KR20000050946A - 박막트랜지스터의 반도체층 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 폴리실리콘으로 형성된 반도체층을 갖는 박막트랜지스터에 관한 것으로 더욱 자세히 설명하면, 비정질실리콘 반도체층에 모빌리티(Mobility)가 높은 물질을 이온도핑함과 동시에 결정화 함으로써 반도체층의 모빌리티를 향상시키고, 또한 상기 이온도핑과정 중 소정의 반응에 의해 상기 이온도핑된 반도체층 위에 성장한 우수한 실리콘 산화막을 절연층으로 활용함으로써, 반도체층과 절연막 간에 생길 수 있는 계면 부정합이 없음으로 전자의 트랩준위 또한 없애주어, 전자의 빠른 모빌리티에 의한 소자의 개선된 동작특성을 기대할 수 있다.
Description
본 발명은 박막트랜지스터 관한 것으로서, 특히 박막트랜지스터의 반도체층을 흐르는 전하의 전계 과 이동도를 향상시킬 뿐만 아니라, 오프커런트 특성을 낮출 수 있는 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 박막트랜지스터(Thin Film Transistor ; 이하, TFT라고 칭함)를 구성하는 요소중 성층(Active layer)인 반도체층은 결정 격자의 주기성이 없는 수소를 포함한 비정질 실리콘을 사용하거나, 다결정 고체인 폴리실리콘을 사용한다.
이때, 스윗칭소자로서 수소를 포함한 비정질 실리콘을 사용할 경우에 특히 빛에 노출된다면 광전변본에 의해 포토 커런트가 발생하여 스윗칭소자의 동작을 주도하는 온-커런트를 낮추는 역할을 하게 된다.
그러나, 반도체층이 빛에 노출되지 않도록 하여도 비정질 실리콘 특유의 비주기적인 격자특성 때문에 표면에 댕글링 본드(Dangling bond)와 같은 디펙트(defect)가 많이 성되기 때문에 전자의 흐름이 원 하지 못하여 소자의 동작특성이 좋지않다.
이에 반해 상기 비정질 실리콘에 비해 표면에 디팩트가 적은 폴리실리콘을 반도체층으로 사용할 경우 박막트랜지스터의 동작속도는 상기 비정질 실리콘의 반도체층에 비해 약 100 ∼200배 빠르다.
이러한 폴리실리콘층을 반도체층으로 사용한 스윗칭 박막트랜지스터는 굉장히 빠른 동작특성을 보임으로 외부의 고속구동 집적 로와 연동하여 충분히 동작할 수 있음으로 대면적의 액정표시소자와 같은 실시간의 상정보를 보이는 장치에 알맞은 스윗칭 소자가 될 것이다.
이러한 폴리실리콘층은 여러 제조방법이 있으나, 실리콘층을 결정 하는 과정 중 열에 의한 유리 기판의 영향을 고려하여, 일반적으로 저온처리가 가능하고 비교적 공정이 간단한 레이저 방법을 사용한다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 폴리실리콘을 반도체층으로 상용한 종래의 박막트랜지스터 제조방법을 설명하도록 한다.
도 1a 내지 도 1d는 종래의 스위치 박막트랜지스터의 스위치반도체층을 폴리실리콘으로 성하는 제조 공정을 나타낸 단면도로서, 도 1a에 도시한 바와 같이 투명한 유리기판(10)위에 절연물질을 증착하여 절연층(12)을 성한, 상기 절연층(12)상에 수소 된 비정질실리콘을 증착하여 반도체층(14)을 성한다.
도 1b에서와 같이, 상기 수소를 포함한 비정질 실리콘으로 성된 반도체층(14)은 탈수소 과정을 거치고 레이저 어닐링공정(Laser annealing process)을 실시한다. 이에따라, 상기와 같은 레이저 어닐링에 의해서 상기 비정질실리콘은 결정 초기에 실리콘씨드(Silicon Seed)의 성으로부터 시작하여 그레인(grain)(13)과 그레이바운더리(Grain boundary)(15)로 구성되는 다결정실리콘(14a)(Poly cryst alliz ation silicon: 이하"폴리시리콘"이라 칭함)으로 성된다.
이때 비정질실리콘에 포함되어 있던 불순물들은 결정정성과정 중 상기 그레인바운더리부분(15)에 존재하게 되며, 도시한 바와 같이, 상기 그레인바운더리(5)는 그레인(13)에 비해 표면에서 돌출된 모양으로 성하게 된다.
도 1c에 도시한 바와 같이, 상기 폴리실리콘으로 성된 반도체층(14a)위에 절연물질을 사용하여 게이트절연층(16)을 성한다.
이때, 상기 게이트 절연층은 일반적으로 열(thermal)에 의한 진정한 성장이 아니고, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)나 APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)와 같은 방법을 사용하여 게이트 절연물질을 상기 반도층 위에 증착하여 게이트절연층(16)을 성한다.
이때, 상기 게이트절연층(16)은 폴리실리콘 반도체층(14a)에서 성장하여 성된 것이 아니기 때문에 상기 폴리실리콘 반도체층(14a)과 게이트절연층(16)간의 계면에 부정합이 발생한다.
도 1d에서 도시한 바와 같이, 상기 절연층 위에 상기와 같이 성된 금속총과 그 하부에 성된 절연막을 동시에 패터닝하여 게이트전극(18)과 게이트절연막(16)을 성하게 된다.
전술한 바와 같이, 종래에는 폴리실리콘층과 연속하여 절연층을 성하는 단계에서 상기 게이트 절연층은 증착방법(Evaporation method)을 사용하기 때문에 진성 성장에 비해 상기 절연층은 표면과 게이트 절연막 사이의 계면이 평탄하지 않고, 또한 상기 폴리실리콘의 그레인바운더리에 의해 표면이 평탄하지 않은 반도체층 위에 절연층을 증착함으로써, 상기 폴리실리콘 반도체층과 상기 절연층사이의 계면에서 발생하는 부정합에 의해 전자에 대한 트랩준위가 발생한다.
이와 같은 이유로, 폴리실리콘층의 표면을 흐르는 전자의 모빌리티(Mobility)가 저히 저하되며, 소자의 신뢰성에 나뿐 영향을 준다.
따라서, 본 발명은 상기 폴리실리콘층에 모빌리티가 좋은 물질을 이온도핑하여 반도체층의 모빌리티를 개선함과 동시에, 반도체층과 절연층과의 계면상태를 소정의 방법으로 평탄 하여 트랩준위를 없애고 전자의 모빌리티를 높여 박막트랜지스터의 동작 특성을 개선하려는 목적으로 안출되었다.
도 1a 내지 도 1d는 일반적인 박막트랜지스터의 제조방법을 나타내는 단면도 이고,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 박막트랜지스터의 제조방법을 나타내는 단면도이고,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 공정단면도이다.
＜ 도면의 주요 부분에 대한 부 의 설명＞
130 : 기판 132 : 절연층
134b : 폴리실리콘게르마늄 반도체층
137 : 실리콘산 막(SiO2)
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 비정질실리콘에 모빌리티가 뛰어난 소정의 물질을 이온도핑하여 폴리실리콘으로 결정 함과 동시에, 이온도핑과정 중 폴리실리콘층의 표면에서 성장한 산 막을 어닐링하여 절연층으로 성하였다.
더 상세히 설명하면 본 발명에 따른 박막트랜지스터의 제조방법은 기판에 비정질실리콘을 증착하여 아일랜드 태로 반도체층을 성하는 단계와 ;
상기 반도체층 위에 소정의 절연물질을 증착하여 제 1 절연층을 성하는 단계와; 상기 제 1 절연층을 통해 상기 비정질 반도체층에 게르마늄을 소정의 방법으로 이온도핑하고 상기 반도체층을 폴리실리콘게르마늄으로 성하고, 폴리실리콘게르마늄층 위에 상기 제 1 절연층사이에 SiGeOX또는 SiOX층이 성되는 단계와; 상기 증착된 제 1 절연층을 식각하는 단계와; 상기 SiGeOX또는 SiOX층이 성된 폴리실리콘게르마늄 반도체층의 양측에 P타입 또는 N타입이온을 이온도핑하여 소스영역과 드레인영역을 성하는 단계와; 상기 폴리실리콘게르마늄 반도체층 상에 성된 SiOX또 SiGeOX층을 레이저 어닐링하여 SiO2또는 SiGeO4인 절연층으로 성하는 단계; 상기 절연층 위에 도전성 금속을 증착하고 소정의 패턴으로 패터닝하여 게이트전극을 성하는 단계와; 상기 이온도핑되어 성된 소스와 드레인영역에 각각 소스전극과 드레인전극을 접속하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 절연층은 SiO2층인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는 상기 게르마늄이온의 이온도핑 방법은 이온주입(ion implatation)방법인것을 특징으로 한다.
바람직하게는 상기 SiOX층 또는 SiGeOX층의 두께는 100∼300Å인 것을 특징으로 한다.
상기 비정질 실리콘은 수소를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 폴리실리콘의 결정 단계에서 탈수소 과정을 더욱 포함한다.
바람직하게는 상기 SiOX층 또는 SiGeOX층을 어닐링할때 기판의 온도는 300∼400℃인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징에 따른 폴리실리콘 반도층의 제조방법은 기판상에 비정질 실리콘을 증착하고 아일랜드 태로 패터닝하여 반도체층을 성하는 단계와; 상기 반도체층 위에 절연물질을 증착하여 절연층을 성하는 단계와; 상기 절연층 위에 게르마늄을 이온도핑하여 상기 비정질실리콘 반도체층을 SiOX(또는SiGeOX층)/po1y SiGe반도체층으로 결정 하는 단계와; 상기 절연층을 식각하는 단계와; 상기 SiOX(또는SiGeOX층)/poly SiGe반도체층에서 SiOX층 또는 SiGeOX층을 어닐링하여 SiO2층 또는 SiGeO4층으로 성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
--실시 예--
본 발명에 따른 실시 예는 비정질실리콘층으로 성된 반도체층과 이러한 반도체층 위에 증착되어 성되는 실리콘산 막(SiO2)의 구조에서 상기 실리콘산 막을 통하여 상기 반도체층에 게르마늄이온(Germanium ion)을 주입(Implantation)하여 반도체층의 모빌리티를 개선하고, 또한 이온도핑에 따른 부수적인 반응으로 성된 새로운 막질을 소정의 방법을 이용하여 절연층으로 사용함으로써 상기 반도체층과 절연층과의 계면에서 발생할 수 있는 부정합에 의한 전자의 트랩준위를 없애줌으로써 전자의 전도특성을 개선하였다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면, 도 2a 내지 도2d는 본 발명에 따른 제조 공정단계를 나타낸 것으로, 도 2a에 도시한 바와 같이, 기판(130)에 절연물질을 증착하여 추 성될 도전성 막과 기판과의 완충(buffer)역할을 하는 버퍼층(132)을 성한다.
연속으로, 상기 버퍼층(132)위에 수소를 포함한 비정질 실리콘을 증착하여 반도체층(134)을 성한다.
도 2b에 도시한 바와 같이, 상기 반도체층(134a)을 아일랜드 태로 성한다.
연속으로, 2c에 도시한 바와 같이 상기 반도체층(134a)위에 실리콘산 막(SiO2)을 증착하여 제 1 절연층(136)을 성한다.
상기 제 1 절연층(136)을 성한 , 상기 제 1 절연층(136)이 성된 기판의 온도를 300 ∼400℃로 가열한 상태에서 상기 제 1 절연층(136)위에 게르마늄을 이온주입(ion implantation)한다.
이러한 이온 주입 방식은 고온 산에 대한 유용한 대안으로써, 상기 제 1절연층(136)을 통해서 상기 비정질실리콘 반도체층(134a) 속으로 강력한 이온이 직접적으로 주입된다.
이 과정에서 불순물 이온빔을 그의 운동에너지가 수 keV 에서 수 MeV에 이르는 범위에 있도록 가속시켜 반도체 표면으로 향하게 한다.
이 불순물 원자는 결정 속으로 들어감에 따라 그들의 에너지를 충돌하는 격자에 주며, 결국 투영비정(projected range)이라는 어떤 평균적 깊이에 이르러 정지하게 된다.
이러한, 이온주입의 이점은 비교적 낮은 온도에서 이루어 질수 있다는 것이며, 이것은 도핑층에 먼저 산을 행한 이온주입이 가능하다는 것을 의미한다.
또한, 매우 얇은(10분의 수 ㎛)그리고 명 하게 한계가 이루어진 도핑을 이 방법으로 얻을 수 있다.
본 실시예에서는 10Kev의 운동에너지로 약 3×1021개의 게르마늄이온을 도핑한다.
도 2d에 도시한 바와 같이, 상기 게르마늄이온이 도핑되는 비정질실리콘 반도체층(143a)은 소정의 반응에 의해 SiOX(또는 SiGeOX층)(137)/poly SiGe(134b)이 생성된다.
이때, 상기 SiOX또는 SiGeOX층(137)의 두께는 100∼300Å의 두께로 폴리실리콘게르마늄(134b)층에서 직접 성장한 층이며, 기존의 증착방법에 의해 성된 제1 절연층(136)에 비해 상당히 막질 우수하다.
또한, 상기 폴리-실리콘게르마늄층(134b)은 상기 비정질실리콘이 상기 게르마늄이온과 반응하여 폴리-실리콘게르마늄(P-SiGe)으로 결정 한 것이다.
이때, 폴리실리콘 게르마늄 반도체층(134b)은 300㎠/Vsec 이상의 모빌리티를 보이며, 이 수치는 기존의 폴리실리콘 반도체층에 비해 굉장히 빠른 속도이다.
그리고, 상기 게르마늄 이온도핑 과정 중 상기 폴리실리콘 게르마늄 반도체층(134b)에서 성장된 SiOX층 또는 SiGeOX층(137)은 위에서도 설명하였듯이 기존의 SiO2(136)층에 비해 막질이 대단히 우수함으로 절연층으로 대체하여 사용가능하다.
따라서, 본 실시예에서는 상기 SiOX또는 SiGeOX층(137)를 상기 폴리실리콘게르마늄 반도체층(134b)의 산 막으로 사용하기 위해, Si02(136)/SiOX(137) 또는 SiGeOX층)/poly SiGe층(134b)에서 SiO2층(136)을 소정의 방법을 사용하여 식각한다.
상기 SiO2층(136)을 식각한 , 연속하여 상기 SiO2(136)/SiOX(또는 SiGeOX층)(137)/poly SiGe층(134b)층의 양측에 P타입 또는 N타입 이온을 이온주입방법을 사용하여 소스영역(135)과 드레인영역(138)을 성한다.
상기 양측에 소스영역(135)과 드레인영역(138)이 성된 SiOX(137)(또는SiGeOX층)/poly SiGe층(134b)층을 레이저 어닐(Laser anneal)하여 상기 SiOX층(137)또는 SiGeOX층을 SiO2(137) 또는 SiGeO4층인 제 2 절연층으로 결정 한다.
상기와 같이, 상기 폴리실리콘게르마늄 반도체층(134b)에서 제 2절연층(137)이 직접 성장하면 폴리실리콘게르마늄 반도체층(134b)과 제 2절연층(137)과의 계면은 부정합이 발생하지 않아 상당히 평탄하고 안정 되어 트랩준위가 존재하지 않는다.
다음으로, 상기 폴리실리콘게르마늄 반도체층(134b)과 제 2 절연층(137)을 성한 , 제 2 절연층(137)위에 도전성막을 증착하고 패터닝하여 게이트전극(139)을 성한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 상기 게이트전극(139)을 성한 , 게이트전극(139)이 성된 제 2 절연층(141)위에 콘택 (141a)(141b)을 성한 , 상기 제 2 절연층(141)위에 도전성 금속을 증착하고 소정간격 대응되어 성하고, 상기 드레인영역(137)과 소스영역(135)에 각각 상기 콘택 (141a)(141b)을 통하여 전기적으로 연결되도록 소스전극(145a)과 드레인전극(145b)을 성한다.
전술한 바와 같은 박막트랜지스터의 폴리실리콘게르마늄 반도체층(134b)과 절연층(137)을 성하는 방법은 아몰퍼스 실리콘에 게르마늄을 이온도핑하여 결정한 폴리실리콘게르마늄을 반도체층으로 사용하는 모든 소자에 응용 가능하다.
또한, 본 발명의 정신을 벗어나지 않고 다양한 태로 변 이 가능할 것이고, 변 된 실시 예들은 본 권한의 권리범위에 속하게 됨은 첨부된 특허청구범위에 의해 명 하게 알 수 있다.
본 발명에 따른 박막트랜지스터 소자는 상기 반도체층에 게르마늄이온을 주입하고 어닐하여 상기 반도체층을 폴리실리콘 게르마늄 층으로 성함으로서, 전자의 모빌리티를 높일수 있고, 또한 상기 게르마늄을 주입하는 과정에서 폴리실리콘에서 직접성장한 SiOX또는 SiGeOX층를 어닐하여 SiO2또는 SiGeO4로 만들어 사용함에 따라 반도체층과 절연막의 계면을 안정 시키고 평탄 하여 절연층과 반도체층간의 부정합을 줄여 전자에 대한 트랩준위를 제거함으로써 전자의 모빌리티를 원 하게 하는 s과가 있다.
Claims (9)
- 기판에 비정질실리콘을 증착하여 아일랜드 태로 반도체층을 성하는 단계와;상기 반도체층 위에 제 1 절연층을 성하는 단계와;상기 제 1 절연층을 통해 상기 비정질 반도체층에 게르마늄을 이온도핑하여 상기 반도체층을 폴리실리콘게르마늄으로 성하고, 폴리실리콘게르마늄층 위에 상기 제 1 절연층 사이에 SiOX층 또는 SiGeOX층으로 성하는 단계와;상기 증착된 제 1 절연층을 식각하는 단계와;상기 SiOX층 또는 SiGeOX층이 성된 폴리실리콘게르마늄 반도체층의 양측에 P타입 또는 N타입 불순물을 온도핑하여 소스영역과 드레인영역을 성하는 단계와;상기 폴리실리콘게르마늄 반도체층 상에 성된 SiOX층 또는 SiGeOX층을 레이저 어닐링하여 제 2 절연층으로 성하는 단계와;상기 제 2 절연층 위에 도전성 금속을 증착하고 소정의 패턴으로 패터닝하여 게이트전극을 성하는 단계와;상기 이온도핑되어 성된 소스와 드레인영역에 각각 소스전극과 드레인전극을 접속하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제 1 절연층은 SiO2층인 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 게르마늄이온의 이온도핑 방법은 이온주입(ion implatation)방법인 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 SiOX층 또는 SiGeOX층의 두께는 100∼300Å인 박막트랜지스터 반도체층의 제조방법
- 제1항에 있어서,상기 비정질 실리콘은 수소를 포함하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 폴리실리콘의 결정 단계에서 탈수소 과정을 더욱 포함하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 SiOX층 또는 SiGeOX층을 기판의 온도는 300∼400℃인 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 제 2절연층은 SiO2층 또는 SiGeO4층인 박막트랜지스터 제조방법.
- 기판상에 비정질실리콘을 증착하는 단계와;상기 비정질실리콘을 증착하고 아일랜드 태로 패터닝하여 반도체층을 성하는 단계와;상기 반도체층 위에 절연물질을 증착하여 절연층을 성하는 단계와;상기 절연층 위에 게르마늄을 이온도핑하여 상기 비정질실리콘 반도체층을 SiOX(또는 SiGeOX)/폴리 SiGe반도체층으로 결정 하는 단계와;상기 절연층을 식각하는 단계와;상기 SiOX(또는 SiGeOX)/폴리 SiGe반도체층에서 SiOX또는 SiGeOx층을 어닐링하여 SiO2층 또는 SiGeO4층으로 성하는 단계와;를 포함하는 폴리실리콘게르마늄 반도체층 제조방법.
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