JP2003517515A - イリジウム−ベースの材料の製造方法および基材上の構造、およびそのためのイリジウム源試薬 - Google Patents

イリジウム−ベースの材料の製造方法および基材上の構造、およびそのためのイリジウム源試薬

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Abstract

(57)【要約】 分解可能で、基材上にイリジウムを蒸着することができるそのイリジウム−含有前駆体を分解し、例えば、酸素、オゾン、空気、および窒素酸化物のごとき酸化性ガスを含有することができる酸化性雰囲気環境において、基材上にイリジウムを蒸着することによって、基材上に該前駆体からイリジウム−含有フイルムを形成する方法。有用な前駆体はルイス塩基安定化Ｉｒ（Ｉ）β−ジケトネートおよびルイス塩基安定化Ｉｒ（Ｉ）β−ケトイミネートを含む。基材上に蒸着されたイリジウムは、次いで、ＤＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ、ハイブリッドシステム、スマートカードおよび通信システムのごとき薄膜キャパシター半導体デバイスの製造のために、電極をパターニングのためにエッチングし、続いて電極上に誘電体または強誘電体材料を蒸着することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
（発明の分野） 本発明は、基材上に、マイクロエレクトロニックデバイスおよびサブアセンブ
リのためのＩｒ−ベース電極のごとき、イリジウム−またはイリジウム−含有材
料を形成する方法、ならびにＩｒ源試薬材料、および新規誘電性キャパシターま
たは強誘電性材料構造に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
（関連技術の記載） イリジウム（Ｉｒ）およびイリジウム酸化物（ＩｒＯ２）はダイナミックラン
ダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）双方における電極として使用するのに、および
キャパシター層としてペロブスカイト型金属酸化物薄膜を組み込む強誘電体−ベ
ースメモリデバイス（ＦＲＡＭ）で、非常に興味深い。
【０００３】 他の可能な電極材料よりも優れたＩｒの利点は、蒸着の容易性、材料を「湿式
エッチングする」能力、酸化環境で高温にて安定な導電性酸化物を形成する能力
、およびワーキングデバイスにおいて高温で安定に作動する能力を含む。
【０００４】 Ｉｒ−ベースの電極の蒸着および加工は前記利点を考慮するとかなり望ましい
。さらに、ＩｒＯ２の形成は、高密度ＤＲＡＭまたはＦＲＡＭデバイスで要求さ
れるごとく、導電性ポリシリコンバスアスまたはプラグの酸化に対する拡散バリ
アーとして働く。
【０００５】 Ｉｒ−ベース電極の必要性に基づき、先行技術は継続してＩｒ−ベースフイル
ムの形成のための源材料および蒸着技術の改良を求めてきた。
【０００６】 先行技術は、水素ガス環境のごとき、還元性雰囲気中でのエレクトロニクスデ
バイスの製造のためのイリジウムの化学気相蒸着を種々に開示してきた。先行技
術は、適用において、電極用の元素金属イリジウムの蒸着を達成する目的で、か
かる還元雰囲気の使用を教示しており、ここで、高温誘電性材料（例えば、ＳＢ
Ｔ、ＢＳＴ、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、ＰＮＺＴ、ＬａＣａＭｎＯ３等であり、ここで
、ＳＢＴ＝タンタル酸ビスマスストロンチウム、ＢＳＴ＝チタン酸ストロンチウ
ムバリウム、ＰＺＴ＝チタン酸ジルコニウム鉛、ＰＬＺＴ＝チタン酸ジルコニウ
ムランタン鉛、ＰＮＺＴ＝チタン酸ジルコニウムニオブ鉛）が電極上に蒸着され
て、かかる適用において誘電体の分解の可能性を最小化し、高純度金属の形成を
同時に達成する。
【０００７】 先行技術は、特に、薄膜キャパシターとしての複合体誘電性または強誘電性材
料層と結合させたＩｒ電極を使用する半導体および強誘電性構造の形成のための
加工技術に改良を特に求めてきた。
【０００８】 本発明の目的は、製造効率およびコストにおける材料単純化を達成するイリジ
ウム−ベースの電極の形成のための新規に源試薬および該形成方法を提供するこ
と、およびシリコンデバイス技術での集積化でかなり有利であり、効果的で容易
に製造される電極構造を提供することにある。
【０００９】 本発明のもう１の目的は、酸化物ＤＲＡＭおよびＦＲＡＭデバイスのための金
属接触としての、イリジウム、イリジウム酸化物またはイリジウム−含有電極素
子を含めた金属酸化物薄膜キャパシター構造の単純化された製法を提供すること
にある。
【００１０】 他の目的及び利点は続く開示及び添付の請求の範囲からより十分に明らかにな
るであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
（発明の概要） 本発明は、基材上に、マイクロエレクトロニックデバイスおよびサブアセンブ
リのためのＩｒ−ベース電極のごとき、イリジウム−またはイリジウム−含有材
料を形成する方法、ならびにＩｒ源試薬材料、および新規誘電性材料構造に関す
る。
【００１２】 本明細書で用いるごとく、「Ｉｒ−ベース」または「イリジウム−ベース」な
る用語は、広く、元素イリジウム、イリジウム酸化物およびイリジウム−含有材
料組成物をいう。
【００１３】 また、本発明は、Ｉｒ−ベース電極素子を含めた新規高温誘電体または強誘電
体薄膜キャパシター構造に関する。
【００１４】 １つの態様において、本発明は、前駆体を分解し、次いで、酸化雰囲気環境中
でイリジウムを基材上に蒸着することを特徴とするそのイリジウム含有前駆体か
ら基材上にイリジウム−含有フイルムを形成する方法に関する。基材上へのイリ
ジウムの蒸着は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、アシステッドＣＶＤ、またはイオン
プレーティング、迅速加熱プロセス、分子線エピタキシー等のごとき物理的蒸着
を含めた適当な方法にて、および当該分野の適当な技術によって行うことができ
る。
【００１５】 本明細書で用いるごとく、「酸化性雰囲気環境」なる用語は、酸素、オゾン、
空気、窒素酸化物（ＮＯｘ）等のごとき、酸素−含有ガスを含む環境を意味する
。かかる酸化性環境は、蒸着が行われ、基材上でのイリジウムまたはイリジウム
酸化物の形成を可能とする蒸着チャンバーまたは反応容器中にて提供することが
できる。従って、蒸着は雰囲気空気環境で行うことができ、それにより、基材上
でのイリジウム−含有フイルムの形成が単純化される。別の実施形態において、
ＩｒＯ２が、酸化性環境での処理によってＩｒ金属からの蒸着後プロセスで形成
することができる。
【００１６】 Ｉｒ前駆体材料はいずれの適当な組成物およびタイプのものであってもよい。
本発明の好ましい実施において、前駆体は、適当には、後記にてより十分に記載
されるごとく、ルイス塩基−安定化β−ジケトネートイリジウム組成物またはル
イス塩基−安定化ベータ−ケトイミネート組成物を含むことができる。
【００１７】 イリジウム−含有フイルムを使用して、電極または他のパターン化構造を基材
上に形成させる場合、蒸着されたイリジウムまたはイリジウム酸化物フイルムは
、引用してその開示を本明細書に一体化させる、「Iridium-Based Electrode St
ructures, and Method of Making the Same」（イリジウム−ベースの電極構造
、およびその作成方法）についてのThomas H. BaumaおよびFrank Dimeo, Jr．の
名義での１９９７年１１月１０日に出願された米国特許出願第０８／９６６，７
９６号により十分に記載されているごとく、ハロゲン−ベースのプラズマおよび
／またはＸｅＦ２でドライエッチングすることができる。蒸着されたイリジウム
またはイリジウム酸化物フイルムのかかるドライエッチングにおいて、エッチン
グ速度は、所望により、一酸化炭素、トリフルオロホスフィン、またはトリアル
キルホスフィンのごときルイス−ベースのアダクトまたは電子逆結合種の使用を
介して増強することができる。
【００１８】 本発明のさらにもう１つの態様において、電極構造としてのその形成に続いて
イリジウム−含有フイルムはその上に蒸着された高温誘電性および／または強誘
電性材料を有することができる。酸化性環境がイリジウム−含有フイルムの蒸着
で使用することができるか、あるいは酸化物誘電体／強誘電体の蒸着の間のみ使
用することができる。
【００１９】 従って、イリジウム電極形成工程において水素または他の還元性ガス（形成ガ
ス）の用法を受け入れるためになされてきたように、還元性雰囲気でチャンバー
をパージしたり、あるいはイリジウム蒸着チャンバーからイリジウム−含有フイ
ルムを担持する基材材料を誘電体／強誘電体蒸着チャンバーに導入する必要はな
いであろう。
【００２０】 従って、本発明の方法は、イリジウム−含有電極が誘電体または強誘電体材料
で覆われたキャパシターまたは他のマイクロエレクトロニックデバイスを形成す
るための手法の実質的単純化を達成する。
【００２１】 本発明のもう１つの態様は、高温誘電体、例えば、ＳＢＴ、ＰＺＴ、ＢＳＴ、
ＰＬＺＴ、ＰＮＺＴ、ＬａＣａＭｎＯ３によって覆われたイリジウム酸化物電極
素子を含み、ここで、該電極が高温誘電体に対して導電的に作動可能であるマイ
クロエレクトロニックデバイスに関する。本明細書で用いるごとく、高温誘電体
とは３００℃を超える温度で電極上に蒸着された誘電性材料をいう。例として、
チタン酸ジルコニウム鉛（ＰＺＴ）の誘電性フイルムは、典型的には、５００−
６００℃のオーダーの温度で蒸着される。
【００２２】 本発明の他の態様、特徴および実施形態は、続く開示および添付の請求の範囲
からより十分に明らかとなるであろう。
【００２３】
【発明の実施の形態】
（発明の詳細な記載、および好ましい実施形態） 本発明は、従来先行技術のアプローチおよび目的であったような、還元性雰囲
気での前駆体または源材料からのＩｒ成分の蒸着の必要性なくしてＩｒ−ベース
電極が容易に形成することができるという発見に関する。
【００２４】 対照的に、本発明では、分解してイリジウムを基材上に蒸着させるそのイリジ
ウム−含有前駆体から、基材上に、イリジウム−含有フイルムを形成させる方法
が考えられ、ここで、前駆体の分解および基材上でのイリジウムの蒸着は、イリ
ジウム自体の形態またはイリジウム酸化物の形態でイリジウムを蒸着させるため
の酸化性雰囲気環境で行われる。
【００２５】 イリジウムは、化学気相蒸着、液体デリバリー、スパッタリング、アブレーシ
ョン、または金属−有機または他の前駆体または源材料から基材上に金属に蒸着
させるための当該分野で公知のいずれの他の適当な技術をも含めた、いずれの適
当な方法にても、本発明の方法で基材上に蒸着させることができる。前記の中で
、形成させるべきイリジウム−ベース構造が約０．５ミクロン未満の臨界的寸法
を有する場合は、化学気相蒸着が好ましい。
【００２６】 本発明の方法において、イリジウム成分の前駆体は、基材上への蒸着のために
イリジウムを生じるいずれの適当なイリジウム前駆体であってもよい。イリジウ
ム前駆体は、例えば、式： 式Ｉのルイス塩基安定化Ｉｒ（Ｉ）β−ジケトネート：
【００２７】
【化９】
【００２８】 （式中、ＲおよびＲ’は同一または異なっていてよく、Ｈ、アリール、ペルフル
オロアリール、Ｃ１−Ｃ６アルキル、またはＣ１−Ｃ６ペルフルオロアルキルで
あり、Ｌは配位ルイス塩基、好ましくは、アルケン、ジエン、シクロアルケン、
シクロジエン、シクロオクタテトラエン、アルキン、置換アルキン（対称または
非対称）、アミン、ジアミン、トリアミン、テトラアミン、エーテル、ジグリム
、トリグリム、テトラグリム、ホスフィン、カルボニル、ジアルキルスルフィド
、ビニルトリメチルシラン、およびアルキルトリメチルシランである） のルイス塩基安定化Ｉｒ（Ｉ）β−ジケトネート、および 式ＩＩのルイス塩基安定化Ｉｒ（Ｉ）β−ケトイミネート：
【００２９】
【化１０】
【００３０】 （式中、Ｒ、Ｒ’およびＲ”は同一または異なり、独立して、Ｈ、アリール、ペ
ルフルオロアリール、Ｃ１−Ｃ６アルキル、またはＣ１−Ｃ６ペルフルオロアル
キルよりなる群から選択され、Ｌは配位ルイス塩基、好ましくはアルケン、ジエ
ン、シクロアルケン、シクロジエン、シクロオクタテトラエン、アルキン、置換
アルキン（対称または非対称）、アミン、ジアミン、トリアミン、テトラアミン
、エーテル、ジグリム、トリグリム、テトラグリム、ホスフィン、カルボニル、
ジアルキルスルフィド、ビニルトリメチルシラン、およびアルキルトリメチルシ
ランである） のルイス塩基−安定化β−ジケトネートイリジウム組成物またはルイス塩基−安
定化β−ケトイミネート組成物を含み得る。
【００３１】 式ＩおよびＩＩの前記前駆体におけるルイス塩基では、１以上のルイス塩基分
子が、特に、エーテル、アルケン、アルキン、カルボニルおよびホスフィンリガ
ンドでは好ましいであろう。式ＩＩの前駆体のいくつかの実施形態において、Ｒ
およびＲ’は同一であってよく、Ｒ”は独立して前記リストから選択されるであ
ろう。
【００３２】 本発明のＣＶＤ−ベースの実施形態において、バブラーまたは有機溶液液体デ
リバリーを、Ｉｒ／ＩｒＯ２薄膜の化学気相蒸着で利用することができる。特別
の前駆体は、ＣＶＤリアクターへの前駆体のデリバリーおよび輸送につき適当に
最適化することができる。前駆体はオキシダント（例えば、Ｏ２、Ｏ３、または
Ｎ２Ｏ）の存在下で分解させて、金属Ｉｒ（＜５００℃）または酸化物ＩｒＯ２ （＞５５０℃）を優先的に蒸着させる。いくつかの適用において、二層Ｉｒ／Ｉ
ｒＯ２フイルムの形成が好ましいであろう。
【００３３】 本発明の実施におけるＩｒおよびＩｒＯ２のエッチングは、イリジウム−含有
フイルムの最初の形成の後、塩素、臭素、およびフッ素ベースのプラズマまたは
イオンビームエッチング化学のごとき、ハロゲン−ベースの系の使用で行うこと
ができる。Ｉｒ（Ｉ）およびＩｒ（ＩＩＩ）のハロゲンの形成を開良して、半導
体および強誘電体デバイス適用のための電極をエッチングし、パターン化するこ
とができる。ＩｒＯ２が存在するシステムにおいて、（イリジウム酸化物または
Ｉｒ金属に戻すための）還元予備処理いずれかの使用またはフッ素エッチャント
の使用が好ましいであろう。エッチング副産物の形成および除去は、ハライド種
の揮発性に依存する。安定化共反応体の添加は、材料の除去およびエッチングを
容易とするのに有用に使用することができる。
【００３４】 本発明の方法で蒸着されたイリジウム−含有フイルムは、任意にエッチング速
度に対する特異的化学的増強を用い、前記同時係属米国特許出願第０８／９６６
，７９６号により十分に記載されているごとく、ドライエッチング方法でエッチ
ングすることができる。一酸化炭素、トリフルオロホスフィン、またはトリアル
キルホスフィンの添加は、生成されるエッチング副産物の揮発性を増強すること
によってエッチングの速度を加速することができる。
【００３５】 例えば、基材上でのＩｒ−含有フイルムのエッチングでは、プロセスの除去速
度は、有利には、一酸化炭素（ＣＯ）の存在によって加速することができる。該
速度は、上昇した基材温度法（例えば、７２５−９７５℃）における反応体のガ
ス相分圧に強く依存する。ＣＯの存在は（ＣＯ）ｙＩｒＸ３（ここで、Ｘ＝Ｃｌ
、Ｂｒ）およびＩｒ（Ｃｌ）４の形成を介して反応体の揮発性を増強させるよう
に働くことができる。これらの材料は、有利には、ハロゲン−ベースのプラズマ
、イオンビームにおいておよびハイブリッドエッチングスキームにおいてエッチ
ングで使用することができる。
【００３６】 いくつかの例において、特別の製造またはデバイス適用のために、基材上に蒸
着されたイリジウム酸化物材料を純粋なイリジウム金属に転換するのが望ましい
であろう。かかる場合において、イリジウム酸化物の蒸着されたフイルムを、水
素、形成ガス、ＣＯ、ＲＯＨ等のごとき還元ガスに暴露してかかる転換を行うこ
とができる。
【００３７】 形成およびいずれかのさらなるパターニングの後、イリジウム−含有電極は、
イリジウム−含有フイルムの蒸着で使用されるのと同一の酸化性雰囲気環境にお
いて、その上に蒸着された高温誘電体および／または強誘電体材料を有すること
ができる。
【００３８】 従って、イリジウム電極形成工程において、水素または他の還元性ガス（形成
ガス）雰囲気の用法を受け入れる従来技術でなされていたような、還元性雰囲気
をチャンバーにパージしたり、またはイリジウム蒸着チャンバーからイリジウム
−含有フイルムを担持する基材製品を誘電体／強誘電体蒸着チャンバーへ導入す
る必要はない。従って、本発明の方法は、イリジウム−含有電極が誘電体または
強誘電体材料で覆われたキャパシターまたは他のマイクロエレクトロニックデバ
イスを形成するための手法の実質的単純化を達成する。
【００３９】 従って、本発明の実施において蒸着されたイリジウムフイルムは、例えば、Ｄ
ＲＡＭ、ＦＲＡＭ、ハイブリッドシステム、スマートカードおよび通信システム
のごとき、電極および半導体デバイスの他の素子の形成、ならびに触媒系のごと
き、イリジウムおよび／またはイリジウム酸化物のフイルムが有利には使用され
るいずれかの他の適用で利用することができる。
【００４０】 （産業上の利用性） 本発明は、イリジウム−含有前駆体およびかかる前駆体を用いて基材上にイリ
ジウム−含有フイルムを形成させる方法を提供する。本発明の前駆体および方法
は、基材上にイリジウムを蒸着するのに使用することができる。蒸着されたイリ
ジウムフイルムは、ＤＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ、ハイブリッドシステム、スマートカ
ードおよび通信システムのごとき適用において、半導体デバイスの製造のための
、マイクロエレクトロニックデバイス構造、例えば、薄膜の電極のパターニング
のためにエッチングすることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＨＵ，ＩＬ ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ， ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，Ｍ Ｋ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ， ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，Ｚ Ｗ (72)発明者 スー，チョン−イン アメリカ合衆国，コネティカット州 06776， ニュー ミルフォード，ウェル スヴィル アベニュー 190， カンタベ リー アームス ６ Ｆターム(参考） 4H050 AA02 BE30 BE31 BE44 WB11 WB13 WB14 WB21 4K030 AA11 AA14 BA01 BA42 LA15 4M104 BB04 DD34 DD37 DD43 DD45 GG16

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 前駆体を分解し、酸化雰囲気環境中でイリジウムを基材上に
    蒸着することを特徴とする、イリジウム−含有前駆体から基材上にイリジウム含
    有フイルムを形成する方法。
  2. 【請求項２】 該酸化雰囲気環境が、酸素、オゾン、空気および窒素酸化物
    よりなる群から選択される酸化性ガスを含有する雰囲気を含む請求項１に記載の
    方法。
  3. 【請求項３】 基材上に蒸着されたイリジウムが元素イリジウムである請求
    項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 基材上に蒸着されたイリジウムが酸化イリジウム、またはイ
    リジウムおよび酸化イリジウムの組合せである請求項１に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前駆体が、式Ｉ： 【化１】 （式中、ＲおよびＲ’は同一または異なっていてよく、Ｈ、アリール、ペルフル
    オロアリール、Ｃ１−Ｃ６アルキル、またはＣ１−Ｃ６ペルフルオロアルキルで
    あり、Ｌは配位ルイス塩基である） のルイス塩基安定化Ｉｒ（Ｉ）β−ジケトネート、および 式ＩＩ： 【化２】 （式中、Ｒ、Ｒ’およびＲ”は同一または異なり、独立して、Ｈ、アリール、ペ
    ルフルオロアリール、Ｃ１−Ｃ６アルキル、またはＣ１−Ｃ６ペルフルオロアル
    キルよりなる群から選択され、Ｌは配位ルイス塩基である） のルイス塩基安定化Ｉｒ（Ｉ）β−ジケトイミネート； よりなる群から選択される組成物を含む請求項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】 配位ルイス塩基がアルケン、ジエン、シクロアルケン、シク
    ロジエン、シクロオクタテトラエン、アルキン、置換アルキン（対称または非対
    称）、アミン、ジアミン、トリアミン、テトラアミン、エーテル、ジグリム、ト
    リグリム、テトラグリム、ホスフィン、カルボニル、ジアルキルスルフィド、ビ
    ニルトリメチルシラン、およびアリルトリメチルシランよりなる群から選択され
    る請求項５に記載の方法。
  7. 【請求項７】 該酸化性雰囲気環境が空気を含む請求項１に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前駆体の分解および基材上へのイリジウムの蒸着が化学気相
    蒸着（ＣＶＤ）、アシステッド−ＣＶＤ、イオンプレーティング、迅速加熱プロ
    セス、および分子線エピタキシーよりなる群から選択されるプロセスによって行
    われる請求項１に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前駆体が、式Ｉ： 【化３】 （式中、ＲおよびＲ’は同一または異なっていてよく、Ｈ、アリール、ペルフル
    オロアリール、Ｃ１−Ｃ６アルキル、またはＣ１−Ｃ６ペルフルオロアルキルで
    あり、Ｌは配位ルイス塩基である） のルイス塩基安定化Ｉｒ（Ｉ）β−ジケトネートよりなる群から選択される組成
    物を含む請求項１に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 該配位ルイス塩基がアルケン、ジエン、シクロアルケン、
    シクロジエン、シクロオクタテトラエン、アルキン、置換アルキン（対称または
    非対称）、アミン、ジアミン、トリアミン、テトラアミン、エーテル、ジグリム
    、トリグリム、テトラグリム、ホスフィン、カルボニル、ジアルキルスルフィド
    、ビニルトリメチルシラン、およびアリルトリメチルシランよりなる群から選択
    される請求項９に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前駆体が、式ＩＩ： 【化４】 （式中、Ｒ、Ｒ’およびＲ”は同一または異なり、独立して、Ｈ、アリール、ペ
    ルフルオロアリール、Ｃ１−Ｃ６アルキル、またはＣ１−Ｃ６ペルフルオロアル
    キルよりなる群から選択され、Ｌは配位ルイス塩基である） のルイス塩基安定化Ｉｒ（Ｉ）β−ジケトイミネート； よりなる群から選択される組成物を含む請求項１に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 配位ルイス塩基がアルケン、ジエン、シクロアルケン、シ
    クロジエン、シクロオクタテトラエン、アルキン、置換アルキン（対称または非
    対称）、アミン、ジアミン、トリアミン、テトラアミン、エーテル、ジグリム、
    トリグリム、テトラグリム、ホスフィン、カルボニル、ジアルキルスルフィド、
    ビニルトリメチルシラン、およびアリルトリメチルシランよりなる群から選択さ
    れる請求項１１記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前駆体の分解および基材上へのイリジウムの蒸着が化学気
    相蒸着によって行われる請求項１に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 基材上に蒸着されたイリジウムを加工して、約０．５ミク
    ロン未満の臨界的寸法特徴を有する、基材上のイリジウム含有フイルム素子を得
    る請求項１に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前駆体の分解および基材上へのイリジウムの蒸着が化学気
    相蒸着によって行われる請求項１４に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 上に蒸着された高温誘電性または強誘電性材料に作動可能
    に結合させた電極を含む、基材上にマイクロエレクトロニックデバイスまたは前
    駆体構造を形成する方法であって、 （Ａ）（ｉ）前駆体を分解し、酸化性雰囲気環境中で基材上にイリジウムを蒸
    着させ；次いで、 （ｉｉ）蒸着されたイリジウムをイリジウム−ベースの電極素子に加工する
    ； ことを含む、 基材上に、分解してイリジウムを蒸着できるそのイリジウム含有前駆体から基材
    上にイリジウム含有フイルムを形成させ、次いで、 （Ｂ）イリジウム−ベースの電極素子上に高温誘電性および／または強誘電性
    材料を蒸着させる ことを含む方法。
  17. 【請求項１７】 イリジウム−ベースの電極素子が、その上に蒸着された、
    高温誘電性材料を有する請求項１６に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 イリジウム−ベースの電極素子が、その上に蒸着された、
    ＳＢＴおよびＰＺＴよりなる群から選択される高温強誘電性材料を有する請求項
    １６に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 マイクロエレクトロニックデバイスまたは前駆体構造がＤ
    ＲＡＭまたはＦＲＡＭキャパシターデバイスまたは構造を含む請求項１６に記載
    の方法。
  20. 【請求項２０】 高温誘電性および／または強誘電性材料がＳＢＴ、ＰＺＴ
    、ＢＳＴ、ＰＬＺＴ、ＰＮＺＴおよびＬａＣａＭｎＯ３よりなる群から選択され
    る材料を含む請求項１６に記載の方法。
  21. 【請求項２１】 基材上に蒸着されたイリジウムが元素イリジウムを含む請
    求項１６に記載の方法。
  22. 【請求項２２】 基材上に蒸着されたイリジウムがイリジウム酸化物または
    イリジウムおよびイリジウム酸化物の組合せを含む請求項１６に記載の方法。
  23. 【請求項２３】 前駆体が、式Ｉ： 【化５】 （式中、ＲおよびＲ’は同一または異なっていてよく、Ｈ、アリール、ペルフル
    オロアリール、Ｃ１−Ｃ６アルキル、またはＣ１−Ｃ６ペルフルオロアルキルで
    あり、Ｌは配位ルイス塩基である） のルイス塩基安定化Ｉｒ（Ｉ）β−ジケトネート、および 式ＩＩ： 【化６】 （式中、Ｒ、Ｒ’およびＲ”は同一または異なり、独立して、Ｈ、アリール、ペ
    ルフルオロアリール、Ｃ１−Ｃ６アルキル、またはＣ１−Ｃ６ペルフルオロアル
    キルよりなる群から選択され、Ｌは配位ルイス塩基である） のルイス塩基安定化Ｉｒ（Ｉ）β−ジケトイミネート； よりなる群から選択される組成物を含む請求項１６に記載の方法。
  24. 【請求項２４】 配位ルイス塩基がアルケン、ジエン、シクロアルケン、シ
    クロジエン、シクロオクタテトラエン、アルキン、置換アルキン（対称または非
    対称）、アミン、ジアミン、トリアミン、テトラアミン、エーテル、ジグリム、
    トリグリム、テトラグリム、ホスフィン、カルボニル、ジアルキルスルフィド、
    ビニルトリメチルシラン、およびアリルトリメチルシランよりなる群から選択さ
    れる請求項２３に記載の方法。
  25. 【請求項２５】 該酸化性雰囲気環境が空気を含む請求項２３に記載の方法
    。
  26. 【請求項２６】 工程（Ａ）（ｉ）、（Ａ）（ｉｉ）および（Ｂ）が同一酸
    化性雰囲気環境で行われる請求項１６に記載の方法。
  27. 【請求項２７】 酸化性雰囲気環境中で形成され、高温誘電体によって覆わ
    れたイリジウム酸化物電極素子を含み、ここで、該電極は高温誘電体に対して導
    電的に作動可能であることを特徴とするマイクロエレクトロニックデバイス構造
    。
  28. 【請求項２８】 高温誘電性体がＳＢＴ、ＰＺＴ、ＢＳＴ、ＰＬＺＴ、ＰＮ
    ＺＴおよびＬａＣａＭｎＯ３よりなる群から選択される材料を含む請求項２７に
    記載のマイクロエレクトロニックデバイス構造。
  29. 【請求項２９】 高温誘電体がＳＢＴを含む請求項２７に記載のマイクロエ
    レクトロニックデバイス構造。
  30. 【請求項３０】 式Ｉ： 【化７】 （式中、ＲおよびＲ’は同一または異なっていてよく、Ｈ、アリール、ペルフル
    オロアリール、Ｃ１−Ｃ６アルキル、またはＣ１−Ｃ６ペルフルオロアルキルで
    あり、Ｌは配位ルイス塩基である） のルイス塩基安定化Ｉｒ（Ｉ）β−ジケトネート、および 式ＩＩ： 【化８】 （式中、Ｒ、Ｒ’およびＲ”は同一または異なり、独立して、Ｈ、アリール、ペ
    ルフルオロアリール、Ｃ１−Ｃ６アルキル、またはＣ１−Ｃ６ペルフルオロアル
    キルよりなる群から選択され、Ｌは配位ルイス塩基である） のルイス塩基安定化Ｉｒ（Ｉ）β−ジケトイミネート； よりなる群から選択される組成物。
  31. 【請求項３１】 配位ルイス塩基がアルケン、ジエン、シクロアルケン、シ
    クロジエン、シクロオクタテトラエン、アルキン、置換アルキン（対称または非
    対称）、アミン、ジアミン、トリアミン、テトラアミン、エーテル、ジグリム、
    トリグリム、テトラグリム、ホスフィン、カルボニル、ジアルキルスルフィド、
    ビニルトリメチルシラン、およびアリルトリメチルシランよりなる群から選択さ
    れる請求項３０に記載の方法。
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