KR20010039371A - 화염 분무열분해법에 의한 산화물 형광체 제조방법 - Google Patents

화염 분무열분해법에 의한 산화물 형광체 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 원하는 조성의 혼합용액을 미세한 액적으로 분무시키고, 이를 확산화염 내부에서 내부가 충진된 구형의 형광체 입자로 전환시키켜 산화물 형광체를 제조하는 방법 및 그로부터 제조되는 산화물 형광체에 관한 것이다. 본 발명에서는, 제조하려는 산화물 형광체의 양론비에 맞도록 모체(host) 및 모체를 도핑하는 활성제(activator)를 물에 용해시켜 0.02 내지 2M의 산화물 형광체 입자 전구체 용액을 수득한 다음, 전기 전구체 용액을 필터액적 발생장치 또는 초음파 액적발생장치를 이용하여 직경 1 내지 20㎛의 액적으로 분무시키고, 전기 액적을 확산화염반응기 내부에서 건조-분해-반응-용융-결정화시켜 형광체 입자로 전환시키는 화염 분무열분해법에 의한 산화물 형광체를 제조하는 방법 및 그로부터 제조되는 산화물 형광체를 제공한다. 본 발명에 의하면, 종래의 분무열분해법에 의한 형광체 분체 보다 구형의 형태에 가깝고, 분포가 균일할 뿐만 아니라 구의 내부가 충진된 상태이면서 분체 사이의 응집이 없는 구형의 형광체 분체를 단시간에 제조할 수 있다.

Description

화염 분무열분해법에 의한 산화물 형광체 제조방법{Process for Preparing Oxidized Phosphor Particles by Flame Spray Pyrolysis}
본 발명은 화염 분무열분해법에 의한 산화물 형광체 입자의 제조방법 및 그로부터 제조되는 산화물 형광체에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 원하는 조성의 혼합용액을 미세한 액적으로 분무시키고, 이를 확산화염 내부에서 내부가 충진된 구형의 형광체 입자로 전환시키켜 산화물 형광체를 제조하는 방법 및 그로부터 제조되는 산화물 형광체에 관한 것이다.
디스플레이 및 램프용 형광체로는 주로 ZnS, CdS, ZnCdS 등과 같은 모체에 귀금속이 도핑된 황화물 형광체들이 사용되어 왔다. 이들 황화물 형광체는 수십 년 동안 연구되면서 발전을 거듭하여, 현재는 더 이상의 효율 증대를 얻기 힘든 수준에까지 효율 향상이 이루어졌다. 따라서, 몇 년 전까지만해도 이들 형광체에 대한 연구는 극히 일부의 연구 집단에 의해 이루어져 왔다.
그러나, 최근 들어 고화질 TV(HDTV: high definition television)에 대한 관심이 높아지면서 이에 따라 디스플레이의 개발도 활기를 띄고 있다. 그 대표적인 디스플레이가 최근에 각광받는 평판디스플레이인 플라즈마 디스플레이(PDP: plasma display) 및 전계방출형 디스플레이(FED: field emission display)이다. 이들 디스플레이는 종래의 디스플레이와 달리 가볍고 두께가 얇은 특성으로 인하여, 벽걸이형 TV, 컴퓨터, 캠코더 및 자동항법장치 등 여러 분야에서의 응용 가능성을 가지고 있어 많은 관심의 대상이 되고 있다.
한편, 종래의 음극선관(CRT) 디스플레이에서는 황화물 형광체가 우수한 발광특성을 가지고 있어 문제가 없었으나, 평판디스플레이 및 전계방출형 디스플레이에서는 종래의 황화물 형광체를 사용하는데 어려움이 있다. 즉, 평판디스플레이 및 전계방출형 디스플레이는 고진공하에서 형광체들이 발광을 하기 때문에, 종래의 황화물 형광체를 사용하는 경우에는 황화물의 분해에 의한 진공도 저하 및 성능저하의 문제점이 발생한다.
황화물 형광체와 달리 산화물 형광체는 디스플레이에서 발광을 위한 에너지원인 자외선이나 전자빔에 매우 안정하기 때문에, 평판디스플레이용 형광체로 사용되고 있다. 그 대표적인 예가 알루미늄산염(aluminate), 규산염(silicate), 티탄산염(titanate), 붕산염(borate) 등이다.
현재, 이러한 물질들을 이용한 다성분의 산화물 형광체는 대부분 고상법에 의해 제조되고 있다. 고상법에서는 각각의 구성 성분들의 산화물을 혼합하고 반복되는 고온열처리 및 분쇄공정을 거쳐 최종적으로 원하는 다성분 산화물 형광체를 제조하므로, 고상법으로 순수한 조성을 얻기 위해서는 고온과 장시간의 공정을 거쳐야 한다. 또한, 반복되는 열처리 및 분쇄과정을 거치면서 형광체 입자에 불순물이 함유될 수 있으며, 이 방법으로 제조되는 입자들은 일반적으로 크기가 수 마이크론에 해당되며 표면이 거칠고 형태가 불균일하다.
고상법의 이러한 문제점을 해결하기 위하여 액상법을 이용한 제조방법이 연구되고 있다. 고상법과 달리 공침법이나 솔-젤법과 같은 액상법은 매우 낮은 온도에서 원하는 다성분의 형광체를 제조할 수 있다. 또한, 분자수준에서 도핑물질의 혼합이 가능하기 때문에, 보다 낮은 열처리 온도에서 좋은 형광특성을 기대할 수 있다. 그러나, 액상법에 의하여 제조되는 다성분계 산화물 형광체들은 입자의 형태가 매우 불균일하기 때문에, 평판디스플레이용으로 사용되기 어렵다.
따라서, 보다 간단한 공정으로 플라즈마 디스플레이, 전계방출형 디스플레이 및 종래의 음극선관(CRT)과 램프용으로 널리 사용될 수 있도록 크기와 형태가 균일하며 우수한 발광특성을 가지는 산화물 형광체의 제조방법을 개발해야 할 필요성이 대두되어 왔다.
이에, 본 발명자들은 균일한 크기와 형태를 가지는 다양한 형광체의 제조방법을 개발하고자 예의 연구 노력한 결과, 초음파와 같은 액적 분무 장치를 사용하여, 원하는 조성의 혼합 용액을 미세한 액적으로 분무시키고, 전기 분무된 액적을 확산화염 내부에서 건조, 분해, 반응, 용융 및 결정화시켜, 구형이고 응집이 없을 뿐만아니라 균일한 형태이면서 내부가 충진된 다양한 형광체 입자를 제조할 수 있음을 확인하고, 본 발명을 완성하게 되었다.
결국, 본 발명의 주된 목적은 확산화염을 이용한 화염 분무열분해법에 의하여 구형이면서 내부가 충진된 형광체를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 전기 방법에 의하여 제조되는 산화물 형광체를 제공하는 것이다.
도 1은 화염 분무열분해장치의 구성을 보여주는 모식도이다.
도 2는 화염 분무열분해장치의 노즐의 구성을 모식적으로 보여주는 정면도 및 측면도이다.
도 3은 확산화염반응기 내에서의 입자 생성 기구를 보여주는 모식도이다.
도 4는 화염 분무열분해법에 의해 제조된 YAG:Tb 입자의 전자현미경 사진이다.
도 5는 종래의 분무열분해법에 의해 제조된 YAG:Tb 입자의 전자현미경 사진이다.
도 6은 화염 분무열분해법에 의해 제조된 Y2O3:Eu 입자의 전자현미경 사진이다.
도 7은 종래의 분무열분해법에 의해 제조된 Y2O3:Eu 입자의 전자현미경 사진이다.
도 8은 화염 분무열분해법에 의해 제조된 Gd2O3:Eu 입자의 전자현미경 사진이다.
도 9는 종래의 분무열분해법에 의해 제조된 Gd2O3:Eu 입자의 전자현미경 사진이다.
본 발명의 산화물 형광체는 화염 분무열분해장치를 사용하여 제조될 수 있다(참조: 도 1). 화염 분무열분해장치는 전구체 용액을 액적으로 전환시키는 액적발생장치, 발생된 액적과 연료기체를 분사시키는 노즐, 입자형성 반응을 위한 확산화염반응기, 형성된 입자를 회수하는데 이용되는 백필터 및 반응기에서 생성된 가스와 형광체를 반응기 외부로 나올 수 있도록 압력을 제공하는 펌프 등으로 구성된다. 이때, 액적발생장치는 필터 액적발생장치(filter expansion aerosol generator, FEAG) 또는 초음파 액적발생장치가 사용될 수 있다. 또한, 노즐은 중심부에 분무된 액적이 통과하는 중심관과 이들의 외부에 위치하면서 연료가스, 산소, 연료가스, 산소가 각각 별도로 통과하는 4개의 동심관으로 구성되어 있다(참조: 도 2).
본 발명에서는, 제조하려는 산화물 형광체의 양론비에 맞도록 모체(host) 및 모체를 도핑하는 활성제(activator)를 물에 용해시켜 0.02 내지 2M의 산화물 형광체 입자 전구체 용액을 수득한 다음, 전기 전구체 용액을 필터액적 발생장치 또는 초음파 액적발생장치를 이용하여 직경 1 내지 20㎛의 액적으로 분무시키고, 전기 액적을 확산화염반응기 내부에서 건조-분해-반응-용융-결정화시켜 형광체 입자로 전환시킴으로써, 테르븀, 유로퓸, 세륨 또는 크롬으로 도핑된 YAG(Y3Al5O12), 테르븀 또는 세륨으로 도핑된 YAGG[Y3(AlGa)5O12], 테르븀 또는 세륨으로 도핑된 Y2SiO5, 아연으로 도핑된 ZnO, 유로품으로 도핑된 YVO4, Y2O3, BaMgAl10O17, (Y, Gd)BO3또는 Gd2O3, 아연으로 도핑된 BaAl12O19또는 Ce1-x/Tbx(x는 0 내지 1이다)으로 도핑된 MgAl11O19등의 다양한 산화물 형광체를 제조할 수 있다.
이하, 본 발명의 고온의 확산 화염을 이용한 화염 분무열분해법에 의하여 형광체를 제조하는 방법을 공정별로 나누어, 보다 구체적으로 설명하고자 한다.
제 1공정: 형광체 입자 전구체의 수득
제조하려는 산화물 형광체의 양론비에 맞도록 각각의 원료성분을 물에 용해시켜 전구체 용액을 수득한다. 이때, 각 원료성분은 모체 및 모체를 도핑하는 활성제로 구성되며, 이들은 물에 쉽게 용해되는 금속의 염, 즉, 금속의 질산염(nitrate), 초산염(acetate), 염화물(chloride) 등이 사용되며, 바람직하게는 질산염이 사용된다. 모체로서는 이트륨(Y), 알루미늄(Al), 가돌리늄(Gd), 아연(zn), 바나듐(V), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg) 또는 붕소(B) 등의 수용성 염이 사용될 수 있으며, 티타늄(Ti)이나 실리콘(Si) 등의 금속은 적당한 금속 염 원료가 없기 때문에, 티타늄이소프로폭사이드(titanium(Ⅳ)isopropoxide, TTIP) 또는 테트라에틸오르쏘실리케이트(tetraethylorthosilicate, TEOS) 등이 사용될 수 있다. 활성제로서는 크롬(Cr), 테르븀(Tb), 세륨(Ce), 망간(Mn), 유로퓸(Eu) 또는 아연(Zn) 등의 수용성 염이 사용될 수 있다. 전구체 용액의 농도에 따라 제조되는 형광체 입자의 크기가 결정되기 때문에, 원하는 크기의 입자를 제조하기 위해서는 전구체 용액의 농도가 적절해야 하는 바, 전구체 용액의 농도는 0.02 내지 2.0M 범위가 바람직하다. 전구체의 농도가 0.02M에 이르지 못한 경우 생성되는 형광체 입자의 양이 너무 적어지는 문제가 발생하고, 전구체의 농도가 2.0M 이상이 되는 경우에는 균일한 전구체 용액을 만들기가 어려운 문제점이 있다.
제 2공정: 액적의 분무
제조된 형광체 입자의 전구체 용액을 FEAG에서는 필터를, 초음파 액적발생장치에서는 분무장치(nebulizer)를 이용하여 직경 1 내지 20㎛, 바람직하게는 5 내지 20㎛, 보다 바람직하게는 10㎛ 내외의 액적을 발생시킨다. 액적의 직경이 1㎛에 이르지 못하거나 20㎛를 초과하는 경우에는 생성되는 입자의 크기가 너무 작거나 크게 되어, 평판디스플레이용 형광체로 적절하지 않은 크기의 입자가 생성되게 된다.
제 3공정: 구형 형광체 입자의 생성
확산화염반응기 내로 들어온 액적은 화염 내부에서 산화물 형광체 입자로 전환된다. 이때, 확산화염은 산소 혹은 공기와 연료 가스인 프로판 가스 또는 수소가 노즐에서 분사되어 확산되면서 생성되며, 연료 가스의 종류 및 유량, 산소 혹은 공기의 유량 및 연료가스와의 비율 등을 조절함으로써 화염의 온도조절이 가능한 데, 확산화염의 온도는 액적에서 생성된 입자들이 용융될 수 있는 1500℃ 이상이 바람직하다. 화염 내부로 들어온 액적은 건조-분해-반응-용융-결정화의 과정을 거쳐 형광체 입자로 전환된다(참조: 도 3). 도 3은 확산화염반응기 내에서의 입자생성기구를 모식적으로 설명하는 그림이다. 도 3에서, 건조는 액적에 포함된 수분이 증발되어 고체의 입자로 변환되는 과정이고, 분해는 고체로 상변이된 입자 내부에 존재하는 질소나 탄소 성분들이 이산화질소(NO2)나 이산화탄소(CO2) 등의 가스로 방출되는 과정이며, 반응은 금속성분들, 예를 들어, 이트륨, 알루미늄, 가돌리늄 또는 마그네슘 등이 산소와 결합하여 산화물로 전환하는 과정이고, 용융은 반응에 의해 생성된 입자가 고온의 화염 내부에서 용융되어서 내부가 충진된 구형을 이루는 과정이다. 끝으로, 반응과 용융이 완료된 산화물들이 규칙적으로 재배열되는 결정화를 통하여 입자로 전환된다. 화염 분무열분해장치의 경우 화염내에서 이 모든 반응이 완료된다. 또한, 융점 근처의 고온으로 입자를 제조하기 때문에 테르븀, 유로퓸, 세륨, 크롬, 망간 등의 활성제가 형광체 격자 내부로 들어오는 활성화 과정도 이 화염 내에서 진행되므로, 후처리 없이도 발광이 가능한 형광체가 제조된다.
제 4공정: 후처리 공정
반응기 내에서의 체류시간이 짧거나 저온에서 제조한 경우, 예를 들어 Y2O5형광체 입자를 1초보다 체류시간이 짧거나, 1200℃ 보다 낮은 온도에서 제조하는 경우, 결정화 및 활성화를 위한 후처리 공정이 필요하다. 이때, 후처리 공정은 전기 제 3공정에서 수득한 형광체 입자를 800 내지 1500℃의 온도에서 1 내지 5시간 동안 가열하여 수행된다. 일반적으로, 후처리 온도나 처리 시간에 따라 발광효율이 현격하게 변화하며, 분무열분해법으로 제조된 형광체는 다른 방법으로 제조된 형광체 보다 낮은 온도와 짧은 후처리 시간으로도 충분한 발광특성을 나타낸다.
이하, 실시예에 의하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 요지에 따라 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게서 자명할 것이다.
실시예 1: 화염분무열 분해법에 의한 YAG:Tb 형광체의 제조
Y2O3의 공급원인 이트륨 질산염 2.73g, Al2O3의 공급원인 알루미늄 질산염 3.59g 및 테르븀 질산염 0.44을 증류수에 용해시켜, YAG(Y3Al5O12)의 양론비인 Y2O3:Al2O3가 3:5이고, 테르븀의 양이 총 용질양의 4.0몰%로 맞추어진 0.5M 농도의 전구체 용액을 수득하였다. 다음으로, 전기 수득된 전구체 용액을 초음파 액적발생장치를 이용하여 유속 2.0L/min인 산소가스를 운반기체(carrier gas)로 직경이 약 10 ㎛의 액적으로 분무시킨 다음, 확산화염반응기 내부에서 건조-분해-반응-용융-결정화시켜 형광체 입자로 전환시켜 YAG:Tb 형광체 입자를 제조하였다.
제조된 YAG:Tb 형광체에 대하여 입자들의 크기, 크기분포 및 형태 조사를 위하여 필립스 사의 모델 535M인 전자현미경을 통하여 관찰하였다. 입자를 양면 테이프를 이용하여 홀더에 부착하였고 스퍼터링(sputtering)에 의해 균일한 골드 코팅을 하는 방법으로 전자현미경사진을 촬영하여 제조된 구형 형광체 입자의 크기 및 분포를 조사하였다(참조: 도 4).
비교예 1: 종래의 분무열분해법에 의한 YAG:Tb 형광체의 제조
실시예 1과 동일한 조성으로 전구체 용액을 수득한 다음, 전기 수득된 전구체 용액을 초음파 분무열분해장치를 이용하여 유속 2.0L/min인 산소가스를 운반기체로 직경이 약 10 ㎛의 액적으로 분무시고, 900℃로 가열되어 있는 수직형 전기로를 통과시켜서 YAG:Tb 형광체를 제조하였다. 제조된 YAG:Tb 형광체에 대하여 실시예 1과 동일한 방법으로 전자현미경사진을 촬영하여 제조된 구형 형광체 입자의 형태, 구의 충진상태 및 응집상태 등을 조사하였다(참조: 도 5).
도 4는 화염 분무열분해법에 의해 제조된 YAG:Tb 형광체 입자의 전자현미경 사진이고, 도 5는 종래의 초음파 분무열분해법에 의해 제조된 YAG:Tb 형광체 입자의 전자현미경 사진이다. 도 4 및 도 5에서 보듯이, 화염 분무열분해법으로 제조된 YAG:Tb 입자의 경우, 종래의 분무열분해법으로 제조된 형광체 분체와 비교하여 형태에서도 완전한 구형에 가까움을 확인할 수 있다. 또한, 구 내부의 충진상태에서도, 종래의 분무열분해법에 의한 입자는 충진상태가 완전하지 않은 입자들이 다수 발견되는 반면, 본 발명의 화염 분무열분해법에 의한 입자의 경우에는 내부가 비어있는 입자들이 발견되지 않고 있다. 이는 화염 분무열분해법으로 형광체 입자를 제조할 경우, 융점 근처의 고온인 확산 화염의 내부에서 모든 반응이 일어나므로 형성된 입자가 용융되면서 내부가 완전히 충진된 구형의 입자가 생성되기 때문이다. 그리고, 입자 사이의 응집상태에서도, 종래의 분무열분해법에 의한 입자의 경우는 입자사이의 응집이 심한 반면, 본 발명의 화염 분무열분해법에 의한 입자의 경우에는 입자사이의 응집이 거의 없음을 확인 할 수 있다.
실시예 2: 화염 분무열 분해법에 의한 Y2O3:Eu 형광체의 제조
모체로 이트륨 질산염 7.24g이 사용되고, 활성제로 유로퓸 질산염 0.43g이 사용된 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 Y2O3:Eu 형광체를 제조하고 전자현미경사진을 촬영하여, 구형 형광체 입자의 형태, 구의 충진상태 및 응집상태 등을 조사하였다(참조: 도 6).
비교예 2: 종래의 분무열분해법에 의한 Y2O3:Eu 형광체의 제조
실시예 2과 동일한 조성으로 전구체 용액을 수득한 다음, 전기 수득된 전구체 용액을 비교예 1과 동일한 방법으로 Y2O3:Eu 형광체를 제조하였다. 제조된 Y2O3:Eu 형광체에 대하여 실시예 1과 동일한 방법으로 전자현미경사진을 촬영하여, 구형 형광체 입자의 형태, 구의 충진상태 및 응집상태 등을 조사하였다(참조: 도 7).
실시예 3: 화염 분무열 분해법에 의한 Gd2O3:Eu 형광체의 제조
모체로 가돌리늄 질산염 10.52g이 사용되고, 활성제로 유로퓸 질산염 0.43g이 사용된 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 Y2O3:Eu 형광체를 제조하고 전자현미경 사진을 촬영하여 구형 형광체 입자의 형태, 구의 충진상태 및 응집상태 등을 조사하였다(참조: 도 8).
비교예 3: 종래의 분무열분해법에 의한 Gd2O3:Eu 형광체의 제조
실시예 3과 동일한 조성으로 전구체 용액을 수득한 다음, 전기 수득된 전구체 용액을 비교예 1과 동일한 방법으로 Gd2O3:Eu 형광체를 제조하였다. 제조된 Gd2O3:Eu 형광체에 대하여 실시예 1과 동일한 방법으로 전자현미경사진을 촬영하여, 구형 형광체 입자의 형태, 구의 충진상태 및 응집상태 등을 조사하였다(참조: 도 9).
도 6과 도 7은 각각, 본 발명의 화염 분무열분해법 및 종래의 분무열분해법에 의하여 제조된 Y2O3:Eu 형광체 입자의 전자현미경사진이고, 도 8과 도 9는 각각, 본 발명의 화염 분무열분해법 및 종래의 분무열분해법에 의하여 제조된 Gd2O3:Eu 형광체 입자의 전자현미경사진이다. 도 6, 7, 8 및 9에서도 YAG:Tb 형광체 입자의 경우와 마찬가지로, 구의 형태, 구 내부의 충진상태 및 입자들 사이의 응집상태 모두에서 종래의 분무열 분해법에 비하여 본 발명의 화염 분무열분해법에 의한 입자가 우수함을 확인할 수 있었다. 또한, 본 실시예 및 비교예에서는 생성된 형광체 입자의 분포에 있어서도, 종래의 분무열분해법에 의한 입자보다 본 발명의 화염 분무열분해법에 의한 입자가 균일한 분포를 보임을 확인할 수 있다.
이상에서 상세히 설명하고 입증하였듯이, 본 발명은 제조하려는 산화물 형광체의 양론비에 맞도록 모체 및 모체를 도핑하는 활성제를 물에 용해시켜 0.02 내지 2M의 산화물 형광체 입자 전구체 용액을 수득한 다음, 전기 전구체 용액을 필터액적 발생장치 또는 초음파 액적발생장치를 이용하여 직경 1 내지 20㎛의 액적으로 분무시키고, 전기 액적을 확산화염반응기 내부에서 건조-분해-반응-용융-결정화시켜 형광체 입자로 전환시키는 화염 분무열분해법에 의한 산화물 형광체를 제조하는 방법 및 그로부터 제조되는 산화물 형광체를 제공한다. 본 발명에 의하면, 종래의 분무열분해법에 의한 형광체 입자 보다 구형의 형태에 가깝고, 분포가 균일할 뿐만 아니라, 구의 내부가 충진된 상태이면서 입자 사이의 응집이 없는 구형의 형광체 입자를 단시간에 제조할 수 있다.

Claims (11)

  1. (ⅰ) 제조하려는 다성분계 산화물 형광체의 양론비에 맞도록 모체(host) 및 모체를 도핑하는 활성제(activator)를 물에 용해시켜 0.02 내지 2M의 산화물 형광체 입자의 전구체 용액을 수득하는 공정;
    (ⅱ) 전기 전구체 용액을 필터액적 발생장치(filter expansion aerosol generator, FEAG) 또는 초음파 액적발생장치를 이용하여 직경 1 내지 20㎛의 액적으로 분무시키는 공정; 및,
    (ⅲ) 전기 액적을 확산화염반응기 내에서 건조-분해-반응-용융-결정화시켜 형광체 입자로 전환시키는 공정을 포함하는 화염 분무열분해법에 의한 산화물 형광체의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    전기 형광체 입자를 800℃ 내지 1500℃의 온도에서 1 내지 5시간 동안 후처리하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는
    화염 분무열분해법에 의한 산화믈 형광체의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    모체는 이트륨, 알루미늄, 가돌리늄, 아연, 바나듐, 바륨, 마그네슘 또는 붕소의 수용성염, 티타늄이소프로폭사이드 또는 테트라에틸오르쏘실리케이트인 것을 특징으로 하는
    화염 분무열분해법에 의한 산화물 형광체의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    활성제는 크롬, 테르븀, 세륨, 망간, 유로퓸 또는 아연의 수용성 염인 것을 특징으로 하는
    화염 분무열분해법에 의한 산화물 형광체의 제조방법.
  5. 제 3항 또는 제 4항에 있어서,
    수용성염은 질산염, 초산염 또는 염화물인 것을 특징으로 하는
    화염 분무열분해법에 의한 산화물 형광체의 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    확산화염의 온도는 1500℃ 이상인 것을 특징으로 하는
    화염 분무열분해법에 의한 산화물 형광체의 제조방법.
  7. 제 1항의 방법에 의해 제조된 산화물 형광체.
  8. 제 7항에 있어서,
    형광체는 테르븀, 유로퓸, 세륨 또는 크롬으로 도핑된 YAG(Y3Al5O12), 테르븀 또는 세륨으로 도핑된 YAGG[Y3(AlGa)5O12], 테르븀 또는 세륨으로 도핑된 Y2SiO5, 아연으로 도핑된 ZnO, 유로품으로 도핑된 YVO4, Y2O3, BaMgAl10O17, (Y, Gd)BO3또는 Gd2O3, 아연으로 도핑된 BaAl12O19또는 Ce1-x/Tbx(x는 0 내지 1이다)으로 도핑된 MgAl11O19인 것을 특징으로 하는
    산화물 형광체.
  9. 제 1항의 방법에 의해 제조된 산화물 형광체 YAG(Y3Al5O12):Tb.
  10. 제 1항의 방법에 의해 제조된 산화물 형광체 Y2O3:Eu.
  11. 제 1항의 방법에 의해 제조된 산화물 형광체 Gd2O3:Eu.
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