KR20000006766U - 번인 테스트용 절환 스위치를 구비한 내부전압 발생회로 - Google Patents
번인 테스트용 절환 스위치를 구비한 내부전압 발생회로 Download PDFInfo
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Abstract
본 고안은 외부전압을 입력받아 내부전압을 발생하는 내부전압 발생회로에 관한 것으로서 특히 이 회로는 시스템의 외부전압을 공급받는 외부전압 공급부와, 외부전압 공급부로부터 인가된 전압을 소정 레벨로 유지하도록 하는 내부전압 발생부와, 내부전압 발생부로부터 인가된 전압을 내부 회로에 인가하는 내부전압 공급부와, 외부전압 공급부 및 내부전압 공급부 사이, 내부전압 발생부 및 내부전압 공급부 사이에 각각 연결된 제 1 및 제 2스위치와, 번인 테스트시 제어신호에 응답하여 제 1스위치가 턴온되고 제 2스위치가 턴오프되어 외부전압 공급부에서 인가된 고전압이 내부전압 공급부로 인가되는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 고안은 정상 모드시 내부전압 발생부로부터 인가된 전압을 내부 회로에 공급하지만 번인 테스트시 외부전압 공급부로부터 인가된 고전압을 내부 회로에 공급하므로써 더 큰 스트레스 조건으로 번인 테스트를 실시할 수 있어 불량 선별 과정의 신뢰성을 높일 수 있다.
Description
본 고안은 외부 전원을 입력받아 내부전압을 만드는 반도체장치의 전압 발생기에 관한 것으로서, 특히 반도체장치의 번인 테스트를 용이하게 실시할 수 있는 번인 테스트용 절환 스위치를 구비한 내부전압 발생회로에 관한 것이다.
최근, 반도체 메모리장치는 전자제품의 소형화, 저소모전력화 및 다기능화에 따라서 고집적화, 고속화 및 저전압화가 빠르게 진행되고 있다. 한편, 내부 발생회로는 일반적으로 외부 전원을 공급받아서 회로에 필요한 일정 레벨의 전압으로 조정하도록 하는데 필요한 것으로서, 외부 전원 및 공정의 변화와 무관하게 일정한 값을 가져야 한다.
도 1a는 통상적인 내부전압 발생회로를 나타낸 블록도로서, 이 회로는 시스템의 외부전압(Vext)을 공급받는 외부전압 공급부(10)와, 외부전압 공급부(10)로부터 인가된 전압을 시스템에서 요구하는 내부전압(Vint)의 소정 레벨로 유지하도록 하는 내부전압 발생부(20)와, 내부전압 발생부(20)로부터 인가된 전압을 내부 회로(도시하지 않음)에 인가하는 내부전압 공급부(30)로 구성된다.
도 1b는 통상적인 내부전압 발생회로의 내부전압과 외부전압간의 관계를 나타낸 파형도로서, 이 도면에서와 같이 내부전압 발생회로는 외부전압(Vext)의 변화에 대해 일정 레벨로 유지되는 내부전압(Vint)을 발생하여 내부 시스템에 공급하고 있다.
한편, 일반적인 반도체장치는 고품질의 제품을 위해서 불량 제품을 선별해야 하는데, 이 과정을 스크리닝 테스트(Screening Test)라 하며, 주로 번인(Burn-in) 테스트라 불리는 고온 및 고전압의 동작 실험을 이용한다. 즉, 번인 테스트에서는 상기와 같은 조건에서 반도체장치를 동작시켜 단시간 내에 잠재적 결함이 노출되도록 한다.
그러므로, 칩 내부의 각 부분이 적절한 스트레스, 특히 가속 스트레스를 받아야하는데 내부전압 발생회로를 구비한 반도체장치에서도 이러한 번인 테스트가 물론 필요하다. 번인 테스트시 반도체장치는 내부 회로가 과도한 스트레스를 받지 않도록 내부전압을 조절하여 단지 스크리닝을 위한 스트레스만이 인가되도록 하기 때문에 불량 제품을 찾아내는데에는 한계가 있었다.
본 고안의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 번인 테스트시 외부전압 공급부로 자동 절환되어 외부로부터 인가된 고전압을 직접 인가받아 불량 선별 과정의 신뢰성을 높일 수 있는 번인 테스트용 절환 스위치를 구비한 내부전압 발생회로를 제공하는데 있다.
도 1a는 통상적인 내부전압 발생회로를 나타낸 블록도,
도 1b는 통상적인 내부전압 발생회로의 내부전압과 외부전압간의 관계를 나타낸 파형도,
도 2a는 본 고안에 따른 번인 테스트용 절환 스위치를 구비한 내부전압 발생회로를 나타낸 도면,
도 2b는 본 고안에 따른 번인 테스트용 절환 스위치를 구비한 내부전압 발생회로의 내부전압과 외부전압간의 관계를 나타낸 파형도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100: 외부전압 공급부
110: 내부 전압 발생부
120: 내부 전압 공급부
130: 모드 변경 제어신호 공급부
140: 제 1스위치
150: 제 2스위치
상기 목적을 달성하기 위하여 본 고안은 외부전압을 입력받아 시스템에서 요구하는 내부전압을 발생하는 회로에 있어서, 시스템의 외부전압을 공급받는 외부전압 공급부와, 외부전압 공급부로부터 인가된 전압을 소정 레벨로 유지하도록 하는 내부전압 발생부와, 내부전압 발생부로부터 인가된 전압을 내부 회로에 인가하는 내부전압 공급부와, 외부전압 공급부 및 내부전압 공급부 사이, 상기 내부전압 발생부 및 내부전압 공급부 사이에 각각 연결된 제 1 및 제 2스위치와, 번인 테스트시 제어신호에 응답하여 제 1스위치가 턴온되고 제 2스위치가 턴오프되어 외부전압 공급부에서 인가된 고전압이 내부전압 공급부로 인가되는 것을 특징으로 한다.
본 고안에 따르면, 정상 회로 동작에서는 내부전압 발생부로부터 인가된 전압을 내부 회로에 공급하지만 번인 테스트시에서는 외부전압 공급부로부터 인가된 고전압을 내부 회로에 공급하므로써 더 큰 스트레스 조건으로 번인 테스트를 실시할 수 있어 불량 선별 과정의 신뢰성을 높일 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 고안의 실시예에 대해 상세하게 설명하고자 한다.
도 2a는 본 고안에 따른 번인 테스트용 절환 스위치를 구비한 내부전압 발생회로를 나타낸 도면으로서, 시스템의 외부전압(Vext)을 공급받는 외부전압 공급부(100)와, 외부전압 공급부(100)로부터 인가된 전압을 시스템에서 요구하는 내부전압(Vint)의 소정 레벨로 유지하도록 하는 내부전압 발생부(110)와, 내부전압 발생부(110)로부터 인가된 전압을 내부 회로(도시하지 않음)에 인가하는 내부전압 공급부(120)와, 외부전압 공급부(100) 및 내부전압 공급부(120) 사이, 내부전압 발생부(110) 및 내부전압 공급부(120) 사이에 각각 연결되며 번인 테스트시 제어신호(SNC)에 따라 상보적으로 턴온/턴오프 동작을 하는 제 1 및 제 2스위치(140,150)로 구성된다.
여기서, 제어신호(SNC)는 반도체장치, 특히 DRAM(Dynamic Random Access Memory)의 패키지에서 사용되지 않는 핀을 남겨두고 있는데, 이 핀을 정상 모드와 번인 테스트 모드 변경을 위한 제어신호 공급부(130)로 사용한다.
그리고, 제 1스위치(140) 및 제 2스위치(150)는 피채널 트랜지스터를 사용하며, 도면 부호 132는 제어신호(SNC)를 반전하여 제 1스위치(140)에 인가하기 위한 인버터이다.
상기와 같이 구성된 본 고안은, 정상 회로 동작시 외부전압 공급부(100)로부터 인가된 전압을 내부전압 발생부(110)에서 일정 전압 레벨로 유지하여 내부전압 공급부(120)를 통해서 내부 회로에 공급한다.
하지만, 번인 테스트시에서는 모드 변경 제어신호 공급부(130)로부터 인가된 제어신호(SNC)의 하이 레벨에 의해 제 2스위치(150)가 턴오프되고, 인버터(132)를 통해서 반전된 제어신호(SNC)의 로우 레벨에 의해 제 1스위치(140)가 턴온된다. 이에 외부전압 공급부(100)로부터 인가된 고전압이 내부전압 발생부(110)를 거치지 않고 직접 내부전압 공급부(120)로 인가된다.
도 2b는 본 고안에 따른 번인 테스트용 절환 스위치를 구비한 내부전압 발생회로의 내부전압과 외부전압간의 관계를 나타낸 파형도로서, 이를 참조하면 본 고안의 회로는 정상 회로 동작시 내부전압(Vint)과 외부전압(Vext)이 일정 레벨(Vnor)로 유지하는 반면에 번인 테스트시 선형적으로 고전압 레벨(Vtest)로 증가하는 것을 알 수 있다.
그러므로, 본 고안은 내부전압 발생부(110)를 통해서 번인 테스트시에 요구되는 고전압을 발생하여 내부 회로에 인가하지 않고 외부전압 공급부(100)에서 인가되는 고전압을 직접 내부 회로에 인가하기 때문에 테스트시 내부전압 발생부의 회로 성능을 보호할 수 있을 뿐만 아니라 고전압에 내성이 강한 양호 제품의 선별이 종래 기술에 비해서 신뢰성이 높아진다.
상기한 바와 같이 본 고안에 따르면 정상 모드에서는 내부전압 발생부로부터 인가된 전압을 내부 회로에 공급하지만 번인 테스트시에서는 외부전압 공급부로부터 인가된 고전압을 내부 회로에 공급하므로써 더 큰 스트레스 조건으로 번인 테스트를 실시할 수 있어 불량 선별 과정의 신뢰성을 높일 수 있다.
동시에 본 고안은 테스트 과정시 내부전압 발생부의 회로 성능을 보호할 수 있는 효과도 있다.
Claims (1)
- 외부전압을 입력받아 시스템에서 요구하는 내부전압을 발생하는 회로에 있어서,시스템의 외부전압을 공급받는 외부전압 공급부;상기 외부전압 공급부로부터 인가된 전압을 소정 레벨로 유지하도록 하는 내부전압 발생부;상기 내부전압 발생부로부터 인가된 전압을 내부 회로에 인가하는 내부전압 공급부;상기 외부전압 공급부 및 내부전압 공급부 사이, 상기 내부전압 발생부 및 내부전압 공급부 사이에 각각 연결된 제 1 및 제 2스위치; 및번인 테스트시 제어신호에 응답하여 제 1스위치가 턴온되고 제 2스위치가 턴오프되어 외부전압 공급부에서 인가된 고전압이 내부전압 공급부로 인가되는 것을 특징으로 하는 번인 테스트용 절환 스위치를 구비한 내부전압 발생회로.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019980018009U KR20000006766U (ko) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 번인 테스트용 절환 스위치를 구비한 내부전압 발생회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR2019980018009U KR20000006766U (ko) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 번인 테스트용 절환 스위치를 구비한 내부전압 발생회로 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000006766U true KR20000006766U (ko) | 2000-04-25 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR2019980018009U KR20000006766U (ko) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 번인 테스트용 절환 스위치를 구비한 내부전압 발생회로 |
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|---|---|
| KR (1) | KR20000006766U (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100626385B1 (ko) * | 2004-09-13 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그것을 포함하는 멀티칩 패키지 |
| US7298157B2 (en) | 2003-11-26 | 2007-11-20 | Hynix Semiconductor Inc. | Device for generating internal voltages in burn-in test mode |
-
1998
- 1998-09-21 KR KR2019980018009U patent/KR20000006766U/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7298157B2 (en) | 2003-11-26 | 2007-11-20 | Hynix Semiconductor Inc. | Device for generating internal voltages in burn-in test mode |
| KR100626385B1 (ko) * | 2004-09-13 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그것을 포함하는 멀티칩 패키지 |
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