KR20010062527A - 진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학식 M1M2M3O4(식중, M1은 Na 및 Li 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타내고, M2는 Gd 및 Y 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타내며, M3은 Ge 및 Si 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타낸다) 로 표시되는 화합물 기체 (substrate) 에 부활제로서 Eu 또는 Tb 를 첨가하여 수득한 진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체에 관한 것이다.

Description

진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체 {PHOSPHOR FOR VACUUM ULTRAVIOLET EXCITED LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 (이하, "PDP" 라 함), 희(稀) 가스 램프 등과 같은 진공 자외선 여기 발광 소자에 적합한 인광체, 및 상기 인광체를 사용한 진공 자외선 소자에 관한 것이다.
최근에, 희(稀) 가스 방전에 의해 방사된 진공 자외선으로 인광체를 여기시켜 발광시키는 구조를 갖는 진공 자외선 여기 발광 소자의 빈번한 개발이 있었다. 이의 대표적인 예가 PDP 의 개발이다. PDP 는 화면의 대형화 및 박형화가 가능하기 때문에, 음극선관 (CRT) 을 대체할 수 있는 평면 패널 디스플레이로서 주목되어 왔다. PDP 는 다수의 미소 방전 공간 (이하, "표시 셀" 로 약칭함) 을 매트릭스상으로 배치하여 구성한 표시 소자이고, 각 표시 셀내에는 방전 전극이 설치되며, 각 표시 셀의 내벽에는 인광체가 도포된다. 각 표시 셀내의 공간에는 He-Xe, Ne-Xe, Ar 등과 같은 희(稀) 가스가 봉입되고, 방전 전극에 전압을 인가함으로써, 표시 셀내에서 희(稀) 가스의 방전이 일어나, 진공 자외선이 방사된다. 이 진공 자외선에 의해 인광체가 여기되어, 가시광선을 발생한다. 표시 소자의 소정 위치의 표시 셀의 인광체의 발광에 의해 화상이 표시된다. 각 표시 셀에 사용되는 인광체로서, 각각 청색, 녹색 및 적색으로 발광하는 인광체를 사용하며, 이들을 매트릭스상으로 도포함으로써, 완전 색상의 표시를 수행할 수 있다.
또한, 최근에는, 환경 문제로부터 유해한 수은을 저감하는 경향이 있어, 수은을 사용하지 않은 희(稀) 가스만의 방전으로 진공 자외선을 방출하여 인광체를 여기시킴으로써 발광되는 희(稀) 가스 램프가 주목되고 있다.
최근에, 희(稀) 가스 방전에 의해 방사되는 진공 자외선 등에 의해 여기됨으로써 발광되는 인광체의 많은 개발이 있었다. 예를 들면, PDP 용으로, 청색 인광체로는 BaMgAl10O17:Eu, 녹색 인광체로는 Zn2SiO4:Mn 및 적색 인광체로는 (Y, Gd)BO3:Eu 가 실용화되어 있다. 그러나, 완전 색상의 PDP 의 특성을 개량하기 위해서는, 인광체의 휘도, 색 순도, 수명 등의 향상이 요망된다.
본 발명의 목적은 발광 효율이 양호한, PDP 등과 같은 진공 자외선 여기 소자용 인광체, 및 이것을 사용한 진공 자외선 여기 소자를 제공하는 것이다.
본 발명자들은 상기의 문제를 해결하고자 예의 연구를 거듭한 결과, 화학식 M1M2M3O4(식중, M1은 Na 및 Li 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타내고, M2는 Gd 및 Y 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타내며, M3은 Ge 및 Si 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타낸다) 의 모체 결정계에서 Eu 또는 Tb 를 부활시킨 인광체, SrO-Al2O3-B2O3의 3-성분계의 모체 결정계에서 Eu2+를 부활시킨 인광체, 및 화학식 M2O2CN2(식중, M 은 La, Y 및 Gd 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타낸다) 의 모체 결정계에서 Eu 또는 Tb 를 부활시킨 인광체가 유용하다는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 하기 (1)∼(4) 에 관한 것이다 :
(1) 화학식 M1M2M3O4(식중, M1은 Na 및 Li 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타내고, M2는 Gd 및 Y 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타내며, M3은 Ge 및 Si 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타낸다) 로 표시되는 화합물 기체 (substrate) 에 부활제로서 Eu 또는 Tb 를 첨가하여 수득한 진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체.
(2) SrO, Al2O3및 B2O3을 함유하는 화합물 기체 (substrate) 에 부활제로서 Eu 를 첨가하여 수득한 진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체.
(3) 화학식 M2O2CN2(식중, M 은 La, Y 및 Gd 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타낸다) 로 표시되는 화합물 기체 (substrate) 에 부활제로서 Eu 또는 Tb 를 첨가하여 수득한 진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체.
(4) 상기 (1)∼(3) 중 어느 하나의 인광체를 함유하는 진공 자외선 여기 발광 소자.
이하에서 본 발명을 일층 상세히 설명한다.
먼저, 화학식 M1M2M3O4(식중, M1은 Na 및 Li 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타내고, M2는 Gd 및 Y 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타내며, M3은 Ge 및 Si 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타낸다) 의 화합물로 이루어진 기체 (substrate) 에 부활제로서 Eu 또는 Tb 를 첨가하여 수득한 진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체에 대해서 설명한다.
예를 들면, NaGdGeO4로 표시되는 화합물 기체 (substrate) 에 부활제로서 Eu 이온 (Eu3+) 또는 Tb 이온 (Tb3+) 을 첨가하는 경우, 화학식 NaGd1-aEuaGeO4또는 NaGd1-aTbaGeO4(식중, 0.003 ≤a ≤0.5 이다) 로 표시되는 진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체가 바람직하다. 또한, NaGd1-aEuaGeO4또는 NaGd1-aTbaGeO4의 Gd 를 Y 로 치환하는 경우, Gd 의 0.5∼100 몰% 가 Y 로 치환되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체는 진공 자외선 영역외의 자외선, X 선 및 전자선 여기의 인광체, 및 이것을 사용한 소자에도 응용 가능하다.
본 발명에 의한 인광체의 제조 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 후술하는 바와 같이, 인광체 원료를 소정의 성분 조성을 제공하도록 배합함으로써제조된다. 나트륨 및 리튬의 원료로는, 고순도 (99 % 이상) 의 탄산염, 수산화물, 할로겐화물, 질산염 등을 사용할 수 있고, 가돌리늄 및 이트륨의 원료로는, 고순도 (99 % 이상) 의 산화물, 탄산염, 수산화물, 할로겐화물, 질산염 등을 사용할 수 있으며, 게르마늄 및 규소의 원료로는, 산화물, 탄산염 등을 사용할 수 있고, 이들 각각은 고온에서 분해되어 산화물을 산출한다.
인광체에서 발광을 발생하기 위한 부활제일 수 있는 유러퓸 및 테르븀의 원료로는, 고순도 (99 % 이상) 의 산화물, 또는 고순도 (99 % 이상) 의 수산화물, 탄산염, 질산염, 할로겐화물, 옥살산염 등을 사용할 수 있으며, 이들은 고온에서 분해되어 산화물을 산출한다.
이들 원료를 막자사발, 볼밀, V-형 혼합기, 교반 장치 등을 사용하여 혼합한 후, 900∼1,100 ℃ 범위의 온도에서 수시간 내지 수십 시간 동안 소성하여 인광체를 수득한다. 고온에서 분해되어 산화물을 산출할 수 있는 수산화물, 탄산염, 질산염, 할로겐화물, 옥살산염 등을 원료로 사용하는 경우, 주 소성 전에, 600∼800 ℃ 범위의 온도에서 임시 소성을 수행하는 것도 가능하다.
이 과정에서의 소성 분위기로는, 공기 또는 산소 분위기가 바람직하다. 또한, 소성 반응을 촉진시키기 위해서 적정량의 플럭스 (flux) 를 첨가할 수도 있다.
또한, 상기 방법에 의해 수득되는 생성물을 볼밀, 제트밀 등을 사용하여 분쇄한 후, 세정하고, 필요한 경우, 분류한다. 상기 수득된 인광체의 결정성을 더욱 높이기 위해서, 필요한 경우, 재소성을 수행한다.
다음에, 화학식 SrAl2B2O7의 화합물 기체 (substrate) 에 부활제로서 Eu 를첨가한 청색 발광 인광체인 진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체에 대해서 설명한다. 부활제로서 Eu (Eu2+이온) 를 첨가하는 경우, 상기 인광체는 화학식 Sr1-aEuaAl2B2O7(식중, 0.003 ≤a ≤0.5 이다) 의 진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체가 바람직하다.
또한, 본 발명의 진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체는 진공 자외선 영역외의 자외선, X 선 및 전자선 여기의 인광체, 및 이것을 사용한 소자에도 응용 가능하다.
본 발명에 의한 인광체의 제조 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 후술하는 바와 같이, 인광체 원료를 소정의 성분 조성을 제공하도록 배합함으로써 제조된다. 알루미늄 원료로는, 고순도 (99.9 % 이상) 의 α-알루미나, γ-알루미나, 또는 고순도 (99.9 % 이상) 의 수산화 알루미늄, 질산염, 할로겐화물 등이 사용되며, 붕소 원료로는, 고순도의 산화붕소, 붕산 등이 사용된다. 스트론튬 원료로는, 고순도 (99.9 % 이상) 의 산화물, 또는 고순도 (99.9 % 이상) 의 수산화물, 탄산염, 질산염, 할로겐화물, 옥살산염 등을 사용할 수 있고, 이들은 고온에서 분해되어 산화물을 산출한다.
인광체에서 발광을 발생하기 위한 부활제일 수 있는 유러퓸의 원료로는, 상술한 바와 동일한 화합물을 사용할 수 있다.
이들 원료를 볼밀, V-형 혼합기, 교반 장치 등을 사용하여 혼합한 후, 900∼1,100 ℃ 범위의 온도에서 수시간 내지 수십 시간 동안 소성하여 인광체를 수득한다. 고온에서 분해되어 산화물을 산출할 수 있는 수산화물, 탄산염, 질산염, 할로겐화물, 옥살산염 등을 원료로 사용하는 경우, 주 소성 전에, 600∼800 ℃ 범위의 온도에서 임시 소성을 수행하는 것도 가능하다.
이 과정에서의 소성 분위기로는, 2 가 Eu 를 안정하게 생성하기 위해서, 약한 환원 분위기가 바람직하다. 또한, 소성 반응을 촉진시키기 위해서 적정량의 플럭스 (flux) 를 첨가할 수도 있다.
또한, 상기 방법에 의해 수득되는 생성물을 볼밀, 제트밀 등을 사용하여 분쇄한 후, 세정하고, 필요한 경우, 분류한다. 상기 수득된 인광체의 결정성을 더욱 높이기 위해서, 필요한 경우, 재소성을 수행한다.
마지막으로, 화학식 M2O2CN2(식중, M 은 La, Y 및 Gd 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타낸다) 의 화합물 기체 (substrate) 에 부활제로서 Eu 또는 Tb 를 첨가하여 수득한 진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체에 대해서 설명한다.
M2O2CN2는 M2O2 2-층 및 CN2 2-층이 교대로 적층된 층상 구조를 가진다. 상기 M2O2CN2로 표시되는 화합물 기체 (substrate) 에 부활제로서 Eu 또는 Tb 를 첨가하여 인광체를 수득하는 경우, 부활제간의 에너지 이동에 의해 소광을 억제할 수 있으며, 결과적으로 부활제를 고 농도로 첨가할 수 있고, 진공 자외선 여기에 의해 고 휘도의 인광체를 제조하는 것이 가능하다.
본 발명의 진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체에서, 예를 들면 La2O2CN2의화합물 기체 (substrate) 에 부활제로서 Eu (Eu3+이온) 또는 Tb (Tb3+이온) 를 첨가하여 수득한 인광체의 경우, 화학식 La2-aEuaO2CN2또는 La2-aTbaO2CN2(식중, 0.003 ≤a ≤1 이다) 의 진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체가 바람직하다.
또한, 본 발명의 진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체는 진공 자외선 영역외의 자외선, X 선 및 전자선 여기의 인광체, 및 이것을 사용한 소자에도 응용 가능하다.
본 발명에 의한 인광체의 제조 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 후술하는 바와 같이, 인광체 원료를 소정의 성분 조성을 제공하도록 배합함으로써 제조된다. 란타늄, 가돌리늄 및 이트륨의 원료로는, 고순도 (99.9 % 이상) 의 산화물, 탄산염, 수산화물, 할로겐화물, 질산염 등을 사용할 수 있고, 이들은 고온에서 분해되어 산화물을 산출한다.
인광체에서 발광을 발생하기 위한 부활제일 수 있는 유러퓸 또는 테르븀의 원료로는, 상술한 바와 동일한 화합물을 사용할 수 있다.
이들 원료를 막자사발, 볼밀, V-형 혼합기, 교반 장치 등을 사용하여 혼합한 후, 900∼1,100 ℃ 범위의 온도에서 수시간 내지 수십 시간 동안 소성하여 인광체를 수득한다. 고온에서 분해되어 산화물을 산출할 수 있는 수산화물, 탄산염, 질산염, 할로겐화물, 옥살산염 등을 원료로 사용하는 경우, 주 소성 전에, 600∼800 ℃ 범위의 온도에서 임시 소성을 수행하는 것도 가능하다.
또한, 소성시에 그래파이트 등과 같은 탄소원을 동시에 장입하고, 소성 분위기로서 암모니아 가스 등과 같은 질소원을 함유하는 가스를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 소성 반응을 촉진시키기 위해서 적정량의 플럭스 (flux) 를 첨가할 수도 있다.
또한, 상기 방법에 의해 수득되는 생성물을 볼밀, 제트밀 등을 사용하여 분쇄한 후, 세정하고, 필요한 경우, 분류한다. 상기 수득된 인광체의 결정성을 더욱 높이기 위해서, 필요한 경우, 재소성을 수행한다.
본 발명의 인광체를 PDP, 희(稀) 가스 램프 등과 같은 진공 자외선 여기 발광 소자에 사용하는 경우, 발광 강도가 높은 바람직한 인광체가 수득되어, 고 휘도의 진공 자외선 여기 발광 소자를 실현할 수 있어, 공업적으로 매우 유용하다.
실시예
다음에, 본 발명을 실시예에 의하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
NaGd0.8Eu0.2GeO4를 제조하는데 있어서, 출발 원료로서, 탄산나트륨 Na2CO3[Kanto Kagaku K.K. 제조], 산화게르마늄 GeO2[Kanto Kagaku K.K. 제조], 산화가돌리늄 Gd2O3[Wako Pure Chemical Industries Ltd. 제조] 및 산화유러퓸 Eu2O3[Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제조] 을 사용하였다. 사용된 원료는 전부 순도 99.5 % 이상의 특급 시약이다. 이들 원료를 Na2CO3: Gd2O3: Eu2O3: GeO2의 몰비가 1.3 : 0.8 : 0.2 : 2 가 되게 배합하고, 아세톤중에서 막자사발로 충분히 습식 혼합한후, 건조시켰다. Na2CO3를 화학양론비로 30 % 이상의 양으로 배합하는 이유는 Na2CO3자체가 NaGd0.8Eu0.2GeO4생성시에 반응 촉진제로서도 작용하기 때문이다. 수득된 혼합 원료를 스테인레스제 금형에 장입하고, 20 ㎫ 의 압력으로 가압하여, 직경 15 ㎜ 및 두께 3 ㎜ 의 원형 펠릿으로 성형하였다. 수득된 펠릿을 알루미나 도가니에 놓고, 전기 오븐내에서 950 ℃ 에서 24 시간 동안 소성하였다. 승온 속도는 10 ℃/분 이었다. 소성된 시료를 막자사발에 놓아 분쇄한 후, 물로 세정하여 NaGd0.8Eu0.2GeO4를 제조하였다. 분말 X 선 회절 장치 [Rigaku Denki K.K. 제조, Geiger flex, SG-7 형] 를 사용하여 NaGd0.8Eu0.2GeO4의 단일상의 생성을 확인하였다.
5 ×10-2Torr 이하의 진공층내에서, 수득한 인광체에, 엑시머 146 ㎚ 램프 (Ushio Denki K.K. 제조) 를 사용하여 자외선을 조사함으로써, 적색의 강한 발광을 나타냈다.
실시예 2
NaY0.8Eu0.2GeO4를 제조하는데 있어서, 출발 원료로서, 탄산나트륨 Na2CO3[Kanto Kagaku K.K. 제조], 산화게르마늄 GeO2[Kanto Kagaku K.K. 제조], 산화이트륨 Y2O3[Wako Pure Chemical Industries Ltd. 제조] 및 산화유러퓸 Eu2O3[Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제조] 을 사용하였다. 사용된 원료는 전부 순도 99.5 %이상의 특급 시약이다. 이들 원료를 Na2CO3: Y2O3: Eu2O3: GeO2의 몰비가 1.3 : 0.8 : 0.2 : 2 가 되게 배합하고, 아세톤중에서 막자사발로 충분히 습식 혼합한 후, 건조시켰다. Na2CO3를 화학양론비로 30 % 이상의 양으로 배합하는 이유는 Na2CO3자체가 NaY0.8Eu0.2GeO4생성시에 반응 촉진제로서도 작용하기 때문이다. 수득된 혼합 원료를 스테인레스제 금형에 장입하고, 20 ㎫ 의 압력으로 가압하여, 직경 15 ㎜ 및 두께 3 ㎜ 의 원형 펠릿으로 성형하였다. 수득된 펠릿을 알루미나 도가니에 놓고, 전기 오븐내에서 950 ℃ 에서 24 시간 동안 소성하였다. 승온 속도는 10 ℃/분 이었다. 소성된 시료를 막자사발에 놓아 분쇄한 후, 물로 세정하여 NaY0.8Eu0.2GeO4를 제조하였다.
5 ×10-2Torr 이하의 진공층내에서, 수득한 인광체에, 엑시머 146 ㎚ 램프 (Ushio Denki K.K. 제조) 를 사용하여 자외선을 조사함으로써, 적색의 강한 발광을 나타냈다.
실시예 3
NaGd0.8Tb0.2GeO4를 제조하는데 있어서, 출발 원료로서, 탄산나트륨 Na2CO3[Kanto Kagaku K.K. 제조], 산화게르마늄 GeO2[Kanto Kagaku K.K. 제조], 산화가돌리늄 Gd2O3[Wako Pure Chemical Industries Ltd. 제조] 및 산화테르븀 Tb2O3[Wako Pure Chemical Industries Ltd. 제조] 을 사용하였다. 사용된 원료는 전부 순도99.5 % 이상의 특급 시약이다. 이들 원료를 Na2CO3: Gd2O3: Tb2O3: GeO2의 몰비가 1.3 : 0.8 : 0.2 : 2 가 되게 배합하고, 아세톤중에서 막자사발로 충분히 습식 혼합한 후, 건조시켰다. Na2CO3를 화학양론비로 30 % 이상의 양으로 배합하는 이유는 Na2CO3자체가 NaGd0.8Tb0.2GeO4생성시에 반응 촉진제로서도 작용하기 때문이다. 수득된 혼합 원료를 스테인레스제 금형에 장입하고, 20 ㎫ 의 압력으로 가압하여, 직경 15 ㎜ 및 두께 3 ㎜ 의 원형 펠릿으로 성형하였다. 수득된 펠릿을 알루미나 도가니에 놓고, 전기 오븐내에서 950 ℃ 에서 24 시간 동안 소성하였다. 승온 속도는 10 ℃/분 이었다. 소성된 시료를 막자사발에 놓아 분쇄한 후, 물로 세정하여 NaGd0.8Tb0.2GeO4를 제조하였다. 분말 X 선 회절 장치 [Rigaku Denki K.K. 제조, Geiger flex, SG-7 형] 를 사용하여 NaGd0.8Tb0.2GeO4의 단일상의 생성을 확인하였다.
5 ×10-2Torr 이하의 진공층내에서, 수득한 인광체에, 엑시머 146 ㎚ 램프 (Ushio Denki K.K. 제조) 를 사용하여 자외선을 조사함으로써, 녹색의 강한 발광을 나타냈다.
실시예 4
수산화알루미늄 Al(OH)3[Koujundo Kagaku Kenkyusho 제조, 99.9 % 이상] 15.6 g, 탄산스트론튬 [Wako Pure Chemical Industries Ltd. 제조, 특급 시약] 14.0 g, 산화붕소 B2O3[Wako Pure Chemical Industries Ltd. 제조] 7.0 g 및 산화유러퓸 [Wako Pure Chemical Industries Ltd. 제조, 특급 시약] 8.8 g 을 평량하고, 마노 (agate) 막자사발중에서 1 시간 동안 분쇄 혼합하였다. 알루미나 보트 (boat) 상에 놓인 백금판상에서, 질소와 수소의 혼합 가스 [질소 (체적비) : 수소 (체적비) = 9:1] 의 환원 분위기하에서, 상기 혼합물을 900 ℃ 에서 12 시간 동안 소성하고, 이어서 실온으로 냉각시켰다. 분말 X 선 회절 장치를 사용하여 SrAl2B2O7:Eu2+(5 몰%) 의 단일상의 생성을 확인하였다.
5 ×10-2Torr 이하의 진공층내에서, 수득한 인광체에, 엑시머 146 ㎚ 램프 (Ushio Denki K.K. 제조) 를 사용하여 자외선을 조사함으로써, 푸르스름한 보라색의 강한 발광을 나타냈다.
실시예 5
La1.4Gd0.4Eu0.2O2CN2를 제조하는데 있어서, 출발 원료로서, 산화란타늄 La2O3, 산화가돌리늄 Gd2O3및 산화유러퓸 Eu2O3을 사용하였다. 이들 원료를 La2O3: Gd2O3: Eu2O3의 몰비가 1.4 : 0.4 : 0.2 가 되게 배합하고, 아세톤중에서 막자사발로 충분히 습식 혼합한 후, 건조시켰다. 수득된 혼합 원료와 그래파이트를 관형 노(爐)에 장입하고, 암모니아 흐름 (50 ㎖/분) 하에 970 ℃ 에서 30 시간 동안 소성하였다. 분말 X 선 회절 장치 [Rigaku Denki K.K. 제조, Geiger Flex, SG-7 형] 를 사용하여 La1.4Gd0.4Eu0.2O2CN2의 단일상의 생성을 확인하였다.
5 ×10-2Torr 이하의 진공층내에서, 수득한 인광체에, 엑시머 146 ㎚ 램프 (Ushio Denki K.K. 제조) 를 사용하여 자외선을 조사함으로써, 적색의 강한 발광을 나타냈다.
실시예 6
La1.7Tb0.3O2CN2를 제조하는데 있어서, 출발 원료로서, 산화란타늄 La2O3및 산화테르븀 Tb2O3을 사용하였다. 이들 원료를 La2O3: Tb2O3의 몰비가 1.7 : 0.3 이 되게 배합하고, 아세톤중에서 막자사발로 충분히 습식 혼합한 후, 건조시켰다. 수득된 혼합 원료와 그래파이트를 관형 노(爐)에 장입하고, 암모니아 흐름 (50 ㎖/분) 하에 970 ℃ 에서 30 시간 동안 소성하였다. 분말 X 선 회절 장치 [Rigaku Denki K.K. 제조, Geiger Flex, SG-7 형] 를 사용하여 La1.7Tb0.3O2CN2의 단일상의 생성을 확인하였다.
5 ×10-2Torr 이하의 진공층내에서, 수득한 인광체에, 엑시머 146 ㎚ 램프 (Ushio Denki K.K. 제조) 를 사용하여 자외선을 조사함으로써, 녹색의 강한 발광을 나타냈다.
본 발명의 인광체를 PDP, 희(稀) 가스 램프 등과 같은 진공 자외선 여기 발광 소자에 사용하는 경우, 발광 강도가 높은 바람직한 인광체가 수득되어, 고 휘도의 진공 자외선 여기 발광 소자를 실현할 수 있어, 공업적으로 매우 유용하다.

Claims (15)

  1. 화학식 M1M2M3O4(식중, M1은 Na 및 Li 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타내고, M2는 Gd 및 Y 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타내며, M3은 Ge 및 Si 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타낸다) 로 표시되는 화합물 기체 (substrate) 에 부활제로서 Eu 또는 Tb 를 첨가하여 수득한 진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 인광체가 화학식 NaGd1-aEuaGeO4또는 NaGd1-aTbaGeO4로 표시되고, 방정식 : 0.003 ≤a ≤0.5 를 만족하는 것을 특징으로 하는 인광체.
  3. 제 2 항에 있어서, Gd 의 0.5∼100 몰% 가 Y 로 치환되는 것을 특징으로 하는 인광체.
  4. 제 1 항에 의한 인광체를 함유하는 진공 자외선 여기 발광 소자.
  5. 제 2 항에 의한 인광체를 함유하는 진공 자외선 여기 발광 소자.
  6. SrO, Al2O3및 B2O3을 함유하는 화합물 기체 (substrate) 에 부활제로서 Eu 를 첨가하여 수득한 진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 인광체가 화학식 Sr1-aEuaAl2B2O7로 표시되고, 방정식 : 0.003 ≤a ≤0.5 를 만족하는 것을 특징으로 하는 인광체.
  8. 제 6 항에 의한 인광체를 함유하는 진공 자외선 여기 발광 소자.
  9. 제 7 항에 의한 인광체를 함유하는 진공 자외선 여기 발광 소자.
  10. 화학식 M2O2CN2(식중, M 은 La, Y 및 Gd 에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 나타낸다) 로 표시되는 화합물 기체 (substrate) 에 부활제로서 Eu 또는 Tb 를 첨가하여 수득한 진공 자외선 여기 발광 소자용 인광체.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 인광체가 화학식 La2-aEuaO2CN2또는 La2-aTbaO2CN2로 표시되고, 방정식 : 0.003 ≤a ≤1 을 만족하는 것을 특징으로 하는 인광체.
  12. 제 11 항에 있어서, La 의 0.5∼100 몰% 가 Y 로 치환되는 것을 특징으로 하는 인광체.
  13. 제 11 항에 있어서, La 의 0.5∼100 몰% 가 Gd 로 치환되는 것을 특징으로 하는 인광체.
  14. 제 10 항에 의한 인광체를 함유하는 진공 자외선 여기 발광 소자.
  15. 제 11 항에 의한 인광체를 함유하는 진공 자외선 여기 발광 소자.
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