KR20000066266A - 커런트 어드레스 카운터를 갖는 반도체 메모리장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 커런트 어드레스 카운터를 갖는 반도체 메모리장치에 관한 것으로, 특히 이 회로는 EEPROM을 갖는 DRAM의 모듈디바이스에 있어서, 커런트 어드레스 라이트 동작시 입력 어드레스신호에 응답하여 n비트로 카운팅을 수행해서 일련으로 연속된 어드레스신호를 발생하는 커런트 어드레스 카운터를 구비하여 커런트 어드레스 카운터를 통해서 출력된 연속적인 어드레스신호에 의해 데이터 입력만으로 전체 칩의 라이트 동작을 수행한다. 그러므로, 본 발명은 연속적인 라이트 또는 리이드의 활용이 이용되는 부분에서 클럭 동기에 의한 어드레스의 입력 없이도 데이터만 가지고 순차적인 라이트가 가능하며 이에 따라 클럭 수의 감소 및 전체적인 라이트 시간을 감소할 수 있다.

Description

커런트 어드레스 카운터를 갖는 반도체 메모리장치 {Semiconductor Memory Device Provided with Current Address Counter}

본 발명은 반도체 메모리장치에 관한 것으로서, 특히 EEPROM을 갖는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)의 모듈 디바이스 내에서 라이트(write) 동작의 테스트 시간을 단축할 수 있는 커런트 어드레스 카운터(current address counter)를 갖는 반도체 메모리장치에 관한 것이다.

일반적으로 2K EEPROM(256x8)은 라이트(write)/리이드(read)가 가능한 디바이스로써 다른 메모리장치와 달리 어드레스 핀이 따로 있는 것이 아니라 클럭 동기에 의하여 어드레스 및 데이터의 입/출력을 1핀(SDA핀)으로 수행하고 있다.

또한, DRAM의 모듈내에 사용되는 2K EEPROM은 전체 256 바이트(byte)로써 칩내부 데이터의 업데이트가 자유자재로 가능하며, 이때 라이트의 기능 내부에서는 선 소거(pre erase) 기능이 포함되어 데이터의 라이트시 먼저 해당 바이트를 소거한 후에 데이터의 라이트를 진행하게 된다.

한편, 현재 데이터 시트상에 라이트(write)의 경우는 바이트 라이트(랜덤 어드레스) 및 페이지 라이트(16byte)가 있는 반면에, 리이드(read)의 경우는 랜덤 어드레스 리이드(random address read)/커런트 어드레스 리이드(current address read)/순차적 어드레스 리이드(sequential address read) 등이 있다.

일반적으로 DRAM 모듈내에서 SPD(Serial Presence Detect: 디바이스의 밀도, 종류, 회사 등등의 갖가지 정보 데이터 제공)용으로 주로 사용되고 있는 중인 2K EEPROM의 특성중에서 커런트 어드레스(current address)라고 하는 기능이 있는데, 이는 회사마다 아직 표준화가 되어 있지 않다.

랜덤 리이드시의 커런트 어드레스는 항상 "+1"이 증가된 어드레스인데, 예를 들면, 0번지 랜덤 리이드(read) 후에 커런트 어드레스는 "1번지", 15번지 랜덤 리이드후에 커런트 어드레스는 "16번지", 그리고 255번지 랜덤 리이드후에 커런트 어드레스는 "0번지"를 가르킨다.

그리고, 랜덤 리이드후에 연속적으로 커런트 리이드를 수행했을 때의 어드레스 변화는 계속 "+1"이 증가된 어드레스로 나타난다.

또한, 바이트 라이트 후의 커런트 어드레스는 페이지 단위별로 움직이는데, 예를 들면, 0번지 바이트 라이트 후에 커런트 어드레스는 "1번지", 15번지 랜덤 리이드후에 커런트 어드레스는 "0번지", 31번지 랜덤 리이드후에 커런트 어드레스는 "16번지"를 가르킨다.

도 1a 내지 도 1c는 통상적인 반도체 메모리장치에서 사용되는 바이트 단위의 라이트, 페이지 단위의 라이트 및 커런트 어드레스 리이드 방법을 각각 설명하기 위한 도면들로서, 디바이스 어드레스 코맨드가 충분한 관계로 예를 들어 모든 코맨드가 "1010"으로 시작되고 있다.

우선, 도 1a는 바이트 라이트의 코맨드 형식을 나타낸 것으로서, 워드 어드레스에 따라 데이터 라이트가 한 바이트 단위로 이루어진다.

도 1b는 페이지 라이트의 코맨드 형식을 나타낸 것으로서, 어드레스의 증가가 16개 단위로 이루어지며 16바이트의 라이트를 진행함에 있어 제일 앞번지의 어드레스를 지정후 계속해서 16바이트에 해당되는 데이터만 입력하면 순차적으로 라이트가 된다.

마지막으로 도 1c는 커런트 어드레스 리이드의 코맨드 형식을 나타낸 것으로서, 리이드 코맨드 후 추가의 어드레스 입력 없이도 순차적으로 어드레스가 증가되면서 데이터를 출력한다.

그러므로, 기존에 출시되고 있는 SPD용 2K EEPROM 디바이스의 커런트 어드레스의 규정에서 리이드(read)시에는 순차적으로 어드레스가 증가(+1)되면서 추가의 어드레스 입력없이 데이터의 출력이 가능하나, 반대로 라이트시에는 회사별로 통일화가 되지 않았기 때문에 제품의 각 회사별로 다르게 동작되며 실제의 활용상에서는 순차적 라이트 기능이 사용되고 있지 않는 실정에 있다.

또한, 상술한 바와 같이 라이트 동작 중 페이지 라이트 기능이 있기는 하지만, 이 경우 16바이트까지 최고로 정의되어 있는 관계로 2K EEPROM에서는 페이지 라이트를 16번 수행하여야만 칩 전체의 라이트가 가능하기 때문에 이 역시 라이트 시간을 단축하는데에는 한계가 있었다.

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 제조회사에서 칩의 기능적 테스트시 매 바이트마다 어드레스의 입력 및 데이터 입력으로 체크하던 라이트 기능을 첫 번째 어드레스 지정후에는 연속적인 데이터의 입력으로만 라이트 체크가 가능토록 함으로써 라이트 테스트 과정 및 그 시간을 단축할 수 있는 커런트 어드레스 카운터를 갖는 반도체 메모리장치를 제공하는데 있다.

도 1a 내지 도 1c는 통상적인 반도체 메모리장치에서 사용되는 바이트 단위의 라이트, 페이지 단위의 라이트 및 커런트 어드레스 리이드 방법을 설명하기 위한 도면들,

도 2는 본 발명에 따른 반도체 메모리장치의 라이트 동작시 커런트 어드레스를 발생하는 커런트 어드레스 카운터의 동작을 설명하기 위한 회로 블록도,

도 3은 도 2에 도시된 반도체 메모리장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍도.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

10: 노말 어드레스 카운터

20: 커런트 어드레스 카운터

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 EEPROM을 갖는 DRAM의 모듈디바이스에 있어서, 커런트 어드레스 라이트 동작시 입력 어드레스신호에 응답하여 n비트로 카운팅을 수행해서 일련으로 연속된 어드레스신호를 발생하는 커런트 어드레스 카운터를 구비하여 커런트 어드레스 카운터를 통해서 출력된 연속적인 어드레스신호에 의해 데이터 입력만으로 전체 칩의 라이트 동작을 수행하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 원리에 따르면, 일반적으로 라이트에는 랜덤 어드레스 라이트 및 페이지 라이트 기능이 있는데, 아직까지 순차적인 어드레스의 라이트에 대한 규정이 없지만, 리이드 동작시 커런트 어드레스라는 기능이 규정되어 있는 바, 이에 착안하여 라이트 동작시 랜덤 어드레스로 라이트한 뒤에 칩의 어드레스가 전의 어드레스+1을 저장한 후에 카운터를 이용해서 순차적인 어드레스 증가에 대하여 추가 어드레스의 지정없이도 라이트 기능을 수행하여 전체 칩 라이트 동작을 신속하게 진행할 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명하고자 한다.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 메모리장치의 라이트 동작시 커런트 어드레스를 발생하는 커런트 어드레스 카운터의 동작을 설명하기 위한 회로 블록도이다.

이를 참조하면, 본 발명의 이 회로는 EEPROM을 갖는 DRAM의 모듈디바이스에 있어서, 내부 클럭신호(INCLK)에 동기하며 입력 어드레스 신호(INCADD1)를 입력받아 m비트 카운팅해서 어드레스 +1 증가된 신호(Addr1＜0:m＞)를 출력하는 노말 어드레스 카운터(m bit)(10)와, 내부 클럭신호(INCLK)에 동기하며 커런트 라이트 동작시 입력 어드레스신호(INCADD2)를 입력받아 n비트 카운팅을 수행해서 일련으로 연속된 어드레스신호(Addr2＜0:n＞)를 발생하는 커런트 어드레스 카운터(20)로 구성되어 있다.

또한, 상기 커런트 어드레스 카운터(20)는 카운팅 동작을 초기화시키는 RESETADD신호가 디스에이블 상태일 때 인에이블 동작을 수행한다.

도 3은 도 2에 도시된 반도체 메모리장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.

이를 참조하면, 노말 및 커런트 어드레스 카운터(10,20)는 내부 클럭신호(INCLK)에 동기하여 어드레스 카운팅 동작을 수행하는데, 둘 다 INCADD1, INCADD2 신호가 하이레벨일 때 카운트-업이 되고 있다.

정상 코맨드에서는 입력 어드레스신호(INCADD2)가 로우레벨로 유지되고 있다가 커런트 라이트 코맨드가 입력되면 INCADD2가 하이레벨로 되어 Addr2의 어드레스가 칩 내부에 전달되어 연속적인 어드레스의 증가가 이루어져 데이터 입력만으로 라이트이 이루어진다.

본 발명은 라이트 코맨드 명령 중에서 디바이스 어드레스에 커런트 어드레스 라이트 명령을 수행하는 코맨드를 추가할 수 있는데, 예를 들어 "1011"(디바이스 어드레스) + 라이트 동작시에는 어드레스 카운터가 계속 +1로 증가되어 추가 어드레스 없이도 계속해서 전칩의 라이트를 가능케 한다.

그러므로, 본 발명은 라이트 코맨드중에서 디바이스 어드레스 코맨드에 라이트 어드레스를 한번 지정해주면 계속적으로 데이터의 라이트가 이루어지는데, 상기 커런트 어드레스 카운터에 의해 어드레스가 +1로 증가되어 칩 내부에 전달되면 연속적인 어드레스의 증가가 이루어져 데이터 입력만으로도 데이터 라이트 기능이 수행된다.

상기한 바와 같이, 본 발명은 DRAM 모듈 보드 내에서 연속적인 리이드의 활용이 이용되는 부분에서 클럭 동기에 의한 어드레스의 입력 없이도 데이터만 가지고 순차적인 라이트가 가능하며 이에 따라 클럭 수의 감소 및 전체적인 라이트 시간을 감소할 수 있다.

더욱이 2K EEPROM의 경우 칩 크기가 작고 테스트 비용을 최대한 줄여야 하기 때문에 본 발명을 커런트 어드레스 리이드 기능을 갖는 장치에 이용하게 되면 전체 칩의 라이트/리이드에 소요되는 테스트 시간을 크게 단축할 수 있는 효과가 있다.

Claims (2)

1. EEPROM을 갖는 DRAM의 모듈디바이스에 있어서,

   커런트 어드레스 라이트 동작시 입력 어드레스신호에 응답하여 n비트로 카운팅을 수행해서 일련으로 연속된 어드레스신호를 발생하는 커런트 어드레스 카운터를 구비하여

   상기 커런트 어드레스 카운터를 통해서 출력된 연속적인 어드레스신호에 의해 데이터 입력만으로 전체 칩의 라이트 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 커런트 어드레스 카운터를 갖는 반도체 메모리장치.
2. 제 1항에 있어서, 상기 어드레스 카운터는 내부 클럭신호에 동기하여 동작하는 것을 특징으로 하는 커런트 어드레스 카운터를 갖는 반도체 메모리장치.