KR20010044998A - 불순물 도핑 장치의 세정방법 - Google Patents

불순물 도핑 장치의 세정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010044998A
KR20010044998A KR1019990048082A KR19990048082A KR20010044998A KR 20010044998 A KR20010044998 A KR 20010044998A KR 1019990048082 A KR1019990048082 A KR 1019990048082A KR 19990048082 A KR19990048082 A KR 19990048082A KR 20010044998 A KR20010044998 A KR 20010044998A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
doping apparatus
deionized water
sih
cleaned
Prior art date
Application number
KR1019990048082A
Other languages
English (en)
Inventor
권오성
류재하
최경현
황욱중
Original Assignee
박종섭
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 박종섭, 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 박종섭
Priority to KR1019990048082A priority Critical patent/KR20010044998A/ko
Publication of KR20010044998A publication Critical patent/KR20010044998A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 도핑 장치를 세정한후, 단시간에 고진공 상태로 복귀시킬 수 있는 불순물 도핑 장치의 세정 방법을 제공하는 것을 개시한다.
개시된 본 발명은, 불순물 도핑 장치의 내부를 탈이온수로 세정하는 단계; 상기 세정된 불순물 도핑 장치를 안정화시키는 단계; 상기 세정된 도핑 장치에 탈이온수의 잔류 성분을 제거하기 위하여 잔류 성분을 휘발시키기 위한 가스를 플로우시키는 단계; 및 상기 도핑 장치 내부를 고진공 상태가 되도록 펌핑하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

불순물 도핑 장치의 세정방법{method for cleaning apparatus for doping dopant}
본 발명은 불순물 도핑 장치의 세정방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 도핑 장치를 세정한후, 단시간에 고진공 상태로 복귀시킬 수 있는 불순물 도핑 장치의 세정 방법에 관한 것이다.
현재, 메모리 소자의 집적도가 증가됨에 따라, 셀 면적 및 셀 사이의 간격은 축소되는 반면, 캐패시터는 대용량이 요구된다. 그러므로, 좁은 면적에 형성됨에도 불구하고 큰 용량을 가지는 캐패시터가 연구진행중이다.
종래에는 좁은 면적을 차지하면서도 큰 캐패시턴스 갖는 스토리지 전극 타입으로는 실린더 타입 또는 MPS(methastable Poly Silicon)가 표면에 형성된 실린더 타입이 있다.
도 1은 종래의 MPS가 표면에 형성된 실린더 타입의 스토리지 전극을 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하여, 접합 영역(10a)이 구비된 반도체 기판(10) 상부에 층간 절연막(12)을 형성한다. 그 다음, 접합 영역(10a)이 노출되도록 층간 절연막(12)을 소정 부분 식각하여, 스토리지 노드 콘택홀(H)을 형성한다. 그후, 스토리지 전극용 제 1 폴리실리콘막(13a)을 노출된 접합 영역(10a)과 콘택되도록 층간 절연막(12) 상부에 형성한다. 제 1 폴리실리콘막(13a) 상부에, 폴리실리콘막에 비하여 습식 식각률이 상당히 높은 코어 산화막(도시되지 않음)을 형성한다. 코어 산화막과 제 1 폴리실리콘막(13)을 스토리지 전극의 형태로 소정 부분 패터닝한다. 다음, 층간 절연막(12) 및 코어 산화막 상부에 스토리지 전극용 제 2 폴리실리콘막(13b)을 형성한다. 제 2 폴리실리콘막(13b)을 비등방성 식각하여, 제 1 폴리실리콘막(13a)과 코어 산화막 측벽에 폴리실리콘 스페이서를 형성한다. 그후, 코어 산화막을 공지의 습식 식각 방식으로 제거한다. 다음, 제 1 및 제 2 폴리실리콘막(13a,13b)의 표면에 MPS막(13c)을 형성하여, 실린더 형태의 스토리지 전극(13)을 형성한다. 여기서, MPS막(13c)은 공지된 바와 같이, 제 1 및 제 2 폴리실리콘막(13a,13b)을 구성하는 실리콘 원자들이 막들의 표면으로 마이그레이션(migration)되어 형성된다. 이때, 실리콘 원자들이 원활하게 마이그레이션되기 위하여는, 제 1 및 제 2 폴리실리콘막(13a,13b)내에 불순물들을 포함하지 않음이 바람직하다. 그후, 스토리지 노드 전극(13)의 도전성을 향상시키기 위하여, 스토리지 노드 전극(13)이 형성된 웨이퍼를 불순물을 도핑하기 위한 장치(도시되지 않음)내에 장입한다. 그후, 장치내에 PH3가스를 주입하여, 스토리지 노드 전극(13)에 인(P) 성분이 도핑되도록 한다. 이때, 불순물을 도핑시키기 위한 장치는 플라즈마 상태 및 고진공 상태, 예를들어, 약 10-6torr 정도의 저압을 유지하고 있다. 그후, 웨이퍼를 반출한다음, 유전체막(도시되지 않음) 및 플레이트 전극(도시되지 않음)을 형성하여, 캐패시터를 완성한다. 이와같이, MPS막(13)이 실린더형 스토리지 전극(13) 표면에 형성됨으로써, 스토리지 전극(13)의 표면적이 증대되어, 대용량을 확보할 수 있다.
일반적인 MPS 장비는 실리콘 원자를 마이그레이션시켜서 MPS막을 성장시키는 장치와, 성장된 MPS막 및 그 밖의 폴리실리콘막에 불순물을 도핑시키기 위한 장치로 구성된다. 이때, 불순물을 도핑시키기 위한 장치는 수천장의 웨이퍼에 불순물을 도핑시키고 나면, 그 내벽에 플라즈마 성분과 인(P)성분의 결합으로 두꺼운 PH3층이 형성된다. 이러한 두꺼운 PH3층은 불순물이 고르게 도핑되는 것을 방해하여, 일정 주기별로 도핑 장치의 내벽을 세정하여야 한다. 현재 스토리지 전극 및 MPS막에 불순물을 도핑하는 장치는 약 5000장의 웨이퍼에 불순물을 도핑시킨다음, 세정 공정이 진행되고 있다. 이때, 도핑 장치의 세정 공정은 도핑 장치를 분해한다음, 탈이온수(deionized water)를 이용하여 챔버 내벽을 세정하는 단계와, 도핑 공정을 진행할 수 있도록, 도핑 장치의 내부를 고진공화하는 단계로 구성된다. 이때, 도핑 장치는 TMP(turbo molecular pumping, 이하 펌핑 공정) 공정에 의하여 10-6torr의 고진공 상태가 된다.
그러나, 상기와 같이 탈이온수로 챔버 내부를 세정하게 되면, 탈이온수(H2O)를 구성하는 수소(H2)와 산소(O2) 성분이 챔버 내부에 잔류하기 쉽다. 이와같은 잔류물들 특히, 수소 성분은 챔버 내부의 고진공화를 더디게 한다. 이로 인하여, 수소 성분을 완전히 제거하지 않고는, 고진공 상태를 유지하는 도핑 챔버로 복귀시키는데 거의 12시간정도의 장시간이 소요된다.
따라서, 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 도핑 장치를 세정한후, 단시간에 고진공 상태로 복귀시킬 수 있는 불순물 도핑 장치의 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 종래의 MPS가 표면에 형성된 실린더 타입의 스토리지 전극을 나타낸 단면도.
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 도핑 장치의 세정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명에 따른 도핑 장치의 세정후, 시간에 따른 잔류 불순물량을 측정 결과를 나타낸 그래프.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
30 - 도핑 장치 31 - 챔버
32 - 석영돔 33 - 오링
34 - 서스셉터 35 - 가스 라인
300 - 잔류 수소 및 산소 301 - 휘발 가스
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 불순물 도핑 장치의 내부를 탈이온수로 세정하는 단계; 상기 세정된 불순물 도핑 장치를 안정화시키는 단계; 상기 세정된 도핑 장치에 탈이온수의 잔류 성분을 제거하기 위하여 잔류 성분을 휘발시키기 위한 가스를 플로우시키는 단계; 및 상기 도핑 장치 내부를 고진공 상태가 되도록 펌핑하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 세정된 불순물 도핑 장치를 안정화시키는 단계는, 도핑 장치 내부의 압력이 약 10-4torr 정도가 되도록 펌핑하는 것이다. 또한, 상기 탈이온수의 잔류 성분을 휘발시키기 위한 가스는 Si2H6가스 또는 SiH4가스이다. 아울러, 상기 탈이온수의 잔류 성분을 휘발시키기 위한 Si2H6가스 또는 SiH4가스는 도핑 장치 내벽에 폴리실리콘이 발생되지 않을 정도로 양 및 시간동안 공급됨이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 Si2H6가스 또는 SiH4가스는 약 10 내지 30 sccm 정도의 양으로 약 10분 내지 1시간 동안 공급됨이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 세정을 마친 도핑 장치에 잔류하는 수소 및 산소 성분을 제거하기 위하여, 세정을 마친 도핑 장치에 Si2H6가스 또는 SiH4가스를 주입한다. 그러면, Si2H6가스 또는 SiH4가스와 수소 및 산소 성분이 반응되어, 잔류하는 수소 및 산소 성분이 휘발된다. 이에따라, 고진공화를 저해시키는 수소 및 산소 성분이 제거되었으므로, 도핑 장치 내부는 단시간내에 펌핑 공정으로 고진공 상태가 된다.
(실시예)
이하, 첨부한 도면에 의거하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.
첨부한 도면 도 2a 내지 도 2b는 본 발명에 따른 도핑 장치의 세정 방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 본 발명에 따른 도핑 장치의 세정후, 시간에 따른 잔류 불순물량을 나타낸 그래프이다.
먼저, 도 2a를 참조하여, 수천장의 웨이퍼에 PH3가스를 도핑시킨 도핑 장치(30)를, 도핑 장치(30)의 내벽에 잔류하는 PH3층을 제거하기 위하여, 세정하기 쉬운 상태로 분해한다음, 탈이온수로 세정한다. 여기서, 도핑 장치(30)의 개략적인 구성은 다음과 같다. 실질적인 도핑이 이루어지는 챔버(31)와, 챔버의 상부면을 덮는 석영 돔(qurtz dome:32), 챔버(31)와 석영돔(32)간을 밀폐시키는 오링(O-ring:33), 챔버(31)내에 위치하며 내부에 히터를 장착하고 있고, 불순물이 도핑되어질 웨이퍼(도시되지 않음)가 안착되는 서스셉터(susceptor:34) 및 챔버(31)내에 불순물을 공급하는 가스 라인(35)로 구성된다.
이때, 탈이온수로 세정된 도핑장치(30)의 내벽, 즉, 챔버(31) 및 석영돔(32)의 내벽 표면에는 탈이온수의 성분인 수소(H2) 및 산소(O2) 성분(300)이 잔류하게 된다. 이러한 수소(H2) 및 산소(O2) 성분(300)은 상술한 바와 같이, 세정을 마친 도핑장치(30)를 원래의 고진공 상태로 복귀시키는데 방해 요소로 작용하기 때문에, 본 실시예서는 다음의 방법으로 수소(H2) 및 산소(O2) 성분(300)을 제거한다.
먼저, 도핑 장치(30) 내부가 안정화되도록 온도 및 압력을 조절한다. 이때, 도핑 장치(30)내의 압력은 10-4torr 정도가 되도록 1차 펌핑됨이 바람직하다. 이때, 도핑 장치(30)내의 압력을 10-4torr 정도 유지시키는데는, 상기 압력이 얻고자하는 고진공(10-6torr) 상태보다 높은 압력이므로, 비교적 단시간의 펌핑공정으로 달성할 수 있다.
그후, 세정을 마친 도핑 장치(30)내에 Si2H6가스 또는 SiH4가스(301)를 상기 가스 라인(305)를 통하여 약 10 내지 30 sccm 정도 플로우시킨다. 그러면, Si2H6가스 또는 SiH4가스에 의하여 도핑 장치(30)의 내벽에 잔류하는 수소(H2) 및 산소(O2)성분이 아래와 같은 반응식으로 휘발된다.
Si2H6+ H2O → SiH4↑ + SiO2↑ + H2↑ ---(식1)
SiH4+ 2H2O → SiO2↑ + 4H2↑ ---(식2)
즉, 세정을 마친 후 도핑 장치내에 수소와 산소를 휘발시키기 위한 가스를 주입하여, 수소와 산소를 휘발시킨다음, 도핑 장치 내표면에 수소와 산소가 제거된 상태에서 도핑 장치의 고진공화 공정이 진행된다.
여기서, Si2H6가스 또는 SiH4가스를 공급할때, 플로우 량 및 플로우 시간을 콘트롤함이 중요하다. Si2H6가스 또는 SiH4가스의 공급이 장시간동안 진행되면, 도핑장치의 내벽에 폴리실리콘막이 형성될 수 있다. 이때, 이 폴리실리콘막은 도핑 장치의 내부 온도를 상승시키므로, 폴리실리콘막이 형성되지 않은 정도의 양 및 시간을 고려하여, Si2H6가스 또는 SiH4가스를 공급하는 것이 바람직하다. 예를들어, 본 실시예에서는 Si2H6가스 또는 SiH4가스를 약 10 내지 30 sccm의 플로우 량으로 10분 내지 1 시간 동안 공급한다.
도 3은 세정을 마친 도핑 장치내에 Si2H6가스 또는 SiH4가스를 주입한후, 수소와 산소의 양(H2O의 양)을 측정한 그래프이다. 상기 그래프에 의하면, Si2H6가스 또는 SiH4가스를 주입한후, 소정 시간 예를들어 12시간 경과후, H2O의 양이 급격히 감소됨을 알 수 있다.
그후, 도 2b에 도시된 바와 같이, 도핑 장치(30)이 10-6torr정도의 고진공 상태를 유지할 수 있도록, 2차 펌핑된다. 이때, Si2H6가스 또는 SiH4가스의 주입으로 잔류하는 수소의 양과 산소의 양이 감소되었으므로, 종래보다 빠른 시간에 고진공 상태가 된다.
이상에서 자세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 세정을 마친 도핑 장치에 잔류하는 수소 및 산소 성분을 제거하기 위하여, 세정을 마친 도핑 장치에 Si2H6가스 또는 SiH4가스를 주입한다. 그러면, Si2H6가스 또는 SiH4가스와 수소 및 산소 성분이 반응되어, 잔류하는 수소 및 산소 성분이 휘발된다. 이에따라, 고진공화를 저해시키는 수소 및 산소 성분이 제거되었으므로, 도핑 장치 내부는 단시간내에 펌핑 공정으로 고진공 상태가 된다.

Claims (11)

  1. 불순물 도핑 장치의 내부를 탈이온수로 세정하는 단계;
    상기 세정된 불순물 도핑 장치를 안정화시키는 단계;
    상기 세정된 도핑 장치에 탈이온수의 잔류 성분을 제거하기 위하여 잔류 성분을 휘발시키기 위한 가스를 플로우시키는 단계; 및
    상기 도핑 장치 내부를 고진공 상태가 되도록 펌핑하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불순물 도핑 장치의 세정방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 세정된 불순물 도핑 장치를 안정화시키는 단계는, 도핑 장치 내부의 압력이 약 10-4torr 정도가 되도록 펌핑하는 것을 특징으로 하는 불순물 도핑 장치의 세정방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 탈이온수의 잔류 성분을 휘발시키기 위한 가스는 Si2H6가스 또는 SiH4가스인 것을 특징으로 하는 불순물 도핑 장치의 세정방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 탈이온수의 잔류 성분을 휘발시키기 위한 Si2H6가스 또는 SiH4가스는 도핑 장치 내벽에 폴리실리콘이 발생되지 않을 정도로 양 및 시간동안 공급되는 것을 특징으로 하는 불순물 도핑 장치의 세정방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 탈이온수의 잔류 성분을 휘발시키기 위한 Si2H6가스 또는 SiH4가스는 약 10 내지 30 sccm 정도 공급되는 것을 특징으로 하는 불순물 도핑 장치의 세정방법.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 탈이온수의 잔류 성분을 휘발시키기 위한 Si2H6가스 또는 SiH4가스는 약 10분 내지 1시간 동안 공급되는 것을 특징으로 하는 불순물 도핑 장치의 세정방법.
  7. 불순물 도핑 장치의 내부를 탈이온수로 세정하는 단계;
    상기 세정된 불순물 도핑 장치를 안정화시키는 단계;
    상기 세정된 도핑 장치에 탈이온수의 잔류 성분을 제거하기 위하여, Si2H6가스 또는 SiH4가스인가스를 플로우시키는 단계; 및
    상기 도핑 장치 내부를 약 10-6torr 정도의 고진공 상태가 되도록 펌핑하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불순물 도핑 장치의 세정방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 세정된 불순물 도핑 장치를 안정화시키는 단계는, 도핑 장치 내부의 압력이 약 10-4torr 정도가 되도록 펌핑하는 것을 특징으로 하는 불순물 도핑 장치의 세정방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 탈이온수의 잔류 성분을 휘발시키기 위한 Si2H6가스 또는 SiH4가스는 도핑 장치 내벽에 폴리실리콘이 발생되지 않을 정도로 양 및 시간동안 공급되는 것을 특징으로 하는 불순물 도핑 장치의 세정방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 탈이온수의 잔류 성분을 휘발시키기 위한 Si2H6가스 또는 SiH4가스는 약 10 내지 30 sccm 정도 공급되는 것을 특징으로 하는 불순물 도핑 장치의 세정방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 탈이온수의 잔류 성분을 휘발시키기 위한 Si2H6가스 또는 SiH4가스는 약 10분 내지 1시간 동안 공급되는 것을 특징으로 하는 불순물 도핑 장치의 세정방법.
KR1019990048082A 1999-11-02 1999-11-02 불순물 도핑 장치의 세정방법 KR20010044998A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990048082A KR20010044998A (ko) 1999-11-02 1999-11-02 불순물 도핑 장치의 세정방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990048082A KR20010044998A (ko) 1999-11-02 1999-11-02 불순물 도핑 장치의 세정방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010044998A true KR20010044998A (ko) 2001-06-05

Family

ID=19618121

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990048082A KR20010044998A (ko) 1999-11-02 1999-11-02 불순물 도핑 장치의 세정방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20010044998A (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62137820A (ja) * 1985-12-12 1987-06-20 Agency Of Ind Science & Technol 半導体薄膜の形成方法
JPH01184916A (ja) * 1988-01-20 1989-07-24 Sanyo Electric Co Ltd 気相成長方法
KR980005712A (ko) * 1996-06-12 1998-03-30 김광호 체임버 세척 방법
US5759287A (en) * 1993-06-30 1998-06-02 Applied Materials, Inc. Method of purging and passivating a semiconductor processing chamber

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62137820A (ja) * 1985-12-12 1987-06-20 Agency Of Ind Science & Technol 半導体薄膜の形成方法
JPH01184916A (ja) * 1988-01-20 1989-07-24 Sanyo Electric Co Ltd 気相成長方法
US5759287A (en) * 1993-06-30 1998-06-02 Applied Materials, Inc. Method of purging and passivating a semiconductor processing chamber
KR980005712A (ko) * 1996-06-12 1998-03-30 김광호 체임버 세척 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20130092574A (ko) 기판 표면으로부터 오염물들 및 자연 산화물들을 제거하는 방법
US6376328B1 (en) Method for producing capacitor elements, and capacitor element
US6232178B1 (en) Method for manufacturing capacitive element
KR100799129B1 (ko) 반도체 메모리 소자의 캐패시터 제조방법
KR100363295B1 (ko) 반도체 소자
US7018482B1 (en) Method of manufacturing electronic devices, and apparatus for carrying out such a method
KR20010044998A (ko) 불순물 도핑 장치의 세정방법
US6329237B1 (en) Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device using a high dielectric tantalum oxide or barium strontium titanate material that is treated in an ozone plasma
JP4797358B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR0139767B1 (ko) 반도체장치와 그 제조방법
KR20040074245A (ko) 반도체소자의 캐패시터 제조방법
JP2914041B2 (ja) 絶縁膜の形成方法
JP4655321B2 (ja) 熱処理方法
KR100360150B1 (ko) 반도체소자의캐패시터형성방법
KR100404480B1 (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR19990088287A (ko) 반도체장치의제조방법
JP2000150826A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
KR100266282B1 (ko) 반도체장치의 hsg박막 제조방법
KR100328453B1 (ko) 반도체 소자의 전하저장전극 형성 방법
KR100346454B1 (ko) 반도체소자의 저장전극 형성방법
KR20000027839A (ko) 반도체장치의 캐퍼시터 형성방법
KR100377166B1 (ko) 반도체메모리장치의 전하저장전극 형성방법
KR100327570B1 (ko) 반도체소자의 플러그라인 제조방법
KR100418092B1 (ko) 반도체 소자의 커패시터 제조 방법
KR100387260B1 (ko) 반도체 소자의 전극 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application