JP2000286181A - 露光装置 - Google Patents
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- JP2000286181A JP2000286181A JP11089444A JP8944499A JP2000286181A JP 2000286181 A JP2000286181 A JP 2000286181A JP 11089444 A JP11089444 A JP 11089444A JP 8944499 A JP8944499 A JP 8944499A JP 2000286181 A JP2000286181 A JP 2000286181A
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- optical system
- exposure
- exposure optical
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70458—Mix-and-match, i.e. multiple exposures of the same area using a similar type of exposure apparatus, e.g. multiple exposures using a UV apparatus
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高解像度と低解像度のパターンが混在してい
てもスループットを可及的に向上させることを可能にす
る。 【解決手段】 第１の位置に配置された第１の露光光学
系２と、第２の位置に配置されて第１の露光光学系より
も解像度の高い第２の露光光学系４と、パターンが転写
される基板８０が載置される第１および第２のステージ
５，７と、第１および第２のステージを駆動するステー
ジ駆動部２０と、第１および第２のステージを前記第１
および第２の露光光学系の基準位置２ａ，４ａに停止す
るようにステージ駆動部を制御する駆動制御部２２と、
第１および第２の露光光学系のうちの一方の露光光学系
側に設けられ、一方の露光光学系のステージ上に載置さ
れた基板の位置を検出する基板位置検出部１０と、この
基板位置検出部の出力および基板の露光データが記憶さ
れる露光データ記憶部１４と、露光データ記憶部に記憶
されているデータに基づいて、第１および第２の露光光
学系を制御してパターンを前記基板上に転写する露光制
御部１２と、を備えたことを特徴とする。
てもスループットを可及的に向上させることを可能にす
る。 【解決手段】 第１の位置に配置された第１の露光光学
系２と、第２の位置に配置されて第１の露光光学系より
も解像度の高い第２の露光光学系４と、パターンが転写
される基板８０が載置される第１および第２のステージ
５，７と、第１および第２のステージを駆動するステー
ジ駆動部２０と、第１および第２のステージを前記第１
および第２の露光光学系の基準位置２ａ，４ａに停止す
るようにステージ駆動部を制御する駆動制御部２２と、
第１および第２の露光光学系のうちの一方の露光光学系
側に設けられ、一方の露光光学系のステージ上に載置さ
れた基板の位置を検出する基板位置検出部１０と、この
基板位置検出部の出力および基板の露光データが記憶さ
れる露光データ記憶部１４と、露光データ記憶部に記憶
されているデータに基づいて、第１および第２の露光光
学系を制御してパターンを前記基板上に転写する露光制
御部１２と、を備えたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置に関する
ものであって、特に液晶表示装置の製造に使用される。
ものであって、特に液晶表示装置の製造に使用される。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置は軽量かつ低消費電
力を達成するフラットパネルディスプレイとして注目を
集めている。これらの中でもアクティブマトリクス型液
晶表示装置は薄型、軽量、低電圧駆動が可能で、更にカ
ラー化も容易であるなどの特徴を備えているので、近
年、パーソルコンピュータ、ワープロ、携帯情報端末に
用いられる。
力を達成するフラットパネルディスプレイとして注目を
集めている。これらの中でもアクティブマトリクス型液
晶表示装置は薄型、軽量、低電圧駆動が可能で、更にカ
ラー化も容易であるなどの特徴を備えているので、近
年、パーソルコンピュータ、ワープロ、携帯情報端末に
用いられる。
【０００３】上記アクティブマトリクス型液晶表示装置
の画素部のスイッチング素子として薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓ
ｔｏｒ）ともいう）を用いたものは表示品位が高く、消
費電力が低いため、開発が盛んに行われている。
の画素部のスイッチング素子として薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓ
ｔｏｒ）ともいう）を用いたものは表示品位が高く、消
費電力が低いため、開発が盛んに行われている。
【０００４】ＴＦＴはアモルファスシリコンを用いたア
モルファスシリコンＴＦＴと、ポリシリコンを用いたポ
リシリコンＴＦＴの２種類がある。ポリシリコンＴＦＴ
はアモルファスシリコンＴＦＴよりも移動度が１０〜１
００倍程度高いという利点がある。このため、ポリシリ
コンＴＦＴは画素スイッチング素子として最適なもので
ある。またポリシリコンＴＦＴは、近年、周辺駆動回路
の構成素子としても用いられるようになり、この結果、
図５に示すような画素部１２０と周辺駆動回路１３０
ａ、１３０ｂとを同一基板１０１上に形成するという画
素部・駆動回路一体型の液晶表示装置１００の開発が盛
んに行われている。
モルファスシリコンＴＦＴと、ポリシリコンを用いたポ
リシリコンＴＦＴの２種類がある。ポリシリコンＴＦＴ
はアモルファスシリコンＴＦＴよりも移動度が１０〜１
００倍程度高いという利点がある。このため、ポリシリ
コンＴＦＴは画素スイッチング素子として最適なもので
ある。またポリシリコンＴＦＴは、近年、周辺駆動回路
の構成素子としても用いられるようになり、この結果、
図５に示すような画素部１２０と周辺駆動回路１３０
ａ、１３０ｂとを同一基板１０１上に形成するという画
素部・駆動回路一体型の液晶表示装置１００の開発が盛
んに行われている。
【０００５】一般に液晶表示装置を製造する際には、液
晶制御するのに必要な回路パターンをガラス基板上に転
写するための露光装置が使用される。この露光装置は、
微細なパターンを基板上に転写するための露光光学系、
マスクと基板を高精度に位置合わせするためのアライメ
ント系、マスクと基板を自動的に搬送する自動搬送系か
ら構成される。
晶制御するのに必要な回路パターンをガラス基板上に転
写するための露光装置が使用される。この露光装置は、
微細なパターンを基板上に転写するための露光光学系、
マスクと基板を高精度に位置合わせするためのアライメ
ント系、マスクと基板を自動的に搬送する自動搬送系か
ら構成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述の画素部・駆動回
路一体型の液晶表示装置１００においては、画素部１２
０や端子部１４０は比較的単純な回路パターンであるた
め、低解像度（例えば２μｍ程度）の露光光学系を用い
て１ショット当たりの露光面積を大きく取ることが可能
である。これに対して周辺駆動回路１３０ａ，１３０ｂ
は比較的複雑な回路パターンであるが現在のところ低解
像度の露光光学系が用いられている。しかし制御部１５
０および将来同一基板上に設けられることになると思わ
れるメモリ（図示せず）や論理回路（図示せず）は複雑
な回路パターンであって、高解像度（例えば０．６μｍ
程度）の露光光学系を用いる必要があり、１ショット当
たりの露光面積が小さい。なお将来的にはＴＦＴが微細
化されれば駆動回路１３０ａ，１３０ｂも高解像度が必
要となる。
路一体型の液晶表示装置１００においては、画素部１２
０や端子部１４０は比較的単純な回路パターンであるた
め、低解像度（例えば２μｍ程度）の露光光学系を用い
て１ショット当たりの露光面積を大きく取ることが可能
である。これに対して周辺駆動回路１３０ａ，１３０ｂ
は比較的複雑な回路パターンであるが現在のところ低解
像度の露光光学系が用いられている。しかし制御部１５
０および将来同一基板上に設けられることになると思わ
れるメモリ（図示せず）や論理回路（図示せず）は複雑
な回路パターンであって、高解像度（例えば０．６μｍ
程度）の露光光学系を用いる必要があり、１ショット当
たりの露光面積が小さい。なお将来的にはＴＦＴが微細
化されれば駆動回路１３０ａ，１３０ｂも高解像度が必
要となる。
【０００７】このため、高解像度の露光装置を用いて画
素部１２０や端子部１４０をも露光する場合は、１ショ
ット当たりの露光面積が小さく、スループットが低いと
いう問題がある。例えば、基板サイズが５５０ｍｍ×６
５０ｍｍとした場合、スループットは１枚８分程度あ
る。
素部１２０や端子部１４０をも露光する場合は、１ショ
ット当たりの露光面積が小さく、スループットが低いと
いう問題がある。例えば、基板サイズが５５０ｍｍ×６
５０ｍｍとした場合、スループットは１枚８分程度あ
る。
【０００８】スループットを向上させるために、低解像
度の露光装置と、高解像度の露光装置を使用することが
考えられるが、各露光装置のステージに基板を載置して
位置決めするための時間が各々必要であり、依然として
スループットが低いという問題があった。
度の露光装置と、高解像度の露光装置を使用することが
考えられるが、各露光装置のステージに基板を載置して
位置決めするための時間が各々必要であり、依然として
スループットが低いという問題があった。
【０００９】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
であって、高解像度と低解像度のパターンが混在してい
てもスループットが可及的に高い露光装置を提供するこ
とを目的とする。
であって、高解像度と低解像度のパターンが混在してい
てもスループットが可及的に高い露光装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による露光装置
は、第１の位置に配置された第１の露光光学系と、第２
の位置に配置されて前記第１の露光光学系よりも解像度
の高い第２の露光光学系と、パターンが転写される基板
が載置される第１および第２のステージと、前記第１お
よび第２のステージを駆動するステージ駆動部と、前記
第１および第２のステージを前記第１および第２の露光
光学系の基準位置に停止するように前記ステージ駆動部
を制御する駆動制御部と、前記第１および第２の露光光
学系のうちの一方の露光光学系側に設けられ、前記一方
の露光光学系のステージ上に載置された基板の位置を検
出する基板位置検出部と、この基板位置検出部の出力お
よび前記基板の露光データが記憶される露光データ記憶
部と、前記露光データ記憶部に記憶されているデータに
基づいて、前記第１および第２の露光光学系を制御して
パターンを前記基板上に転写する露光制御部と、を備え
たことを特徴とする。なお、前記第１の露光光学系側に
設けられ、前記第１の露光光学系の近傍に停止している
ステージの停止位置と前記第１の露光光学系の基準位置
との差を検出する第１のステージ位置検出部と、前記第
２の露光光学系側に設けられ、前記第２の露光光学系の
近傍に停止しているステージの停止位置と、前記第２の
露光光学系の基準位置との差を検出する第２のステージ
位置検出部と、を備え、前記駆動制御部は前記第１およ
び第２のステージ位置検出部の出力に基づいて前記第１
および第２のステージを制御するように構成しても良
い。
は、第１の位置に配置された第１の露光光学系と、第２
の位置に配置されて前記第１の露光光学系よりも解像度
の高い第２の露光光学系と、パターンが転写される基板
が載置される第１および第２のステージと、前記第１お
よび第２のステージを駆動するステージ駆動部と、前記
第１および第２のステージを前記第１および第２の露光
光学系の基準位置に停止するように前記ステージ駆動部
を制御する駆動制御部と、前記第１および第２の露光光
学系のうちの一方の露光光学系側に設けられ、前記一方
の露光光学系のステージ上に載置された基板の位置を検
出する基板位置検出部と、この基板位置検出部の出力お
よび前記基板の露光データが記憶される露光データ記憶
部と、前記露光データ記憶部に記憶されているデータに
基づいて、前記第１および第２の露光光学系を制御して
パターンを前記基板上に転写する露光制御部と、を備え
たことを特徴とする。なお、前記第１の露光光学系側に
設けられ、前記第１の露光光学系の近傍に停止している
ステージの停止位置と前記第１の露光光学系の基準位置
との差を検出する第１のステージ位置検出部と、前記第
２の露光光学系側に設けられ、前記第２の露光光学系の
近傍に停止しているステージの停止位置と、前記第２の
露光光学系の基準位置との差を検出する第２のステージ
位置検出部と、を備え、前記駆動制御部は前記第１およ
び第２のステージ位置検出部の出力に基づいて前記第１
および第２のステージを制御するように構成しても良
い。
【００１１】なお、前記第１および第２の露光光学系の
うちの他方の露光光学系側に、この他方の露光光学系の
ステージ上に載置された基板の位置を検出する第２の基
板位置検出部を設けても良い。
うちの他方の露光光学系側に、この他方の露光光学系の
ステージ上に載置された基板の位置を検出する第２の基
板位置検出部を設けても良い。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明による露光装置の一実施の
形態の構成を図１に示す。この実施の形態の露光装置
は、低解像度露光光学系２と、高解像度露光光学系４
と、ステージ５，７と、基板位置検出部１０と、露光制
御部１２と、露光データ記憶部１４と、ステージ位置検
出部１６，１８と、ステージ駆動部２０と、駆動制御部
２２とを備えている。
形態の構成を図１に示す。この実施の形態の露光装置
は、低解像度露光光学系２と、高解像度露光光学系４
と、ステージ５，７と、基板位置検出部１０と、露光制
御部１２と、露光データ記憶部１４と、ステージ位置検
出部１６，１８と、ステージ駆動部２０と、駆動制御部
２２とを備えている。
【００１３】低解像度露光光学系２は所定の位置に設け
られており、低解像度の回路パターンを露光するのに用
いられる。高解像度露光光学系４は、低解像度露光光学
系２とは異なる位置、図１上ではステージ駆動部２０を
中心としたとき、低解像度露光光学系２とは１８０度ず
れた位置に設けられ、高解像度の回路パターンを露光す
るのに用いられる。例えば図５に示す液晶表示装置１０
０においては、画素部１２０、駆動回路１３０ａ，１３
０ｂ、端子部１４０は低解像度露光光学系２によって露
光され、制御部１５０は高解像度露光光学系４によって
露光される。
られており、低解像度の回路パターンを露光するのに用
いられる。高解像度露光光学系４は、低解像度露光光学
系２とは異なる位置、図１上ではステージ駆動部２０を
中心としたとき、低解像度露光光学系２とは１８０度ず
れた位置に設けられ、高解像度の回路パターンを露光す
るのに用いられる。例えば図５に示す液晶表示装置１０
０においては、画素部１２０、駆動回路１３０ａ，１３
０ｂ、端子部１４０は低解像度露光光学系２によって露
光され、制御部１５０は高解像度露光光学系４によって
露光される。
【００１４】ステージ５，７は各々、パターンが転写さ
れるガラス基板８０が載置されてステージ駆動部２０に
よって回転可能に駆動されるとともに各露光光学系の基
準位置に停止するように駆動される。なお、ステージ
５，７は水平方向（図面上では紙面と平行となる方向）
に所定距離平行移動可能なように構成されている。
れるガラス基板８０が載置されてステージ駆動部２０に
よって回転可能に駆動されるとともに各露光光学系の基
準位置に停止するように駆動される。なお、ステージ
５，７は水平方向（図面上では紙面と平行となる方向）
に所定距離平行移動可能なように構成されている。
【００１５】基板位置検出部１０は低解像度露光光学系
２の近くに設けられて、この低解像度露光光学系の基準
位置２ａに停止しているステージ５またはステージ７に
載置されたガラス基板８０の上記ステージに対する位置
を検出する。この位置検出は図２に示すガラス基板８０
においては、アライメントマーク８５の位置検出に基づ
いて行う。アライメントマーク８５の検出は例えば画像
処理技術を用いて行う。なお、図２に示すガラス基板８
０には、図５に示す液晶表示装置１００が６個形成され
る。
２の近くに設けられて、この低解像度露光光学系の基準
位置２ａに停止しているステージ５またはステージ７に
載置されたガラス基板８０の上記ステージに対する位置
を検出する。この位置検出は図２に示すガラス基板８０
においては、アライメントマーク８５の位置検出に基づ
いて行う。アライメントマーク８５の検出は例えば画像
処理技術を用いて行う。なお、図２に示すガラス基板８
０には、図５に示す液晶表示装置１００が６個形成され
る。
【００１６】露光データ記憶部１４には、上記基板位置
検出部１０によって検出された基板の位置データ（アラ
イメントデータ）および１ショットの位置データ等の露
光を実行するのに必要なデータや、基板８０の伸縮デー
タも記憶されている。
検出部１０によって検出された基板の位置データ（アラ
イメントデータ）および１ショットの位置データ等の露
光を実行するのに必要なデータや、基板８０の伸縮デー
タも記憶されている。
【００１７】露光制御部１２は露光データ記憶部１４に
記憶されているデータに基づいて低解像度露光光学系２
および高解像度露光光学系４のマスクの位置を制御する
とともに、駆動制御部２２に指令信号を送り、各ステー
ジ５，７を水平方向に微小移動させるように動作する。
記憶されているデータに基づいて低解像度露光光学系２
および高解像度露光光学系４のマスクの位置を制御する
とともに、駆動制御部２２に指令信号を送り、各ステー
ジ５，７を水平方向に微小移動させるように動作する。
【００１８】ステージ位置検出部１６，１８は各々低解
像度露光光学系２、高解像度露光光学系４の基準位置２
ａ，４ａとステージの停止位置との差を検出する。
像度露光光学系２、高解像度露光光学系４の基準位置２
ａ，４ａとステージの停止位置との差を検出する。
【００１９】駆動制御部２２は、露光制御部１２からの
指令信号を受信しないときは、ステージ位置検出部１
６，１８の検出結果に基づいて、各ステージを低解像度
露光光学系２および高解像度露光光学系４の基準位置２
ａ，４ａに停止させるようにステーシ駆動部２０を制御
する。そして露光制御部１２からの指令信号を受信した
ときにはこの指令信号およびステージ位置検出部１６，
１８の検出出力に基づいてステージ５，７を水平方向に
微小移動させるようにステージ駆動部２０を制御する。
指令信号を受信しないときは、ステージ位置検出部１
６，１８の検出結果に基づいて、各ステージを低解像度
露光光学系２および高解像度露光光学系４の基準位置２
ａ，４ａに停止させるようにステーシ駆動部２０を制御
する。そして露光制御部１２からの指令信号を受信した
ときにはこの指令信号およびステージ位置検出部１６，
１８の検出出力に基づいてステージ５，７を水平方向に
微小移動させるようにステージ駆動部２０を制御する。
【００２０】次に本実施の形態の作用を説明する。ま
ず、駆動制御部２２によってステージ駆動部２０を制御
してステージ５を低解像度露光光学系２の基準位置２ａ
に停止させる。続いてステージ５上にガラス基板８０を
載置した後、基板位置検出部１０によってステージ５上
のガラス基板８０の位置を検出する。この検出データ
（アライメントデータ）は露光制御部１２を介して露光
データ記憶部１４に記憶される。そして、露光データ記
憶部１４に記憶されている上記アライメントデータおよ
び露光テータに基づいて露光制御部１２が低解像度露光
光学系２を制御して、低解像度の回路パターンがガラス
基板８０上に転写される。
ず、駆動制御部２２によってステージ駆動部２０を制御
してステージ５を低解像度露光光学系２の基準位置２ａ
に停止させる。続いてステージ５上にガラス基板８０を
載置した後、基板位置検出部１０によってステージ５上
のガラス基板８０の位置を検出する。この検出データ
（アライメントデータ）は露光制御部１２を介して露光
データ記憶部１４に記憶される。そして、露光データ記
憶部１４に記憶されている上記アライメントデータおよ
び露光テータに基づいて露光制御部１２が低解像度露光
光学系２を制御して、低解像度の回路パターンがガラス
基板８０上に転写される。
【００２１】低解像度の回路パターンの転写が終了する
と、ステージ５は高解像度露光光学系４の基準位置４ａ
に停止するようにステージ駆動部２０を介して駆動制御
部２２によって制御される。このとき、ステージ７は低
解像度露光光学系２の基準位置２ａに停止するようにス
テージ駆動部２０を介して駆動制御部２２によって制御
される。
と、ステージ５は高解像度露光光学系４の基準位置４ａ
に停止するようにステージ駆動部２０を介して駆動制御
部２２によって制御される。このとき、ステージ７は低
解像度露光光学系２の基準位置２ａに停止するようにス
テージ駆動部２０を介して駆動制御部２２によって制御
される。
【００２２】次に露光データ記憶部１４に記憶されてい
る、ステージ５上に載置されているガラス基板８０のア
ライメントデータおよび露光データに基づいて露光制御
部１２によって高解像度露光光学系４が制御され、高解
像度の回路パターンがステージ５上のガラス基板８０上
に転写される。その後、ガラス基板８０がステージ５か
ら取り外される。
る、ステージ５上に載置されているガラス基板８０のア
ライメントデータおよび露光データに基づいて露光制御
部１２によって高解像度露光光学系４が制御され、高解
像度の回路パターンがステージ５上のガラス基板８０上
に転写される。その後、ガラス基板８０がステージ５か
ら取り外される。
【００２３】一方、ステージ７には低解像度の回路パタ
ーンを転写すべきガラス基板８０が載置された後、基板
位置検出部１０によってステージ７上のガラス基板８０
の位置が検出される。この検出されたデータ（アライメ
ントデータ）は上述したように露光制御部１２を介して
露光データ記憶部１４に記憶される。そして上記アライ
メントデータおよび露光データに基づいて露光制御部１
２によって低解像度露光光学系２が制御され、低解像度
の回路パターンがステージ７上のガラス基板８０上に転
写される。
ーンを転写すべきガラス基板８０が載置された後、基板
位置検出部１０によってステージ７上のガラス基板８０
の位置が検出される。この検出されたデータ（アライメ
ントデータ）は上述したように露光制御部１２を介して
露光データ記憶部１４に記憶される。そして上記アライ
メントデータおよび露光データに基づいて露光制御部１
２によって低解像度露光光学系２が制御され、低解像度
の回路パターンがステージ７上のガラス基板８０上に転
写される。
【００２４】そして、低解像度の回路パターンの転写が
終了するとステージ７は高解像度露光光学系４の基準位
置４ａに停止するように駆動され、ステージ５は低解像
度露光光学系２の基準位置に停止するように駆動され
る。その後、ステージ５には回路パターンを転写すべき
新しいガラス基板８０が載置されて上述したと同様にし
て低解像度の回路パターンが転写され、ステージ７上の
ガラス基板８０上には高解像度の回路パターンが転写さ
れる。高解像度の回路パターンが転写されたガラス基板
８０はステージ７から取り外される。以降上述したこと
が繰り返される。
終了するとステージ７は高解像度露光光学系４の基準位
置４ａに停止するように駆動され、ステージ５は低解像
度露光光学系２の基準位置に停止するように駆動され
る。その後、ステージ５には回路パターンを転写すべき
新しいガラス基板８０が載置されて上述したと同様にし
て低解像度の回路パターンが転写され、ステージ７上の
ガラス基板８０上には高解像度の回路パターンが転写さ
れる。高解像度の回路パターンが転写されたガラス基板
８０はステージ７から取り外される。以降上述したこと
が繰り返される。
【００２５】本実施の形態の露光装置においては、低解
像度露光光学系２と、この光学系２の基準位置２ａに停
止しているときのステージ、例えばステージ５との相対
的位置関係は、高解像度露光光学系４と、この光学系４
の基準位置４ａに停止しているステージ５との相対的位
置関係と同一であるかまたは所定の関係にあるように構
成されているため、低解像度露光光学系２側でステージ
（例えばステージ５）上での基板８０の位置を基板位置
検出部１０によって検出すれば、この検出されたアライ
メントデータは、上記ステージ５が回転移動して高解像
度露光光学系４の基準位置４ａに位置しているときには
このステージ５上の基板のアライメントデータとして用
いることが可能となる。このため、高解像度露光光学系
４において再度アライメントデータを測定する必要がな
くなり、スループットを向上させることができる。
像度露光光学系２と、この光学系２の基準位置２ａに停
止しているときのステージ、例えばステージ５との相対
的位置関係は、高解像度露光光学系４と、この光学系４
の基準位置４ａに停止しているステージ５との相対的位
置関係と同一であるかまたは所定の関係にあるように構
成されているため、低解像度露光光学系２側でステージ
（例えばステージ５）上での基板８０の位置を基板位置
検出部１０によって検出すれば、この検出されたアライ
メントデータは、上記ステージ５が回転移動して高解像
度露光光学系４の基準位置４ａに位置しているときには
このステージ５上の基板のアライメントデータとして用
いることが可能となる。このため、高解像度露光光学系
４において再度アライメントデータを測定する必要がな
くなり、スループットを向上させることができる。
【００２６】またスループットが向上したことにより、
従来よりもスループットを劣化させることなく駆動回路
等を構成するＴＦＴを微細化することが可能となる。こ
れにより単位機能当たりの基板面積が低減し、省資源化
を実現できるとともに低消費電力化を実現することがで
きる。
従来よりもスループットを劣化させることなく駆動回路
等を構成するＴＦＴを微細化することが可能となる。こ
れにより単位機能当たりの基板面積が低減し、省資源化
を実現できるとともに低消費電力化を実現することがで
きる。
【００２７】また上記実施の形態においては、低解像度
露光光学系２における１ショットの面積は高解像度露光
光学系４における１ショットの面積よりも広く、低解像
度露光光学系２における焦点深度は高解像度露光光学系
４のそれに比べて深い。
露光光学系２における１ショットの面積は高解像度露光
光学系４における１ショットの面積よりも広く、低解像
度露光光学系２における焦点深度は高解像度露光光学系
４のそれに比べて深い。
【００２８】また上記実施の形態においては、基板位置
検出部１０は低解像度露光光学系２側に設けたが、高解
像度露光光学系４側に設けても良い。
検出部１０は低解像度露光光学系２側に設けたが、高解
像度露光光学系４側に設けても良い。
【００２９】また基板位置検出部１０を図３に示すよう
に両方の露光光学系２，４に設ければ、低解像度と高解
像度の回路パターンの転写が先に完了した基板を載置し
ているステージから上記基板を取り外して、回路パター
ンを転写すべき新しい基板を載置すればこの基板のアラ
イメントデータを検出することが可能となり、無駄な待
ち時間を減らすことができ、更にスループットを向上さ
せることができる。
に両方の露光光学系２，４に設ければ、低解像度と高解
像度の回路パターンの転写が先に完了した基板を載置し
ているステージから上記基板を取り外して、回路パター
ンを転写すべき新しい基板を載置すればこの基板のアラ
イメントデータを検出することが可能となり、無駄な待
ち時間を減らすことができ、更にスループットを向上さ
せることができる。
【００３０】なお上記実施の形態においては、２つの露
光光学系の間を２つのステージ５，７は回転移動するよ
うに構成されていたが、図４に示すように平行移動する
ように構成しても良い。また、平行移動と回転移動とを
組合せるように構成しても良い。
光光学系の間を２つのステージ５，７は回転移動するよ
うに構成されていたが、図４に示すように平行移動する
ように構成しても良い。また、平行移動と回転移動とを
組合せるように構成しても良い。
【００３１】また上記実施の形態においては基板のアラ
イメントデータの検出はどちらかの露光光学系の基準位
置にステージが停止しているときに行ったが、ステージ
を１個他に設け、上記露光光学系２，４が位置している
ところとは異なる位置（例えば、図１においては「Ａ」
の位置）に上記ステージを停止させ、新しい基板を載置
してアライメントデータをこの位置で検出しても良い。
こうすることにより、更にスループットを向上させるこ
とができる。
イメントデータの検出はどちらかの露光光学系の基準位
置にステージが停止しているときに行ったが、ステージ
を１個他に設け、上記露光光学系２，４が位置している
ところとは異なる位置（例えば、図１においては「Ａ」
の位置）に上記ステージを停止させ、新しい基板を載置
してアライメントデータをこの位置で検出しても良い。
こうすることにより、更にスループットを向上させるこ
とができる。
【００３２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば高解
像度と低解像度のパターンが混在していてもスループッ
トを可及的に向上させることができる。
像度と低解像度のパターンが混在していてもスループッ
トを可及的に向上させることができる。
【図１】本発明による露光装置の一実施の形態の構成を
示すブロック図。
示すブロック図。
【図２】ガラス基板とアライメントマークとの関係を示
す図。
す図。
【図３】図１に示す実施の形態の変形例の構成を示すブ
ロック図。
ロック図。
【図４】図１に示す実施の形態の他の変形例の構成を示
すブロック図。
すブロック図。
【図５】画素部・駆動回路一体型の液晶表示装置の回路
配置を示す模式図。
配置を示す模式図。
２ 低解像度露光光学系 ２ａ，４ａ 基準位置 ４ 高解像度露光光学系 ５，７ ステージ ６ ステージの微小移動方向 １０ 基板位置検出部 １２ 露光制御部 １４ 露光データ記憶部 １６，１８ ステージ位置検出部 ２０ ステージ駆動部 ２２ 駆動制御部 ８０ ガラス基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 湯田坂 一 夫 長野県諏訪市大和三丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 宇都宮 純 夫 長野県諏訪市大和三丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 平 岩 卓 長野県諏訪市大和三丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 北和田 清 文 長野県諏訪市大和三丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 松 枝 洋二郎 長野県諏訪市大和三丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F046 AA11 BA03 CB27 CC17 DB04 DC09
Claims (5)
- 【請求項１】第１の位置に配置された第１の露光光学系
と、 第２の位置に配置されて前記第１の露光光学系よりも解
像度の高い第２の露光光学系と、 パターンが転写される基板が載置される第１および第２
のステージと、 前記第１および第２のステージを駆動するステージ駆動
部と、 前記第１および第２のステージを前記第１および第２の
露光光学系の基準位置に停止するように前記ステージ駆
動部を制御する駆動制御部と、 前記第１および第２の露光光学系のうちの一方の露光光
学系側に設けられ、前記一方の露光光学系のステージ上
に載置された基板の位置を検出する基板位置検出部と、 この基板位置検出部の出力および前記基板の露光データ
が記憶される露光データ記憶部と、 前記露光データ記憶部に記憶されているデータに基づい
て、前記第１および第２の露光光学系を制御してパター
ンを前記基板上に転写する露光制御部と、 を備えたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】前記第１の露光光学系側に設けられ、前記
第１の露光光学系の近傍に停止しているステージの停止
位置と前記第１の露光光学系の基準位置との差を検出す
る第１のステージ位置検出部と、 前記第２の露光光学系側に設けられ、前記第２の露光光
学系の近傍に停止しているステージの停止位置と、前記
第２の露光光学系の基準位置との差を検出する第２のス
テージ位置検出部と、 を備え、前記駆動制御部は前記第１および第２のステー
ジ位置検出部の出力に基づいて前記第１および第２のス
テージを制御することを特徴とする請求項１記載の露光
装置。 - 【請求項３】前記第１および第２の露光光学系のうちの
他方の露光光学系側に、この他方の露光光学系のステー
ジ上に載置された基板の位置を検出する第２の基板位置
検出部が設けられたことを特徴とする請求項１または２
記載の露光装置。 - 【請求項４】前記第１および第２のステージは回転移動
するように駆動されることを特徴とする請求項１乃至３
のいずれかに記載の露光装置。 - 【請求項５】前記第１および第２のステージは回転移動
と平行移動を組合わせた移動となるように駆動されるこ
とを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の露光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11089444A JP2000286181A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11089444A JP2000286181A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000286181A true JP2000286181A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=13970864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11089444A Pending JP2000286181A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000286181A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG94750A1 (en) * | 2000-02-04 | 2003-03-18 | Nikon Corp | Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
1999
- 1999-03-30 JP JP11089444A patent/JP2000286181A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG94750A1 (en) * | 2000-02-04 | 2003-03-18 | Nikon Corp | Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
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