니라, 불필요한 패턴까지 베이킹한다. 제 2 회째의 노광에서는 불필요한 패턴을 없애기 위한 노광을 행하는데, 제 2 회째의 노광에서는 제 1 회째의 노광만큼의 정밀도는 필요하지 않게 된다. 따라서, 상기와 마찬가지로 요구되는 노광정밀도에 따라 스루풋 제어 팩터를 변경 (제어정밀도를 변경) 함으로써 제 2 회째의 노광에 걸리는 시간이 단축되어 스루풋의 향상을 도모하는 것이 가능하게 된다.
그리고, 상기 실시 형태에서는 동일 웨이퍼의 이중노광의 경우에 대하여 설명했는데, 요구되는 노광정밀도에 따라 스루풋 제어 팩터를 변경한다는 (제어정밀도를 변경) 수법은 삼중노광 이상의 다중노광에도 그대로 적용할 수 있는 것은 특별히 설명을 요하지 않을 것이다.
또한, 이제까지의 설명에서는 본 발명이 이중노광 등의 다중노광시에 적용되는 경우에 대하여 설명했는데, 각 회의 노광에 요구되는 노광정밀도에서 다른 것이면, 동일 웨이퍼 (기판) 상의 인접하는 구획영역에 패턴을 연결하여 전사하는 연결노광 (스티칭노광) 시에도 본 발명은 동일하게 적용할 수 있다.
이 외에, 각 회 (각 층) 의 노광에 요구되는 노광정밀도가 다른 것이면, 제 1 회째의 노광과 제 2 회째의 노광은 동일 웨이퍼 (기판) 에 대한 다른 층 (레이어) 의 노광이어도 된다. 이 경우에 있어서, 상술한 바와 동일하게, 제 1 회째의 노광이 패턴사이즈를 규정하기 위한 노광이고, 제 2 회째의 노광이 패턴형상을규정하기 위한 노광이어도 된다. 이러한 경우에는 제 2 회째의 노광시의 제어정밀도 (상기 실시 형태에 기초하여 서술하면, 상술한 a. ∼ c. 와 같은 스루풋 제어 팩터의 변경에 의해 변경되는 정밀도) 를 제 1 회째의 노광시의 제어정밀도보다 좋지 않게 설정하면 된다. 이에 의해, 상기 실시 형태의 경우와 마찬가지로, 노광정밀도를 충분히 유지하면서, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
예컨대, 동일 웨이퍼에 대한 다른 층 (레이어) 의 노광을 행하는 경우에는 주제어장치 (20) 가 각 층의 노광에 요구되는 노광정밀도에 따라 상기 실시 형태와 동일하게, 쇼트간 스테핑시의 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 이동상태와 위치결정시의 위치오차의 허용치의 적어도 일측, 주사노광시의 레티클 스테이지 (RST), 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 이동상태 (스캔속도, 가감속도) 및 이것에 대응하는 웨이퍼면 조도와 동기정정을 판단하는 위치오차의 허용치의 적어도 일측, 또는 상술한 레티클 얼라인먼트의 모드, 또는 이들 3 자 모두 변경하는 것으로 할 수 있다. 이 대신에, 또는 이들에 더해 주제어장치 (20) 에서는 제 2 층째 이후의 노광시, 각 층의 노광에 앞서 행해지는 상술한 EGA 의 샘플쇼트수 또는 샘플마크수를 요구되는 노광정밀도에 따라 변경해도 된다. 이 경우, 요구되는 노광정밀도가 좋을 때에는 EGA 샘플쇼트수를 많게 하고, 요구되는 노광정밀도가 그다지 좋지 않은 경우에는 샘플쇼트수를 적게 하도록 하면, 요구되는 노광정밀도에 의하지 않고, 항상 동수의 샘플쇼트수를 사용하는 경우에 비교하여 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또, 노광정밀도도 충분히 유지할 수 있다. 이 경우, EGA 샘플쇼트수의 변경에 의해 레티클과 웨이퍼의 상대위치맞춤 정밀도가 변경되는 것은 말할 필요도 없다.또, 복수의 웨이퍼 얼라인먼트 모드 (예컨대, EGA 모드와, 샘플쇼트마다 좌표치를 산출해야 하는 쇼트의 거리에 따른 무게를 그 위치정보에 부여하는 가중 EGA 모드 등을 포함) 를 사용 가능하게 하고, 상술한 노광정밀도에 따라 그 모드를 변경해도 된다.
이제까지 설명한 것 대신에, 또는 더해 주제어장치 (20) 에서는 스루풋 제어 팩터로서 각 회의 노광시에 광원 (1) 으로부터 출사되고 웨이퍼 (W) 에 조사되는 펄스광의 에너지 편차의 허용치, 및 반복주파수의 적어도 일측을 요구되는 노광정밀도에 따라 변경해도 된다. 펄스광의 에너지강도 편차의 허용치가 크면, 조정시간을 그 만큼 단축할 수 있다. 또, 반복주파수가 높아지면, 그에 따라 파워가 증대하고, 재계측이 필요하게 되는데, 요구되는 노광정밀도가 좋지 않으면, 상기 재계측을 생략해도 지장은 없다. 따라서, 재계측의 생략과, 반복주파수를 높게 하는 것에 의한 파워의 증대 (주사형 노광장치의 경우, 스캔속도를 이에 따라 조정할 필요가 있음) 에 의해 노광시간의 단축이 가능하게 된다.
그리고, 상기 실시 형태에서는 주제어장치 (20) 가 요구되는 노광정밀도에 따라 노광시마다, 스스로의 판단으로 상기 스루풋 제어 팩터를 변경하는 경우에 대하여 설명했는데, 본 발명이 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 상기 실시 형태와 동일하게, 제어시스템이 노광시스템의 제어를 행하기 위한 각종 파라미터가 설정되는 프로세스 프로그램 파일을 갖는 경우에는 프로세스 프로그램 파일에 각 회의 노광시에 사용되는 상기 제어팩터에 관련된 파라미터의 값이 개별적으로 설정 가능한 것으로 해도 된다. 이러한 경우에는 오퍼레이터가 미리 프로세스 프로그램 파일에 각 회의 노광에서 사용되는 각종 파라미터의 값을 개별적으로 설정함으로써, 제어시스템이 그 프로세스 프로그램 파일에 따라 노광시스템의 제어를 행함으로써, 요구되는 노광정밀도에 따라 각 회의 노광시 상기 제어팩터의 변경이 행해지게 된다. 따라서, 판단 프로그램을 포함하는 복잡한 노광처리 프로그램 (소프트웨어) 을 새로이 작성하지 않고, 종래의 프로세스 프로그램 파일의 간단한 변경으로 충분하다.
또, 상기 실시 형태에서는 본 발명이 스텝ㆍ앤드ㆍ스캔 방식의 주사형 노광장치에 적용된 경우에 대하여 설명했는데, 본 발명의 적용범위가 이것에 한정되는 것은 아니며, 스테퍼 등의 정지노광형 노광장치에도 적합하게 적용할 수 있는 것이다. 스테퍼의 경우, 제어시스템은 이제까지 설명한 스루풋 제어 팩터 (단, 스캔에 관련된 것을 제외) 대신 또는 이와 함께 각 회의 노광시의 초점어긋남의 허용치를 변경하는 것으로 해도 된다.
예컨대, 요구되는 노광정밀도가 좋은 경우에는 노광시에 허용되는 초점어긋남량은 매우 작아지고, 요구되는 노광정밀도가 좋지 않으면 노광시에 허용되는 초점어긋남량은 다소 커도 영향은 거의 없다. 따라서, 제어시스템에서는 요구되는 노광정밀도가 좋은 경우에는 그에 따라 노광시의 초점어긋남의 허용치를 작게 하고, 요구되는 노광정밀도가 그다지 좋지 않은 경우에는 노광시의 초점어긋남의 허용치를 다소 크게 설정한다. 이 결과, 전자에 비교하여 후자의 경우 포커스를 맞추는 시간이 짧아지고, 요구되는 노광정밀도에 관계 없이 노광시의 초점어긋남의 허용치를 일률적으로 설정하는 경우에 비교하여 노광처리시간의 단축이 가능하게 된다. 이 경우, 노광정밀도를 충분히 유지할 수 있다.
또, 스테퍼의 경우에는, 예컨대 일본 공개특허공보 평7-122473 호 및 이것에 대응하는 미국특허출원번호 제 240,599 (출원일 Feb. 1, 1999) 등에 개시된 바와 같이, 레티클 (마스크) 측에도 EGA 와 동일한 수법을 사용하고, 투영광학계를 통한 레티클의 배율, 로테이션 등을 구하는 얼라인먼트법이 채택되는 경우가 있는데, 요구되는 노광정밀도에 따라 그 EGA 의 샘플마크수를 변경함으로써 마스크와 기판의 상대위치맞춤 정밀도를 변경하는 것으로 해도 된다. 상기 미국특허출원에서의 개시를 원용하여 본 명세서의 기재의 일부로 한다.
또한, 스테퍼의 경우, 기판에 조사되는 에너지빔의 강도 (기판상의 조도) 를 강하게 하면, 그 만큼 기판에 대한 노광시간을 단축할 수 있기 때문에, 노광처리시간의 단축에 의해 스루풋의 향상이 가능하다. 이 기판상의 조도를 변경할 때, 에너지빔원이 펄스레이저 광원인 경우, 반복주파수를 보다 큰 주파수로 하거나, 에너지빔원으로부터의 1 펄스당의 에너지값을 증가시키거나, 또는 에너지빔원과 기판의 사이의 광로중의 감광소자의 감광율을 변경하는 등을 행해도 된다.
또, 본 발명은 투영광학계를 사용하지 않는 프록시미티 방식의 X 선 노광장치 등에도 적용이 가능하다.
그리고, 상기 실시 형태에서는 본 발명이 노광광 (IL) 으로서 ArF 엑시머 레이저광 (파장 193 ㎚) 또는 F2레이저광 (파장 157 ㎚) 등을 사용하는 노광장치에 적용된 경우에 대하여 설명했는데, 이것에 한정되지 않고, 파장 146 ㎚ 의 Kr2레이저광, 파장 126 ㎚ 의 Ar2레이저광 등의 진공자외광을 사용하는 노광장치, 또는 파장 5 ∼ 30 ㎚ 의 연(軟) X 선 영역의 EUV 광을 사용하는 EUV 노광장치 등에도 본 발명은 적합하게 적용할 수 있다.
이 외에, 본 발명에서는 에너지빔으로서 DFB 반도체 레이저 또는 파이버 레이저로부터 발진되는 적외역, 또는 가시역의 단일파장 레이저광을, 예컨대 에르븀 (또는 에르븀과 이텔븀의 양측) 이 도프된 파이버 증폭기로 증폭하고, 비선형 광학결정을 사용하여 자외광으로 파장변환한 고조파를 사용해도 된다.
예컨대, 단일파장 레이저의 발진파장을 1.51 ∼ 1.59 ㎛ 범위내로 하면, 발생파장이 189 ∼ 199 ㎚ 범위내인 8 배 고조파, 또는 발생파장이 151 ∼ 159 ㎚ 범위내인 10 배 고조파가 출력된다. 특히 발진파장을 1.544 ∼ 1.553 ㎛ 범위내로 하면, 발생파장이 193 ∼ 194 ㎚ 범위내의 8 배 고조파, 즉 ArF 엑시머 레이저광과 거의 동일파장이 되는 자외광이 얻어지고, 발진파장을 1.57 ∼ 1.58 ㎛ 범위내로 하면, 발생파장이 157 ∼ 158 ㎚ 범위내의 10 배 고조파, 즉 F2레이저광과 거의 동일파장이 되는 자외광이 얻어진다.
또, 발진파장을 1.03 ∼ 1.12 ㎛ 범위내로 하면, 발생파장이 147 ∼ 160 ㎚ 범위내인 7 배 고조파가 출력되고, 특히 발진파장을 1.099 ∼ 1.106 ㎛ 범위내로 하면, 발생파장이 157 ∼ 158 ㎛ 범위내의 7 배 고조파, 즉 F2레이저광과 거의 동일파장이 되는 자외광이 얻어진다. 이 경우, 단일파장 발진레이저로서는 예컨대 이텔븀ㆍ도프ㆍ파이버 레이저를 사용할 수 있다.
그리고, 상기 실시 형태에서 나타낸 투영광학계나 조명광학계는 그저 일례로서, 본 발명이 이것에 한정되지 않는 것은 물론이다. 예컨대, 투영광학계로서 굴절광학계에 한정되지 않고, 반사광학소자만으로 이루어지는 반사계, 또는 반사광학소자와 굴절광학소자를 갖는 반사굴절계 (카타디오프트릭계) 를 채택해도 된다.
또한, 반도체소자의 제조에 사용되는 노광장치 뿐만 아니라, 액정표시소자 등을 포함하는 디스플레이의 제조에 사용되는 디바이스 패턴을 유리플레이트상에 전사하는 노광장치, 박막자기헤드의 제조에 사용되는 디바이스 패턴을 세라믹 웨이퍼상에 전사하는 노광장치, 및 촬상소자 (CCD 등), 마이크로머신, 및 DNA 칩 등의 제조, 나아가서는 마스크 또는 레티클의 제조 등에 사용되는 노광장치 등에도 본 발명을 적용할 수 있다.
그리고, 복수의 렌즈로 구성되는 조명광학계, 투영광학계 (PL) 를 노광장치의 보디에 장치하고, 광학조정을 함과 동시에, 다수의 기계부품으로 이루어지는 레티클 스테이지 (RST) 나 웨이퍼 스테이지 (WST) 등을 노광장치의 보디에 장착하여 배선이나 배관을 접속하고, 또한 종합조정 (전기조정, 동작확인 등) 을 함으로써 상기 실시 형태의 노광장치 (100) 등의 본 발명에 관계되는 노광장치를 제조할 수 있다. 또한, 노광장치의 제조는 온도 및 클린도 등이 관리된 클린룸에서 행하는 것이 바람직하다.
《디바이스 제조방법》
다음으로, 상술한 노광장치 (100) 및 그 노광방법을 리소그래피 공정에서 사용한 디바이스의 제조방법의 실시 형태에 대하여 설명한다.
도 4 에는 디바이스 (IC 나 LSI 등의 반도체 칩, 액정패널, CCD, 박막자기헤드, 마이크로머신 등) 의 제조예의 플로차트가 나타나 있다. 도 4 에 나타난 바와 같이, 먼저 스텝 (201) (설계 스텝) 에서 디바이스의 기능ㆍ성능설계 (예컨대, 반도체 디바이스의 회로설계 등) 를 행하고, 그 기능을 실현하기 위한 패턴설계를 행한다. 이어서, 스텝 (202) (마스크 제작 스텝) 에서 설계한 회로패턴을 형성한 마스크를 제작한다. 한편, 스텝 (203) (웨이퍼 제조 스텝) 에서 실리콘 등의 재료를 사용하여 웨이퍼를 제조한다.
다음으로, 스텝 (204) (웨이퍼 처리 스텝) 에서 스텝 (201) ∼ 스텝 (203) 에서 준비한 마스크와 웨이퍼를 사용하여 후술하는 바와 같이, 리소그래피 기술 등에 의해 웨이퍼상에 실제의 회로 등을 형성한다. 이어서, 스텝 (205) (디바이스 조립 스텝) 에서 스텝 (204) 에서 처리된 웨이퍼를 사용하여 디바이스 조립을 행한다. 이 스텝 (205) 에는 다이싱 공정, 본딩 공정 및 패키징 공정 (칩 봉입) 등의 공정이 필요에 따라 포함된다.
마지막으로, 스텝 (206) (검사 스텝) 에서 스텝 (205) 에서 제작된 디바이스의 동작확인 테스트, 내구성 테스트 등의 검사를 행한다. 이러한 공정을 거친 후 디바이스가 완성되고, 이것이 출하된다.
도 5 에는 반도체 디바이스의 경우에서의 상기 스텝 (204) 의 상세한 플로예가 나타나 있다. 도 5 에 있어서, 스텝 (211) (산화 스텝) 에서는 웨이퍼의 표면을 산화시킨다. 스텝 (212) (CVD 스텝) 에서는 웨이퍼 표면에 절연막을 형성한다. 스텝 (213) (전극형성 스텝) 에서는 웨이퍼상에 전극을 증착에 의해 형성한다. 스텝 (214) (이온주입 스텝) 에서는 웨이퍼에 이온을 주입한다. 이상의 스텝 (211) ∼ 스텝 (214) 각각은 웨이퍼 처리의 각 단계의 전처리공정을 구성하고 있으며, 각 단계에서 필요한 처리에 따라 선택되어 실행된다.
웨이퍼 프로세스의 각 단계에서 상술한 전처리공정이 종료하면, 이하와 같이 하여 후처리공정이 실행된다. 이 후처리공정에서는 먼저 스텝 (215) (레지스트형성 스텝) 에서 웨이퍼에 감광제를 도포한다. 이어서, 스텝 (216) (노광 스텝) 에서 상기에서 설명한 리소그래피 시스템 (노광장치) 에 의해 마스크의 회로패턴을 웨이퍼에 전사한다. 다음으로, 스텝 (217) (현상 스텝) 에서는 노광된 웨이퍼를 현상하고, 스텝 (218) (에칭 스텝) 에서 레지스트가 잔존하고 있는 부분 이외의 부분의 노출부재를 에칭에 의해 제거한다. 그리고, 스텝 (219) (레지스트제거 스텝) 에서 에칭이 끝나 불필요해진 레지스트를 제거한다.
이들 전처리공정과 후처리공정을 반복하여 행함으로써 웨이퍼상에 다중으로 회로패턴이 형성된다.
이상 설명한 본 실시 형태의 디바이스 제조방법에 의하면, 노광공정 (스텝 (216)) 에서 상기 실시 형태의 노광장치 및 그 노광방법을 사용하여 노광이 행해지기 때문에, 노광정밀도를 충분히 유지하면서, 스루풋을 향상시켜 노광이 행해진다. 따라서, 미세패턴을 갖는 마이크로 디바이스의 수율을 저하시키지 않고, 그 스루풋을 향상시켜 생산성을 향상시킬 수 있다.
상술한 본 발명의 실시 형태는 현재의 상황에서의 적합한 실시 형태인데, 리소그래피 시스템의 당업자는 본 발명의 정신과 범위에서 일탈하지 않고, 상술한 실시 형태에 대하여 많은 부가, 변형, 치환을 하는 것에 용이하게 상도할 것이다. 모든 이러한 부가, 변형, 치환은 이하에 기재되는 청구의 범위에 의해 가장 적확하게 명시되는 본 발명의 범위에 포함되는 것이다.

Claims (37)

  1. 동일기판에 대하여 적어도 2 회의 노광을 반복하여 행하는 노광방법으로서,
    요구되는 제 1 노광정밀도에 대응하여 제 1 제어정밀도로 기판에 대한 제 1 노광을 행하는 공정; 및
    요구되는 상기 제 1 노광정밀도와 다른 제 2 노광정밀도에 대응하여 제 2 제어정밀도로 상기 기판에 대한 제 2 노광을 행하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 노광과 제 2 노광은 상기 기판에 대한 다른 층의 노광인 것을 특징으로 하는 노광방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 노광과 제 2 노광은 상기 기판에 대한 동일층의 노광인 것을 특징으로 하는 노광방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 노광과 제 2 노광은 상기 기판상의 인접하는 구획영역에 패턴을 연결하여 전사하는 연결노광인 것을 특징으로 하는 노광방법.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 노광과 제 2 노광은 상기 기판상의 동일영역에 패턴을 겹쳐 전사하는 다중노광인 것을 특징으로 하는 노광방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 노광은 상기 기판에 대하여 행해지는 패턴사이즈를 규정하기 위한 노광이고,
    상기 제 2 노광은 상기 기판에 대하여 행해지는 패턴형상을 규정하기 위한 노광인 것을 특징으로 하는 노광방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 제어정밀도를 상기 제 1 제어정밀도보다 낮게 설정하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 노광과 제 2 노광은 상기 기판에 대한 다른 층의 노광인 것을 특징으로 하는 노광방법.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 노광과 상기 제 2 노광은 상기 기판에 대한 동일층의 노광인 것을 특징으로 하는 노광방법.
  10. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 노광과 제 2 노광은 상기 기판상의 인접하는 구획영역에 패턴을 연결하여 전사하는 연결노광인 것을 특징으로 하는 노광방법.
  11. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 노광과 상기 제 2 노광은 상기 기판상의 동일영역에 패턴을 겹쳐 전사하는 다중노광인 것을 특징으로 하는 노광방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 제어정밀도는 상기 기판상의 복수의 구획영역을 소정의 기준위치에 위치결정할 때의 상기 기판의 이동상태, 상기 위치결정시의 위치오차의 허용치, 상기 기판에 전사되는 패턴이 형성된 마스크와 상기 기판의 상대위치맞춤 정밀도, 상기 마스크와 기판을 소정방향으로 동기이동할 때의 이동상태, 및 상기 동기이동시의 정정(整定)을 결정하기 위한 허용치중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  13. 에너지빔을 패턴이 형성된 마스크에 조사하여 상기 마스크의 패턴을 기판 스테이지에 지지된 기판에 전사하는 노광시스템; 및
    상기 노광시스템을 전체적으로 제어함과 동시에, 동일기판에 대하여 적어도 2 회의 노광을 반복하여 행할 때, 각 회의 노광에 요구되는 노광정밀도에 따라 스루풋에 기여하는 상기 노광시스템의 제어팩터를 변경하는 제어시스템을 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 제어시스템은 동일기판에 대한 다른 층의 노광을 행할 때, 각 층의 노광에 요구되는 노광정밀도에 따라 스루풋에 기여하는 상기 노광시스템의 제어팩터를 변경하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 제어시스템은 동일기판에 대한 동일층의 적어도 2회의 노광을 행할 때, 각 회의 노광에 요구되는 노광정밀도에 따라 스루풋에 기여하는 상기 노광시스템의 제어팩터를 변경하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 제어시스템은 상기 노광시스템을 제어하여 상기 동일기판에 대한 동일층의 적어도 2 회의 노광으로서 상기 기판상의 인접하는 구획영역에 패턴을 연결하여 전사하는 연결노광을 행하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 제어시스템은 상기 노광시스템을 제어하여 상기 동일기판에 대한 동일층의 적어도 2 회의 노광으로서 상기 기판상의 동일영역에 상기 패턴을 겹쳐 전사하는 다중노광을 행하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 제어시스템은 동일기판에 대하여 패턴사이즈를 규정하기 위한 제 1 회째의 노광과 패턴형상을 규정하기 위한 제 2 회째의 노광을 적어도 포함하는 상기 다중노광을 위해 상기 노광시스템의 제어를 행하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  19. 제 13 항에 있어서, 상기 제어시스템에 의해 변경되는 상기 제어팩터에는 소정의 기준위치에 상기 기판상의 복수의 구획영역을 순차적으로 위치결정할 때의 상기 기판 스테이지의 이동상태와 상기 위치결정시의 위치오차의 허용치의 적어도 일측이 포함되는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  20. 제 13 항에 있어서, 상기 노광시스템은 상기 마스크로부터 출사된 상기 에너지빔을 상기 기판에 투사하는 투영광학계를 구비하고,
    상기 제어시스템에 의해 변경되는 상기 제어팩터에는 상기 각 회의 노광시의 초점어긋남의 허용치가 포함되는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  21. 제 13 항에 있어서, 상기 노광시스템은 상기 에너지빔을 출사하는 에너지빔원으로서 펄스레이저 광원을 구비하고,
    상기 제어시스템에 의해 변경되는 상기 제어팩터에는 상기 각 회의 노광시에 상기 펄스레이저 광원으로부터 출사되고 상기 기판에 조사되는 펄스광의 에너지강도 및 반복주파수의 적어도 일측이 포함되는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  22. 제 13 항에 있어서, 상기 제어시스템에 의해 변경되는 상기 제어팩터에는 상기 마스크의 패턴과 상기 기판의 상대위치맞춤 정밀도가 포함되는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  23. 제 22 항에 있어서, 상기 제어시스템에 의해 변경되는 상기 제어팩터는 상기 마스크 및 상기 기판의 적어도 일측의 얼라인먼트모드인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  24. 제 22 항에 있어서, 상기 제어시스템에 의해 변경되는 상기 제어팩터는 상기 기판의 얼라인먼트시의 샘플쇼트수 및 샘플마크수의 적어도 일측인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  25. 제 22 항에 있어서, 상기 제어시스템에 의해 변경되는 상기 제어팩터는 상기 마스크의 얼라인먼트시의 샘플마크수인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  26. 제 13 항에 있어서, 상기 노광시스템은 상기 마스크를 지지하는 마스크 스테이지와, 상기 각 회의 노광시마다 상기 마스크 스테이지와 상기 기판 스테이지를 동기하여 상기 에너지빔에 대하여 소정방향으로 구동하는 동기구동장치를 구비하고,
    상기 제어시스템에 의해 변경되는 상기 제어팩터에는 상기 각 회의 노광시의 상기 양(兩) 스테이지의 이동상태 및 상기 이동상태에 따른 상기 기판에 조사되는 상기 에너지빔의 강도와, 상기 양 스테이지의 동기정정(整定)을 결정하는 위치오차의 허용치의 적어도 일측이 포함되는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  27. 제 13 항에 있어서, 상기 제어시스템은 상기 노광시스템의 제어를 행하기 위한 각종 파라미터가 설정되는 프로세스 프로그램 파일을 가지며,
    상기 프로세스 프로그램 파일에는 상기 각 회의 노광을 위한 파라미터의 값이 개별적으로 설정 가능한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  28. 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조방법에 있어서,
    상기 리소그래피 공정에서 제 1 항에 기재된 노광방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  29. 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조방법에 있어서,
    상기 리소그래피 공정에서 제 13 항에 기재된 노광장치를 사용하여 노광을 행하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  30. 에너지빔에 대하여 제 1 및 제 2 물체를 각각 상대이동하고, 상기 제 1 물체를 통해 상기 에너지빔으로 상기 제 2 물체를 주사노광하는 노광방법에 있어서,
    상기 제 2 물체로의 전사정밀도가 다른 패턴을 사용하여 상기 제 2 물체상의 동일층에 대하여 복수회의 주사노광을 행함과 동시에, 상기 전사정밀도에 따라 상기 다른 패턴간에는 상기 주사노광의 제어팩터를 다르게 하는것을 특징으로 하는 노광방법.
  31. 제 30 항에 있어서, 상기 제어팩터는 스루풋에 기여하는 팩터를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  32. 제 30 항에 있어서, 상기 제어팩터는 상기 주사노광에 관한 상기 제 1 및 제2 물체의 이동제어팩터를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  33. 제 30 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다른 패턴을 각각 사용하여 스텝ㆍ앤드ㆍ스캔 방식으로 상기 제 2 물체상의 각 영역을 다중노광하고, 상기 제어팩터는 상기 다른 패턴중 상기 전사정밀도가 제 1 패턴보다도 낮은 제 2 패턴에서, 상기 제 2 물체의 주사노광에 관한 스루풋이 상기 제 1 패턴보다도 높아지도록 설정되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  34. 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조방법에 있어서,
    상기 리소그래피 공정에서 상기 제 2 물체상의 복수의 층에 각각 패턴을 형성함과 동시에, 상기 복수의 층의 적어도 하나에서 제 33 항에 기재된 노광방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  35. 에너지빔에 대하여 제 1 및 제 2 물체를 각각 상대이동하고, 상기 제 1 물체를 통해 상기 에너지빔으로 상기 제 2 물체를 주사노광하는 노광장치에 있어서,
    상기 제 2 물체로의 전사정밀도가 다른 패턴을 사용하여 상기 제 2 물체상의 동일층에 대하여 복수회의 주사노광을 행할 때, 상기 전사정밀도에 따라 상기 다른 패턴간에는 상기 주사노광의 제어팩터를 다르게 하는 제어시스템을 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  36. 제 35 항에 있어서, 상기 다른 패턴을 각각 사용하여 스텝ㆍ앤드ㆍ스캔 방식으로 상기 제 2 물체상의 각 영역을 다중노광하고, 상기 제어시스템은 상기 다른 패턴중 상기 전사정밀도가 제 1 패턴보다도 낮은 제 2 패턴에서, 상기 제 2 물체의 주사노광에 관한 스루풋이 상기 제 1 패턴보다도 높아지도록 상기 제어팩터를 설정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  37. 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조방법에 있어서,
    상기 리소그래피 공정에서 상기 제 2 물체상의 복수의 층에 각각 패턴을 형성함과 동시에, 상기 복수의 층의 적어도 하나에서 제 36 항에 기재된 노광장치를 사용하여 상기 적어도 하나의 층의 다중노광을 행하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
KR1020010005239A 2000-02-04 2001-02-03 노광방법 및 노광장치, 및 디바이스 제조방법 KR20010078323A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000028258 2000-02-04
JP2000-028258 2000-02-04
JP2001021000A JP2001291662A (ja) 2000-02-04 2001-01-30 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2001-021000 2001-07-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010078323A true KR20010078323A (ko) 2001-08-20

Family

ID=26584919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010005239A KR20010078323A (ko) 2000-02-04 2001-02-03 노광방법 및 노광장치, 및 디바이스 제조방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2001291662A (ko)
KR (1) KR20010078323A (ko)
SG (1) SG94750A1 (ko)
TW (1) TW527636B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4548735B2 (ja) * 2006-11-14 2010-09-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
US9529275B2 (en) 2007-02-21 2016-12-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography scanner throughput
JP6066592B2 (ja) * 2012-06-12 2017-01-25 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000286181A (ja) * 1999-03-30 2000-10-13 Seiko Epson Corp 露光装置
JP2000284492A (ja) * 1999-03-30 2000-10-13 Seiko Epson Corp 露光装置、露光方法及びプログラムを記録した記憶媒体
JP2000340493A (ja) * 1999-05-31 2000-12-08 Nikon Corp 露光方法、露光システムおよびデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001291662A (ja) 2001-10-19
TW527636B (en) 2003-04-11
SG94750A1 (en) 2003-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4345098B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP4370608B2 (ja) 走査露光方法、走査型露光装置及びその製造方法、並びにデバイス製造方法
KR100253054B1 (ko) 노광장치 및 노광방법
TWI431663B (zh) Measurement method and exposure method, and component manufacturing method
US6710850B2 (en) Exposure apparatus and exposure method
US20020041377A1 (en) Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
WO1999066370A1 (fr) Procede relatif a l'elaboration d'un masque
KR20020075432A (ko) 파면수차 측정장치, 파면수차 측정방법, 노광장치 및마이크로 디바이스의 제조방법
JP2004072076A (ja) 露光装置及びステージ装置、並びにデバイス製造方法
WO2007123189A1 (ja) 露光装置及び露光方法並びにデバイスの製造方法
JP2001358062A (ja) 露光方法及び露光装置
JP4392879B2 (ja) 投影露光装置及びデバイスの製造方法
US6641981B1 (en) Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2004014876A (ja) 調整方法、空間像計測方法及び像面計測方法、並びに露光装置
JPH11233434A (ja) 露光条件決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法
JP5668999B2 (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP4586954B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR20010078323A (ko) 노광방법 및 노광장치, 및 디바이스 제조방법
JP2006030021A (ja) 位置検出装置及び位置検出方法
JP2001144009A (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20050092434A (ko) 노광 장치
JP2008171947A (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2004128149A (ja) 収差計測方法、露光方法及び露光装置
JP2006073798A (ja) 位置決め装置及び露光装置
JP2006024674A (ja) ステージ制御装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination