KR20080046485A - β-디케톤 리간드 및 그 제조 방법, 상기 β-디케톤리간드를 포함하는 유기금속 착물 및 그 제조 방법, 상기유기금속 착물을 이용한 박막 형성 방법, 및 상기 박막형성 방법을 포함하는 반도체 메모리 장치의 형성 방법 - Google Patents

β-디케톤 리간드 및 그 제조 방법, 상기 β-디케톤리간드를 포함하는 유기금속 착물 및 그 제조 방법, 상기유기금속 착물을 이용한 박막 형성 방법, 및 상기 박막형성 방법을 포함하는 반도체 메모리 장치의 형성 방법 Download PDF

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KR20080046485A KR1020060116007A KR20060116007A KR20080046485A KR 20080046485 A KR20080046485 A KR 20080046485A KR 1020060116007 A KR1020060116007 A KR 1020060116007A KR 20060116007 A KR20060116007 A KR 20060116007A KR 20080046485 A KR20080046485 A KR 20080046485A
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유승호
김윤수
이광희
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Abstract

β-디케톤 리간드 및 그 제조 방법, 상기 β-디케톤 리간드를 포함하는 유기금속 착물 및 그 제조 방법, 상기 유기금속 착물을 이용한 박막 형성 방법, 및 상기 박막 형성 방법을 포함하는 반도체 메모리 장치의 형성 방법이 제공된다. 상기 β-디케톤 리간드는 하기 화학식 1을 갖고, 상기 유기금속 착물은 상기 β-디케톤 리간드를 포함한다.
(화학식 1)
β-디케톤 리간드, 유기금속 착물

Description

β-디케톤 리간드 및 그 제조 방법, 상기 β-디케톤 리간드를 포함하는 유기금속 착물 및 그 제조 방법, 상기 유기금속 착물을 이용한 박막 형성 방법, 및 상기 박막 형성 방법을 포함하는 반도체 메모리 장치의 형성 방법{β-Diketone Ligand and Method for Fabricating the same, Organometallic Complex comprising the β-Diketone Ligand and Method for Fabricating the same, Method for Forming thin film using the Organometallic Complex, and Method for Forming Semiconductor Memory Device comprising the Method for Forming thin film}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기금속 착물의 열분석 결과를 도시한다.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
본 발명은 β-디케톤 리간드와 이를 포함하는 유기금속 착물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 β-디케톤 리간드 및 그 제조 방법, 상기 β-디케톤 리간드를 포함하는 유기금속 착물 및 그 제조 방법, 상기 유기금속 착물을 이용한 박막 형성 방법, 상기 박막 형성 방법을 포함하는 반도체 메모리 장치의 형성 방법 및 상기 반도체 메모리 장치의 형성 방법에 의해 형성된 반도체 메모리 장치에 관한 것이다.
반도체 메모리 장치인 디램(DRAM)의 커패시터 제조 공정은 유전막 형성 공정을 포함한다. 현재 양산되고 있는 디램(DRAM)의 커패시터의 유전막으로는 유전율이 100 이상인 SrTiO3 등의 페로브스카이트(Perovskite) 구조의 유전막이 사용되고 있다. Sr을 증착하기 위한 Sr전구체로는 테트라메틸헵타디케토네이트(TMHD) 리간드를 포함하는 Sr(TMHD)2 또는 메톡시에톡시테트라헵타디케토네이트(METHD) 리간드를 포함하는 Sr(METHD)2 등이 널리 사용되고 있다.
그러나, 상기 Sr(TMHD)2 또는 Sr(METHD)2은 휘발성이 낮기 때문에 고온에서 휘발시켜야 하며 스텝 커버리지(step coverage) 특성이 나쁜 단점을 갖는다. 이와 같이 스텝 커버리지 특성이 나쁜 유기금속 착물을 전구체로 사용하여 커패시터의 유전막을 형성하는 경우, 10:1 이상의 높은 종횡비를 갖는 실린더형 구조의 커패시터에서는 유전막이 균일하게 형성될 수 없다. 특히, 실리더 내부의 하부에서는 이러한 문제점이 심각하게 나타날 수 있다. 이에 의해, 디램 장치의 신뢰성이 저하될 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 높은 휘발성을 갖는 유기금속 착물 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 유기금속 착물에 포함되 는 β-디케톤 리간드 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 상기 유기금속 착물을 이용한 박막 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 상기 박막 형성 방법을 포함하는 반도체 메모리 장치의 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예들에 따른 β-디케톤 리간드는 하기 화학식 1을 갖는 제1 화합물을 포함한다.
(화학식 1)
Figure 112006085797602-PAT00002
본 발명의 실시예들에 따른 β-디케톤 리간드의 제조 방법은 하기 화학식 2를 갖는 제2 화합물과 3,3-dimethyl-2-butanone을 반응시켜 상기 제1 화합물을 형성하는 것을 포함한다.
(화학식 2)
Figure 112006085797602-PAT00003
상기 제2 화합물과 상기 3,3-dimethyl-2-butanone을 반응시키는 것은 상기 제2 화합물과 상기 3,3-dimethyl-2-butanone을 DMF(dimethylformamide), NaH, 및 HCl과 혼합시키는 것을 포함할 수 있다.
상기 제2 화합물은 하기 화학식 3을 갖는 제3 화합물과 아세토니트릴(CH3CN)을 반응시켜 형성될 수 있다.
(화학식 3)
Figure 112006085797602-PAT00004
상기 제3 화합물과 상기 아세토니트릴(CH3CN)을 반응시키는 것은 상기 제3 화합물과 상기 아세토니트릴(CH3CN)을 Ag2O과 혼합시키는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 유기금속 착물은 상기 제1 화합물을 포함하는 하기 화학식 4를 갖는 제4 화합물을 포함하고,
(화학식 4)
Figure 112006085797602-PAT00005
상기 화학식 4에서 M은 2족 원소 또는 란탄족 원소를 포함한다. 상기 M은 Sr 또는 Ba을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 유기금속 착물의 제조 방법은 상기 제1 화합물과 M(OR)2를 반응시켜 상기 제4 화합물을 형성하는 것을 포함한다. 상기 M은 2족 원소 또는 란탄족(lanthanide) 원소를 포함하고, 상기 R은 알칼기를 포함한다.
상기 제1 화합물과 상기 M(OR)2를 반응시키는 것은 상기 제1 화합물과 상기 M(OR)2을 헥산과 혼합시키는 것을 포함할 수 있다. 상기 M은 Sr 또는 Ba을 포함할 수 있고, 상기 R은 에틸기(C2H5)를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 박막 형성 방법은: 기판 상에 청구항 6의 제4 화합물을 포함하는 제1 공정소스를 공급하는 단계; 상기 기판 상에 산소 함유 기체를 포함하는 제2 공정소스를 공급하는 단계; 및 상기 제1 공정소스와 상기 제2 공정소스를 반응시키는 것을 포함한다.
상기 제4 화합물에서 상기 M은 Sr 또는 Ba을 포함할 수 있다. 상기 제2 공정소스는 오존을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 반도체 장치의 형성 방법은: 기판 상에 스토리지 전극 콘택을 형성하는 단계; 상기 스토리지 전극 콘택 상에 스토리지 전극을 형성하는 단계; 및 상기 스토리지 전극을 덮는 유전막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 유전막을 형성하는 단계는, 상기 스토리지 전극이 형성된 상기 기판 상에 청구항 6의 상기 제4 화합물을 포함하는 제1 공정소스를 공급하는 단계; 상기 기판 상에 산소 함유 기체를 포함하는 제2 공정소스를 공급하는 단계; 및 상기 제1 공정소 스와 상기 제2 공정소스를 반응시키는 것을 포함한다.
상기 제4 화합물에서 상기 M은 Sr 또는 Ba을 포함할 수 있다. 상기 제2 공정소스는 오존을 포함할 수 있다. 상기 스토리지 전극은 10:1 이상의 종횡비를 갖는 실린더형으로 형성될 수 있다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 화합물들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 상기 화합물들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이러한 용어들은 단지 상기 화합물들을 서로 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 또, 어떤 막이 다른 막 또는 기판 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 막이 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 도면들에서, 막 또는 영역들의 두께 등은 명확성을 기하기 위하여 과장되게 표현될 수 있다.
(β-디케톤 리간드 및 그 제조 방법)
본 발명의 실시예들에 따른 β-디케톤 리간드는 하기 화학식 1을 갖는 제1 화합물을 포함한다.
Figure 112006085797602-PAT00006
상기 제1 화합물은 예컨대, 하기 화학식 2를 갖는 제2 화합물과 3,3-dimethyl-2-butanone을 반응시킴으로써 형성될 수 있다. 또, 상기 반응은 DMF, NaH, 및 HCl을 포함하는 용액 내에서 이루어질 수 있다.
Figure 112006085797602-PAT00007
상기 제2 화합물은 예컨대, 하기 화학식 3을 갖는 제3 화합물과 아세토니트릴(CH3CN)을 반응시킴으로써 형성될 수 있다. 또, 상기 반응은 Ag2O을 포함하는 용액 내에서 이루어질 수 있다.
Figure 112006085797602-PAT00008
(상기 β-디케톤 리간드를 포함하는 유기금속 착물 및 그 제조 방법)
본 발명의 실시예들에 따른 유기금속 착물은 하기 화학식 4를 갖는 제4 화 합물을 포함한다. 하기 화학식 4에서 M은 2족 원소 또는 란탄족 원소를 포함한다.
Figure 112006085797602-PAT00009
상기 제4 화합물은 예컨대, 상기 제1 화합물과 M(OR)2를 반응시킴으로써 형성될 수 있다. 상기 M(OR)2에서 상기 M은 2족 원소 또는 란탄족 원소를 포함하고, 상기 R은 알킬기를 포함한다. 예컨대, 상기 M은 Sr 또는 Ba을 포함할 수 있고, 상기 R은 에틸기(C2H5)를 포함할 수 있다. 또, 상기 반응은 헥산(hexane)을 포함하는 용액 내에서 이루어질 수 있다. 상기 반응에 의해, 상기 M(OR)2에 포함된 M과 상기 제1 화합물(β-디케톤 리간드)과 결합하여 유기금속 착물인 상기 제4 화합물이 형성된다. 즉, 1몰의 M(OR)2과 2몰의 제1 화합물이 반응하여 1몰의 제4 화합물이 형성된다. 이때, 상기 제1 화합물에 포함된 두 개의 산소 원자들 중에서 하나는 상기 M과 공유결합을 하고, 다른 하나는 상기 M과 배위결합을 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기금속 착물의 열분석 결과를 도시한다. 가로축은 온도(℃)를 나타내고, 세로축은 초기 시료가 휘발되지 않고 잔존하는 시 료의 중량 퍼센트(wt%)를 나타낸다. 라인 (1)은 본 발명의 실시예에 따라 형성된 유기금속 착물(상기 제4 화합물)의 휘발성을 나타내고, 라인 (2) 및 라인 (3)은 각각 종래의 Sr 전구체로 사용되고 있는 Sr(TMHD)2 및 Sr(METHD)2의 휘발성을 나타낸다.
도 1을 참조하면, 상기 제4 화합물은 상기 Sr(TMHD)2 및 상기 Sr(METHD)2보다 휘발성이 우수하다. 예컨대, 350℃에서 상기 제4 화합물은 초기 시료의 약 80wt%가 증발하고, 20wt%가 남는다. 그러나, 같은 온도에서 상기 Sr(TMHD)2 및 Sr(METHD)2은 각각 약 70wt% 및 75wt%가 증발하지 못하고 남는다. 또, 상기 제4 화합물의 잔존량이 20wt%가 되는 온도가 350℃이지만, 상기 Sr(TMHD)2 및 Sr(METHD)2의 잔존량이 20wt%가 되는 온도는 각각 380℃ 및 400℃로 350℃보다 높다.
즉, 상기 제4 화합물은 휘발성이 우수하기 때문에 스텝 커버리지(step coverage) 특성도 우수하다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 유기금속 착물을 전구체로 사용할 경우, 10:1 이상의 종횡비를 갖는 스토리지 전극의 표면을 따라 고유전율을 갖는 유전막을 균일하게 형성할 수 있다.
(상기 유기금속 착물을 이용한 박막 형성 방법, 상기 박막 형성 방법을 포함하는 반도체 메모리 장치의 형성 방법 및 상기 반도체 메모리 장치의 형성 방법에 의해 형성된 반도체 메모리 장치)
도 2 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치의 형성 방법 을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 반도체 기판(10) 상에 절연막(20)이 형성되고, 절연막(20) 내에 기판(10)과 전기적으로 연결되는 스토리지 전극 콘택(25)이 형성된다. 반도체 기판(10)은 스토리지 전극 콘택(25)과 전기적으로 연결되는 트랜지스터(미도시)를 포함할 수 있다. 절연막(20) 상에 식각 저지막(30), 주형막(40) 및 포토레지스트 패턴(50)이 형성된다. 식각 저지막(30)과 주형막(40)은 서로 식각 선택성을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 식각 저지막(30)은 질화막으로 형성될 수 있고, 주형막(40)은 산화막으로 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 포토레지스트 패턴(50)을 식각 마스크로 사용하여 주형막(40)과 식각 저지막(30)이 식각되어, 스토리지 전극 콘택(25)을 노출하는 오프닝(55)이 형성된다. 또, 포토레지스트 패턴(50) 아래에 오프닝(55)을 한정하는 식각 저지막 패턴(35)과 주형막 패턴(45)이 형성된다. 주형막(40)과 식각 저지막(30)은 서로 다른 식각 조건에서 식각될 수 있다.
도 4를 참조하면, 오프닝(55)의 측벽과 밑면 및 주형막 패턴(45)의 상부면을 따라 스토리지 전극막(60)이 형성된다. 스토리지 전극막(60) 상에 오프닝(55)을 채우는 희생막(70)이 형성된다. 희생막(70)은 예컨대, 산화막으로 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 식각 공정을 수행하여 스토리지 전극 콘택(25)에 전기적으로 연결되는 스토리지 전극(65)이 형성되고, 스토리지 전극(65) 내부에 희생막 패턴(75)이 형성된다. 스토리지 전극(65)은 10:1 이상의 종횡비를 갖는 실린더형으 로 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 주형막 패턴(45)과 희생막 패턴(75)이 제거되고, 스토리지 전극(65)이 노출된다. 노출된 스토리지 전극(65)의 표면을 따라 유전막(80)이 형성된다. 예컨대, 유전막(80)은 원자층증착 방법 또는 화학기상증착 방법에 의해 형성될 수 있다. 유전막(80)은 하기 화학식 4를 갖는 유기금속 착물을 이용하여 균일한 두께를 갖도록 형성될 수 있다.
(화학식 4)
Figure 112006085797602-PAT00010
상기 화학식 4에서 M은 2족 원소 또는 란탄족 원소를 포함한다. 예컨대, 상기 M은 Sr 또는 Ba을 포함할 수 있다.
상기 유전막(80)을 형성하는 과정을 상세히 살펴보면, 먼저 스토리지 전극(65)이 형성된 반도체 기판 상에 상기 유기금속 착물을 포함하는 제1 공정소스와 산소 함유 기체를 포함하는 제2 공정소스가 공급된다. 상기 제1 공정소스와 상기 2 공정소스는 순차적으로 공급될 수 있다. 상기 제1 공정소스와 상기 제2 공정소스를 반응시킴으로써 스토리지 전극(65) 표면에 금속 산화막이 형성된다. 상기 반 응은 상기 제2 공정소스에 포함된 산소가 활성화되어 발생한 산소 라디칼을 이용한 산화 반응으로, 플라즈마 챔버 내에서 진행될 수 있다. 상기 과정을 반복적으로 수행함으로써 스토리지 전극(65)의 표면을 따라 균일한 유전막(80)이 형성될 수 있다.
상기 플라즈마 챔버 내에는 제3 공정소스가 더 공급될 수 있다. 상기 제3 공정소스는 제1 공정소스가 포함하는 유기금속 착물과는 다른 종류의 유기금속 착물을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 공정소스가 포함하는 유기금속 착물이 Sr을 포함하고, 상기 제2 공정소스가 오존(O3)을 포함하고, 상기 제3 공정소스가 포함하는 유기금속 착물이 Ti을 포함하는 경우, 형성되는 유전막(80)은 SrTiO3일 수 있다. 상기 공정소스들은 제1 공정소스 -> 제2 공정소스 -> 제3 공정소스 -> 제2 공정소스의 순으로 반복적으로 공급될 수 있다. 또, 상기 공정소스들은 가스 또는 증기의 형태로 공급될 수 있다.
상술한 바와 같이 상기 화학식 4를 갖는 유기금속 착물은 휘발성이 우수하기 때문에 스텝 커버리지(step coverage) 특성도 우수하다. 따라서, 스토리지 전극(65)의 종횡비가 크더라도(예컨대, 10:1 이상), 스토리지 전극(65)의 표면을 따라 고유전율을 갖는 유전막이 균일하게 형성될 수 있다.
이제까지 본 발명에 대한 구체적인 실시예들을 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것 이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 유기금속 착물은 휘발성이 높아 우수한 스텝 커버리지 특성을 가질 수 있다. 상기 유기금속 착물을 이용하여 종횡비가 높은 구조체 상에 균일한 박막을 형성할 수 있다. 예컨대, 높은 종횡비를 갖는 커패시터를 포함하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 커패시터의 유전막과 같은 박막을 균일하게 형성할 수 있다. 이에 의해, 반도체 메모리 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.

Claims (17)

  1. 하기 화학식 1을 갖는 제1 화합물을 포함하는 β-디케톤 리간드,
    (화학식 1)
    Figure 112006085797602-PAT00011
    .
  2. 하기 화학식 2를 갖는 제2 화합물과 3,3-dimethyl-2-butanone을 반응시켜 청구항 1의 상기 제1 화합물을 형성하는 것을 포함하는 β-디케톤 리간드의 제조 방법,
    (화학식 2)
    Figure 112006085797602-PAT00012
    .
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 화합물과 상기 3,3-dimethyl-2-butanone을 반응시키는 것은 상기 제2 화합물과 상기 3,3-dimethyl-2-butanone을 DMF(dimethylformamide), NaH, 및 HCl과 혼합시키는 것을 포함하는 β-디케톤 리간드의 제조 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 화합물은 하기 화학식 3을 갖는 제3 화합물과 아세토니트릴(CH3CN)을 반응시켜 형성되는 β-디케톤 리간드의 제조 방법.
    (화학식 3)
    Figure 112006085797602-PAT00013
    .
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제3 화합물과 상기 아세토니트릴(CH3CN)을 반응시키는 것은 상기 제3 화합물과 상기 아세토니트릴(CH3CN)을 Ag2O과 혼합시키는 것을 포함하는 β-디케톤 리간드의 제조 방법.
  6. 청구항 1의 상기 제1 화합물을 포함하는 하기 화학식 4를 갖는 제4 화합물을 포함하는 유기금속 착물,
    (화학식 4)
    Figure 112006085797602-PAT00014
    상기 화학식 4에서 M은 2족 원소 또는 란탄족 원소를 포함한다.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 M은 Sr 또는 Ba을 포함하는 유기금속 착물.
  8. 청구항 1의 상기 제1 화합물과 M(OR)2를 반응시켜 청구항 6의 상기 제4 화합물을 형성하는 것을 포함하며,
    상기 M은 2족 원소 또는 란탄족 원소를 포함하고, 상기 R은 알칼기를 포함하는 유기금속 착물의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 화합물과 상기 M(OR)2를 반응시키는 것은 상기 제1 화합물과 상기 M(OR)2을 헥산과 혼합시키는 것을 포함하는 유기금속 착물의 제조 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 M은 Sr 또는 Ba을 포함하고, 상기 R은 에틸기(C2H5)를 포함하는 유기금속 착물의 제조 방법.
  11. 기판 상에 청구항 6의 제4 화합물을 포함하는 제1 공정소스를 공급하는 단계;
    상기 기판 상에 산소 함유 기체를 포함하는 제2 공정소스를 공급하는 단계; 및
    상기 제1 공정소스와 상기 제2 공정소스를 반응시키는 것을 포함하는 박막 형성 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 M은 Sr 또는 Ba을 포함하는 박막 형성 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제2 공정소스는 오존을 포함하는 박막 형성 방법.
  14. 기판 상에 스토리지 전극 콘택을 형성하는 단계;
    상기 스토리지 전극 콘택 상에 스토리지 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 스토리지 전극을 덮는 유전막을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 유전막을 형성하는 단계는,
    상기 스토리지 전극이 형성된 상기 기판 상에 청구항 6의 상기 제4 화합물을 포함하는 제1 공정소스를 공급하는 단계;
    상기 기판 상에 산소 함유 기체를 포함하는 제2 공정소스를 공급하는 단계; 및
    상기 제1 공정소스와 상기 제2 공정소스를 반응시키는 것을 포함하는 반도체 메모리 장치의 형성 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 M은 Sr 또는 Ba을 포함하는 반도체 메모리 장치의 형성 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 제2 공정소스는 오존을 포함하는 반도체 메모리 장치의 형성 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 스토리지 전극은 10:1 이상의 종횡비를 갖는 실린더형으로 형성되는 반도체 메모리 장치의 형성 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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RU2494810C1 (ru) * 2012-11-06 2013-10-10 ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ОРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИ им. Н.Д. ЗЕЛИНСКОГО РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИОХ РАН) Способ приготовления катализатора для получения 3-ацетилгептан-2,6-диона и способ получения 3-ацетилгептан-2,6-диона с использованием полученного катализатора

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