KR20010031981A - 기재 상에 이리듐-기초 물질 및 구조물을 형성하는 방법,및 이에 사용되는 이리듐 원료 시약 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 분해되어 기재 상에 이리듐을 증착시킬 수 있는 이리듐-함유 전구체로부터 기재 상에 이리듐-함유 막을 형성시키는 방법으로서, 예를 들어, 산소, 오존, 공기 및 산화질소 등의 산화 기체를 포함할 수 있는 산화 주변 환경에서 전구체를 분해시켜 기재 상에 이리듐을 증착시키는 단계를 포함하는 방법에 관한 것이다. 유용한 전구체는 루이스 염기-안정화 Ir(I) β-디케토네이트 및 루이스 염기-안정화 Ir(I) β-케토이미네이트를 포함한다. 이어서, 기재 상에 증착된 이리듐을 전극 패턴화를 위하여 에칭시킨 후, 유전성 또는 강유전성 물질을 전극 상에 증착시켜 DRAM, FeRAM, 혼성 시스템, 스마트 카드(smart card) 및 통신 시스템 등의 박막 캐패시터 반도체 장치의 제조에 사용할 수 있다.

Description

기재 상에 이리듐-기초 물질 및 구조물을 형성하는 방법, 및 이에 사용되는 이리듐 원료 시약{METHOD OF FABRICATING IRIDIUM-BASED MATERIALS AND STRUCTURES ON SUBSTRATES, AND IRIDIUM SOURCE REAGENTS THEREFOR}
이리듐(Ir) 및 산화이리듐(IrO2)은 캐패시터 층으로서 퍼로브스카이트 (perovskite) 금속 산화물 박막을 포함하는 강유전체-기초 메모리(FRAM: ferroelectric-based memory) 장치 및 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM: dynamic random access memory) 장치 모두에서 전극 물질로서 사용하기 위하여 많은 관심의 대상이 되고 있다.
다른 가능한 전극 물질에 대한 Ir의 장점은 증착의 용이성, 물질을 ″건조 에칭″하는 능력, 산화 환경의 고온에서 안정한 전도성 산화물을 형성하는 능력 및 작업 장치의 고온에서 안정하게 작동하는 능력을 포함한다.
Ir-기초 전극의 증착 및 가공은 전술한 장점 때문에 매우 바람직하다. 또한, IrO2는 고 밀도 DRAM 또는 FRAM 장치에서 요구되는 바와 같이 전도성 폴리실리콘 바이아(via) 또는 폴리실리콘 플러그(plug)의 산화에 대한 확산 장벽으로서 작용한다.
Ir-기초 전극에 대한 필요에 기초하여, 당해 기술 분야에서는 Ir-기초 막의 제조를 위한 증착 기술 및 원료 물질의 개선을 위한 노력을 계속해 왔다.
선행 기술은 수소 기체 환경과 같은 환원 대기 중에서 전자 장치의 제조를 위한 이리듐의 화학 증착법을 다양하게 공개하여 왔다. 선행 기술은 고온 유전성 물질(예를 들어, SBT, BST, PZT, PLZT, PNZT, LaCaMnO3등; 여기에서, SBT=스트론튬 비스무스 탄탈레이트, BST=바륨 스트론튬 티타네이트, PZT=레드 지르코늄 티타네이트, PLZT=레드 란타늄 지르코늄 티타네이트, PNZT=레드 니오븀 지르코늄 티타네이트)을 전극 상에 증착시키는 적용에 있어서 전극용 성분인 금속 이리듐의 증착을 달성하기 위한 목적으로 환원 대기를 사용하여, 그러한 적용에 있어서의 유전체의 열화(degradation) 가능성을 최소화함과 동시에 고 순도 금속을 형성시키는 것을 교시하였다.
선행 기술은 특히 박막 캐패시터로서의 복합 유전성 또는 강유전성 물질 층과 특히 관련된 Ir 전극을 사용하는 강유전성 구조물 및 반도체 형성을 위한 공정 기술에 있어서의 개선점을 연구해 왔다.
본 발명의 목적은 제조 효율 및 비용 절감을 위하여 재료 단순화를 달성시키는 신규한 원료 시약 및 이리듐-기초 전극의 형성 방법, 및 효율성 및 용이한 제조 가능성으로 인하여 실리콘 장치 기술과의 통합을 위해 커다란 이점이 있는 전극 구조물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 금속을 산화물 DRAM 및 FRAM 장치에 접촉시키는 것과 같은, 이리듐, 산화이리듐 또는 이리듐-함유 전극 성분을 포함하는 금속 산화물 박막 캐패시터 구조물의 간단한 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적 및 장점은 하기 상세한 설명 및 첨부된 특허 청구의 범위로부터 보다 완전하게 밝혀질 것이다.
본 발명은 기재 상에 이리듐- 또는 이리듐-함유 물질을 형성하는 방법, 예를 들어, 마이크로 전자 장치 및 부재용 Ir-기초 전극 구조물을 형성하는 방법 뿐 만아니라 Ir 원료 시약 물질, 및 신규한 유전성 캐패시터 또는 강유전성 물질 구조물에 관한 것이다.
발명의 요약
본 발명은 기재 상에 이리듐- 또는 이리듐-함유 물질을 형성하는 방법, 예를 들어, 마이크로 전자 장치 및 부재용 Ir-기초 전극 구조물을 형성하는 방법 뿐 만아니라 Ir 원료 시약 물질, 및 신규한 유전성 물질의 구조물에 관한 것이다.
본원에서 사용된 바와 같은 용어 ″Ir-기초″ 또는 ″이리듐-기초″는 널리 원소 이리듐, 산화이리듐 및 이리듐-함유 물질의 조성물을 의미한다.
본 발명은 또한 Ir-기초 전극 성분을 포함하는 신규한 고온 유전성 또는 강유전성 박막 캐패시터 구조물에 관한 것이다.
하나의 양태에 있어서, 본 발명은 산화 주변 환경에서 전구체를 분해시켜 기재 상에 이리듐을 증착시키는 단계를 포함하는 것과 같은 방법으로, 분해되어 기재 상에 이리듐을 증착시키는 이리듐-함유 전구체로부터 기재 상에 이리듐-함유 막을 형성시키는 방법에 관한 것이다. 기재 상의 이리듐의 증착은 임의의 적당한 방법으로, 또 당업계의 적당한 기술로 수행할 수 있으며, 이는 화학 증착법(CVD), 보조 CVD, 또는 물리적 증착 방법, 예를 들어, 이온 도금법, 급속 열적 공정(rapid thermal processing), 분자 빔 적층 성장법(molecular beam epitaxy) 등을 포함한다.
본원에서 사용된 바와 같은 용어 ″산화 주변 환경″은 산소-함유 기체, 예를 들어, 산소, 오존, 공기, 산화질소(NOx) 등을 포함하는 환경을 의미한다. 그러한 산화 대기는 증착이 수행되는 증착 챔버 또는 반응 용기에 제공될 수 있으며, 기재 상에 이리듐 또는 산화이리듐을 형성시킬 수 있다. 따라서, 증착을 주변 공기 환경 중에서 수행하여 기재 상에 이리듐-함유 막을 간단하게 형성시킬 수 있다. 별법에 있어서, IrO2는 산화 환경 중의 처리에 의하여 Ir 금속으로부터 후-증착 공정 중에 형성될 수 있다.
Ir 전구체 물질은 임의의 적당한 조성물 및 유형일 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시에 있어서, 전구체는 루이스 염기-안정화 β-디케토네이트 이리듐 조성물 또는 루이스 염기-안정화 베타-케토이미네이트 조성물을 적당하게 포함할 수 있다. 하기에 보다 자세히 기술한다.
이리듐-함유 막을 전극 또는 기재 상에 다른 패턴화된 구조물을 형성시키기 위하여 사용할 때, 증착된 이리듐 또는 산화이리듐 막은 할로겐-기초 플라즈마 및/또는 바람직하게 XeF2로 건조 에칭시킬 수 있다. 이는 미국 특허 출원 No. 08/966,796 [1997. 11. 10 출원, Thomas H. Baum 및 Frank Dimeo, Jr, ″이리듐-기초 전극 구조물, 및 그것을 제조하는 방법(Iridium-Based Electrode Structures, and Method of Making the Same)″]에 보다 자세히 기술되어 있으며, 상기 문헌은 그 전체가 본원에 포함되어 공개된다. 증착된 이리듐 또는 산화이리듐 막의 그러한 건조 에칭에 있어서, 에칭 속도는 루이스-염기 부가물 또는 전자 백-본딩 종, 예를 들어, 일산화탄소, 트리플루오로포스핀 또는 트리알킬포스핀 등의 사용을 통하여 임의로 향상시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태에 있어서, 전극 구조물로서의 그의 형성에 이어 이리듐-함유 막 상에 고온 유전성 및/또는 강유전성 물질을 증착시킬 수 있다. 산화 주변 환경은 이리듐-함유 막의 증착을 위하여 사용할 수 있고, 또는 산화물 유전체/강유전체의 증착 중에 만 사용할 수도 있다.
따라서, 이리듐 전극 형성 단계에 있어서 수소 또는 다른 환원 기체 (형성 기체) 대기의 사용을 적합시키기 위하여 선행 기술에서 수행하였던 바와 같은 환원 대기의 챔버를 정화하거나, 이리듐 증착 챔버로부터 유전체/강유전체 증착 챔버로 이리듐-함유 막을 포함하는 기재 물품을 이동시키는 것이 불필요할 수 있다.
따라서, 본 발명의 방법은 이리듐-함유 전극을 유전성 또는 강유전성 물질로 코팅시키는 캐패시터 또는 다른 마이크로 전자 장치의 제조 공정을 실질적으로 단순화시키는 것이다.
본 발명의 다른 양태는 고온 유전체, 예를 들어, SBT, PZT, BST, PLZT, PNZT, LaCaMnO3등으로 코팅한 산화 이리듐 전극 성분을 포함하는 마이크로 전자 장치 구조물에 관한 것이다. 여기에서, 전극은 고온 유전체에 대하여 전도력있게 작동한다. 본원에서 사용된 바와 같은 고온 유전체는 약 300℃ 이상의 온도에서 전극 상에 증착되는 유전성 물질을 의미한다. 예를 들어, 레드 지르코늄 티타네이트(PZT)의 유전성 막은 전형적으로 500∼600℃ 근처의 온도에서 증착된다.
본 발명의 다른 양태, 특징 및 실시 태양은 하기 상세한 설명 및 첨부된 특허 청구의 범위로부터 보다 완전하게 밝혀질 것이다.
발명의 상세한 설명 및 그의 바람직한 실시 태양
본 발명은 Ir-기초 전극 구조물이, 선행기술의 목적 및 이제까지의 접근법에서와 같이 환원 대기 중에서 전구체 또는 원료 물질로부터 Ir 성분을 증착시킬 필요없이, 용이하게 형성될 수 있다는 발견에 관한 것이다.
이에 반하여, 본 발명은 기재 상에 이리듐-함유 전구체로부터 이리듐-함유 막을 형성시키는 방법을 고려한다. 여기에서, 이리듐-함유 전구체는 분해되어 기재 상에 이리듐을 증착시킨다. 전구체의 분해 및 기재 상의 이리듐의 증착은 산화 주변 환경 중에서 수행되어 이리듐 그 자체 또는 산화이리듐 형태로 이리듐을 증착시킨다.
이리듐은 화학 증착법, 액체 운반법, 스퍼터링(sputtering), 융삭(ablation), 또는 금속-유기 전구체 또는 다른 전구체 또는 원료 물질로 부터 기재 상에 금속을 증착시키기 위한 당업계에 공지된 임의의 다른 적당한 기술을 포함하는 임의의 적당한 방법으로 본 발명의 방법에 따라 기재 상에 증착시킬 수 있다. 형성되는 이리듐-기초 구조물이 약 0.5 미크론 미만의 임계적 크기를 가질 때, 전술한 방법 중에서 화학 증착법이 바람직하다.
본 발명의 방법에 있어서, 이리듐 성분을 위한 전구체는 기재 상에 증착시키기 위한 이리듐을 수득하기에 유리한 임의의 적당한 이리듐 전구체 화합물, 착물 또는 조성물일 수 있다. 예를 들어, 이리듐 전구체는 루이스 염기-안정화 β-디케토네이트 이리듐 조성물 또는 루이스 염기-안정화 β-케토이미네이트 조성물을 포함할 수 있다. 이들의 화학식은 다음과 같다:
화학식 I의 루이스 염기 안정화 Ir(I) β-디케토네이트:
[상기 식에서,
R 및 R'는 동일하거나 상이한 것으로서, H, 아릴, 퍼플루오로아릴, C1-C6알킬 또는 C1-C6퍼플루오로알킬일 수 있고,
L은 배위 루이스 염기로서, 바람직하게 알켄, 디엔, 사이클로알켄, 사이클로디엔, 사이클로옥타테트라엔, 알킨, 치환된 알킨(대칭 또는 비대칭), 아민, 디아민, 트리아민, 테트라아민, 에테르, 디글림, 트리글림, 테트라글림, 포스핀, 카보닐, 디알킬 설파이드, 비닐트리메틸실란 및 알릴트리메틸실란이다]
또는,
화학식 II의 루이스 염기 안정화 Ir(I) β-케토이미네이트:
[상기 식에서,
R, R' 및 R''는 동일하거나 상이한 것으로서, H, 아릴, 퍼플루오로아릴, C1-C6알킬 또는 C1-C6퍼플루오로알킬로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택되고,
L은 배위 루이스 염기로서, 바람직하게 알켄, 디엔, 사이클로알켄, 사이클로디엔, 사이클로옥타테트라엔, 알킨, 치환된 알킨(대칭 또는 비대칭), 아민, 디아민, 트리아민, 테트라아민, 에테르, 디글림, 트리글림, 테트라글림, 포스핀, 카보닐, 디알킬 설파이드, 비닐트리메틸실란 및 알릴트리메틸실란으로 구성된 군으로 부터 선택된다].
상기 화학식 I 및 II 전구체의 루이스 염기에 있어서, 하나 이상의 루이스 염기 분자는 바람직하게 특히 에테르, 알켄, 알킨, 카보닐 및 포스핀 리간드일 수 있다. 화학식 II 전구체의 몇몇 실시 태양에 있어서, R 및 R'는 동일할 수 있고, R''는 상기 언급된 치환체들로부터 독립적으로 선택될 것이다.
본 발명의 CVD-기초 실시 태양에 있어서, 버블러 또는 유기 용액 액체 운반법은 Ir/IrO2박막의 화학적 증착을 위하여 사용할 수 있다. 특정 전구체가 CVD 반응기로 전구체를 운반하고 이동시키기 위하여 적당하게 활용될 수 있다. 전구체는 산화제(예컨대, O2, O3또는 N2O)의 존재 하에서 분해되어 선택적으로 금속 Ir (＜500℃) 또는 산화물 IrO2(＞550℃)를 증착시킨다. 몇몇 적용에 있어서, 중층 Ir/IrO2막의 형성이 바람직할 수 있다.
본 발명의 실시에 있어서, 이리듐-함유 막의 초기 형성 후 Ir 및 IrO2의 에칭은 할로겐-기초 시스템, 예를 들어, 염소, 브롬 및 불소 기초 플라즈마 또는 이온 빔 에칭 화학법을 사용하여 수행할 수 있다. Ir(I) 및 Ir(III)의 할로겐 제제를 이용한 에칭으로 반도체 및 강유전성 장치 적용을 위하여 전극을 패턴화할 수 있다. IrO2가 존재하는 시스템에 있어서, 환원 예비 처리(산화이리듐을 Ir 금속으로 환원시킴)의 사용 또는 불소 에칭제의 사용이 바람직할 수 있다. 에칭 부생성물의 형성 및 제거는 할로겐화물 종의 휘발성에 따라 달라진다. 안정화 공-반응물의 첨가가 물질의 에칭 및 제거를 촉진하기 위하여 유용하게 사용될 수 있다.
본 발명의 방법에 따라 증착된 이리듐-함유 막은 건조 에칭법을 사용하여 에칭할 수 있다. 여기에서, 전술한 동시 계류 중인 미국 특허 출원 No. 08/966,796 에서 보다 완전하게 기술된 바와 같이, 임의로 특정 화학 약품을 사용하여 에칭 속도를 증강시킨다. 일산화탄소, 트리플루오로포스핀 또는 트리알킬포스핀을 첨가하여 생성된 에칭 부생성물의 휘발을 증대시킴에 의하여 에칭 속도를 촉진시킬 수 있다.
예를 들어, 기재 상의 Ir-함유 막을 에칭시킴에 있어서, 공정에 대한 제거 속도는 일산화탄소(CO)의 존재에 의하여 유리하게 촉진될 수 있다. 그 속도는 상승된 기재 온도 범위(예, 725∼975℃)에서의 반응물의 기체-상 분압에 매우 좌우된다. CO의 존재는 (CO)yIrX3(여기에서, X=Cl, Br임)의 형성을 통하여 및 Ir(Cl)4에 대하여 반응물 휘발성을 향상시킬 수 있다. IrF6는 그러한 목적을 위하여 또한 사용할 수 있다. 이러한 물질은 할로겐-기초 플라즈마, 이온 빔 및 혼성 에칭 방법에 있어서 Ir을 에칭하기 위하여 유리하게 사용할 수 있다.
몇몇 예에 있어서, 기재 상에 증착되는 산화이리듐 물질을 특정 구조물 또는 장치 적용을 위하여 순수한 이리듐 금속으로 전환시키는 것이 바람직할 수 있다. 그러한 예에 있어서, 산화이리듐의 증착 막을 환원 기체, 예를 들어, 수소, 형성 기체, CO, ROH 등에 노출시켜 그러한 전환을 달성할 수 있다.
그러한 형성 및 임의의 부가적인 패턴화 후에, 이리듐-함유 막의 증착을 위하여 사용한 것과 동일한 산화 주변 환경 하에서, 이리듐-함유 전극상에 고온 유전성 및/또는 강유전성 물질을 증착시킬 수 있다.
따라서, 이리듐 전극 형성 단계에 있어서 수소 또는 다른 환원 기체 (형성 기체) 대기의 사용을 적합시키기 위하여 선행 기술에서 수행하였던 바와 같은 환원 대기의 챔버를 정화하거나, 이리듐 증착 챔버로부터 유전체/강유전체 증착 챔버로 이리듐-함유 막을 포함하는 기재 물품을 이동시키는 것이 불필요하다. 따라서, 본 발명의 방법은 이리듐-함유 전극을 유전성 또는 강유전성 물질로 코팅시키는 캐패시터 또는 다른 마이크로 전자 장치의 제조 공정을 실질적으로 단순화시킨다.
따라서, 본 발명의 실시에 있어서 증착된 이리듐 막은 전극 및 다른 반도체 장치의 성분을 형성하기 위하여 사용할 수 있다. 예를 들어, DRAM, FRAM, 혼성 시스템, 스마트 카드(smart card) 및 통신 시스템 뿐 만 아니라 이리듐 및/또는 산화이리듐의 박막을 유리하게 사용할 수 있는 임의의 다른 적용들, 예를 들어, 촉매 시스템에 사용할 수 있다.
본 발명은 이리듐-함유 전구체 및 그러한 전구체를 사용하여 기재 상에 이리듐-함유 막을 형성시키는 방법을 제공한다. 본 발명의 전구체 및 방법은 기재 상에 이리듐 막을 증착시키는 데 사용할 수 있다. 증착된 이리듐 막은 DRAM, FeRAM, 혼성 시스템, 스마트 카드 및 통신 시스템 등의 적용에 있어서 반도체의 제조를 위한 마이크로 전자 장치 구조, 예를 들어, 박막 캐패시터의 전극을 패턴화하기 위하여 에칭할 수 있다.

Claims (31)

  1. 분해되어 기재 상에 이리듐을 증착시킬 수 있는 이리듐-함유 전구체로부터 기재 상에 이리듐-함유 막을 형성시키는 방법으로서, 산화 주변 환경에서 전구체를 분해시켜 기재 상에 이리듐을 증착시키는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 산화 주변 환경이 산소, 오존, 공기 및 산화질소로 구성된 군으로부터 선택되는 산화 기체를 함유하는 대기를 포함하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 기재 상에 증착되는 이리듐이 원소 이리듐을 포함하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 기재 상에 증착되는 이리듐이 산화이리듐 또는 이리듐과 산화이리듐의 배합물을 포함하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 전구체가 하기로 구성된 군으로부터 선택되는 조성물을 포함하는 방법:
    화학식 I의 루이스 염기 안정화 Ir(I) β-디케토네이트:
    ; 및
    화학식 II의 루이스 염기 안정화 Ir(I) β-케토이미네이트:
    상기 화학식 I에서,
    R 및 R'는 동일하거나 상이한 것으로서, H, 아릴, 퍼플루오로아릴, C1-C6알킬 또는 C1-C6퍼플루오로알킬일 수 있고,
    L은 배위 루이스 염기이며,
    상기 화학식 II에서,
    R, R' 및 R''는 동일하거나 상이한 것으로서, H, 아릴, 퍼플루오로아릴, C1-C6알킬 또는 C1-C6퍼플루오로알킬로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택되고,
    L은 배위 루이스 염기이다.
  6. 제 5 항에 있어서, 배위 루이스 염기가 알켄, 디엔, 사이클로알켄, 사이클로디엔, 사이클로옥타테트라엔, 알킨, 치환된 알킨(대칭 또는 비대칭), 아민, 디아민, 트리아민, 테트라아민, 에테르, 디글림, 트리글림, 테트라글림, 포스핀, 카보닐, 디알킬 설파이드, 비닐트리메틸실란 및 알릴트리메틸실란으로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 산화 주변 환경이 공기를 포함하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 전구체를 분해시켜 기재 상에 이리듐을 증착시키는 단계를 화학 증착법(CVD), 보조 CVD, 이온 도금법, 급속 열적 공정(rapid thermal processing) 및 분자 빔 적층 성장법(molecular beam epitaxy)으로 구성된 군으로부터 선택되는 공정에 의하여 수행하는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 전구체가 하기로 구성된 군으로부터 선택되는 조성물을 포함하는 방법:
    화학식 I의 루이스 염기 안정화 Ir(I) β-디케토네이트:
    상기 식에서,
    R 및 R'는 동일하거나 상이한 것으로서, H, 아릴, 퍼플루오로아릴, C1-C6알킬 또는 C1-C6퍼플루오로알킬일 수 있고,
    L은 배위 루이스 염기이다.
  10. 제 9 항에 있어서, 배위 루이스 염기가 알켄, 디엔, 사이클로알켄, 사이클로디엔, 사이클로옥타테트라엔, 알킨, 치환된 알킨(대칭 또는 비대칭), 아민, 디아민, 트리아민, 테트라아민, 에테르, 디글림, 트리글림, 테트라글림, 포스핀, 카보닐, 디알킬 설파이드, 비닐트리메틸실란 및 알릴트리메틸실란으로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 전구체가 하기로 구성된 군으로부터 선택되는 조성물을 포함하는 방법:
    화학식 II의 루이스 염기 안정화 Ir(I) β-케토이미네이트:
    상기 식에서,
    R, R' 및 R''는 동일하거나 상이한 것으로서, H, 아릴, 퍼플루오로아릴, C1-C6알킬 또는 C1-C6퍼플루오로알킬로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택되고,
    L은 배위 루이스 염기이다.
  12. 제 11 항에 있어서, 배위 루이스 염기가 알켄, 디엔, 사이클로알켄, 사이클로디엔, 사이클로옥타테트라엔, 알킨, 치환된 알킨(대칭 또는 비대칭), 아민, 디아민, 트리아민, 테트라아민, 에테르, 디글림, 트리글림, 테트라글림, 포스핀, 카보닐, 디알킬 설파이드, 비닐트리메틸실란 및 알릴트리메틸실란으로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
  13. 제 1 항에 있어서, 전구체를 분해시켜 기재 상에 이리듐을 증착시키는 단계를 화학 증착법에 의하여 수행하는 방법.
  14. 제 1 항에 있어서, 기재 상에 이리듐을 증착시키는 단계가 기재 상에 약 0.5미크론 미만의 임계적 크기 특성을 갖는 이리듐-함유 막 성분을 형성시키는 단계인 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 전구체를 분해시켜 기재 상에 이리듐을 증착시키는 단계를 화학 증착법에 의하여 수행하는 방법.
  16. 기재 상에, 전극 상에 증착되는 고온 유전성 또는 강유전성 물질과 관련하여 효과적인 전극을 포함하는 마이크로 전자 장치 또는 전구체 구조물을 형성시키는 방법으로서,
    (A) (i) 산화 주변 환경에서 전구체를 분해시켜 기재 상에 이리듐을 증착시키는 단계; 및 (ii) 증착된 이리듐을 이리듐-기초 전극 성분으로 만드는 단계를 포함하는, 분해되어 기재 상에 이리듐을 증착시킬 수 있는 이리듐-함유 전구체로부터 기재 상에 이리듐-함유 막을 형성시키는 단계; 및
    (B) 이리듐-기초 전극 성분 상에 고온 유전성 및/또는 강유전성 물질을 증착시키는 단계를 포함하는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 이리듐-기초 전극 성분 상에 고온 유전성 물질을 증착시키는 방법.
  18. 제 16 항에 있어서, 이리듐-기초 전극 성분 상에 SBT 및 PZT로 구성된 군으로부터 선택되는 고온 강유전성 물질을 증착시키는 방법.
  19. 제 16 항에 있어서, 마이크로 전자 장치 또는 전구체 구조물이 DRAM 또는 FRAM 캐패시터 장치 또는 구조물을 포함하는 방법.
  20. 제 16 항에 있어서, 고온 유전성 및/또는 강유전성 물질이 SBT, PZT, BST, PLZT, PNZT 및 LaCaMnO3로 구성된 군으로부터 선택되는 물질을 포함하는 방법.
  21. 제 16 항에 있어서, 기재 상에 증착되는 이리듐이 원소 이리듐을 포함하는 방법.
  22. 제 16 항에 있어서, 기재 상에 증착되는 이리듐이 산화이리듐 또는 이리듐과 산화이리듐의 배합물을 포함하는 방법.
  23. 제 16 항에 있어서, 전구체가 하기로 구성된 군으로부터 선택되는 조성물을 포함하는 방법:
    화학식 I의 루이스 염기 안정화 Ir(I) β-디케토네이트:
    ; 및
    화학식 II의 루이스 염기 안정화 Ir(I) β-케토이미네이트:
    상기 화학식 I에서,
    R 및 R'는 동일하거나 상이한 것으로서, H, 아릴, 퍼플루오로아릴, C1-C6알킬 또는 C1-C6퍼플루오로알킬일 수 있고,
    L은 배위 루이스 염기이며,
    상기 화학식 II에서,
    R, R' 및 R''는 동일하거나 상이한 것으로서, H, 아릴, 퍼플루오로아릴, C1-C6알킬 또는 C1-C6퍼플루오로알킬로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택되고,
    L은 배위 루이스 염기이다.
  24. 제 23 항에 있어서, 배위 루이스 염기가 알켄, 디엔, 사이클로알켄, 사이클로디엔, 사이클로옥타테트라엔, 알킨, 치환된 알킨(대칭 또는 비대칭), 아민, 디아민, 트리아민, 테트라아민, 에테르, 디글림, 트리글림, 테트라글림, 포스핀, 카보닐, 디알킬 설파이드, 비닐트리메틸실란 및 알릴트리메틸실란으로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
  25. 제 23 항에 있어서, 산화 주변 환경이 공기를 포함하는 방법.
  26. 제 16 항에 있어서, 단계 (A)(i), (A)(ii) 및 (B)를 동일한 산화 주변 환경에서 수행하는 방법.
  27. 산화 주변 환경에서 형성되고, 고온 유전체에 의하여 증착된 산화이리듐 전극 성분을 포함하고, 이때 전극이 고온 유전체에 대하여 전도적으로 작동하는 마이크로 전자 장치 구조물.
  28. 제 27 항에 있어서, 고온 유전체가 SBT, PZT, BST, PLZT, PNZT 및 LaCaMnO3로 구성된 군으로부터 선택되는 물질을 포함하는 마이크로 전자 장치 구조물.
  29. 제 27 항에 있어서, 고온 유전체가 SBT를 포함하는 마이크로 전자 장치 구조물.
  30. 하기로 구성된 군으로부터 선택되는 조성물:
    화학식 I의 루이스 염기 안정화 Ir(I) β-디케토네이트:
    ; 및
    화학식 II의 루이스 염기 안정화 Ir(I) β-케토이미네이트:
    상기 화학식 I에서,
    R 및 R'는 동일하거나 상이한 것으로서, H, 아릴, 퍼플루오로아릴, C1-C6알킬 또는 C1-C6퍼플루오로알킬일 수 있고,
    L은 배위 루이스 염기이며,
    상기 화학식 II에서,
    R, R' 및 R''는 동일하거나 상이한 것으로서, H, 아릴, 퍼플루오로아릴, C1-C6알킬 또는 C1-C6퍼플루오로알킬로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택되고,
    L은 배위 루이스 염기이다.
  31. 제 30 항에 있어서, 배위 루이스 염기가 알켄, 디엔, 사이클로알켄, 사이클로디엔, 사이클로옥타테트라엔, 알킨, 치환된 알킨(대칭 또는 비대칭), 아민, 디아민, 트리아민, 테트라아민, 에테르, 디글림, 트리글림, 테트라글림, 포스핀, 카보닐, 디알킬 설파이드, 비닐트리메틸실란 및 알릴트리메틸실란으로 구성된 군으로부터 선택되는 조성물.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8288274B2 (en) 2008-04-21 2012-10-16 Hynix Semiconductor Inc. Method of forming noble metal layer using ozone reaction gas

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7323581B1 (en) 1990-07-06 2008-01-29 Advanced Technology Materials, Inc. Source reagent compositions and method for forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition
US6897105B1 (en) * 1998-09-16 2005-05-24 Texas Instrument Incorporated Method of forming metal oxide gate structures and capacitor electrodes
US6018065A (en) * 1997-11-10 2000-01-25 Advanced Technology Materials, Inc. Method of fabricating iridium-based materials and structures on substrates, iridium source reagents therefor
US6846424B2 (en) * 1997-11-10 2005-01-25 Advanced Technology Materials, Inc. Plasma-assisted dry etching of noble metal-based materials
US6379576B2 (en) * 1997-11-17 2002-04-30 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for variable mode plasma enhanced processing of semiconductor wafers
JP2000027625A (ja) * 1998-07-09 2000-01-25 Honda Motor Co Ltd 内燃機関の排気ガス浄化装置
US6303986B1 (en) 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
EP1158985B1 (en) 1999-01-13 2011-12-28 Bayer HealthCare LLC OMEGA-CARBOXY ARYL SUBSTITUTED DIPHENYL UREAS AS p38 KINASE INHIBITORS
US8124630B2 (en) 1999-01-13 2012-02-28 Bayer Healthcare Llc ω-carboxyaryl substituted diphenyl ureas as raf kinase inhibitors
US7217615B1 (en) * 2000-08-31 2007-05-15 Micron Technology, Inc. Capacitor fabrication methods including forming a conductive layer
IL156266A0 (en) * 2000-12-04 2004-01-04 Univ Pretoria A substance or composition for the treatment of cancer
JPWO2002050883A1 (ja) * 2000-12-18 2004-04-22 住友精密工業株式会社 洗浄方法とエッチング方法
US6707591B2 (en) 2001-04-10 2004-03-16 Silicon Light Machines Angled illumination for a single order light modulator based projection system
US6782205B2 (en) 2001-06-25 2004-08-24 Silicon Light Machines Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing
US6747781B2 (en) 2001-06-25 2004-06-08 Silicon Light Machines, Inc. Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle
KR100825130B1 (ko) * 2001-07-06 2008-04-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 금속 에칭 공정 동안 플라즈마 에칭 챔버내에서 파티클을감소시키는 방법
US6829092B2 (en) 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
US6930364B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
US6800238B1 (en) 2002-01-15 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics
US6835616B1 (en) 2002-01-29 2004-12-28 Cypress Semiconductor Corporation Method of forming a floating metal structure in an integrated circuit
US7026235B1 (en) 2002-02-07 2006-04-11 Cypress Semiconductor Corporation Dual-damascene process and associated floating metal structures
US6989273B2 (en) * 2002-02-08 2006-01-24 Canon Kabushiki Kaisha Light emissive iridium (III) complexes
PT1478358E (pt) 2002-02-11 2013-09-11 Bayer Healthcare Llc Tosilato de sorafenib para o tratamento de doenças caracterizadas por angiogénese anormal
KR100455287B1 (ko) * 2002-02-28 2004-11-06 삼성전자주식회사 반도체 장치의 커패시터, 그 제조방법 및 상기 커패시터를채용하고 있는 전자 소자
US7105065B2 (en) * 2002-04-25 2006-09-12 Micron Technology, Inc. Metal layer forming methods and capacitor electrode forming methods
JP3504940B2 (ja) * 2002-05-17 2004-03-08 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US6767751B2 (en) * 2002-05-28 2004-07-27 Silicon Light Machines, Inc. Integrated driver process flow
US6728023B1 (en) 2002-05-28 2004-04-27 Silicon Light Machines Optical device arrays with optimized image resolution
US6822797B1 (en) 2002-05-31 2004-11-23 Silicon Light Machines, Inc. Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light
US6829258B1 (en) 2002-06-26 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Rapidly tunable external cavity laser
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US6714337B1 (en) 2002-06-28 2004-03-30 Silicon Light Machines Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response
US6793778B2 (en) * 2002-07-15 2004-09-21 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands N.V. Method of fabricating slider pads for a transducer operating with moving magnetic media
US6921062B2 (en) 2002-07-23 2005-07-26 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
US6801354B1 (en) 2002-08-20 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses
US6712480B1 (en) 2002-09-27 2004-03-30 Silicon Light Machines Controlled curvature of stressed micro-structures
US20040072442A1 (en) * 2002-10-15 2004-04-15 Francis Gabriel Celii Low-bias bottom electrode etch for patterning ferroelectric memory elements
US6829077B1 (en) 2003-02-28 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane
US6806997B1 (en) 2003-02-28 2004-10-19 Silicon Light Machines, Inc. Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction
JP2007511203A (ja) 2003-05-20 2007-05-10 バイエル、ファーマシューテイカルズ、コーポレイション キナーゼ阻害活性を有するジアリール尿素
DE602004010407T2 (de) 2003-07-23 2008-10-16 Bayer Pharmaceuticals Corp., West Haven Fluorsubstituierter omega-carboxyaryldiphenylharnstoff zur behandlung und prävention von krankheiten und leiden
US7015049B2 (en) * 2003-09-03 2006-03-21 Infineon Technologies Ag Fence-free etching of iridium barrier having a steep taper angle
US7645704B2 (en) * 2003-09-17 2010-01-12 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus of etch process control in fabrications of microstructures
US6960675B2 (en) * 2003-10-14 2005-11-01 Advanced Technology Materials, Inc. Tantalum amide complexes for depositing tantalum-containing films, and method of making same
US20050109980A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Hongyu Wang Polishing composition for CMP having abrasive particles
US7819981B2 (en) * 2004-10-26 2010-10-26 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for cleaning ion implanter components
EP1866074A4 (en) * 2005-03-16 2017-01-04 Entegris Inc. System for delivery of reagents from solid sources thereof
US20100112795A1 (en) * 2005-08-30 2010-05-06 Advanced Technology Materials, Inc. Method of forming ultra-shallow junctions for semiconductor devices
US8278222B2 (en) * 2005-11-22 2012-10-02 Air Products And Chemicals, Inc. Selective etching and formation of xenon difluoride
US7405160B2 (en) * 2005-12-13 2008-07-29 Tokyo Electron Limited Method of making semiconductor device
CN101473073B (zh) * 2006-04-26 2012-08-08 高级技术材料公司 半导体加工系统的清洁
DE102006033037A1 (de) * 2006-07-14 2008-01-24 Universität Bielefeld Einstufiges Verfahren zur Aufbringung einer Metallschicht auf ein Substrat
US20080241805A1 (en) 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
US20110060165A1 (en) * 2006-12-05 2011-03-10 Advanced Technology Materials, Inc. Metal aminotroponiminates, bis-oxazolinates and guanidinates
US20080142039A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 Advanced Technology Materials, Inc. Removal of nitride deposits
US20080160176A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-03 Blackwell James M Method of fabricating iridium layer with volatile precursor
WO2008088563A2 (en) * 2007-01-17 2008-07-24 Advanced Technology Materials, Inc. Precursor compositions for ald/cvd of group ii ruthenate thin films
KR101755970B1 (ko) 2008-02-11 2017-07-07 엔테그리스, 아이엔씨. 이온 공급원 챔버를 포함하는 이온 주입 시스템의 성능 향상 및 수명 연장 방법
US20090275164A1 (en) * 2008-05-02 2009-11-05 Advanced Technology Materials, Inc. Bicyclic guanidinates and bridging diamides as cvd/ald precursors
US8168811B2 (en) * 2008-07-22 2012-05-01 Advanced Technology Materials, Inc. Precursors for CVD/ALD of metal-containing films
CA2690697A1 (en) * 2009-01-27 2010-07-27 Air Products And Chemicals, Inc. Selective etching and formation of xenon difluoride
US20110021011A1 (en) 2009-07-23 2011-01-27 Advanced Technology Materials, Inc. Carbon materials for carbon implantation
KR101603737B1 (ko) * 2010-05-11 2016-03-16 삼성전자주식회사 기상 세정을 이용한 금속 잔류물 제거 방법, 도전막 패턴의 형성 방법, 반도체 소자의 제조 방법 및 관련 설비
CN108565198A (zh) 2012-02-14 2018-09-21 恩特格里斯公司 用于改善注入束和源寿命性能的碳掺杂剂气体和协流
KR20210135341A (ko) 2012-05-31 2021-11-12 엔테그리스, 아이엔씨. 배취식 침착을 위한 고 물질 플럭스를 갖는 유체의 소스 시약-기반 수송
CN108329356A (zh) * 2018-01-22 2018-07-27 天津师范大学 一种用于介电可调器件的金属有机杂化铁电体晶体及其应用
CN108948089B (zh) * 2018-07-16 2021-06-22 天津师范大学 一种具有光电效应的金属有机杂化钙钛矿材料及应用
TW202323265A (zh) * 2021-11-30 2023-06-16 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 沈積貴金屬島或薄膜，以將其用於具有改進催化活性的電化學催化劑

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4659426A (en) * 1985-05-03 1987-04-21 Texas Instruments Incorporated Plasma etching of refractory metals and their silicides
US5130172A (en) 1988-10-21 1992-07-14 The Regents Of The University Of California Low temperature organometallic deposition of metals
US5362328A (en) * 1990-07-06 1994-11-08 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a CVD reactor, incorporating a cleaning subsystem
US5204314A (en) * 1990-07-06 1993-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor
US5840897A (en) * 1990-07-06 1998-11-24 Advanced Technology Materials, Inc. Metal complex source reagents for chemical vapor deposition
US5149596A (en) * 1990-10-05 1992-09-22 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Vapor deposition of thin films
US5220044A (en) * 1990-10-24 1993-06-15 International Business Machines Corporation Ligand stabilized +1 metal beta-diketonate coordination complexes and their use in chemical vapor deposition of metal thin films
US5096737A (en) 1990-10-24 1992-03-17 International Business Machines Corporation Ligand stabilized +1 metal beta-diketonate coordination complexes and their use in chemical vapor deposition of metal thin films
FI913197A0 (fi) * 1991-07-01 1991-07-01 Xyrofin Oy Nya jaeststammar med reducerad foermaoga att metabolisera xylitol, foerfarande foer bildande av dessa och deras anvaendning vid framstaellning av xylitol.
JP3391829B2 (ja) 1991-12-26 2003-03-31 キヤノン株式会社 液体状の原料を用いる化学気相堆積法及び装置
US5403620A (en) 1992-10-13 1995-04-04 Regents Of The University Of California Catalysis in organometallic CVD of thin metal films
KR0171060B1 (ko) * 1993-12-28 1999-03-30 스기야마 카즈히코 반도체장치의 제조방법
KR0155785B1 (ko) * 1994-12-15 1998-10-15 김광호 핀형 커패시터 및 그 제조방법
US5656329A (en) * 1995-03-13 1997-08-12 Texas Instruments Incorporated Chemical vapor deposition of metal oxide films through ester elimination reactions
US5874364A (en) * 1995-03-27 1999-02-23 Fujitsu Limited Thin film deposition method, capacitor device and method for fabricating the same, and semiconductor device and method for fabricating the same
JP3130757B2 (ja) * 1995-03-27 2001-01-31 富士通株式会社 キャパシタ電極用薄膜の形成方法、半導体装置及びその製造方法
JP3176840B2 (ja) * 1996-03-15 2001-06-18 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US6271077B1 (en) * 1995-03-27 2001-08-07 Fujitsu Limited Thin film deposition method, capacitor device and method for fabricating the same, and semiconductor device and method for fabricating the same
JP3180616B2 (ja) 1995-05-08 2001-06-25 三菱マテリアル株式会社 有機イリジウム化合物
JP3611640B2 (ja) * 1995-08-10 2005-01-19 同和鉱業株式会社 第８族元素類の成膜法およびこれに使用する原料化合物
US5814238A (en) * 1995-10-12 1998-09-29 Sandia Corporation Method for dry etching of transition metals
JP3388089B2 (ja) * 1996-04-25 2003-03-17 シャープ株式会社 不揮発性半導体メモリ素子の製造方法
US5695815A (en) * 1996-05-29 1997-12-09 Micron Technology, Inc. Metal carboxylate complexes for formation of metal-containing films on semiconductor devices
CN1148789C (zh) * 1996-07-03 2004-05-05 泰格尔公司 腐蚀半导体晶片的方法和装置
US5760474A (en) * 1996-07-09 1998-06-02 Micron Technology, Inc. Capacitor, integrated circuitry, diffusion barriers, and method for forming an electrically conductive diffusion barrier
US5911887A (en) * 1996-07-19 1999-06-15 Cypress Semiconductor Corporation Method of etching a bond pad
US6018065A (en) * 1997-11-10 2000-01-25 Advanced Technology Materials, Inc. Method of fabricating iridium-based materials and structures on substrates, iridium source reagents therefor
US6143191A (en) * 1997-11-10 2000-11-07 Advanced Technology Materials, Inc. Method for etch fabrication of iridium-based electrode structures
US6846424B2 (en) * 1997-11-10 2005-01-25 Advanced Technology Materials, Inc. Plasma-assisted dry etching of noble metal-based materials
US5976928A (en) 1997-11-20 1999-11-02 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing of FeRAM capacitors
US6265318B1 (en) * 1998-01-13 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Iridium etchant methods for anisotropic profile
US6368518B1 (en) * 1999-08-25 2002-04-09 Micron Technology, Inc. Methods for removing rhodium- and iridium-containing films

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8288274B2 (en) 2008-04-21 2012-10-16 Hynix Semiconductor Inc. Method of forming noble metal layer using ozone reaction gas

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