KR980005712A - 체임버 세척 방법 - Google Patents

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KR980005712A
KR980005712A KR1019960020947A KR19960020947A KR980005712A KR 980005712 A KR980005712 A KR 980005712A KR 1019960020947 A KR1019960020947 A KR 1019960020947A KR 19960020947 A KR19960020947 A KR 19960020947A KR 980005712 A KR980005712 A KR 980005712A
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KR
South Korea
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gas
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seconds
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KR1019960020947A
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English (en)
Inventor
한성민
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 체임버(chamber) 세척(cleaning) 방법에 관한 것으로서, 증착 공정에서 발생하는 이물질을 제거한 후 증착 공정전에 실시하는 체임버 세척 방법에 관한 것이다. NF3및 아르곤(Ar)가스를 1600w(RF power)로 30초 동안 상기 체임버 내부를 순화시키고 SiH4및 H2가스를 500w(RF power)로 120초동안 상기 체임버 내부를 순화시킨다. 따라서, 본 발명에 따른 체임버 세척방법은 F 이온을 비정질 실리콘과 반응하여 배기 시키거나, 체임버 내부 벽에 형성되는 실리콘막에 포획되도록 함으로써 후속 공정에서 제조되는 박막트랜지스터에 F 이온을 최소화되게 하여 박막 트렌지스터에서 발생하는 열화 현상을 방치하는 효과가 있다.

Description

체침버 세척 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (1)

  1. NF3및 아르곤(Ar) 가스를 1600w(RF power)에서 일정 시간 동안 체임버를 세척하는 단계, SiH4, N2및, NH3가스를 800w(RF power)로 30초 동안 상기 체임버 내부를 순화시키는 단계, SiH4, N2가스를 500w(RF power)로 120초동안 상기 체임버 내부를 순화시키는 단계를포함하는 체임버 세척방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20010044998A (ko) * 1999-11-02 2001-06-05 박종섭 불순물 도핑 장치의 세정방법

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