KR20000071920A - 다공성 산화 실리콘층을 이용하여 형성한 초고주파용 소자 및 그 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (16)
- 실리콘 기판,상기 기판 위에 형성되어 있으며 다공성 산화 실리콘으로 이루어진 기둥,상기 기둥 위에 형성되어 있는 소자 패턴을 포함하는 초고주파용 소자.
- 제1항에서,상기 기둥 위에 형성되어 있으며 상기 소자 패턴 아래에 형성되어 있는 제1 절연막을 더 포함하는 초고추파용 소자.
- 제1항 또는 제2항에서,상기 소자 패턴은 인덕터 배선인 초고추파용 소자.
- 제1항 또는 제2항에서,상기 소자 패턴은 서로 분리되어 대향하고 있는 제1 및 제2 전극이며, 상기 제1 및 제2 전극은 각각 다수의 가지 전극을 가지며 이들 제1 전극의 가지 전극과 제2 전극의 가지 전극은 서로 교대로 배치되어 있는 초고추파용 소자.
- 제1항 또는 제2항에서,상기 소자 패턴은 저항 패턴인 초고추파용 소자.
- 제1항 또는 제2항에서,상기 소자 패턴은 안테나 패턴과 안테나 패턴을 둘러싸는 접지부로 이루어지는 초고추파용 소자.
- 제1항 또는 제2항에서,상기 소자 패턴은 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 형성되어 있으며 상기 제1 전극과 대향하고 있는 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이이 끼워져서 이들을 절연시키는 제2 절연막으로 이루어지는 초고주파용 소자.
- 제1항 또는 제2항에서,상기 소자 패턴은 제1 인덕터 배선, 상기 제1 인덕터 배선 위에 형성되어 있으며 상기 제1 인덕터 배선을 노출시키는 접촉구를 가지는 제2 절연막, 상기 제2 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 접촉구를 통하여 상기 제1 인덕터 배선과 연결되어 있는 제2 인덕터 배선을 포함하는 초고추파용 소자.
- 실리콘 기판,상기 실리콘 기판 위에 형성되어 있는 다공성 산화 실리콘 기둥,상기 실리콘 기판 위에 형성되어 있으며 상기 다공성 산화 실리콘 기둥과 같은 높이로 형성되어 있는 실리콘 기둥,상기 실리콘 기둥 위에 형성되어 있는 능동 소자,상기 다공성 산화 실리콘 기둥 위에 형성되어 있으며 상기 능동 소자와 연결되어 있는 수동 소자를 포함하는 초고주파용 소자.
- 제9항에서,상기 기둥 위에 형성되어 있으며 상기 소자 패턴 아래에 형성되어 있는 제1 절연막을 더 포함하는 초고추파용 소자.
- 실리콘 기판,상기 실리콘 기판 위에 형성되어 있으며 함몰부를 가지는 다공성 산화 실리리콘층,상기 함몰부 바닥을 따라 형성되어 있는 제1 배선,상기 함몰부 위에 걸쳐있는 제2 배선을 포함하는 초고주파용 소자.
- 실리콘 기판 위에 다공성 산화 실리콘층 및 다공성 실리콘층을 형성하는 단계,상기 다공성 산화 실리콘층 및 다공성 실리콘층 위에 절연막을 형성하는 단계,상기 절연막 위에 소자 패턴을 형성하는 단계,상기 절연막에 구멍을 형성하고, 이 구멍을 통하여 식각제를 주입함으로써 상기 다공성 산화 실리콘층을 부분적으로 식각하는 단계를 포함하는 초고주파용 소자 형성 방법.
- 제12항에서,상기 식각제는 NaOH인 초고주파용 소자 형성 방법.
- 실리콘 기판을 패터닝하여 기둥을 형성하는 단계,상기 기둥의 적어도 일부를 다공성 산화 실리콘으로 변화시키는 단계,상기 기둥 주위를 특정 물질로 채워 평탄화하는 단계,소자 패턴을 형성하는 단계,를 포함하는 초고주파용 소자 형성 방법.
- 제14항에서,상기 특정 물질은 감광제인 초고주파용 소자 형성 방법.
- 실리콘 기판에 함몰부를 형성하는 단계,상기 함몰부를 포함하는 상기 실리콘 기판 상부를 다공성 산화 실리콘층으로 변화시키는 단계,상기 다공성 산화 실리콘층의 함몰부를 통과하는 제1 배선을 형성하는 단계,상기 함몰부를 특정 물질로 채우는 단계,상기 특정 물질 위를 통과하는 제2 배선을 형성하는 단계를 포함하는 초고주파용 소자 형성 방법.
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