KR20010031376A - 발광 덴드리머 및 장치 - Google Patents

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Abstract

발광 장치에서 사용되는 발광 화합물이 개시된다. 이들 화합물은 다음 식을 가지는 화학식 A 화합물을 가진다:
CORE - [DNEDRITE]n
여기서 CORE는 원자 또는 기를 나타내며, n은 적어도 1의 정수를 나타내며, 만약 n이 1보다 더 크다면 동일하거나 또는 다를 수 있는 DENDRITE는 아릴 또는 헤테로아릴기의 고리 탄소 원자에 알케닐기의 탄소 원자를 통해 서로 연결되는 아릴 및/또는 헤테로아릴기 및 알케닐기를 포함하는 본질적으로 적어도 부분적으로 콘쥬게이트된 수지형 분자 구조를 나타내고, CORE는 적어도 부분적으로 콘쥬게이트된 수지형 사슬이 하나이상 붙어있는 (헤테로)아릴기의 고리 탄소 원자에 연결되는 첫번째 단일 결합에서 종결되고, 상기 고리 탄소 원자는 DENDRITE의 부분을 형성하고, CORE 및/또는 DENDRITE는 발광성이다.

Description

발광 덴드리머 및 장치 {LIGHT-EMITTING DENDRIMERS ＆ DEIVICES}
선형 (코)폴리머, 올리고머, 및 분자 재료를 포함하는 콘쥬게이트된 유기 재료는 발광 다이오드 (LEDs)에서 발광층으로서 상당한 전망을 보인다는 것이 명백히 증명되었다 (J. H. Burroughs et al, Nature, 1990, 347, 539). 그러나, 그들의 완전한 잠재성에 도달하기 위해서는, 필요한 방출색의 달성(특히 청색 및 적색), 가공 특성과 더불어 발색효율의 최적화, 및 장치 가동 수명의 연장의 달성을 포함하는 수 많은 문제점이 극복되어야 한다. 가장 단순한 유기-기재 LEDs는 유기 발광층이 홀을 주입하는 양극(anode)과 전자를 주입하는 음극(cathode) 사이에 끼어져 있고, 이들 전극의 하나 또는 둘 모두는 명백히 장치로부터의 빛의 방출을 허용한다.대부분 발광 콘쥬게이트된 재료는 전자보다 홀을 운반하는 경향이 있고 따라서 지금까지 개발된 LEDs는 전하 주입의 균형을 맞추기 위해 발광층에 추가적 전하 운반층을 삽입할 수 있다 (A.R.Brown et al, Chem. Phys. Lett., 1992, 200, 46). 그러한 장치에 선형 (코)폴리머를 사용하는데 있어서의 문제점은 선형 (코)폴리머의 전기적 성질을 변화시키기 위해 고안된 선형 (코)폴리머의 구조 변화가 선형 (코)폴리머의 가공 성질 뿐만아니라 합성과정 또한 변화시킬 수 있다는 것이다 (P.L.Burn et al, J. Am. Chem, Soc., 1993, 115, 10117).
본 발명은 발광 덴드리머 및 그것을 사용한 장치 및 그것의 합성 및 제조방법에 관련된 것이다.
본 발명은 수반되는 도면을 참고함으로써 더욱 상술될 수 있으며, 여기서 도 1은 양극(20)과 떨어져서 덴드리머 표면위에 Ca 또는 Al의 금속 음극(40)이 있는, 본 발명에 따른 덴드리머층(30)이 위에 놓여있는 투명한 ITO 양극(20)으로 코팅된 유리 기판(10)을 포함하는 발광 장치의 한 형태를 개략적으로 나타내고;
도2는 제 1 생성 디스티릴벤젠 덴드리머(1-DSB)의 전기발광(EL)과 광발광(PL)을 비교하는 자명한 그래프이고;
도3은 마찬가지로 스틸벤 수지형 측쇄가 있는 안트라센 코어를 가지는 제 1 생성 덴드리머(여기서 1-안트라센으로 표시됨)의 EL과 PL 스펙트럼(명확성을 위해 나란히 놓음)을 비교하며;
도4는 마찬가지로 대응하는 제 1 생성 포르피린-코어 덴드리머(1-포르피린)의 EL과 PL을 비교하며;
도5는 1-DSB의 EL과 제 2 생성 2-DSB의 EL을 비교하며;
도6은 ITO와 Al 전극 사이에 1-안트라센 덴드리머를 사용한 LED의 전기적 및 발광 성능을 보여주며;
도7은 마찬가지로 ITO 및 Ca 전극 사이에 1-포르피린 덴드리머를 사용한 대응하는 발광 장치의 성능을 보여주며;그리고
도8은 ITO 및 Ca 전극 사이에 1-DSB를 사용한 발광 장치의 다이오드 전기적 특성을 확인한다.
본 발명은 수지형(dendritic) 발광 분자는 LEDs를 위한 재료의 분자적 가공에 새로운 접근을 제시하고, 효율, 색 조절, 및 가공을 포함하는 이들 영역의 일부 또는 전부에서 선형 폴리머에 비해 명백한 장점을 가지는 경향이 있다는 기초하에 (코)폴리머에 부딪히는 문제점을 기술한다.
덴드리머는 수반되는 도식1에서 보여진 일반 구조와 같이 전형적으로 코어 (직사각형), 콘쥬게이트된 단위(원과 삼각형) 및 측쇄 연결(L)을 포함하는 수지형 측쇄(dendritic branch), 그리고 표면기(S)에 의해서 표시된다. 측쇄 연결(L)은 단일 결합 또는 결합들이 될 수 있다.
발광 장치에 삽입하는데 사용되는 본 발명에 따른 덴드리머는 전기발광 또는 전하-운반 발색단(콘쥬게이트된 단위)을 포함하는 코어 및/또는 측쇄를 가지고 있다. 코어 및/또는 측쇄에 사용되는 콘쥬게이트된 단위는 같은 것일 필요가 없다. 덴드리머의 각 구성요소의 중요성은 하기에서 논의된다.
덴드리머의 제조를 위한 합성 과정에 많은 연구가 있어왔다. 본 발명에 따른 덴드리머는, ″수렴하는″ 및 ″분기하는″ 방법 (Z. Xu et al. J. Am. Chem. Soc., 1994, 116, 4537)을 모두 포함하는, 어떤 편리한 방법에 의해 합성될 수 있다. 수렴하는 방법에서는 수지형 측쇄가 먼저 합성되고 그 후 코어의 결합위치에 결합되는 반면, 분기하는 방법에서는 수지형 측쇄는 코어 결합위치로부터 점진적으로 형성된다.
아세틸렌 (에티닐) 결합에 의해서 아세틸렌-연결된 3,5-t-부틸페닐 수지형 구조에 연결된 안트라센 코어를 가지는 덴드리머를 발광 요소로서 사용하는 발광 다이오드 (LEDs)는 Jeffrey S. Moore et al에 의해 Adv. Mater. 1996, 8, No. 3, pp 237-241에 기술되어 있다. 이들 덴드리머는 본 목적에 있서 매우 효율적이지 않다고 믿어졌다. Bettenhausen 및 strohriegel, in Macromol. Rapid Commun. 17, 623-631 (1996)은 발광 장치에서 전자 주입 및 운반 층 (발광 요소는 아님)으로 사용되는 1,3,4-옥사디아졸 결합 단위를 가지는 덴드리머를 기술한다.
S. K. Deb et al, in J.Am.Chem.Soc. (1997), 119(38), pp9079-9080은 형광제로서 기술된 폴리(페닐렌비닐렌)덴드리머를 합성하기 위해 벤젠 고리의 1,3,5-위치에 알데히드-작용화된 구조의 반응성 부착을 기술한다. 이러한 덴드리머 최종 생성물은, 비록 발광 장치가 그들을 포함하지 않는다해도, 본 발명으로부터 배제되며, 따라서 작용화된 전구 구조들이다.
본 발명은, 이미 공지된 덴드리머에 비해 우수한, 특히 발광장치의 사용에 있어 우수하다고 믿어지는 덴드리머, 그들의 합성법, 그들을 장치로 만들기 위한 가공방법, 및 그들을 사용한 장치를 제공한다. 발광 장치에서 발광요소로서 특정 덴드리머의 사용은 발광 요소로서의 사용, 또는 발광 요소가 덴드리머 자신에 부착되어 구조 또는 재료를 포함하는 것으로 간주되는 경우에 발광 요소에의 사용을 포함하는 것으로 더 많은 의심없이 이해된다.
본 발명의 한 측면은 따라서 다음 식을 가지는 화합물을 제공한다:
CORE - [DENDRITE]n
여기서 CORE는 원자 또는 기를 나타내며, n은 적어도 1의 정수를 나타내며, 만약 n이 1보다 더 크다면 동일하거나 또는 다를 수 있는 DENDRITE는 아릴 및/또는 헤테로아릴기의 고리 탄소 원자에 알케닐기의 탄소 원자를 통해 서로 연결되는 아릴 및/또는 헤테로아릴기 및 알케닐기를 포함하는 본질적으로 적어도 부분적으로 콘쥬게이트된 수지형 분자 구조를 나타내고, CORE는 적어도 부분적으로 콘쥬게이트된 수지형 사슬이 하나이상 붙어있는 (헤테로)아릴기의 고리 탄소 원자에 연결되는 첫번째 단일 결합에서 종결되고, 상기 고리 탄소 원자는 DENDRITE의 부분을 형성하고, CORE 및/또는 DENDRITE는 발광성이고; 통상 그 화합물은 발광성이고, 바람직하게는 고체상태에 있다. 바람직하게는 화합물은 전기적 또는 광학적 들뜸하에서 가시 영역에서 빛을 방출한다. 화합물은 다음의 일반식을 가지는 것으로서 전형적으로 하나 이상의 말단 또는 표면기를 갖는다.
CORE -- [DENDRITE -- ENDGROUPS]n
또는, 더욱 구체적으로,
[CORE--]---[--ød--{ARM--ENDGROUPS}m]n
이며, 여기서 ød는 DENDRITE의 상기 첫번째 아릴 또는 헤테로아릴 부분이고, 전형적으로는 1,3,5-결합된 벤젠 고리이고, ARM은 그곳으로부터 뻗어나온 수지형 팔이며, m은 적어도 2의 정수값이다.
화합물은 하나 이상의 발광 부분을 가지고 있고 전기적 또는 광학적 들뜸으로부터 나오는 에너지는 발광을 위해 그들중 하나에 전달된다. 바람직한 구체예에서 덴드리머는 적어도 두개의 본질적으로 적어도-부분적으로-콘쥬게이트된 발광 부분(서로서로 콘쥬게이트되거나 또는 되지않은)을 포함하고, 여기서 하나 또는 각 상기 수지형 구조(들)는 상기 발광 부분 중 적어도 하나를 포함하고, 덴드리머의 코어에서 더 멀리있는 발광 부분 또는 부분들은 덴드리머의 코어에 더 가까운 또는 부분적으로 또는 완전히 코어내에 있는 발광 부분 또는 부분들보다 더 큰 HOMO-LUMO 에너지 갭을 가진다. 다른 구체예에서 HOMO-LUMO 에너지 갭은 동일하다.
부분들(moieties)의 상대적 HOMO-LUMO 에너지 갭은 UV-가시 분광광도계를 사용하여 원래 공지된 방법에 의해서 측정될 수 있다. 코어에 더 가까운 발광 부분에서 더 낮은 HOMO-LUMO 에너지 갭의 이 등급은, 아마도 들뜸상태에서 소광 장소로의 이동을 감소시키고 전하 증대의 가능성을 생기게 함으로써, 내부 전하 전달 및 덴드리머 분자내에서 증가된 발광 활성을 촉진하는데 유리하다. 발광 부분중의 하나는 코어 그자체이거나, 또는 (부분적으로 또는 완전히) 코어내에 있으며, 이것은 따라서 바람직하게 수지형 구조내의 다른 발광 부분 또는 부분들보다 더 작은 고유 HOMO-LUMO 갭 에너지를 가진다. 대안으로는, 또는 추가적으로, 수지형 구조 자체는 각각 하나 이상의 발광 부분을 포함하며, 이러한 경우에 코어에서 더욱 멀리있는 것들은 다시 바람직하게 코어에 더 가까운 것들보다 더 큰 고유 HOMO-LUMO 갭 에너지를 가진다. 이 경우, 비록 발광체 코어는 일반적으로 선호되나, 코어 그 자체는 발광성일 필요는 없다.
본 발명의 다른 측면은 발광 요소로서 또는 그것의 발광 요소 내에 하기식을 가지는 화합물을 포함하는 발광 장치를 제공하는 것이다:
CORE - [DENDRITE]n
여기서 CORE는 원자 또는 기를 나타내며, n은 적어도 1의 정수를 나타내며, 만약 n이 1보다 더 크다면 동일하거나 또는 다를 수 있는 DENDRITE는 아릴 또는 헤테로아릴기의 고리 탄소 원자에 알케닐기의 탄소 원자를 통해 서로 연결되는 아릴 및/또는 헤테로아릴기 및 알케닐기를 포함하는 본질적으로 적어도 부분적으로 콘쥬게이트된 수지형 분자 구조를 나타내고, CORE는 적어도 부분적으로 콘쥬게이트된 수지형 사슬이 하나이상 붙어있는 (헤테로)아릴기의 고리 탄소 원자에 연결되는 첫번째 단일 결합에서 종결되고, 상기 고리 탄소 원자는 DENDRITE의 부분을 형성하고, CORE 및/또는 DENDRITE는 발광성이다.
발광 장치용 덴드리머의 장점
방출색의 선택: 특정 길이 및 구성의 적어도 부분적으로 알킬렌 콘쥬게이트된 단위는 발광 장치에서 좋은 색 선택 가능성을 주기위해 덴드리머의 코어 또는 측쇄로서 도입될 수 있다. 예를들면, 코어와 측쇄로서 트란스,트란스-디스티릴 벤젠으로부터 유도된 단위를 가지는 덴드리머는 모화합물의 좋은 광발광 양자 효율 및 청색 방출을 가진다 (Nakatsuji et al, J. Chem. Soc. Perkin Trans 2, 1991, 861).
분자간 상호작용의 조절 및 농도 소광 회피: 분자간 상호작용은 콘쥬게이트된 분자의 광물리학에 강한 영향을 미치며, 합성의 유연성(발생수, 표면기, 연결제 등)은 그들이 조절되게 한다. 청색 발광이 엑시머 형성에 의하여 소광되어 대신 노란색을 방출하게하는 경향이 있기 때문에, 청색 발광의 효율에서 특별한 장점이 된다고 생각된다. 이에 덧붙여, 넓은 범위의 발광분자, 예컨데 염료가 있다. 이러한 시스템에서 발광은 종종 높은 농도에서, 막에서 보게되는 것과같이 소광된다. 이들 분자를 덴드리머에 끼워넣음으로써, 예컨데 파이-스택킹 (pi-stacking)과 같은 회피 공정에 의하여, 이것을 회피할 수 있다. 따라서 덴드리머는 다른방법으로는 쉽게 사용될 수 없는 넓은 범위의 발색단, 예를들면 포르피린을 사용하는 법을 제공한다.
효율 및 가공의 동시적 최적화: 고차-생성 덴드리머 (이하 참조)에 있어, 표면기는 주변환경과의 분자 접촉중 대다수 또는 실질적으로 모두를 떠맡는 경향이 있다. 따라서, 바깥 표면은 분자의 용해도와 가공성을 조절하고 따라서 발색단(들)의 내부 전자 구조로 변화하는 것은 가공특성 및 그 반대에 받아들일수 없게 영향을 주지않고도 가능해진다. 반대로, 선형 콘쥬게이트된 폴리머의 용해도 및 가공성은 치환기, 예컨데 전자 주입을 용이하게하는 전자 끄는기의 부착으로 극도로 영향을 받는다. 따라서, 여기서 기술한 덴드리머는 전기적으로 최적화된 재료의 향상된 생산성을 주는 전기적 및 가공 성질을 독립적으로 최적화하는 기회를 제공한다. 덴드리머 위에 삽입되기에 적절한 표면기의 몇몇 예는 분지 및 미분지 알킬, 특히 t-부틸, 분지 및 미분지 알콕시, 히드록시, 알킬실란, 카르복시, 카르브알콕시, 및 비닐을 포함한다. 보다 광범위한 목록은 더욱-반응성인 알켄, (메트)아크릴레이트, 황 함유기, 또는 규소 함유기; 술포닐기; 폴리에테르기; C1-내지-C15알킬 (바람직하게는 t-부틸)기; 아민기; 모노-, 디- 또는 트리- C1-내지-C15알킬 아민기; R이 수소 또는 C1-내지-C15알킬인 -COOR 기 ; R이 수소, 아릴, 또는 C1-내지-C15알킬 또는 알케닐인 -OR 기 ; R이 C1-내지-C15알킬 또는 알케닐인 -O2SR 기 ; R이 아릴, 또는 C1-내지-C15알킬 또는 알케닐인 -SR 기 ; R 기가 동일하거나 다르고 수소, C1-내지-C15알킬 또는 알케닐, 또는 -SR' 기 (R'은 아릴 또는 C1-내지-C15알킬 또는 알케닐), 아릴, 또는 헤테로아릴인 -SiR3기를 포함한다.
발광의 효율: 본 발명에 따라, 덴드리머에 기초한 발광 장치로부터 빛 방출의 효율은 선형 폴리머에 기초한 발광 장치의 것보다 더 나은 경향이 있다고 여겨진다. 이것은 소광 위치로의 엑시톤의 이동이 저해되고, 최적화된 발색단이 사용되며, 엑시머 형성과 같은 바람직하지 않은 과정을 피하기 위해 조절된 분자간 상호작용 때문이다. 선형 콘쥬게이트된 폴리머에서 엑시톤은 샘플을 통하여 낮은 HOMO-LUMO 갭 에너지 지역으로 이동하고 발광을 소광하는 결점에 종종 마주치게 된다. 덴드리머는 가장 안쪽 또는 중심 발색단이 표면에 가까운 발색단보다 낮은 HOMO-LUMO 에너지 갭을 가지도록 본 발명에 따라 설계된다. 따라서, 일단 들뜸 상태가 코어를 향해 이동하면 덴드리머내에서 갇히게 되고 소광 위치로의 더 이상의 이동은 억제된다. 이에 덧붙여, 이 과정은 홀-차단 전자 운반층을 포함하는 유기 발광 장치에서 획득되는 것과 유사한 공간 전하 증강을 일으키는 경향이 있다. 발색단에 부착된 전자-끄는기를 가진 덴드리머 및/또는 높은 전자친화도 발색단은 ″작은 분자″ 반응을 포함하는 경로로 준비하는 것이 더 쉽고, 이것은 고 폴리머를 형성하는데 있어서의 요구조건중 예를들면 수율 같은 동일한 엄격한 요구사항을 가지지 않는다.
장치 수명: 덴드리머는 두 가지 이유로 향상된 화학 안정성을 나타낸다. 첫째, 들뜬 상태는 분자의 코어에 위치될 수 있기 때문에, 주위환경으로부터 더욱 보호되고 이것이 향상된 광화학 안정성을 부여한다. 둘째, 덴드리머는 일반적으로 발색단보다 휠씬 높은 유리(glass) 전이 온도를 가지며 그들은 일반적으로 향상된 열 안정성을 장치에 부여하고 작은 분자와 결합된 재결정의 문제를 감소시킨다.
합성
본 목적에 대해 예상되는 덴드리머의 유형은 알케닐 (바람직하게는 비닐)기에 의해 연결된 아릴렌과 헤테로아릴렌에 바람직하게 기초한 콘쥬게이트된 단위를 포함한다. 코어의 콘쥬게이션은 전술한 측쇄의 것보다 낮은 HOMO-LUMO 에너지 갭을 가질 목적으로, 길이나 치환기 패턴에서 모두 변형된다. 이것은 청색에서 적색으로의 방출색의 조절과 전자친화도의 조절을 가능케한다. 표면기는 공통 용매에서 덴드리머에 가용성 및 가공성을 부여하는 것을 선택한다. 제조될 다층 LEDs에 필요가 발생할 경우, 표면기는 교차결합을 허용하는 것을 선택한다.
코어 화합물은 종종 단량체 화합물이지만 포르피린 같은 착분자 및 이량체, 삼량체, 및 올리고머도 제외되지 않는다. 구체적 예로는 벤젠, 피리딘, 피리미딘, 트리아진, 티오펜, 디비닐벤젠, 디스티릴에틸렌, 디비닐피리딘, 피리미딘, 트리아진, 디비닐티오펜, 옥사디아졸, 코로넨의 부분, 또는 트리아릴아민 또는 형광 염료 또는 표지(marker) 화합물, 또는 폴리페닐렌 사슬 및 특히 디스티릴 안트라센, 포르피린 또는 디스티릴벤젠 부분을 포함한다. 이들의 다양한 고리는 예컨데 C1내지 C15알킬 또는 알콕시기에 의하여, 치환될 수 있다. 한 구체예에서는 할로겐 치환기는 없다.
덴드리머내로 전자 및 홀 운반을 촉진하는 기를 덴드리머에 포함하는 것은 바람직하며, 따라서 단일 분자내에 ITO/홀 운반 층/방출층/전자 운반층/금속 접촉 구조 같은 이미 공지된 장치에 명확한 층으로서 제공되는 전자 및 홀 운반제를 제공하는 것이 바람직하다. 하나의 반응성 위치를 가진 코어로부터의 ″단일면″ 덴드리머 또는 바람직하게는 둘, 셋, 또는 보다 많은 반응 위치가 있는 코어 주위에 만들어지는 덴드리머가 사용될 수 있다. 매우 큰 코어, 예를들면 포르피린 또는 6개 이상의 반응 자리를 가지는 다-고리계도 입체적으로 가능하다. 디스티릴벤젠, 페닐렌, 페닐렌-비닐렌, 및 테르페닐 같은 단위로 형성된 올리고머 코어가 유용하다.
지시된 것과 같이 분자들의 덴드리트(DENDRITE) 부분은 아릴 또는 헤테로아릴기의 고리 탄소 원자에 알케닐기의 탄소 원자를 통해 서로 붙어 있는 아릴 및/또는 헤테로아릴기 및 알케닐기로 형성된다. 덴드리트는 본질적으로 적어도 부분적으로 콘쥬게이트되어 있다; ″본질적으로″는 덴드리트 자체 내에 콘쥬게이션 되어있음을 의미한다. 아릴기는 바람직하게는 벤젠 고리이고 이는 고리 위치 1, 3 및 5에서 바람직하게 결합되고, 피리딜 또는 트리아지닐 고리, 또는 폴리페닐렌 사슬이다. 이들 기는 선택적으로 치환될 수 있으며 전형적으로 C1내지 C15알킬 또는 알콕시기들로 치환된다. 따라서 덴드리트는 다음 일반식의 제1, 제2 또는 제3(또는 더 높은)생성 구조에서 콘쥬게이트된 연결에 의해 결합된 기들로 전형적으로 설명된다.
여기서 x는 1, 2, 또는 3이고 E는 만약 1 이상이라면 동일하거나 다를 수 있는 표면기이다.
본 발명에 따른 덴드리머의 예가 수반되는 도식 2에서 설명되고 콘쥬게이트된 단위에 의해 연결된 발색단을 모두 가지며 특히 알킬렌 부분을 가진다.
하나의 구체예에서 n은 2이고 덴드리트 단위는 이하와 같이 방향족 코어에 파라 위치에 붙어있다.
코어가 단위 6과 같이 서로 융합되지 않은 적어도 2개의 방향족 고리를 포함하고 있으면 좋을 것이다.
이러한 유형의 덴드리머는 완전히 콘쥬게이트된 것처럼 보일지도 모른다. 그러나, 측쇄 연결이 모두 메타 위치에서 배향하고 있기 때문에 파이-전자계가 전체 분자에 걸쳐 완전히 비편재화되어 있지 않다(R.S.Kang et al, J. Chem. Soc., Chem, Comm., 1996, 1167). 이것은 요구되는 발광색 및 상대적 에너지 갭 또는 콘쥬게이션 길이를 결정할때 단순 분석에서 코어는 측쇄로부터 독립적으로 고려될 수 있음을 의미한다. 코어는 반드시 콘쥬게이트되어있거나 방향족성이어야 하는 것은 아니다. 예를들면, 코어는 3개 또는 4개의 수지형 구조의 아릴 고리 단위가 결합될 수 있는 질소 또는 탄소 원자일 수 있다.
4 및 5의 제조를 위해 개발된 합성 순서는 더 높은- 생성 및/또는 다르게 치환된 덴드리머를 만들기 위해 연장되거나/반복될 수 있다(도식2 참고). 처음에, 코어의 콘쥬게이션 길이 및 전자 친화도를 변화시키는 동안에는 스틸벤 단위를 포함하는 측쇄가 바람직하다. 표면기로 t-부틸기를 사용하는 것은 이들이 4와 5의 좋은 막을 주기때문에 처음에는 바람직하다. 코어기로 1,4-디스티릴벤질, 9,10-디스티릴안트라세닐 및 5,10,15,20-포르피린을 사용하는 것 또한 바람직하다. 바람직하게는, 반복하는 합성 순서의 첫번째 단계는 2를 얻기위해 팔라듐 촉매를 사용하여(W.A. Hermann et al, Angew. Chem. Int. Ed. Engl., 1995, 34, 1844) 1을 1,3,5-트리브로모벤젠과 결합(N. Risch et al, Z. Naturforsch, 1994, 496, 141) 하는 것을 포함하고, 생성하는 디스티릴브로모 중간체(2)를 아릴 및/또는 헤테로아릴 비스-스타난 또는 비스-비닐과 결합함으로써 4,5,6,7 및 8과 같은 제 1생성 덴드리머를 얻는다. 예를들면, 4는 2와 1,4-비스-트리-n-부틸스타닐벤젠을 결합함으로써 형성되고, 5는 2와 1,4-디비닐벤젠을 결합함으로부터 형성된다. 각각의 경우에 제 1생성 덴드리머는 다른 HOMO-LUMO 에너지 갭을 가질것이고, 다른 전자 친화도 뿐만아니라 다른 방출색을 일으킬 것이다. 도식 2에서 보여진 코어에 대한 연결 그 자체는 문헌 과정에 의해 생성될 수 있다. 본 발명은 덴드리머의 증가하는 생성수를 포함하고 결국에는 3이 합성되며 이는 제1생성 분지 반응물(2)의 비닐 유도체이다. 1의 경우와 마찬가지로 3은 1,3,5-트리브로모벤젠과 반응하여 제 2생성 측쇄(17)을 얻는것이 더욱 가능하며 이것은 그다음 이전의 코어에 부착될 수 있다. 제2생성 측쇄는 그다음 이후의(제 3 및 가능하다면 더 높은) 생성을 주기위해 다음 반복을 위한 그것의 비닐 유도체로 전환될 수 있음을 본 발명자들은 구상하였다. 모든 단계에서 브롬화된 코어가 필요함이 인식된다.
이러한 유형의 덴드리머의 제조에 있어 대안적으로 바람직한 반복 경로에서 스티렌(1)은 팔라듐-촉매작용된 결합을 이용하여 3,5-디브로모벤즈알데히드(L.S.Chen et al, J. Organomet. Chem., 1981, 215,281)에 연결된다. 이 알데히드(9)는 5,6,7,8 및 18을 얻기위해 요구되는 비스-포스포네이트와 결합될 수 있다. 또한, 9는 대응하는 포르피린 덴드리머를 얻기 위해 피롤과 축합될 수 있다. 더 높은 생성을 형성하기 위해 반복단계 중 다음 단계는 알데히드(9)를 요오드화 트리페닐메틸포스포늄과 반응시켜 3을 얻는 것이다. 3의 스티렌 부분은 그다음 19를 얻기위해 3,5-디브로모벤즈알데히드와 결합된다. 알데히드(19)는 그다음 덴드리머의 다음 생성을 얻기위해 앞에서와 같이 결합된다. 다음 생성 알데히드는 유사한 방법으로 제조될 수 있다. 따라서 본 발명은 또한 다음 식의 화합물을 제조하는 방법을 제공한다:
CORE - [DENDRITE]n
여기서 CORE는 원자 또는 기를 나타내며, n은 적어도 1의 정수를 나타내며, 만약 n이 1보다 훨씬 더 크다면 동일하거나 또는 다를 수 있는 DENDRITE는 아릴 또는 헤테로아릴기의 고리 탄소 원자에 알케닐기의 탄소 원자를 통해 서로 연결되는 아릴 및/또는 헤테로아릴기 및 알케닐기를 포함하는 본질적으로 적어도 부분적으로 콘쥬게이트된 수지형 분자 구조를 나타내고, CORE는 적어도 부분적으로 콘쥬게이트된 수지형 사슬이 하나이상 붙어있는 (헤테로)아릴기의 고리 탄소 원자에 연결되는 첫번째 단일 결합에서 종결되고, 상기 고리 탄소 원자는 DENDRITE의 부분을 형성하고, CORE 및/또는 DENDRITE는 발광성이고, 이것은 3,5-디(할로, 바람직하게는 브로모)벤즈알데히드와 3,5-디(표면기, 바람직하게는 t-부틸)스티렌을 반응시키는 것을 포함하고, 선택적으로는 (i)다음 식의 화합물을 제조하는 방법을 포함한다:
CORE - [DENDRITE]n
여기서 CORE는 원자 또는 기를 나타내며, n은 적어도 1의 정수를 나타내며, 만약 n이 1보다 더 크다면 동일하거나 또는 다를 수 있는 DENDRITE는 아릴 또는 헤테로아릴기의 고리 탄소 원자에 알케닐기의 탄소 원자를 통해 서로 연결되는 아릴 및/또는 헤테로아릴기 및 알케닐기를 포함하는 본질적으로 적어도 부분적으로 콘쥬게이트된 수지형 분자 구조를 나타내고, CORE는 적어도 부분적으로 콘쥬게이트된 수지형 사슬이 하나이상 붙어있는 (헤테로)아릴기의 고리 탄소 원자에 연결되는 첫번째 단일 결합에서 종결되고, 상기 고리 탄소 원자는 DENDRITE의 부분을 형성하고, CORE 및/또는 DENDRITE는 발광성이고, 이 방법은 3,5-디(할로)벤즈알데히드와 3,5-디(표면기)스티렌을 반응시키는 단계, 선택적으로 (i)이전 반응에서 생성된 벤즈알데히드의 알데히드기를 비닐기로 전환시키는 단계와 (ii) 이 비닐 화합물을 3,5-디(할로)벤즈알데히드와 반응시키는 단계를 포함하고, 단계 (i) 및 (ii)의 상기 조합은 한번 이상 수행되며, 그리고 마지막으로 이전 반응에서 생성된 벤즈알데히드와 코어의 적어도 중심부를 포함하는 잔기를 반응시키는 단계를 포함한다. 마지막 단계에서 알데히드기와 반응할 수 있는 어떤 것이라도 사용될 수 있음이 이해된다. 전형적인 잔기들은 피롤과 포스포네이트를 포함한다. 발색단에 강하게 전자를 끄는 그리고 선택적으로 관심있는 스펙트럼 영역에서 투명한 시아노와 술폰 같은 전자 끄는기를 부착함으로써 덴드리머의 전자친화도를 조절하는 것이 더욱 가능하다. 이러한 치환체를 부착하는 것은 바람직한 아릴렌비닐렌 및 헤테로아릴렌비닐렌 코어로 더욱 쉽게 이루어질수 있으며 이들 기를 부착하는 적어도 두개의 방법이 가능하다. 첫번째는 코어의 아릴렌 부분에 전자끄는기를 부착하고 2,3 및 17과 결합하는 것을 포함한다. 예를들면, 4-브로모메틸티오아니솔은 2단계로 1,4-디메틸티오벤젠으로 전환될 수 있다. 디브롬화는 그다음 2,5-디브로모-1,4-디메틸티오벤젠을 일차적으로 주고, 이것은 3과 결합되었을때 치환된 5를 준다. 메틸티오기는 그다음 옥손(Oxone) 또는 다른 적절한 시약으로 산화되어 대응하는 술폰, 즉 코어에 2개의 전자끄는기가 부착된 5를 준다. 대안적인 경로는 전자끄는기가 코어의 비닐렌 단위 또는 양쪽부분에 부착되는 것을 허용한다. 이것은 2의 리튬화를 수반하여 N,N-디메틸포름아미드와 반응시켜 9를 만들고, Knoevegal 조건하에 다양한 비스-아세토니트릴 아릴렌들과 축합하여 시아노기가 부착된 대응하는 알켄들을 만든다. 예를들면, 상업적으로 이용할 수 있는 1,4-페닐렌디아세토니트릴과 9의 반응은 디시아노가 치환된 5를 줄것이다. 대안적으로 측쇄 및/또는 코어는 덴드리머의 전자친화도를 증대시키기위해 피리딘, 피리미딘, 티아졸, 트리아진 또는 불소화된 아릴 또는 헤테로아릴 단위 같은 헤테로방향족 단위를 포함한다.
처음에, 단일-덴드리머-층 발광 장치는 인듐/주석 산화물(ITO)로 코팅된 유리 기판위에 용액으로 스핀-코팅하고 Al, Mg/Ag 또는 Ca 같은 적절한 금속 음극을 증발시킴으로써 전형적으로 제조될 수 있다. 그다음 장치들은 이들의 I-V 곡선, 광 출력, 방출 스펙트럼, 및 효율성을 측정함으로써 특성화된다. 발광 장치는 다음과 같이 제작될 수 있다. (사용될 수 있는 많은 관련 기술이 있음에도 불구하고) ITO-코팅된 유리 기판을 하나 선택하고 스핀-코팅으로 덴드리머 막을 침착한다. 이것은 전형적으로 80-150 nm 두께의 막을 준다. 그다음 표면 금속 접촉을 증발시킨다. 금속은 전자를 주입하고 ITO는 홀을 주입하여, 둘이 만났을때 이들은 단일항(singlet) 들뜸을 주면서 덴드리머층으로부터 빛이 나온다. 전기발광(EL) 효율은 장치에 의해 방출되는 광자의 수를 그것을 통과하는 전자의 수로 나눔으로써 나타낼 수 있다. 이것은 외부 양자 효율로 알려져 있다. 또한 내부 양자 효율로 알려진 양이 있는데 이것은 장치내에서 발생된 광자의 수를 그것을 통과하는 전자의 수로 나눈 것이다. 이 수는 단지 몇몇의 광자만이 장치에서 나오기 때문에 외부광자 효율보다 5-8 더 높은 인자이다.
다음의 실시예들은 본 발명을 더욱 상술한다:
합성:
3,5-디-t-부틸스티렌
건조 테트라히드로퓨란(80ml)을 칼륨 t-부톡시드(6.740g, 60.06mmoles)와 브롬화 메틸트리페닐포스포늄(24.276g, 60.06mmoles)의 혼합물에 가하고 실온에서 30분동안 교반하였다. 그다음 건조 테트라히드로퓨란(30ml) 중의 3,5-디-t-부틸벤즈알데히드(10.087g, 46.20mmoles) 용액을 가하고 반응혼합물을 실온에서 17시간동안 교반하였다. 아세톤(50ml)을 그다음 가하고 모든 용매를 진공하에 제거하고 석유에테르(60-80, 150ml)를 잔여물에 가하고 혼합물을 30분동안 격렬히 교반하였다. 용액을 실리카를 통해 여과하고 석유에테르(60-80)로 완전히 헹구고 용매를 진공하에 제거하여 3,5-디-t-부틸스티렌(9.302g, 93%)을 얻었다.
3,5-비스(3',5'-디-t-부틸스티릴)스티렌
첫번째 실시예
건조 테트라히드로퓨란(300ml)을 요오드화 메틸트리페닐포스포늄(17.00g, 42.0 mmoles)과 칼륨 t-부톡시드(4.72g, 42.0 mmoles)의 혼합물에 가하고 실온에서 10분간 교반하였다. 3,5-비스(3'-5'-디-t-부틸스티릴)벤즈알데히드(17.00g, 42.0 mmoles)를 그다음 가하고 혼합물을 실온에서 75분동안 교반하였다. 용매를 증발시키고 남아있는 슬러지를 디클로로메탄-석유에테르(40-60)(1:9)로 분쇄한 다음 실리카를 통해 여과하고 동일한 용매 혼합물로 완전히 씻었다. 용매를 증발시켜 3,5-비스(3',5'-디-t-부틸스티릴)스티렌(14.83g, 99%)를 얻었다, 녹는점 150℃(실측치: C, 90.03; H, 9.98. C40H52는 C, 90.16; H, 9.84% 요구함);
두번째 실시예
건조 테트라히드로퓨란(375ml)을 요오드화 메틸트리페닐포스포늄(50.6g, 125 mmoles)과 칼륨 t-부톡시드(14.0g, 125 mmoles)의 혼합물에 가하고 실온에서 15분간 교반하였다. 3,5-비스(3'-5'-디-t-부틸스티릴)벤즈알데히드(44.6g, 83.4mmoles)를 그다음 가하고 반응 혼합물을 실온에서 90분동안 교반하였다. 용매를 증발시키고 남아있는 슬러지를 디클로로메탄-석유에테르(40-60)(1:9)로 분쇄한 다음 실리카를 통해 여과하고 동일한 용매 혼합물로 완전히 씻었다. 조생성물을 디클로로메탄/메탄올로 재결정하여 녹는점 143-145℃이고 첫번째 실시예의 것과 실질적으로 동일한 미세분석 i/r, u/v, NMR 및 질량 분광학 데이타를 가진 하얀 결정의 3,5-비스(3'-5'-디-t-부틸스티릴)스티렌(42.15g, 95%)을 얻었다.
3,5-비스[3',5'-비스(3″,5″-디-t-부틸스티릴)스티릴]스티렌
첫번째 실시예
건조 테트라히드로퓨란(1ml)을 요오드화 메틸트리페닐포스포늄(135mg, 0.334 mmoles)과 칼륨 t-부톡시드(37mg, 0.334 mmoles)의 혼합물에 가하고 실온에서 10분간 교반하였다. 건조 테트라히드로퓨란(1ml) 중의 3,5-비스(3'-5'-디-t-부틸스티릴)벤즈알데히드(195mg, 0.167 mmoles) 용액을 그다음 가하고 반응 혼합물을 실온에서 1시간동안 교반하였다. 용매를 증발시키고 남아있는 슬러지를 디클로로메탄-석유에테르(40-60)(1:4)로 분쇄한 다음 실리카를 통해 여과하고 동일한 용매 혼합물로 완전히 씻었다. 용매를 증발시켜 3,5-비스[3',5'-비스(3″,5″-디-t-부틸스티릴)스티릴]스티렌(181mg, 93%)을 얻었다,
두번째 실시예
건조 테트라히드로퓨란(250ml)을 요오드화 메틸트리페닐포스포늄(9.87g, 24.4 mmoles)과 칼륨 t-부톡시드(2.74g, 24.4 mmoles)의 혼합물에 가하고 실온에서 25분간 교반하였다. 3,5-비스[3',5'-비스(3″,5″-디-t-부틸스티릴)스티릴]벤즈알데히드(19.0g, 16.3 mmoles)을 그다음 가하고, 건조 테트라히드로퓨란(60ml)으로 씻고, 반응 혼합물을 실온에서 2.3시간동안 교반하였다. 그다음 모든 용매가 진공하에 제거되기 전에 아세톤(50ml)을 가했다. 조생성물을 디클로로메탄-석유에테르(40-60)(1:4)로 분쇄한 다음 실리카를 통해 여과하고 동일한 용매 혼합물로 완전히 씻었다. 용리액으로 디클로로메탄-석유에테르(60-80)(3:17)를 사용하여 플래시 실리카(flash silica) 상에서 크로마토그래피를 한 다음 디클로로메탄/메탄올로부터 재결정하여 3,5-비스[3',5'-비스(3″,5″-디-t-부틸스티릴)스티릴]스티렌(18.18g, 96%)을 얻었다, 녹는점 272-275℃(실측치: C, 90.2; H, 9.3. C88H108은 C, 90.7; H, 9.3%를 요구함);
1-브로모-3,5-비스(3',5'-디-t-부틸스티릴)벤젠
1,3,5-트리브로모벤젠(2.910g, 9.24mmoles), 무수 아세트산 나트륨(3.025g, 37.0mmoles) 및 3,5-디-t-부틸스티렌(4.000g, 18.5mmoles)의 혼합물을 오일-펌프 진공하에서 가스를 빼고 아르곤으로 정화하였다. 무수 N,N-디메틸아세트아미드(10ml) 중의 트란스-디(m-아세테이토)-비스[o-(디-o--톨일포스피노)벤질]디팔라듐(II)(10mg, 0.01mmoles) 용액을 아르곤으로 기체를 제거한 다음 반응혼합물에 가했다. 반응혼합물을 오일욕에서 130℃에서 16시간동안 가열하고 그다음 151시간동안 더 가열하여 온도를 140℃까지 올렸다. 냉각하자마자, 에테르(100ml) 및 증류수(100ml)를 가했다. 수층을 분리하고 에테르(3×30ml)로 추출하였다. 결합된 유기 부분을 증류수(3×30ml)로 씻고, 무수 황산 나트륨 상에서 건조시키고 증발시켰다. 조생성물(5.329g)을 관 크로마토그래피(200ml, s, 석유에테르(60-80))로 정제하여 순수한 1-브로모-3,5-비스(3',5'-디-t-부틸스티릴)벤젠(2.012g, 37%)를 얻었다, 녹는점 155℃(실측치; C, 78.13; H, 8.60. C38H49Br은 C, 77.93; H, 8.43%를 요구함);
3,5-비스(3',5'-디-t-부틸스티릴)벤즈알데히드
첫번째 실시예
3,5-디브로모벤즈알데히드(10.00g, 37.89mmoles), 3,5-디-t-부틸스티렌(20.496g, 94.73mmoles), 무수 아세트산 나트륨(12.40g, 151.56mmoles), 트란스-디(m-아세테이토)-비스[o-(디-o-톨일포스피노)벤질]디팔라듐(II)(72mg, 0.077mmoles, 0.1 mole%) 및 무수 N,N-디메틸아세트아미드(60ml)의 혼합물을 가스를 제거했다. 그다음 반응혼합물을 21시간동안 130℃에서 아르곤하에서 가열하였다. 냉각후에, 에테르(200ml) 및 증류수(150ml)를 가했다. 수층을 에테르(3×40ml)로 추출하고 결합된 유기 추출물을 증류수(5×50ml)로 씻고 무수 황산 나트륨 상에서 건조하였다. 황산 나트륨을 디클로로메탄(3×50ml)으로 추출하고 결합된 유기 부분을 증발시켰다. 조생성물(24.886g)을 석유에테르(60-80, 200ml)로 완전히 분쇄하고 고체를 여과하고 진공하에서 건조시켜 3,5-비스(3',5'-디-t-부틸스티릴)벤즈알데히드(15.53g, 77%)를 얻었다.
두번째 실시예
3,5-디브로모벤즈알데히드(31.7g, 120mmoles), 3,5-디-t-부틸스티렌(65.0g, 301mmoles), 무수 탄산 나트륨(31.9g, 301mmoles), 트란스-디(μ-아세테이토)-비스[o-(디-o-톨일포스피노)벤질]디팔라듐(II)(244mg, 0.26mmoles, 0.1mole%), 2,6-디-t-부틸크레솔(13.3g, 60mmoles) 및 무수 N,N-디메틸아세트아미드(130ml)의 혼합물을 오일-펌프 진공하에서 교반하는동안 완전히 기체를 제거하고 아르곤으로 정화하였다. 그다음 반응혼합물을 아르곤하에서 130℃에서 26.5시간동안 가열하였다. 냉각후에, 에테르(250ml) 및 염산(1.5M, 150ml)을 주의하여 가했다. 유기층에 현탁액이 남아있고, 이것을 증류수(5×125ml)로 씻고 증발시켰다. 결합된 수층을 에테르(100ml)로 추출하고 이 유기 추출물을 증류수(4×30ml)로 씻고 주된 유기 부분과 결합시켰다. 조생성물을 찬 석유에테르(40-60)로 완전히 분쇄하고, 여과하고 디클로로메탄/석유에테르(60-80)으로부터 재결정하여 무색 결정의 3,5-비스(3',5'-디-t-부틸스티릴)벤즈알데히드(44.61g, 69%)를 얻었다, 녹는점 217-219℃(실측치: C, 87.7; H, 9.7. C39H50O는 C, 87.6; H, 9.4%를 요구함);
3,5-비스[3',5'-비스(3″,5″-디-t-부틸스티릴)스티릴]벤즈알데히드
첫번째 실시예
3,5-비스(3',5'-디-t-부틸스티릴)스티렌(976mg, 1.83mmoles), 3,5-디브로모벤즈알데히드(193mg, 0.732mmoles), 무수 아세트산 나트륨(240mg, 2.93mmoles), 트란스-디(m-아세테이토)-비스[o-(디-o-톨일포스피노)벤질]디팔라듐(II)(20mg, 0.021mmoles, 0.1 mole%) 및 무수 N,N-디메틸아세트아미드(4ml)의 혼합물을 가스를 제거했다. 그다음 반응혼합물을 16시간동안 아르곤하에서 135℃에서 오일욕에서 가열하였다. 반응혼합물을 그다음 급히 교반된 물(30ml)과 석유에테르(60-80)(50ml)의 혼합물에 부었다. 침전을 여과하고 조생성물(518mg)을 디클로로메탄/석유에테르(60-80)로부터 재결정하여 하얀 가루의 3,5-비스[3',5'-비스(3″,5″-디-t-부틸스티릴)스티릴]벤즈알데히드(407mg, 48%)를 얻었다.
두번째 실시예
3,5-디브로모벤즈알데히드(8.21g, 31.1mmoles), 3,5-비스(3',5'-디-t-부틸스티릴)스티렌(41.4g, 77.7mmoles), 무수 탄산 나트륨(6.59g, 62.2mmoles), 트란스-디(μ-아세테이토)-비스[o-(디-o-톨일포스피노)벤질]디팔라듐(II)(58.3mg, 0.062mmoles, 0.1mole%), 2,6-디-t-부틸크레솔(1.71g, 7.77mmoles) 및 무수 N,N-디메틸아세트아미드(100ml)의 혼합물을 오일-펌프 진공하에서 교반하는동안 극히 완전히 기체를 제거하고 아르곤으로 정화하였다. 반응혼합물을 아르곤하에서 130℃에서 17시간동안 가열하였다. 무수 N,N-디메틸아세트아미드(100ml)를 더 가한후에, 반응혼합물을 두번째 가스를 제거하고 그다음 130℃에서 5.5시간 더 가열하였다. 그다음 무수 N,N-디메틸아세트아미드(100ml)를 더 가하고 반응을 1시간동안 더 계속하였다. 생성하는 슬러지를 증류수(3×250ml)로 씻고 디클로로메탄(1500ml)에 용해시켰다. 유기 부분을 증류수(500ml)로 씻고, 무수 황산 나트륨 상에서 건조하고 증발시켜 크림 고체를 얻었다. 조생성물을 디클로로메탄/석유에테르(60-80)으로부터 3번 재결정하고 용리액으로 클로로포름-석유에테르(60-80)(2:3)를 사용하여 플래시 실리카 상에서 크로마토그래피하여 하얀 고체의 3,5-비스[3',5'-비스(3″,5″-디-t-부틸스티릴)스티릴]벤즈알데히드(25.2g, 69%)를 얻었다;
이는 보고된 것과 동일하다.
3,5-비스{3',5'-비스[3″,5″-비스(3″',5″'-디-t-부틸스티릴)스티릴]스티릴}벤즈알데히드
첫번째 실시예
3,5-비스[3',5'-비스(3″,5″-디-t-부틸스티릴)스티릴]스티렌(417mg, 0.36mmoles), 3,5-디브로모벤즈알데히드(45mg, 0.17mmoles), 무수 아세트산 나트륨(56mg, 0.681mmoles), 트란스-디(m-아세테이토)-비스[o-(디-o-톨일포스피노)벤질]디팔라듐(II)(16mg, 0.017mmoles, 5mole%) 및 무수 N,N-디메틸아세트아미드(6ml)의 혼합물을 기체를 제거하였다. 그다음 반응혼합물을 오일욕에서 135℃에서 아르곤하에 10시간동안 가열하였다. 냉각후에, 디클로로메탄(15ml)과 증류수(15ml)를 가했다. 수층을 디클로로메탄(2×10ml)으로 추출하고 결합한 유기 부분을 증류수(2×10ml)로 씻고, 무수 황산 나트륨 상에서 건조하고 증발시켜 갈색 오일을 얻었다. 이 조(crude)오일(782mg)을 용리액으로 디클로로메탄-석유에테르(60-80)(1:3)를 사용하여 플래시 실리카 상에서 크로마토그래피하여 3,5-비스[3',5'-비스(3″,5″-디-t-부틸스티릴)스티릴]스티렌(79mg, 19%)과 함께 크로마토그래피되고 동일한 1H n.m.r을 가지는 하얀 고체를 얻었다(79mg, 19%). 조생성물(304mg)을 또한 분리하고 용리액으로 디클로로메탄-석유에테르(60-80)(1:3, 1:9까지 늘림)를 사용하여 플래시 실리카 상에서 더 크로마토그래피하여 3,5-비스{3',5'-비스[3″,5″-비스(3″',5″'-디-t-부틸스티릴)스티릴]스티릴}벤즈알데히드를 얻었다(181mg, 44%).
두번째 실시예
3,5-비스[3',5'-비스(3″,5″-디-t-부틸스티릴)스티릴]스티렌(4.87g, 4.18mmoles), 3,5-디브로모벤즈알데히드(441mg, 1.67mmoles), 무수 탄산 나트륨(354mg, 3.34mmoles), 2,6-디-t-부틸크레솔(122mg, 0.554mmoles), 트란스-디(μ-아세테이토)-비스[o-(디-o-톨일포스피노)벤질]디팔라듐(II)(3.1mg, 0.003mmoles) 및 무수 N,N-디메틸아세트아미드(30ml)의 혼합물을 오일-펌프 진공하에서 매우 완전히 기체를 제거하고, 아르곤으로 정화하였다. 그다음 반응혼합물을 오일욕에서 130℃에서 아르곤하에서 39시간동안 가열하였다. 냉각후에, 디클로로메탄(200ml), 증류수(200ml) 및 염산(3M, 50ml)을 가하였다. 수층을 디클로로메탄(3×30ml)으로 추출하고 결합된 유기 부분을 증류수(3×250ml)로 씻고 무수 황산 나트륨 상에서 건조하고 용매를 진공하에서 제거하였다. 이 조생성물(6.35g)을 용리액으로 디클로로메탄-석유에테르(60-80)(1:4)를 사용하여 플래시 실리카상에서 크로마토그래피로 정제하고 찬 디클로로메탄/메탄올로부터 재결정하여 하얀 고체의 3,5-비스{3',5'-비스[3″,5″-비스(3″',5″'-디-t-부틸스티릴)스티릴]스티릴}벤즈알데히드를 얻었다(1.04g, 26%), 녹는점 248-253℃; (실측치: C, 89.65; H, 8.8. C183H218O 는 C, 90.3; H, 9.0%를 요구함);
1,4-페닐렌비스(3,5-비스[3,5-디-t-부틸스티릴]벤젠)
브롬화 디스티릴(644mg, 1.1mmoles)과 페닐렌-1,4-비스(트리부틸스타난)(361mg, 0.55mmoles)의 혼합물을 가스를 제거한 다음 아르곤하에서 오일욕에서 95℃에서 가열하였다. 무수 N,N-디메틸아세트아미드(10ml) 중의 트란스-디(m-아세테이토)-비스[o-(디-o-톨일포스피노)벤질]디팔라듐(II)(20mg, 0.02mmoles) 용액을 가하고 반응혼합물을 아르곤하에서 오일욕에서 105℃에서 42시간동안 교반하였다. 에테르(100ml) 및 증류수(100ml)를 그다음 가하고 층을 분리했다. 수층을 에테르(3×30ml)로 추출하고 결합된 유기 부분을 증류수(3×30ml)로 씻고, 무수 황산 나트륨 상에서 건조하고 건조할때까지 증발시켰다. 조생성물(812mg)을 용리액으로 디클로로메탄-석유에테르(60-80)(1:19)를 사용하여 플래시 실리카 상에서 크로마토그래피하여 순수한 1,4-페닐렌비스(3,5-비스[3,5-디-t-부틸스티릴]벤젠)(116mg, 19%)을 얻었다. (실측치: C, 90.07; H, 9.55. C82H102는 C, 90.55; H, 9.45%를 요구함);
1,4-비스[3',5'-비스(3″,5″-디-t-부틸스티릴)스티릴]벤젠(1-DSB):
첫번째 실시예
건조 N,N-디메틸포름아미드(3ml)중의 테트라메틸-크실렌비스포스포네이트(287mg, 0.890mmoles) 용액을 질소분위기 하에서 건조 N,N-디메틸포름아미드(2ml)중의 소디움 히드리드(75mg, 미네랄 오일중 60%, 1.87mmoles) 슬러리에 가하고 실온에서 1시간동안 교반하였다. 건조 N,N-디메틸포름아미드(6ml)중의 3,5-비스(3',5'-디-t-부틸스티릴)벤즈알데히드(1.000g, 1.87mmoles)의 현탁액을 가하고 반응혼합물을 어두운 곳에서 질소분위기하에 실온에서 68시간동안 교반하였다. 냉각후에, 에테르(50ml) 및 증류수(50ml)를 가했다. 수층을 에테르(4×30ml)로 추출하고 결합된 유기 추출물을 증류수(6×100ml)로 씻고 무수 황산 나트륨 상에서 건조하고 증발시켰다. 조생성물(1.147g)을 용리액으로 디클로로메탄-석유에테르(60-80)(1:9)를 사용하여 플래시 실리카 상에서 크로마토그래피하여 1,4-비스[3',5'-비스(3″,5″-디-t-부틸스티릴)스티릴]벤젠(614mg, 61%)을 얻었다, 녹는점 280℃(실측치: C, 89.90; H, 9.33. C86H106는 C, 90.63; H, 9.37%를 요구함);
두번째 실시예
건조 THF(3ml)를 3,5-비스(3',5'-디-t-부틸스티릴)벤즈알데히드(100mg, 0.187mmoles), 테트라메틸-크실일렌비스포스포네이트(28.7mg, 0.089mmoles) 및 칼륨 t-부톡시드(25mg, 0.223mmoles)의 혼합물에 질소분위기하에서 가하고 실온에서 어두운 곳에서 16시간동안 교반하였다. 용매를 진공하에 제거하고 에테르(30ml)및 증류수(30ml)를 가하였다. 유기층을 증류수(3×30ml)로 씻고 무수 황산 나트륨 상에서 건조하고 증발시켰다. 조생성물(107mg)을 환류하는 톨루엔 중에서 소량의 요오드로 17시간동안 이성질화하였다. 용매를 진공하에 제거하고 조생성물을 용리액으로 디클로로메탄-석유에테르(60-80)-트리에틸아민(20:180:1)을 사용하여 플래시 실리카 상에서 크로마토그래피로 정제하여 첫번째 실시예의 것과 실질적으로 동일한 미세분석 i/r, u/v, NMR 및 질량 분광학 데이타를 가진 1-DSB(58mg, 57%)를 얻었다, 녹는점 280℃.
1,4-비스{3',5'-비스[3'',5''-비스(3''',5'''-디-t-부틸스티릴)스티릴]스티릴}벤젠(2-DSB):
첫번째 실시예
건조 N,N-디메틸포름아미드(20ml)를 테트라메틸 크실일렌비스포스포네이트(269mg, 0.835mmoles) 및 소디움 히드리드(미네랄 오일중 60%, 240mg, 6.00mmoles)의 혼합물에 가하고 탁한 노란 용액이 형성될 때까지 질소분위기하에서 교반하였다. 건조 테트라히드로퓨란(45ml)중의 3,5-비스 [3',5'-비스(3″,5″-디-t-부틸스티릴)스티릴]벤즈알데히드(2.000g, 1.71mmoles) 용액을 천천히 가하고 반응혼합물을 질소분위기하에서 실온에서 17시간동안 교반하였다. 냉각하였을때, 에테르(100ml) 및 증류수(50ml)를 가하였다. 유기층을 분리하고 증류수로 씻고, 무수 황산 나트륨 상에서 건조하고 건조할때까지 증발시켰다. 조생성물(6.087g)을 용리액으로 디클로로메탄-석유에테르(60-80)(3:17)를 사용하여 플래시 실리카 상에서 크로마토그래피하였다. 순수한 덴드리머 부분을 증발건조시키고, 디클로로메탄-석유에테르(60-80)로부터 재결정한 후에 1,4-비스{3',5'-비스[3″,5″-비스(3″',5″'-디-t-부틸스티릴)스티릴]스티릴}벤젠(301mg, 15%)을 얻었다.(실측치: C, 90.17; H, 9.17. C182H218은 C, 90.87; H, 9.13%를 요구함);
두번째 실시예
건조 THF(3ml)를 질소분위기 하에서 3,5-비스[3',5'-비스(3'',5''-디-t-부틸스티릴)스티릴]벤즈알데히드(100mg, 0.086mmoles), 테트라메틸-크실일렌비스포스포네이트(13.1mg, 0.041mmoles) 및 칼륨 t-부톡시드(11.4mg, 0.102mmoles)의 혼합물에 가하고 실온에서 어두운곳에서 15시간동안 교반하였다. 용매를 진공하에 제거하고 에테르(30ml), DCM(20ml) 및 증류수(30ml)를 가하였다. 유기층을 증류수(2×30ml)로 씻고, 무수 황산 나트륨 상에서 건조하고 증발건조시켰다. 조생성물을 환류하는 톨루엔 중에서 촉매량의 요오드로 17시간동안 이성질화하였다. 용매를 진공하에 제거하고 조생성물을 용리액으로 디클로로메탄-석유에테르(60-80)-트리에틸아민(20:80:1)을 사용하여 플래시 실리카상에서 크로마토그래피로 정제하여 2-DSB(58mg, 59%)를 얻었다, 녹는점 314℃;(실측치: C, 90.2; H, 9.2. C182H218은 C, 90.9; H, 9.1%를 요구함);
1,4-비스(3',5'-비스{3″,5″-비스[3''',5'''-비스(3'''',5''''-디-t-부틸스티릴)스티틸]스티릴}스티릴)벤젠(3-DSB):
첫번째 실시예
건조 N,N-디메틸포름아미드(1.5ml)를 테트라메틸- 크실일렌비스포스포네이트(67mg, 0.21mmoles) 및 소디움 히드리드(미네랄 오일중 60%, 21mg, 0.52mmoles)의 혼합물에 질소분위기하에서 가하고 질소분위기하에서 25분동안 교반하였다. 건조 N,N-디메틸포름아미드(7ml) 중의 3,5-비스{3',5'-비스[3'',5''-비스(3''',5'''-디-t-부틸스티릴)스티릴]스티릴}벤즈알데히드(1.000g, 0.415mmoles) 용액을 그다음 천천히 가하고 반응혼합물을 질소분위기하에서 실온에서 어두운 곳에서 18시간동안 교반하였다. 냉각하였을때, 에테르(20ml) 및 증류수(20ml)를 가하였다. 수층을 에테르(3×10ml)로 추출하고 결합한 유기 부분을 증류수(5×20ml)로 씻고, 무수 황산 나트륨 상에서 건조하고 건조할 때까지 증발시켰다. 조생성물(979mg)을 용리액으로 디클로로메탄-석유에테르(60-80)(1:4)를 사용하여 플래시 실리카 상에서 크로마토그래피하여 조 1,4-비스(3',5'-비스{3″,5″-비스[3''',5'''-비스(3'''',5''''-디-t-부틸스티릴)스티틸]스티릴}스티릴)벤젠(714mg, 70%)을 얻었다.
두번째 실시예
건조 THF(7ml)를 3,5-비스{3',5'-비스[3'',5''-비스(3''',5'''-디-t-부틸스티릴)스티릴]스티릴}벤즈알데히드(239mg, 0.099mmoles), 테트라메틸-크실일렌비스포스포네이트(15.2mg, 0.047mmoles) 및 칼륨 t-부톡시드(22.3mg, 0.198mmoles)의 혼합물에 질소분위기하에서 가하고 실온에서 어두운 곳에서 16시간동안 교반하였다. 용매를 진공하에 제거하고 에테르(20ml) 및 증류수(15ml)를 가하였다. 유기층을 증류수(2×15ml)로 씻고 무수 황산 나트륨 상에서 건조하고 증발건조시켰다. 조생성물(256mg)을 용리액으로 디클로로메탄-석유에테르(60-80)-트리에틸아민(30:70:1)을 사용하여 플래시 실리카상에서 크로마토그래피로 정제하여 불순한 [G-3]2DSB를 얻었다. 이것을 환류하는 톨루엔 중에서 촉매량의 요오드로 16시간동안 이성질화하였다. 용매를 진공하에 제거하고 조생성물을 용리액으로 디클로로메탄-석유에테르(60-80)-트리에틸아민(20:80:1)을 사용하여 플래시 실리카상에서 크로마토그래피로 정제하여 [G-3]2DSB 11(129mg, 55%)을 얻었다: (실측치: C, 90.7; H, 9.4. C374H442는 C, 91.0; H, 9.0%를 요구함);
5,10,15,20-테트라키스[3',5'-비스(3'',5''-디-t-부틸스티릴)페닐]포르피린(1-포르피린):
첫번째 실시예
건조 디클로로메탄(850ml)을 피롤(550ml, 8.4mmoles) 및 3,5-비스(3',5'-디-t-부틸스티릴)벤즈알데히드(4.500g, 8.414mmoles)를 담고있는 플라스크에서 질소분위기하에서 증류하였다. 트리플루오로아세트산(650ml, 8.4mmoles)을 그다음 가하고 반응혼합물을 어두운 곳에서 질소분위기하에서 65시간동안 교반하였다. DDQ(1.433g, 6.31mmoles)을 그다음 가하고 반응혼합물을 50분 더 교반하였다. 용매를 제거하고 남아있는 고체를 용리액으로 트리에틸아민-디클로로메탄-석유에테르(40-60)(1:2:17)를 사용하여 플래시 실리카상에서 크로마토그래피하였다. 앞서나오는 형광 부분을 증발건조시키고 디클로로메탄-메탄올로 재결정하고 진공하에서 건조하여 자주색 결정의 조 5,10,15,20-테트라키스[3',5'-비스(3'',5''-디-t-부틸스티릴)페닐]포르피린(987mg, 20%)을 얻었다.
두번째 실시예
건조 디클로로메탄(14ml)중의 3,5-비스(3',5'-디-t-부틸스티릴)벤즈알데히드(100mg, 0.19mmoles), 증류된 피롤(13μl, 0.19mmoles) 및 트리플루오로아세트산(14.5μl, 0.19mmoles) 용액을 질소분위기하에서 어두운 곳에서 66시간동안 교반하였다. 2,3-디클로로-5,6-디시아노-1,4-퀴논(146mg, 0.64mmoles)을 가하고 반응혼합물을 40분 동안 더 교반하였다. 탄산수소나트륨(1.0g, 11.9mmoles)을 가하고 용매를 진공하에 제거하였다. 조생성물을 용리액으로 디클로로메탄-석유에테르(40-60)(3:17)을 사용하여 플래시 실리카상에서 크로마토그래피하였다. 용매를 제거하고 어두운 고체의 1-포르피린(36mg, 33%)을 얻었다, 녹는점 300℃(분해)(실측치: C, 88.2; H, 8.9; N, 2.0. C172H206N4는 C, 88.7; H, 8.9; N, 2.4%를 요구함);
5,10,15,20-테트라키스{3',5'-비스[3'',5''-비스(3''',5'''-디-t-부틸스티릴)스티릴]페닐}포르피린(2-포르피린):
첫번째 실시예
건조 디클로로메탄(350ml)을 피롤(240ml, 3.4mmoles) 및 3,5-비스[3',5'-비스(3'',5''-디-t-부틸스티릴)스티릴]벤즈알데히드(4.000g, 3.4mmoles)를 담고있는 플라스크에서 질소분위기하에서 증류하였다. 트리플루오로아세트산(265ml, 3.4mmoles)을 가하고 반응혼합물을 어두운 곳에서 질소분위기하에서 65시간동안 교반하였다. DDQ(583mg, 2.57mmoles)을 그다음 가하고 반응혼합물을 45분 더 교반하였다. 그다음 용액을 응축시키고 탄산수소나트륨 용액(포화, 3×100ml) 및 증류수(2×100ml)로 씻고 무수 황산 나트륨 상에서 건조하고 증발시켜 조 5,10,15,20-테트라키스{3',5'-비스[3'',5''-비스(3''',5'''-디-t-부틸스티릴)스티릴]페닐}포르피린(601mg, 14%)을 얻었다;
두번째 실시예
건조 디클로로메탄(90ml)을 피롤(58μl, 0.86mmoles) 및 3,5-비스[3',5'-비스(3'',5''-디-t-부틸스티릴)스티릴]벤즈알데히드(1.00g, 0.86mmoles)를 담고있는 플라스크에서 질소분위기하에서 증류하였다. 트리플루오로아세트산(66μl, 0.86mmoles)을 그다음 가하고 반응혼합물을 어두운 곳에서 질소분위기하에서 5일간교반하였다. 2,3-디클로로-5,6-디시아노-1,4-퀴논(146mg, 0.64mmoles)을 그다음 가하고 반응혼합물을 40분 더 교반하였다. 용액을 포화 탄산수소나트륨 용액으로 씻고 이 수성 부분을 디클로로메탄(2×30ml)으로 추출하였다. 결합된 유기 부분을 증류수(4×50ml)로 씻고 무수 황산 나트륨 상에서 건조하고 증발시켰다. 조생성물을 용리액으로 디클로로메탄-석유에테르(60-80)(3:17)을 사용하여 플래시 실리카 상에서 크로마토그래피하여 갈색 고체의 2-포르피린(249mg, 24%)을 얻었다, 녹는점 292℃(분해); (실측치: C, 89.05; H, 8.7; N, 1.1. C364H430N4는 C, 89.9; H, 8.9; N, 1.15%를 요구함);
9,10-비스[3',5'-비스(3'',5''-디-t-부틸스티릴)스티릴]안트라센 (1-안트라센):
첫번째 실시예
건조 N,N-디메틸포름아미드(10ml)를 질소분위기 하에서 9,10-비스(디메틸메틸포스포네이트)안트라센(395mg, 0.935mmoles), 칼륨 t-부톡시드(220mg, 1.963mmoles) 및 3,5-비스(3',5'-디-t-부틸스티릴)벤즈알데히드(1.000g, 1.87mmoles)의 급히 교반된 혼합물에 가하고 실온에서 90분동안 교반하였다. 증류된 메탄올(60ml)을 그다음 가하고 침전물을 여과하고 감압하에 건조하였다. 조생성물(925mg)을 디클로로메탄-메탄올로부터 재결정한 다음 용리액으로 디클로로메탄-석유에테르(40-60)(1:3)을 사용하여 플래시 실리카 상에서 크로마토그래피하였다. 용매를 제거하여 9,10-비스[3',5'-비스(3'',5''-디-t-부틸스티릴)스티릴]안트라센(206mg, 18%)을 얻었다. λmax(필름)/nm 308,420.
두번째 실시예
건조 테트라히드로퓨란(2ml)을 9,10-비스(디메틸메틸포스포네이트)안트라센(39.5mg, 0.094mmoles), 칼륨 t-부톡시드(22mg, 0.20mmoles) 및 3,5-비스(3',5'-디-t-부틸스티릴)벤즈알데히드(100mg, 0.19mmoles)의 급히 교반된 혼합물에 가하고 실온에서 85분동안 교반하였다. 용매를 그다음 제거하고 조생성물(925mg)을 용리액으로 디클로로메탄-석유에테르(40-60)(3:17)을 사용하여 플래시 실리카 상에서 크로마토그래피하였다. 용매를 제거하여 노란 고체의 1-안트라센(63mg, 54%)을 얻었다, 녹는점 284-294℃(분해)(실측치: C, 90.6; H, 9.2. C94H110은 C, 91.1; H, 8.9%를 요구함);
9,10-비스{3',5'-비스[3'',5''-비스(3''',5'''-디-t-부틸스티릴)스티릴]스티릴}안트라센(2-안트라센):
첫번째 실시예
건조 테트라히드로퓨란(10ml)을 9,10-비스(디메틸메틸포스포네이트)안트라센(181mg, 0.43mmoles), 3,5-비스[3',5'-비스(3'',5''-디-t-부틸스티릴)스티릴]벤즈알데히드(1.000g, 0.856mmoles) 및 칼륨 t-부톡시드(101mg, 0.90mmoles)의 혼합물에 가하고 실온에서 90분동안 교반하였다. 그다음 반응혼합물을 메탄올(60ml)에 붓고 침전물을 여과하고 디클로로메탄-석유에테르(60-80)로부터 재결정하여 조 9,10-비스{3',5'-비스[3'',5''-비스(3''',5'''-디-t-부틸스티릴)스티릴]스티릴}안트라센(661mg, 62%)을 얻었다.
두번째 실시예
건조 테트라히드로퓨란(1.5ml)을 9,10-비스(디메틸메틸포스포네이트)안트라센(12mg, 0.03mmoles), 3,5-비스[3',5'-비스(3'',5''-디-t-부틸스티릴)스티릴]벤즈알데히드(66.3mg, 0.06mmoles) 및 칼륨 t-부톡시드(7mg, 0.06mmoles)의 혼합물에 가하고 어두운 곳에서 실온에서 75분동안 교반하였다. 조 반응혼합물을 실리카 상에서 증발시키고 용리액으로 디클로로메탄-석유에테르(60-80)(3:17)를 사용하여 Mediun Pressure Liquid Chromatography로 정제하여 노란 고체의 2-안트라센(26mg, 37%)을 얻었다, 녹는점 292℃(분해); (실측치: C, 90.9; H, 9.25. C190H222는 C, 91.1; H, 8.9%를 요구함);
본 발명은 다음 요약표에 의해 더욱 설명되고, 이는 얻을 수 있는 몇몇 다른 색들과 표시된 금속의 접촉이 있는 발광 장치에 포함된 덴드리머의 측쇄에 여러가지 수지형 생성이 있는 경우에 따른 여러 외부 양자 효율 QEEXE의 증가를 나타낸다.
장치1
분광 광도적 등급(spectrophotometric grade) 클로로포름(0.5ml) 중의 1-DSB(10mg)를 ITO 커버된 유리 슬라이드위에 1900 RPM에서 60초동안 스핀-코팅하여 150nm의 두께를 얻었다. 샘플을 즉시 증발기로 운반하였다. 그다음 장치를 완성시키기위해 칼슘(100nm) 및 알루미늄(80nm)을 순차적으로 침착하였다. 외부의 양자 효율은 0.01%인 것으로 밝혀졌다.
장치2
분광 광도적 등급 클로로포름(0.5ml) 중의 2-DSB(10mg)를 ITO 커버된 유리 슬라이드위에 1900 RPM에서 60초동안 스핀-코팅하여 140nm의 두께를 얻었다. 샘플을 즉시 증발기로 운반하였다. 그다음 장치를 완성시키기위해 칼슘(100nm) 및 알루미늄(80nm)을 순차적으로 침착하였다. 외부의 양자 효율은 0.09%인 것으로 밝혀졌다.
장치3
분광 광도적 등급 클로로포름(0.5ml) 중의 1-안트라센(12mg)을 ITO 커버된 유리 슬라이드위에 1900 RPM에서 60초동안 스핀-코팅하여 220nm의 두께를 얻었다. 샘플을 즉시 증발기로 운반하였다. 그다음 장치를 완성시키기위해 알루미늄(100nm)을 침착하였다. 외부의 양자 효율은 0.02%인 것으로 밝혀졌다.
장치4
분광 광도적 등급 클로로포름(0.5ml) 중의 1-포르피린(9mg)을 ITO 커버된 유리 슬라이드 위에 1900 RPM에서 60초동안 스핀-코팅하여 150nm의 두께를 얻었다. 샘플을 즉시 증발기로 운반하였다. 그다음 장치를 완성시키기위해 알루미늄(100nm)을 침착하였다. 외부의 양자 효율은 0.02%인 것으로 밝혀졌다.
본 발명에 따른 덴드리머 및 이를 제조하는 재료 및 방법의 구체적 예가 수반되는 자명한 도식 3내지 8에 의해 더욱 설명된다. 본 발명에 따른 덴드리머는 반드시 순수한 화합물인 것은 아니다. 작동 발광 장치는 합성과정에서 생성된 불순물을 함유하는 덴드리머를 사용하여 제작될 수 있는데 이는 어떤 경우에는 불순물을 제거하기 어렵기 때문이다.
도식1
도식2
도식3
도식4
도식5
도식6
도식7
도식8

Claims (37)

  1. 다음의 화학식을 가지는 화합물:
    CORE - [DENDRITE]n
    여기서 CORE는 원자 또는 기를 나타내며, n은 적어도 1의 정수를 나타내며, 만약 n이 1보다 더 크다면 동일하거나 또는 다를 수 있는 DENDRITE는 아릴 또는 헤테로아릴기의 고리 탄소 원자에 알케닐기의 탄소 원자를 통해 서로 연결되는 아릴 및/또는 헤테로아릴기 및 알케닐기를 포함하는 본질적으로 적어도 부분적으로 콘쥬게이트된 수지형(dendritic) 분자 구조를 나타내고, CORE는 적어도 부분적으로 콘쥬게이트된 수지형 사슬이 하나이상 붙어있는 (헤테로)아릴기의 고리 탄소 원자에 연결되는 첫번째 단일 결합에서 종결되고, 상기 고리 탄소 원자는 DENDRITE의 부분을 형성하고, CORE 및/또는 DENDRITE는 발광성이고 그리고 여기서 CORE는 다음구조:
    (여기서 X는 n=2일때 브롬 또는 CHO)는 아니고, 다음 구조
    t--[--CH=CH-- P--CH=CH--]3---
    (여기서 t는 1,3,5-결합된 벤젠 고리이고 P는 파라-결합된 벤젠 고리)
    를 포함하지 않는다.
  2. 제 1항에 있어서, 고체 상태에서 발광성인 것을 특징으로 하는 화합물.
  3. 제 2항에 있어서, 전기적 또는 광학적 들뜸하에서 가시 영역에서 빛을 방출하는 것을 특징으로 하는 화합물.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 하나이상의 발광 부분을 가지고 전기적 또는 광학적 들뜸으로부터 나오는 에너지가 광 방출을 위해 그들중의 하나로 전이되는 것을 특징으로 하는 화합물.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 2개의 본질적으로 적어도-부분적으로-콘쥬게이트된 발광 부분들을 가지는 화합물로서, 여기서 덴트리트 또는 각각의 상기 덴드리트는 상기 발광 부분들의 적어도 하나를 포함하고, 코어에서 멀리있는 발광 부분 또는 부분들은 코어에 더 가까운 또는 부분적으로 또는 완전히 코어내에 있는 발광 부분 또는 부분들보다 더 큰 HOMO-LUMO 에너지 갭을 가지는 것을 특징으로 하는 화합물.
  6. 제 5항에 있어서, 덴드리트 또는 각각의 덴드리트는 하나이상의 발광 부분을 포함하고, 바람직하게는 코어에서 멀리있는 것들은 코어에 더 가까운 것들보다 더 큰 고유 HOMO-LUMO 에너지 갭을 가지는 것을 특징으로 하는 화합물.
  7. 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 발광 부분중의 하나는 부분적으로 또는 완전히 코어 내에 있고 또는 코어 그자체를 구성하고 덴드리트에 있는 다른 발광 부분 또는 부분들보다 더 작은 고유 HOMO-LUMO 에너지 갭을 가지는 것을 특징으로 하는 화합물.
  8. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 코어는 발광성이 아닌 것을 특징으로 하는 화합물.
  9. 제 8항에 있어서, 코어는 발광성이 아니고 코어에서 멀리있는 발광 부분 또는 부분들은 코어에 더 가까운 것들보다 더 큰 HOMO-LUMO 에너지 갭을 가지는 것을 특징으로 하는 화합물.
  10. 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 덴드리트의 첫번째 아릴 부분은 1,3,5-결합된 벤젠 고리인 것을 특징으로 하는 화합물.
  11. 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서, n은 2이고 덴드리트 단위는 파라 위치에서 방향족 코어에 붙어있는 것을 특징으로 하는 화합물.
  12. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서, 코어는 서로 융합되지 않은 적어도 2개의 방향족 고리를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물.
  13. 제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서, 코어는 방향족 고리에 붙어있는 할로겐 원자를 가지고 있지 않는 것을 특징으로 하는 화합물.
  14. 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서, 코어는 디스티릴 안트라센, 포르피린 또는 디스티릴벤젠 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물.
  15. 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서, 코어는 벤젠, 피리딘, 피리미딘, 트리아진, 티오펜, 디비닐벤젠, 디스티릴에틸렌, 디비닐피리딘, 피리미딘, 트리아진, 디비닐티오펜, 옥사디아졸, 코로넨, 또는 트리아릴아민 또는 형광 염료 또는 표지 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물.
  16. 제 1항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서, n은 2내지 6인 것을 특징으로 하는 화합물.
  17. 제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서, 덴드리트 또는 각각의 덴드리트는 코어와 적어도 부분적으로 콘쥬게이트되어 있는 것을 특징으로 하는 화합물.
  18. 제 1항 내지 제 17항 중 어느 한 항에 있어서, 덴드리트에 있는 아릴 부분은 벤젠 고리, 바람직하게는 고리 위치 1, 3 및 5에서 결합된 벤젠 고리이고, 또는 피리딜, 트리아지닐 또는 티오페닐 고리인 것을 특징으로 하는 화합물.
  19. 제 1항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 표면기가 덴드리트의 말단 아릴 고리 탄소 원자에 부착되고, 상기 기는 더 반응할 수 있는 알켄, (메트)아크릴레이트, 황-함유 또는 규소 함유기; 술포닐기; 폴리에테르기; C1-내지-C15알킬(바람직하게는 t-부틸)기; 아민기; 모노-, 디- 또는 트리- C1-내지-C15알킬 아민기; R이 수소 또는 C1-내지-C15알킬인 -COOR기; R이 수소, 아릴, 또는 C1-내지-C15알킬 또는 알케닐인 -OR기; R이 C1-내지-C15알킬 또는 알케닐인 -O2SR기; R이 아릴, 또는 C1-내지-C15알킬 또는 알케닐인 -SR기; R기가 동일하거나 다르고 수소, C1-내지-C15알킬 또는 알케닐, 또는 -SR'기(R'은 아릴 또는 C1-내지-C15알킬 또는 알케닐), 아릴, 또는 헤테로아릴인 -SiR3기인 것을 특징으로 하는 화합물.
  20. 제 19항에 있어서, 표면기가 t-부틸기인 것을 특징으로 하는 화합물.
  21. 제 1항 내지 제 20항 중 어느 한 항에 있어서, 덴드리트 구조는 다음 일반식의 제1차, 제2차 또는 제3차 (또는 더 높은) 생성 구조에서 콘쥬게이트된 연결에 의해 함께 결합된 알케닐 및 (헤테로)아릴 단위로 구성되는 것을 특징으로 하는 화합물.
    여기서 x는 1,2, 또는 3이고 E는 만약 하나 이상이라면 동일하거나 다를 수 있는 표면기이다.
  22. 제 1항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 있어서, 그것의 전자-운반 성질을 증대시키는 하나 이상의 전자 끄는 기를 가지는 것을 특징으로 하는 화합물.
  23. 제 1항에 있어서, 여기서 구체적으로 확인된 화합물.
  24. 다음 식을 가지는 화합물의 제조방법으로서:
    CORE - [DENDRITE]n
    여기서 CORE는 원자 또는 기를 나타내며, n은 적어도 1의 정수를 나타내며, 만약 n이 1보다 더 크다면 동일하거나 또는 다를 수 있는 DENDRITE는 아릴 또는 헤테로아릴기의 고리 탄소 원자에 알케닐기의 탄소 원자를 통해 서로 연결되는 아릴 및/또는 헤테로아릴기 및 알케닐기를 포함하는 본질적으로 적어도 부분적으로 콘쥬게이트된 수지형 분자 구조를 나타내고, CORE는 적어도 부분적으로 콘쥬게이트된 수지형 사슬이 하나이상 붙어있는 (헤테로)아릴기의 고리 탄소 원자에 연결되는 첫번째 단일 결합에서 종결되고, 상기 고리 탄소 원자는 DENDRITE의 부분을 형성하고, CORE 및/또는 DENDRITE는 발광성이고, 이 방법은 3,5-디(할로)벤즈알데히드와 3,5-디(표면기)스티렌을 반응시키는 단계, 선택적으로 (i)이전 반응에서 생성된 벤즈알데히드의 알데히드기를 비닐기로 전환시키는 단계와 (ii) 이 비닐 화합물을 3,5-디(할로)-벤즈알데히드와 반응시키는 단계를 포함하고, 단계 (i)및 (ii)의 상기 조합은 한번 이상 수행되며, 그리고 마지막으로 이전 반응에서 생성된 벤즈알데히드와 코어의 적어도 중심부를 포함하는 부분을 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  25. 제 24항에 있어서, 표면기는 t-부틸인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  26. 제 24항 또는 제 25항에 있어서, 코어의 적어도 중심부를 포함하는 부분은 피롤 또는 포스포네이트인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  27. 앞에서 기술된 단계들 중 어느 하나에 나타난 단계를 포함하는 제 24항 내지 제 26항 중 어느 한 항에 따른 제조방법.
  28. 제 24항 내지 제 27항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는 제 24항에서 정의된 것과 같은 화합물.
  29. 발광 요소로서 또는 발광 요소 안에 다음 구조를 가지는 화합물을 가지고 있는 발광 장치.
    CORE - [DENDRITE]n
    여기서 CORE는 원자 또는 기를 나타내며, n은 적어도 1의 정수를 나타내며, 만약 n이 1보다 더 크다면 동일하거나 또는 다를 수 있는 DENDRITE는 아릴 또는 헤테로아릴기의 고리 탄소 원자에 알케닐기의 탄소 원자를 통해 서로 연결되는 아릴 및/또는 헤테로아릴기 및 알케닐기를 포함하는 본질적으로 적어도 부분적으로 콘쥬게이트된 수지형 분자 구조를 나타내고, CORE는 적어도 부분적으로 콘쥬게이트된 수지형 사슬이 하나이상 붙어있는 (헤테로)아릴기의 고리 탄소 원자에 연결되는 첫번째 단일 결합에서 종결되고, 상기 고리 탄소 원자는 DENDRITE의 부분을 형성하고, CORE 및/또는 DENDRITE는 발광성이다.
  30. 제 29항에 있어서, 화합물은 제 1항 내지 제 23항 및 제 28항 중의 어느 한 항에 따른 것임을 특징으로 하는 장치.
  31. 제 29항 내지 제 30항에 있어서, 바람직하게는 홀-운반 또는 전자-운반층이거나 이를 포함하는 다른 재료로 된 하나 이상의 층과 함께 상기 화합물의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  32. 제 1항 내지 제 23항 및 제 28항에 따른 적어도 하나의 화합물로 된 막을 제공하는 단계, 선택적으로 적층판을 주기위해 하나 이상의 다른 막을 제공하는 단계, 상기 막 또는 적층판의 한쪽 표면에 실질적으로 투명한 전극(바람직하게는 ITO)을 접착하는 단계, 그리고 상기 막 또는 적층판의 다른 표면에 금속 음극, 바람직하게는 Al, Mg/Ag, 및 Ca로부터 선택된 금속 음극을 침착하는 단계를 포함하는 발광 장치를 제조하는 방법.
  33. 제 1항 내지 제 23항 및 제 28항 중 어느 한 항에 따른 화합물로부터 형성된 막으로서, 바람직하게는 20에서 200 나노미터의 두께이고, 더욱 바람직하게는 50에서 150 나노미터이며; 및/또는 바람직하게는 막-형성 폴리머 재료 또는 접합제와 혼합물인 것을 특징으로 하는 막.
  34. 제 29 내지 제 31항 중 어느 한 항에 따른 하나 이상의 발광 장치를 포함하는 화소를 포함하는 컬러 디스플레이 장치.
  35. 제 34항에 있어서, 실질적으로 하얀 또는 중성 배경이 본질적으로 그러한 배경색을 방출하는 하나 이상의 상기 화합물에 의해 제공되는 것을 특징으로 하는 컬러 디스플레이 장치.
  36. 제 1항 내지 제 23항 및 제 28 중 어느 한 항에 있어서, 전기적으로-자극된 발광 다이오드에서 발광 요소로서 사용되는 것을 특징으로 하는 화합물.
  37. 발광 장치, 예를 들면 포토다이오드, 태양 전지, FET, 또는 고체 상태 트리오드 외에 어떤 반도체 장치(semiconducting device)에서 제 1항 내지 제 23항 및 제 28 중 어느 한 항에 따른 화합물의 사용.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100454568B1 (ko) * 2001-12-14 2004-11-05 주식회사 큐시스 덴드론으로 엔드캡핑된 아릴렌-비닐렌 및 아릴렌-아릴렌교대 공중합체, 및 이를 이용한 전계발광 소자
KR100601039B1 (ko) * 2004-05-25 2006-07-14 학교법인 포항공과대학교 신규 형광 덴드리머 및 그의 제조방법

Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7083862B2 (en) 2000-02-09 2006-08-01 Isis Innovation Limited Dendrimers
GB0002936D0 (en) 2000-02-09 2000-03-29 Isis Innovation Improved dendrimers
TWI288761B (en) 2000-03-31 2007-10-21 Sumitomo Chemical Co Polymeric fluorescent substance, production method thereof, and polymer light-emitting device using the same
US7592074B2 (en) * 2001-02-20 2009-09-22 Isis Innovation Limited Metal-containing dendrimers
GB0104176D0 (en) 2001-02-20 2001-04-11 Isis Innovation Asymmetric dendrimers
GB0104177D0 (en) 2001-02-20 2001-04-11 Isis Innovation Aryl-aryl dendrimers
GB0104175D0 (en) * 2001-02-20 2001-04-11 Isis Innovation Metal-containing dendrimers
US6699597B2 (en) 2001-08-16 2004-03-02 3M Innovative Properties Company Method and materials for patterning of an amorphous, non-polymeric, organic matrix with electrically active material disposed therein
DE60330313D1 (de) 2002-03-09 2010-01-14 Cdt Oxford Ltd Polymerisierbare zusammensetzungen sowie sie enthaltende organische lichtemittierende vorrichtungen
GB0206169D0 (en) * 2002-03-15 2002-04-24 Isis Innovation Rhenium compounds
JP4424996B2 (ja) 2002-03-18 2010-03-03 イシス イノベイション リミテッド リン光デンドリマー
GB0220092D0 (en) 2002-08-29 2002-10-09 Isis Innovation Reactive dendrimers
US7241512B2 (en) 2002-04-19 2007-07-10 3M Innovative Properties Company Electroluminescent materials and methods of manufacture and use
KR100643589B1 (ko) * 2002-07-18 2006-11-10 샤프 가부시키가이샤 덴드리틱 고분자 및 이를 사용한 전자 디바이스 소자
GB0220080D0 (en) 2002-08-29 2002-10-09 Isis Innovation Blended dendrimers
DE50309671D1 (de) 2002-09-13 2008-06-05 Starck H C Gmbh Organische Verbindungen mit Kern-Schale-Struktur
US7389029B2 (en) * 2003-07-03 2008-06-17 Applied Research And Photonics, Inc. Photonic waveguide structures for chip-scale photonic integrated circuits
US7110627B2 (en) * 2002-10-24 2006-09-19 Applied Research & Photonics, Inc. Reflective arrayed waveguide grating
US7412121B2 (en) * 2002-10-24 2008-08-12 Applied Research And Photonics, Inc. Nanophotonic integrated circuit and fabrication thereof
US6982179B2 (en) 2002-11-15 2006-01-03 University Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices
ES2208125B1 (es) * 2002-11-25 2005-05-01 Universidad Politecnica De Valencia Estructura macromolecular de naturaleza dendrimera que comprende un colorante encapsulado y aplicaciones.
GB0229653D0 (en) 2002-12-20 2003-01-22 Cambridge Display Tech Ltd Electrical connection of optoelectronic devices
GB0306409D0 (en) 2003-03-20 2003-04-23 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent device
GB0321781D0 (en) 2003-09-17 2003-10-15 Toppan Printing Company Ltd Electroluminescent device
US20070207340A1 (en) * 2003-09-26 2007-09-06 Hideo Taka Compound of Multi-Branched Structure, Organic Electroluminescent Element, Display, Illuminating Device, and Method for Producing Compound of Multi-Branched Structure
KR100612079B1 (ko) 2003-10-09 2006-08-11 주식회사 엘지화학 방사형 다분지 고분자 및 이를 이용한 다공성 막
US7659540B2 (en) 2003-10-22 2010-02-09 Merck Patent Gmbh Materials for electroluminescence and the utilization thereof
EP1682600B1 (en) 2003-11-10 2013-01-23 Cambridge Display Technology Limited Dibenzosilol polymers, their preparation and uses
US20050123850A1 (en) * 2003-12-09 2005-06-09 3M Innovative Properties Company Thermal transfer of light-emitting dendrimers
US7365230B2 (en) * 2004-02-20 2008-04-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Cross-linkable polymers and electronic devices made with such polymers
EP2292583A3 (en) 2004-03-31 2011-08-31 E. I. du Pont de Nemours and Company Triarylamine compounds for use as charge transport materials
DE102004023277A1 (de) 2004-05-11 2005-12-01 Covion Organic Semiconductors Gmbh Neue Materialmischungen für die Elektrolumineszenz
US9136504B2 (en) 2004-08-04 2015-09-15 Cambridge Display Technology Limited Organic electroluminescent device
US8049408B2 (en) 2004-08-10 2011-11-01 Cambridge Display Technology Limited Light emissive device having electrode comprising a metal and a material which is codepositable with the metal
GB0421711D0 (en) * 2004-09-30 2004-11-03 Cambridge Display Tech Ltd Multi-line addressing methods and apparatus
GB0421712D0 (en) * 2004-09-30 2004-11-03 Cambridge Display Tech Ltd Multi-line addressing methods and apparatus
GB0421710D0 (en) 2004-09-30 2004-11-03 Cambridge Display Tech Ltd Multi-line addressing methods and apparatus
GB0428191D0 (en) 2004-12-23 2005-01-26 Cambridge Display Tech Ltd Digital signal processing methods and apparatus
DE112005002406B4 (de) * 2004-09-30 2015-08-06 Cambridge Display Technology Ltd. Mehrleiteradressierverfahren und Vorrichtung
GB0422391D0 (en) 2004-10-08 2004-11-10 Cambridge Display Tech Ltd Light emitting device
EP1807883B1 (en) 2004-10-28 2009-01-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Copolymer for charge transport layer in opto-electronic device
TWI385193B (zh) * 2004-12-07 2013-02-11 Sumitomo Chemical Co 高分子材料及使用該高分子材料之元件
GB0427965D0 (en) 2004-12-22 2005-01-26 Cambridge Display Technology O Process for the synthesis of arylfluorenes and analogues thereof
GB2439867B (en) 2005-03-15 2009-11-11 Isis Innovation Light emitting highly branched dendrimers
JP5155852B2 (ja) * 2005-04-15 2013-03-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー アリール−エチレン置換芳香族化合物および有機半導体としてのその使用
JP5211448B2 (ja) * 2005-08-12 2013-06-12 住友化学株式会社 高分子材料およびそれを用いた素子
TWI415920B (zh) 2005-08-12 2013-11-21 Sumitomo Chemical Co 高分子材料及使用該高分子材料之元件
GB0517195D0 (en) 2005-08-23 2005-09-28 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device structures and fabrication methods
WO2007023272A1 (en) 2005-08-23 2007-03-01 Cambridge Display Technology Limited Organic electronic device structures and fabrication methods
KR101359194B1 (ko) * 2005-08-31 2014-02-05 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 피리딜기로 치환된 트리아졸환 구조를 갖는 화합물 및 유기전계 발광 소자
GB2430069A (en) * 2005-09-12 2007-03-14 Cambridge Display Tech Ltd Active matrix display drive control systems
GB2431276B (en) 2005-10-14 2008-11-12 Cambridge Display Tech Ltd Display monitoring systems
GB2433638B (en) 2005-12-22 2011-06-29 Cambridge Display Tech Ltd Passive matrix display drivers
GB0602347D0 (en) * 2006-02-06 2006-03-15 Isis Innovation Image sensor
GB2437113B (en) 2006-04-12 2008-11-26 Cambridge Display Tech Ltd Light-emissive display and method of manufacturing the same
EP2047542A1 (en) 2006-08-01 2009-04-15 Cambridge Display Technology Limited Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same
GB2441355B (en) 2006-08-31 2009-05-20 Cambridge Display Tech Ltd Organic electronic device
GB2441354B (en) 2006-08-31 2009-07-29 Cambridge Display Tech Ltd Display drive systems
GB0618698D0 (en) 2006-09-22 2006-11-01 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device fabrication methods and structures
US8778508B2 (en) 2006-12-08 2014-07-15 Universal Display Corporation Light-emitting organometallic complexes
US7718998B2 (en) * 2006-12-14 2010-05-18 Xerox Corporation Thiophene electronic devices
WO2008109824A2 (en) 2007-03-08 2008-09-12 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
US9130177B2 (en) 2011-01-13 2015-09-08 Universal Display Corporation 5-substituted 2 phenylquinoline complexes materials for light emitting diode
KR20080089949A (ko) * 2007-04-03 2008-10-08 삼성전자주식회사 트리페닐아민 코어를 가지는 덴드리머, 이를 이용한 유기메모리 소자 및 그의 제조방법
GB2453375A (en) 2007-10-05 2009-04-08 Cambridge Display Tech Ltd Driving a display using an effective analogue drive signal generated from a modulated digital signal
GB2453374A (en) 2007-10-05 2009-04-08 Cambridge Display Tech Ltd Matching multiple current sources/sinks
GB0721567D0 (en) 2007-11-02 2007-12-12 Cambridge Display Tech Ltd Pixel driver circuits
GB2454867B (en) 2007-11-09 2010-02-03 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices comprising bus bar
US20090179552A1 (en) 2007-11-15 2009-07-16 Jesse Froehlich Light emitting devices and compositions
WO2009073246A1 (en) 2007-12-06 2009-06-11 Universal Display Corporation Method for the synthesis of iridium (iii) complexes with sterically demanding ligands
GB2455747B (en) 2007-12-19 2011-02-09 Cambridge Display Tech Ltd Electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques
GB2458454B (en) 2008-03-14 2011-03-16 Cambridge Display Tech Ltd Electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques
GB2460018B (en) 2008-05-07 2013-01-30 Cambridge Display Tech Ltd Active matrix displays
WO2009142763A1 (en) 2008-05-23 2009-11-26 Swaminathan Ramesh Hybrid photovoltaic cell module
GB2462410B (en) 2008-07-21 2011-04-27 Cambridge Display Tech Ltd Compositions and methods for manufacturing light-emissive devices
DE102008035559A1 (de) 2008-07-30 2010-02-11 Rupert Goihl Elektrolumineszenz oder Photovoltaikquelle
GB2462296A (en) 2008-08-01 2010-02-03 Cambridge Display Tech Ltd Pixel driver circuits
GB0814971D0 (en) 2008-08-15 2008-09-24 Cambridge Display Tech Ltd Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same
GB2462646B (en) 2008-08-15 2011-05-11 Cambridge Display Tech Ltd Active matrix displays
GB2462688B (en) 2008-08-22 2012-03-07 Cambridge Display Tech Ltd Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same
GB2463493B (en) 2008-09-15 2012-11-14 Cambridge Display Tech Ltd An improved method for ink jet printing organic electronic devices
GB2473240A (en) 2009-09-04 2011-03-09 Cambridge Display Tech Ltd A touch screen device using correlated emitter-detector pairs
GB2473239B (en) 2009-09-04 2014-07-09 Cambridge Display Tech Ltd Touch screen display device
JP2013508380A (ja) 2009-10-19 2013-03-07 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電子用途用のトリアリールアミン化合物
US8937300B2 (en) 2009-10-19 2015-01-20 E I Du Pont De Nemours And Company Triarylamine compounds for use in organic light-emitting diodes
US8288187B2 (en) 2010-01-20 2012-10-16 Universal Display Corporation Electroluminescent devices for lighting applications
GB2479120A (en) 2010-03-26 2011-10-05 Cambridge Display Tech Ltd Organic electrolumunescent device having conductive layer connecting metal over well defining layer and cathode
WO2011161424A1 (en) * 2010-06-25 2011-12-29 Cambridge Display Technology Limited Organic light-emitting device and method
US9376446B2 (en) 2010-10-07 2016-06-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Emissive dendrimer composition
US10008677B2 (en) 2011-01-13 2018-06-26 Universal Display Corporation Materials for organic light emitting diode
JP2012041537A (ja) * 2011-09-15 2012-03-01 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子発光素子及び有機トランジスタ並びにそれらに有用な組成物
GB2495107A (en) 2011-09-28 2013-04-03 Cambridge Display Tech Ltd Organic light emitting diode display device with further small-area sacrificial diodes
JP6056605B2 (ja) * 2013-03-28 2017-01-11 富士通株式会社 有機色素、及び感光性素子
RU2524960C1 (ru) 2013-06-07 2014-08-10 Общество с ограниченной ответственностью "Люминесцентные Инновационные Технологии" Новые разветвленные олигоарилсиланы и способ их получения
CN103524655B (zh) * 2013-09-04 2016-05-25 上海大学 柔性pled发光层用纯有机磷光高分子材料的制备方法
GB201320881D0 (en) 2013-11-26 2014-01-08 Cambridge Display Tech Ltd Organic light-emitting device and method
JP2018168257A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 旭有機材株式会社 光アップコンバージョン組成物、フィルム及び光アップコンバージョン方法
CN112898469B (zh) * 2021-01-25 2023-04-18 三明学院 一种具有微孔结构的全芳基簇发光聚合物及其制备方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2651237B2 (ja) * 1989-02-10 1997-09-10 出光興産株式会社 薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JP2731216B2 (ja) * 1989-02-23 1998-03-25 パイオニア株式会社 電界発光素子
JPH03296595A (ja) * 1990-04-13 1991-12-27 Kao Corp 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JP2913116B2 (ja) * 1990-11-20 1999-06-28 株式会社リコー 電界発光素子
DE69213559T2 (de) 1991-05-30 1997-02-27 Mitsui Toatsu Chemicals Tetravinylpyrazine-Verbindung, Verfahren zur Herstellung derselben und elektrolumineszentes Element und damit hergesteller nichtlinearer optischer Stoff
JPH06271848A (ja) * 1993-03-24 1994-09-27 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子
DE19541113B4 (de) * 1995-10-25 2006-04-13 Sensient Imaging Technologies Gmbh Organische elektrolumineszente Vorrichtung
JP3564859B2 (ja) 1996-04-01 2004-09-15 東洋インキ製造株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100454568B1 (ko) * 2001-12-14 2004-11-05 주식회사 큐시스 덴드론으로 엔드캡핑된 아릴렌-비닐렌 및 아릴렌-아릴렌교대 공중합체, 및 이를 이용한 전계발광 소자
KR100601039B1 (ko) * 2004-05-25 2006-07-14 학교법인 포항공과대학교 신규 형광 덴드리머 및 그의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP1027398A1 (en) 2000-08-16
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