KR19990034084U - 반도체 노광장비의 디포커스 방지구조 - Google Patents

Abstract

본 고안은 반도체 노광장비의 디포커스 방지구조에 관한 것으로, 종래에는 원호형의 버큠라인만이 오목한 형태로 형성되고 나머지는 편평하게 형성되므로, 스테이지와 웨이퍼 간의 접촉면적이 많아지게 되고, 이로 인해 웨이퍼 배면의 파티클 또는 긁힘 등에 의한 웨이퍼 셀 영역에 디포커스가 유발되는 문제점이 있었던 바, 본 고안에서는 웨이퍼 스테이지의 상면중에서 웨이퍼의 셀 영역과 대향되는 부위는 오목하게 함몰시킴과 아울러, 분리영역과 대향되는 부위는 버큠라인을 형성함으로써, 웨이퍼 스테이지와 웨이퍼간의 접촉면적을 최소화하여 웨이퍼의 셀 영역에 대한 디포커스를 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 노광장비의 디포커스 방지구조

본 고안은 반도체 노광장비의 웨이퍼 스테이지에 관한 것으로, 특히 웨이퍼의 셀(Cell)영역에서 디포커스(Defocus)가 발생되는 것을 방지하는데 적합한 반도체 노광장비의 디포커스 방지구조에 관한 것이다.

일반적으로 웨이퍼의 노광장비는 수은램프 등에서 발진되는 빛을 렌즈로 집광 축소하여 웨이퍼 스테이지의 상측에 얹힌 웨이퍼에 조사시켜 특정패턴을 형성시키는 것으로, 이때 렌즈와 웨이퍼간의 초점거리를 맞추는 것을 통상 포커싱이라 한다.

도 1a 및 도 1b는 종래 노광장비의 웨이퍼 스테이지를 보인 것으로 이에 도시된 바와 같이, 종래의 웨이퍼 스테이지(1)는 그 상면에 장홈의 원호형으로 버큠라인(Vaccum Line)(2)이 소정깊이로 함몰되도록 하여 겹겹이 형성되어 있고, 그 버큠라인(2)은 스테이지(1)의 내부를 관통하도록 형성되어 웨이퍼(4)를 흡착하는 버큠벤트(Vaccum Vent)(3)와 연통되어 있다.

상기 버큠라인(2)은 웨이퍼(4)의 셀(Cell) 영역(4a)과 대향되도록 형성되는 반면, 상기 버큠라인(2)이 형성되지 않은 웨이퍼 스테이지(1)의 상면은 웨이퍼(4)의 분리영역(4b)과 대향되어 있다.

상기와 같은 웨이퍼 스테이지(1)의 상면에 웨이퍼(4)가 얹혀져 포커싱을 실시하게 되는데, 상기 각 버큠라인(2)의 상측에는 전술한 바와 같이 웨이퍼(4)의 셀 영역(4a)이 대향되도록 얹혀지게 되는 것이었다.

그러나, 상기와 같은 종래의 웨이퍼 스테이지에 있어서는, 원호형의 버큠라인(2)만이 오목한 형태로 형성되고 나머지는 편평하게 형성되므로, 스테이지(1)와 웨이퍼(4) 간의 접촉면적이 많아지게 되고, 이로 인해 웨이퍼 배면의 파티클 또는 긁힘 등에 의한 웨이퍼(4) 셀 영역(4a)에 디포커스가 유발되는 문제점이 있었다.

따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래의 웨이퍼 스테이지가 가지는 문제점을 감안하여 안출한 것으로, 스테이지와 웨이퍼간의 접촉면적을 최소화하여 웨이퍼의 셀 영역에 대한 디포커스를 방지할 수 있는 반도체 노광장비의 디포커스 방지구조를 제공하려는데 본 고안의 목적이 있다.

도 1a는 종래 노광장비의 웨이퍼 스테이지에 대한 평면도.

도 1b는 도 1a의 'A - A' 단면도.

도 2a는 본 고안 노광장비의 웨이퍼 스테이지에 대한 평면도.

도 2b는 도 2a의 'B - B' 단면도.

***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명***

10 : 웨이퍼 스테이지 11 : 버큠라인

12 : 함몰부 13 : 버큠벤트

20 : 웨이퍼 21 : 셀 영역

22 ; 분리영역

이와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여, 웨이퍼 스테이지의 상면중에서 웨이퍼의 셀 영역과 대향되는 부위는 오목하게 함몰시킴과 아울러, 분리영역과 대향되는 부위는 버큠라인을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 노광장비의 디포커스 방지구조가 제공된다.

이하, 본 고안에 의한 반도체 노광장비의 디포커스 방지구조를 첨부도면에 도시된 일실시예에 의거하여 상세하게 설명한다.

도 2a는 본 고안 노광장비의 웨이퍼 스테이지에 대한 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 'B - B' 단면도이다.

이에 도시된 바와 같이 본 고안에 의한 웨이퍼 스테이지(10)는, 그 상면에 얹혀질 웨이퍼(20)와의 접촉면적을 최소화하기 위하여 상기 웨이퍼 스테이지(10)의 상면에 바둑판 모양으로 버큠라인(11)이 형성되는 것으로, 그 버큠라인(11)은 웨이퍼 스테이지(10)의 상면에 얹히는 웨이퍼(20)의 각 셀 영역(21)간의 사이, 즉 분리영역(22)에 대향되도록 형성된다.

또한, 상기 버큠라인(11)의 내측, 즉 상기 웨이퍼(20)의 셀 영역(21)과 대향되는 부위는 웨이퍼(20)의 저면과 접촉되지 않도록 오목하게 함몰부(12)가 형성된다.

도면중 종래와 동일한 부분에 대하여는 동일한 부호를 부여하였다.

도면중 미설명 부호인 13은 버큠벤트이다.

상기와 같은 본 고안에 의한 웨이퍼 스테이지를 갖는 반도체 노광장비의 작용효과는 다음과 같다.

즉, 상기 웨이퍼(20)의 셀 영역(21)이 스테이지(10)의 오목한 함몰부(12)에 대향되도록 얹히게 됨과 아울러, 상기 웨이퍼(20)의 분리영역(22)은 스테이지(10)의 버큠라인(11)에 대향되도록 얹히게 되므로, 결국 스테이지(10)와 웨이퍼(20)간의 접촉면적이 최소한으로 줄어들게 되는 것이다.

이로써, 웨이퍼(20)의 배면에 파티클 또는 긁힘이 발생되거나, 패턴이 조밀한 셀 영역(21)에 파티클이 발생되더라도 그 영역(21)이 스테이지(10)와 떨어져 있어 디포커스가 생기지 않게 되는 것이며, 반면 패턴이 조밀하지 않은 분리영역(22)에 파티클이 있다해도 셀 영역(21)에서의 디포커스에 비하면 그 영향이 미비하다고 할 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 고안에 의한 반도체 노광장비의 디포커스 방지구조는, 웨이퍼 스테이지의 상면중에서 웨이퍼의 셀 영역과 대향되는 부위는 오목하게 함몰시킴과 아울러, 분리영역과 대향되는 부위는 버큠라인을 형성함으로써, 웨이퍼 스테이지와 웨이퍼간의 접촉면적을 최소화하여 웨이퍼의 셀 영역에 대한 디포커스를 방지할 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 웨이퍼 스테이지의 상면중에서 웨이퍼의 셀 영역과 대향되는 부위는 오목하게 함몰시킴과 아울러, 분리영역과 대향되는 부위는 버큠라인을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 노광장비의 디포커스 방지구조.